JPS6119137B2 - - Google Patents
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- JPS6119137B2 JPS6119137B2 JP52145863A JP14586377A JPS6119137B2 JP S6119137 B2 JPS6119137 B2 JP S6119137B2 JP 52145863 A JP52145863 A JP 52145863A JP 14586377 A JP14586377 A JP 14586377A JP S6119137 B2 JPS6119137 B2 JP S6119137B2
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- Japan
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- case
- metal film
- recess
- crystal resonator
- etching
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/04—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses
- G04F5/06—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using oscillators with electromechanical resonators producing electric oscillations or timing pulses using piezoelectric resonators
- G04F5/063—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0595—Holders; Supports the holder support and resonator being formed in one body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は腐食加工により形成した凹部を有する
少くとも1個が透明材料製のケース2個の間に水
晶発振片を挾持してなる超薄型の水晶振動子に関
する。本発明の目的は超薄型の水晶振動子の構造
を強健にし、外力に対する信頼性を高めることで
ある。本発明の他の目的は、超薄型の水晶振動子
を安価に供することである。
少くとも1個が透明材料製のケース2個の間に水
晶発振片を挾持してなる超薄型の水晶振動子に関
する。本発明の目的は超薄型の水晶振動子の構造
を強健にし、外力に対する信頼性を高めることで
ある。本発明の他の目的は、超薄型の水晶振動子
を安価に供することである。
腐食加工により形成する凹部を有する透明材料
で形成したケースと、該ケースを用いて構成した
超薄型の水晶振動子の従来例を第1図、第2図に
示す。第1図は凹部と外周部を同時に腐食加工し
て形成したケースを示したもので、Aは該ケース
の断面図、B及びCはAにおける腐食加工時間の
長短による断面形状の相異を示す断面図である。
1は水晶あるいはガラス等の透明材料を腐食加工
することによつて形成したケースである。1aは
該ケース1の中央部の片一方の面だけを腐食加工
することによつて形成した凹部であり、1bは両
面より腐食加工することによつて抜き落としたケ
ース1の外周部である。2は腐食加工のために形
成した金、クロム等の金属マスクである。1cは
凹部1aを腐食加工することにより除去した後の
ケース面である。ケース厚みt、外周部腐食加工
深さt1、凹部腐食加工深さt2、凹部残り厚みt3と
断面形状の関係をB,Cに示す。Bにおいて、t
=2t1なる腐食加工条件の場合であり、外周部1
bには径方向に大きな突起1bができる。
で形成したケースと、該ケースを用いて構成した
超薄型の水晶振動子の従来例を第1図、第2図に
示す。第1図は凹部と外周部を同時に腐食加工し
て形成したケースを示したもので、Aは該ケース
の断面図、B及びCはAにおける腐食加工時間の
長短による断面形状の相異を示す断面図である。
1は水晶あるいはガラス等の透明材料を腐食加工
することによつて形成したケースである。1aは
該ケース1の中央部の片一方の面だけを腐食加工
することによつて形成した凹部であり、1bは両
面より腐食加工することによつて抜き落としたケ
ース1の外周部である。2は腐食加工のために形
成した金、クロム等の金属マスクである。1cは
凹部1aを腐食加工することにより除去した後の
ケース面である。ケース厚みt、外周部腐食加工
深さt1、凹部腐食加工深さt2、凹部残り厚みt3と
断面形状の関係をB,Cに示す。Bにおいて、t
=2t1なる腐食加工条件の場合であり、外周部1
