JPS6119150A - 電子部品 - Google Patents

電子部品

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JPS6119150A
JPS6119150A JP13891084A JP13891084A JPS6119150A JP S6119150 A JPS6119150 A JP S6119150A JP 13891084 A JP13891084 A JP 13891084A JP 13891084 A JP13891084 A JP 13891084A JP S6119150 A JPS6119150 A JP S6119150A
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JP
Japan
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package
transparent insulating
varnish
electrode leads
electronic component
Prior art date
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Pending
Application number
JP13891084A
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English (en)
Inventor
Toyoaki Shibata
柴田　豊秋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS6119150A publication Critical patent/JPS6119150A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、電子部品に関し、更に詳細には外囲器表面
等を透明な絶縁性保護膜で被覆した構造の電子部品に関
するものである。
［発明の技術的背景］ 従来、電子部品の外囲器表面には、型式や製品種別を表
Ｊマーク等をインク等で印字し、あるいは印字したあと
ベーキング炉乾燥、赤外線乾燥等を施してマーク付けを
行っていた。
また、金属封止型半導体装置の外囲器においては、絶縁
ガラスで電極リードの植設を行ってステムを形成してい
る。
［背景技術の問題点〕 前記のごとき従来の電子部品においてはマークが外囲器
表面に露出した状態にあるため、電子部品の供給や選別
、包装のために電子部品がシュートや振動式搬送路等に
沿って自走搬送されると、該搬送路やシュートにこすら
れてマークが欠損したり、消失することが多く、従って
自動選別ができなくなることなどがあった。
一方、金属封止型半導体装置ではＮａ系やに系の絶縁ガ
ラスが使用されることが多く、その中にＮａやＫが含有
されているため、高温高湿の雰囲気中では絶縁ガラスに
表面リーク現象を生じやすいという問題点があった。
［発明の目的］ この発明の目的は、マーク消えが生じる恐れがなく、ま
た金属封止型半導体装置に生じやすい表面リーク現象が
発生する恐れのない、改良された電子部品を提供するこ
とである。
［発明の概要コ この発明によって改良された電子部品は、外囲器表面及
び電極リード等が透明な絶縁性保護膜で被覆されている
ことを特徴とするものである。
外囲器表面を透明な絶縁性保護膜で被覆することにより
マーク消えの恐れが解消されるとともに金属封止型半導
体装置においては表面リーク現象が発生する恐れが全く
なくなった。
［発明の実施例］ 第１図及び第２図は外囲器１の表面と電極り一ド２の表
面とに透明な絶縁ワニス被膜３を被覆した本発明の電子
部品の一実施例を示す。　この電子部品は第３図及び第
４図に示す従来の電子部品の表面に、透明な絶縁ワニス
被膜を形成したものであり、次のような方法で製作され
た。
すなわち、外囲器１の一表面１ａの二点鎖線で囲まれた
部分Ａにインクによって所定のマークを押印した後、従
来の方法により　１５０℃で３０分間乃至１時間のベー
キングを行ってインクを固化させる。　次に透明な絶縁
ワニス（ここではシリコーンワニス１容とキシレン４容
を混合したもの）を電極リード２の先端を除いて外囲器
１と電極り一ド２とにコーティングした後、７５９Ｃ〜
１５０℃の温度の熱風を吹き付けることにより該ワニス
を硬化させて透明な絶縁ワニス被膜３を形成させた。
第５吋は本発明の他の実施例を示したものである。　こ
の実施例の電子部品は金属封止型のものであり、第６図
に示す従来の金属封止型電子部品の絶縁ガラス面４と金
属製外囲器の外周面５とに前記と同じ方法で透明な絶縁
ワニス被膜３を形成させたものである。　この場合、電
極リード２の先端も絶縁ワニス被膜で被覆されるが、こ
の絶縁ワニスは１９０℃〜２００℃で蒸発するため該電
子部品をたとえばプリント配線板に取り付ける時には電
極リード部分が半田浴などで２００℃以上に加熱されれ
ば、電極リード表面の絶縁ワニスは消失し、従ってプリ
ント配線板への搭載においても何らの故障を生ずる恐れ
はない。
［発明の効果コ 本発明の電子部品によれば、以下のごとぎ効果が得られ
る。
（ａ）　　絶縁性保護膜を被覆したので、外囲器表面に
形成したマークが消失する恐れがなくなる。
（ｂ）　　従来の電子部品よりも絶縁耐力の大きな電子
部品となり、特に、金属封止型半導体装置では絶縁耐力
の向上が著しい。
（Ｃ）　　電極リードの表面リークが防止されるととも
に電極リードの表面酸化が防止される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の電子部品の一実施例の平面図、第２図
は第１図のＩ［−ＩＦ矢視図、第３図は従来の電子部品
の平面図、第４図は第３図のＩＶ−ＴＶ矢視図、第５図
は本発明の電子部品の他の実施例の平面図、第６図は従
来の電子部品の平面図である。 １・・・外囲器、　２・・・電極リード、　３・・・絶
縁ワニス被膜、　４・・・絶縁ガラス面、　５・・・金
属製外囲器の外周面。 第１１！！　　　　　　第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １　外囲器表面及び電極リードの一部などを透明な絶縁
    性保護膜で被覆したことを特徴とする電子部品。
JP13891084A 1984-07-06 1984-07-06 電子部品 Pending JPS6119150A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2577727B1 (en) * 2011-09-02 2016-03-16 SanDisk Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd. Method for forming color images on memory devices

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JPS5873125A (ja) * 1981-10-26 1983-05-02 Ricoh Co Ltd 電子部品の粉体塗装方法

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