CN101708833B - 磷酸二氢钾孪晶的制备方法 - Google Patents

磷酸二氢钾孪晶的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下:将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶,剩下部分切取两段,按既定角度方向磨平,磨成大小相同的两段晶体,将磨出的大小相同的对应面相对接,再把上下两顶磨平;然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨,并进行抛光;然后将两段晶体的两锥面接触,使两锥面处在一条直线上;以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上;然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中,控制生长条件,使晶体在其中生长,最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。

Description

磷酸二氢钾孪晶的制备方法
技术领域
本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法,它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法,属无机晶体材料制备工技术领域。
背景技术
近些年来,有关“负折射率”人工媒质的研究成为一个引人注目的前沿领域,并引发了许多的可能应用。在一定入射角范围内,孪晶界面对光波有等效负折射和全透射现象。由此,我们可以自主设计孪晶结构,使孪晶界面实现全角度内的等效负折射现象,并尽可能地补偿晶体的色散和双折射,以实现超透镜的应用。同时,我们还可以优化孪晶结构,实现滤波、波分复用、角色散、色散补偿、电光调制器件等用途,其应用前景非常的有潜力。自然界天然孪晶比较少,质量也不高;采用“光胶”方法,将两块定向切割的单晶制成的孪晶不完美,对光波有一定散射。目前,没有找到有关KDP孪晶培养方法的报道。因此,我们借鉴KDP单晶生长技术,以磷酸二氢钾为原料,对人工培养定向孪晶进行探索。按照孪晶结构设计的要求,我们采用水溶液降温法培养两光轴成相应角度的定向KDP孪晶。
发明内容
本发明的目的是针对目前自然然孪晶稀少,质量不高,而用“光胶”技术制成的孪晶,其界面不完美,对光波有一定的散射,故特提出一种新的人工培养孪晶的工艺方法。
本发明的磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备采用了磷酸二氢钾(KDP)水溶液降温结晶的制取方法。
本发明一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法,主要采用水溶液降温法,该方法具有以下的制备过程和步骤:
a.将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)晶体切掉两锥顶,剩下的部分切取两段,用细砂纸将这两段晶体按既定角度方向磨好,再用细砂纸磨去晶体表面的微晶,两段晶体磨成大小相同,接着用细软的丝绸抛光晶体。将磨出的大小相同的对应面重合,把上下两顶磨平,再沿xy平面内矩形的对角线将籽晶磨掉一半,即把与欲形成的孪晶界面沿上述对角线相正交的面磨大;
b.磨好后将晶体抛光,然后将处理好的两段晶体,使其两锥面接触,两锥面处在一条支线上,并以yz平面为底竖直粘贴到有机玻璃板上;
c.配制好磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液:溶质KDP为分析纯经过一次重结晶的提纯产品,溶剂为三次蒸馏水;先测出KDP溶液饱和温度;随后用微孔滤膜过滤溶液,再加热该溶液提高至原饱和温度之上15℃的温度,在该温度下预热48小时,然后将溶液温度下降到高出原饱和温度5℃的温度,此时才放入上述的粘好的晶体,控制生长条件,使晶体生长;
d.等放入的晶体稍溶后,将溶液温度下降到原饱和温度,并按设计的程序降温,使晶体在溶液中良好生长;最后取出晶体,用过滤纸吸干晶体表面的溶液,最终制得两光轴成40°的磷酸二氢钾孪晶。
2、如权利要求1所述的一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法,其特征在于所述的溶质KP一次重结晶的提纯过程为:
a.按照饱和溶液的溶解度公式计算在一定温度下,一定溶液中能溶解的溶质质量,称取和量取相应的溶质溶液,一起放入育晶瓶,在一定的温度下以300转/分钟的速度搅拌溶液,使溶质慢慢溶解;
b.用孔径为0.22微米的微孔滤膜过滤饱和溶液,再在一定的温度下蒸发;在重结晶的过程中采取“去头去尾”的方法,即重结晶最初析出的晶体和最后的母液都不要,只取中间部分。
本发明方法的特点和优点如下:
(1)本发明用来生长孪晶的两段晶体是由同一单晶切割下来的,具有同样的晶质和光子性能,而且去除了两锥顶。
(2)本发明在工艺上借鉴了磷酸二氢钾(KDP)单晶的生长工艺。
(3)本发明以优质的外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶为原料;晶体生长工艺简单,且比较成熟,能生长出高质量、大尺寸的孪晶。
附图说明
图1(a)和(b)分别为本发明制备KDP孪晶时籽晶处理的平面图和立体物图(图中虚线表示晶体切割方向,虚点线表示面磨大方向,图中选择锥面2和锥面2’作为要相对接的两个面)。
图2(a)和(b)分别为KDP晶体进一步处理图的平面图和立体图(图中两块晶体光轴夹角为40°,虚点线表示沿一条直线上磨平,锥面2和锥面2’相对接)。
图3(a)和(b)分别为上述处理好的孪晶籽晶在xy矩形横截面沿对角线切割并磨削成一半后的平面图和立体图。
具体实施方式
现结合附图把本发明实施例更进一步详细叙述如下:
1、培养KDP单晶:①用提纯后的KDP原料按溶解度公式在烧杯中配制高于室温8℃的KDP饱和液溶若干,稍过热后注入大小适中的培养皿中,用表面皿盖好,让其在室温下冷却结晶,八小时候挑选出尺寸较大、外形较好的“晶芽”用不锈钢镊子取出并用滤纸吸干表面,为了让晶芽长的大点,通常把表面皿掀开一条缝来控制蒸发;②上述的晶芽还不够大,不可直接用于KDP孪晶生长实验,为此把晶芽当成籽晶,继续培养成可供实验使用的单晶。最终生长技术培养出优质、横截面积较为理想、外形完整的KDP单晶;
2、将KDP单晶切掉两锥顶,选择两个要相对粘贴的特定面,剩下的部分切取两段,用细砂纸将这两段晶体按既定角度方向磨好(如图1所示),再用细砂纸磨去晶体表面微小杂晶,切割下来的两段晶体磨成大小相同的两段,相对粘贴的两面磨成大小相同的两锥面(面2和2’),最后用细软的丝绸抛光晶体。
3、将两晶体的面2和面2’重合,并将上下两顶面磨平(图2),并在两块晶体接触面按图示对籽晶进行处理,即把与欲形成的孪晶界面沿横截面对角线相正交的面磨大(图3)。处理好的两段晶体,两锥面接触,两锥面处在一条直线上,以yz面为底面竖直粘贴到有机玻璃板上。
4、按公式S=4.04×10-3T2+0.356T+13.6(式中S的单位为gKDP/100ml水,温度T的单位为℃)配制48℃的KDP饱和溶液;
5、测KDP溶液饱和温度,测得饱和温度为47.8℃;
6、用孔径为0.22μm的微孔滤膜过滤溶液;
7、本实验将溶液温度升高到62.8℃,在62.8℃下,溶液预热48小时,这是本实验条件比较理想的参数;
8、将溶液温度下降到52.8℃,放入粘好的晶体(晶体在放入溶液前先放入空的充晶器内缓慢升温,升温到52.8℃,待上1小时后,再将晶体放入溶液);
9、等晶体稍溶后,将溶液温度下降到47.8℃;按设计的程序降温,使晶体在溶液中生长;
10、晶体出槽,用过滤纸吸干晶体表面的溶液,最终制得两光轴成40°的磷酸二氢钾孪晶。
实验生长出清晰的孪晶界面,并且孪晶的机械性能较好。
在图3(a)中将上一步处理好的晶体沿图示(两块晶体接触面图)方向磨掉一半后,即又将晶体磨出一个{110}面,其原因是考虑到晶体自然结晶以z轴速度最快,而x与y轴方向生长速度受较弱的键合力与稳定性影响,生长非常缓慢,故人为地磨出一个自然结晶中不可能生长出来的{110}面(见图3(b)),使其优先生长,恢复成四方柱的形状,以达到培养孪晶界面的目的。