bには径方向に大きな突起1bができる。
t1=t2;t3
Cにおいて、t<2t1なる腐食加工条件の場合
であり、腐食加工時間を十分長くすることで形成
できる。Bに比較して突起1dは極めて小さい。
であり、腐食加工時間を十分長くすることで形成
できる。Bに比較して突起1dは極めて小さい。
t1=t2 t3<t2
第2図において、3は音叉3aと音叉の基部が
音叉をとり囲むように延長して成る枠部3bから
なる水晶発振片、4及び5は水晶あるいはガラス
等の透明材料を腐食加工することによつて形成し
た上下各ケースである。4a,5aは該ケース4
及び5の中央部の片一方の面だけを腐食加工する
ことによつて形成した凹部であり、4b,5bは
両面より腐食加工することにより抜き落とした該
ケース4及び5の外周部である。4c,5cは凹
部4a,5aを腐食加工することにより除去した
後のケース面である。6は該水晶振動子の周波数
調整のため外部より照射したレーザー光線であ
り、6aは該レーザー光線6の集束レンズであ
る。t0は水晶振動子総厚である。
音叉をとり囲むように延長して成る枠部3bから
なる水晶発振片、4及び5は水晶あるいはガラス
等の透明材料を腐食加工することによつて形成し
た上下各ケースである。4a,5aは該ケース4
及び5の中央部の片一方の面だけを腐食加工する
ことによつて形成した凹部であり、4b,5bは
両面より腐食加工することにより抜き落とした該
ケース4及び5の外周部である。4c,5cは凹
部4a,5aを腐食加工することにより除去した
後のケース面である。6は該水晶振動子の周波数
調整のため外部より照射したレーザー光線であ
り、6aは該レーザー光線6の集束レンズであ
る。t0は水晶振動子総厚である。
以上に述べた従来例のようにケースの外周部と
凹部を同時に加工することによる欠点を以下に列
挙する。
凹部を同時に加工することによる欠点を以下に列
挙する。
1 腕時計に用いる時間標準源としての水晶振動
子は、衝撃、振動等の機械的外力の作用に対し
て欠損、破壊等が生じない様に機械的強度を保
持する事が必要である。なぜなら仮に欠損等が
生じた場合、その破片が精密歯車等のわずかな
スキマにはいり込み、動作停止等の故障を生じ
させるためである。
子は、衝撃、振動等の機械的外力の作用に対し
て欠損、破壊等が生じない様に機械的強度を保
持する事が必要である。なぜなら仮に欠損等が
生じた場合、その破片が精密歯車等のわずかな
スキマにはいり込み、動作停止等の故障を生じ
させるためである。
従来例、第1図Bで示すような断面形状を有
するケースは、突起1dが弱少部分であるため
に、上述した理由によつて、腕時計用水晶振動
子のケースとしては不適である。
するケースは、突起1dが弱少部分であるため
に、上述した理由によつて、腕時計用水晶振動
子のケースとしては不適である。
一方、第1図Cに示す様な断面形状を有する
ケースは、突起1dがきわめて小さいために実
用上は問題とならない。しかし凹部残り厚みt3
はt3<t 2となり薄くなるために、充分な機械的
強度を持たずそれを保持させるためにt3を規制
すればケース厚みtは、t>2t3となつて厚く
なり、結果的に水晶振動子の総厚t0を増大させ
るものである。従つて超薄型の水晶振動子のケ
ースとしては不適である。
ケースは、突起1dがきわめて小さいために実
用上は問題とならない。しかし凹部残り厚みt3
はt3<t 2となり薄くなるために、充分な機械的
強度を持たずそれを保持させるためにt3を規制
すればケース厚みtは、t>2t3となつて厚く
なり、結果的に水晶振動子の総厚t0を増大させ
るものである。従つて超薄型の水晶振動子のケ
ースとしては不適である。
2 凹部4a,5aを腐食加工により除去した後
のケース面4c,5cは、該腐食加工に用いる
腐食液と水晶あるいはガラス等のケース原料と
の化学反応による生成物の腐食加工面への沈
殿、あるいは原料の粗成、さらには結晶方位に
よる腐食速度の違いによつて、長時間の腐食加
工を施した場合、完全な平滑面とはなりにく
い。従つて該水晶振動子を真空封止した後、外
部よりレーザー光線を照射して、周波数調整を
行う場合、照射したレーザー光線が該ケース面
4c,5cにおいて屈折、錯乱し、該水晶発振
片に付着せしめてある金属膜の除去量が一定せ
ず、正確な周波数調整が不可能である。従つて
歩留りが抵化し、コスト高となる。
のケース面4c,5cは、該腐食加工に用いる
腐食液と水晶あるいはガラス等のケース原料と
の化学反応による生成物の腐食加工面への沈
殿、あるいは原料の粗成、さらには結晶方位に
よる腐食速度の違いによつて、長時間の腐食加
工を施した場合、完全な平滑面とはなりにく
い。従つて該水晶振動子を真空封止した後、外
部よりレーザー光線を照射して、周波数調整を
行う場合、照射したレーザー光線が該ケース面
4c,5cにおいて屈折、錯乱し、該水晶発振
