JPS5848925A - 電子部品の樹脂膜形成方法 - Google Patents

電子部品の樹脂膜形成方法

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JPS5848925A
JPS5848925A JP14735581A JP14735581A JPS5848925A JP S5848925 A JPS5848925 A JP S5848925A JP 14735581 A JP14735581 A JP 14735581A JP 14735581 A JP14735581 A JP 14735581A JP S5848925 A JPS5848925 A JP S5848925A
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JP
Japan
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resin
parts
resin film
electronic parts
frame
Prior art date
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Pending
Application number
JP14735581A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kobayashi
正廣 小林
Ichiro Munakata
一郎 宗像
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5848925A publication Critical patent/JPS5848925A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子部品の樹脂膜形成方法、特に電子部品素子
の凹凸に沿って均一な厚さで樹脂膜を形成させる方法に
関する◎ 一方向に外部リード端子が導出された電子部品例えば樹
脂外装さｉ、＆５ＩＰ（シングル・インライン・パッケ
ージ）型ハイブリッドＩＣは、一般に第１図に示す如く
、回路素子２を形成又は搭載し一方向から導出される俵
数本の外部リード端子Ｑ ３を取着した回路基板（電子回路素子）４は一樹脂膜５
をコーディングしたのち樹脂外装６が形成されて構成さ
れる◎かかる構成のハイブリッド■と ＣＩにおいて樹脂Ｊｌ！［５の形成方法には、樹脂液の
滴下するボッティング法、樹脂液を吹付けるスプレー法
及び樹脂液中に浸漬するディッピング法等があるｏしか
し、無溶剤でポットライフが長く液状時にチキン性を有
する等の特徴を具えたシリコーン樹脂ディッピング手段
でコーティングした場合、形成さねぇ樹脂膜の厚さが不
均一になシ易く、かつ、コーティングレベル（コーティ
ングされた境界線）が直線状になシ難いという欠点があ
る。
そして、第１図に示したハイブリッドＩＣＩの如く、搭
載した回路素子２等により凹凸のある電子部品素子にあ
うては前記欠点が強調され、その外装形成等に支障を生
じる不都合があフた・本発明の目的は上記欠点を除去す
ることであシ、こＯ目的はチキン性樹脂液に浸漬した電
子部品素子上下方向に振動させ、前記素子を囲う前記樹
＋Ｉｉｆ液の一部分は前記撮動により粘度が低められて
破着されるようにしたことを特徴とした電子部品の樹脂
膜形成方法を提供して達成される。
以下、本発明方法の一実施例としては第１図に示したハ
イブリッドＩＣ？Ｃ適用したとき、そのディッピング製
筒を概略的に示す第２図を用いて本発明を説明する。
第２図において、ディッピング装ｆＪ［１１は上下動が
可能なディッピング檜１２と、通常の機構的手段により
上下方向へ振動可能な枠体１３と、水平動が回部なワイ
パー１４とを具え、枠体１３の振動は振幅０．５〜６　
ｍ　ｍ及び振動数３００〜３００ｒ、　ｐ、　ｍの範囲
内で選択的に設定できるようになっている。そして、醗
徐個のハイプリッ）’　Ｉ　ＣＩは各素子４が水平方向
に揃うようにリード端子３を介してホルダー１５に固着
し、ホルダー１５の左右両端部は枠体１３に係止される
一方、債１２にはシリコン樹脂膜１６が満たされる＠か
かる装置１１により樹脂膜５を被着形成するには、豊ず
ワイパー１４を駆動して樹脂液１６０液面１７を水平に
整えたのち檜１２を上昇させ隻液面１７が素子４に接近
したとき枠体１３を予め設定した条件で枠体１３の振動
を開始し、前記上昇は素子４が樹脂液１６の中に適当量
だけ浸漬される位置で停止させる。その結果、枠体１３
とともに振動する素子４を囲う樹脂液１６の一部分は素
子４の振動エネルギを吸収して粘度が低下するため、槽
１２を降下させて樹脂液１６から抜出した素子４には、
厚さが均一でコーティングレベルが直線状に揃うた樹脂
膜５が形成されるようになる０ 々お、樹脂膜５の厚さは枠体１３の振幅数並びに槽１２
の降下速度が主要因となうて決定されるが、前記降下速
度の代シに栖降下時における枠体振動数を変えて、樹脂
膜厚さの制御を行うことが可能であり１−、かワそ９フ
が正確に膜厚制御される０以上説明した如く本発明方法
によ名ば、電子部品素子の大きさと形状により樹脂膜形
成条件を予め設定し、厚さの均一な樹脂膜が形成される
のみならず、自動化に適し作業者の熟練朋ＶＣ彰響され
ない手法を実現せしめ六効来がある。
なお、本発明方法は図示例′に限定するものでなく、「
＠杆請求の虻囲」内において適宜変形実施し得るもので
ある０
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂外装されたＳＩＰ型ハ型ダイブリッドＩＣ
般的構造例を示す側断面図、第２図は本扼明の一実施例
として前記ハイブリッドＩＣに適用したときの樹脂液デ
ィッピング装置を概略的に示す正面図である。 なお、図中にふ・いて、３は外部リード端子、４！−ｉ
電子部品子（ハイブリッドＩＣ基板）、５社樹脂膜、１
１はディッピング製筒、１２は楕脂液槽・１３は振動可
卵な枠体、１５は電子部品素子ホルダー、１６は樹脂液
、 千／反 ７ｙ　、ｌ　（ｆ７

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一方向に外部リード端子が導出された電子部品素子を、
    チキン性を有する樹脂液に浸漬して樹脂膜を被着形成さ
    せる方法において、チキン性樹脂液に浸漬した電子部品
    素子を上下方向に振動吉せ、前Ｐ素子を囲う前記樹脂液
    の一部分は前記振動によシ粘度が低められて被着される
    ようにし走ことを特命とした電子部品の樹脂膜形成方法
    ◎
JP14735581A 1981-09-18 1981-09-18 電子部品の樹脂膜形成方法 Pending JPS5848925A (ja)

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JP14735581A JPS5848925A (ja) 1981-09-18 1981-09-18 電子部品の樹脂膜形成方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6119150A (ja) * 1984-07-06 1986-01-28 Toshiba Corp 電子部品
JPS63244746A (ja) * 1987-03-31 1988-10-12 Tokai Rika Co Ltd 樹脂封止装置
JPS6459924A (en) * 1987-08-31 1989-03-07 Toyota Motor Corp Method and device for applying sealer

Cited By (4)

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