Claims (2)

1.一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法,主要采用水溶液降温法,该方法具有以下的制备过程和步骤:
a.将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)晶体切掉两锥顶,剩下的部分切取两段,用细砂纸将这两段晶体按既定角度方向磨好,再用细砂纸磨去晶体表面的微晶,两段晶体磨成大小相同,接着用细软的丝绸抛光晶体;将磨出的大小相同的对应面重合,把上下两顶磨平,再沿xy平面内矩形的对角线将籽晶磨掉一半,即把与欲形成的孪晶界面沿上述对角线相正交的面磨大;
b.磨好后将晶体抛光,然后将处理好的两段晶体,使其两锥面接触,两锥面处在一条支线上,并以yz平面为底竖直粘贴到有机玻璃板上;
c.配制好磷酸二氢钾(KDP)饱和溶液:溶质KDP为分析纯经过一次重结晶的提纯产品,溶剂为三次蒸馏水;先测出KDP溶液饱和温度;随后用微孔滤膜过滤溶液,再加热该溶液提高至原饱和温度之上15℃的温度,在该温度下预热48小时,然后将溶液温度下降到高出原饱和温度5℃的温度,此时才放入上述的粘好的晶体,控制生长条件,使晶体生长;
d.等放入的晶体稍溶后,将溶液温度下降到原饱和温度,并按设计的程序降温,使晶体在溶液中良好生长;最后取出晶体,用过滤纸吸干晶体表面的溶液,最终制得两光轴成40°的磷酸二氢钾孪晶。
2.如权利要求1所述的一种磷酸二氢钾孪晶的制备方法,其特征在于所述的溶质KDP一次重结晶的提纯过程为:
a.按照饱和溶液的溶解度公式计算在一定温度下,一定溶液中能溶解的溶质质量,称取和量取相应的溶质溶液,一起放入育晶瓶,在一定的温度下以300转/分钟的速度搅拌溶液,使溶质慢慢溶解;
b.用孔径为0.22微米的微孔滤膜过滤饱和溶液,再在一定的温度下蒸发;在重结晶的过程中采取“去头去尾”的方法,即重结晶最初析出的晶体和最后的母液都不要,只取中间部分。
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