片に付着せしめてある金属膜の除去量が一定せ
ず、正確な周波数調整が不可能である。従つて
歩留りが抵化し、コスト高となる。
本発明は以上述べた欠点をすべて解決するもの
である。第3図、第4図に本発明によるケースと
該ケースを用いて構成した超薄型の水晶振動子を
示す。
である。第3図、第4図に本発明によるケースと
該ケースを用いて構成した超薄型の水晶振動子を
示す。
本発明におけるケースの形成を第3図A→B→
C→Dの順に工順を追つて説明する。
C→Dの順に工順を追つて説明する。
Aにおいて、7は水晶あるいはガラス等のケー
ス原料となる厚みt4を有する透明材料である。該
透明材料7の表裏の各面には金属膜8と、さらに
該金属膜8の上にフオトレジスト等の保護膜9が
形成してある。透明材料7を腐食加工することに
よつてBに示すように、ケース外周部7bを形成
する。
ス原料となる厚みt4を有する透明材料である。該
透明材料7の表裏の各面には金属膜8と、さらに
該金属膜8の上にフオトレジスト等の保護膜9が
形成してある。透明材料7を腐食加工することに
よつてBに示すように、ケース外周部7bを形成
する。
次に金属膜8を腐食加工することによつて、C
に示す様に、凹部を形成する部分の透明材料面を
露出させる。次に再び透明材料7を腐食加工する
ことによつて、Dに示す様に、必要にして最小限
の凹部腐食加工深さt5なる凹部7aを形成する。
7cは凹部7aを腐食加工することによつて除去
した後のケース面である。t6は凹部残り厚みであ
る。
に示す様に、凹部を形成する部分の透明材料面を
露出させる。次に再び透明材料7を腐食加工する
ことによつて、Dに示す様に、必要にして最小限
の凹部腐食加工深さt5なる凹部7aを形成する。
7cは凹部7aを腐食加工することによつて除去
した後のケース面である。t6は凹部残り厚みであ
る。
以上の工順によりケースの外周部と凹部とをそ
れぞれ単独で腐食加工するものである。
れぞれ単独で腐食加工するものである。
第4図において10は音叉10aと音叉の基部
が音叉をとり囲む様に延長してなる枠部10bか
ら成る水晶発振片、11及び12は水晶あるいは
ガラス等の透明材料を腐食加工することによつて
形成した、上、下各ケースである。11a,12
aは該ケース11及び12の中央部の片一方の面
だけを腐食加工することによつて形成した凹部で
あり、11b,12bは両面より腐食加工するこ
とによつて抜き落とした該ケース11及び12の
外周部である。11c,12cは凹部11a,1
2aを腐食加工することにより除去した後のケー
ス面である。13は該水晶振動子の周波数調整の
ため、外部より照射したレーザー光線であり、1
3aは該レーザー光線13の集束レンズである。
t7は水晶振動子総厚である。
が音叉をとり囲む様に延長してなる枠部10bか
ら成る水晶発振片、11及び12は水晶あるいは
ガラス等の透明材料を腐食加工することによつて
形成した、上、下各ケースである。11a,12
aは該ケース11及び12の中央部の片一方の面
だけを腐食加工することによつて形成した凹部で
あり、11b,12bは両面より腐食加工するこ
とによつて抜き落とした該ケース11及び12の
外周部である。11c,12cは凹部11a,1
2aを腐食加工することにより除去した後のケー
ス面である。13は該水晶振動子の周波数調整の
ため、外部より照射したレーザー光線であり、1
3aは該レーザー光線13の集束レンズである。
t7は水晶振動子総厚である。
以上、本発明によれば以下に述べる利点が生ず
る。
る。
1 ケースの外周部7bには、径方向に突起が生
じない様にする為に、充分な腐食加工を施し、
且つ凹部7aは必要にして最小限度の腐食加工
深さを得ることが可能であり、機械的外力の作
用に対し、欠損、破壊等が生ずることはなく、
しかも、凹部残り厚みt6に対してケース厚みt4
は必要以上に厚くなることはない。従つて外力
に対して信頼性が高く強健な構造を有する超薄
型の水晶振動子を得ることが可能である。
じない様にする為に、充分な腐食加工を施し、
且つ凹部7aは必要にして最小限度の腐食加工
深さを得ることが可能であり、機械的外力の作
用に対し、欠損、破壊等が生ずることはなく、
しかも、凹部残り厚みt6に対してケース厚みt4
は必要以上に厚くなることはない。従つて外力
に対して信頼性が高く強健な構造を有する超薄
型の水晶振動子を得ることが可能である。
2 凹部11a,12aを形成するための腐食加
工時間はきわめて短時間で良いために、該凹部
11a,12aを除去した後のケース面11
c,12cはほとんど完全な透明面を得ること
が可能である。従つて該水晶振動子を真空封止
した後、外部よりレーザー光線を照射して周波
数調整を行う場合、照射したレーザー光線が該
ケース面11c,12cにおいて屈折、錯乱す
ることは極めて少く、該水晶発振片に付着せし
めてある金属膜の除去量は一定となり、正確な
周波数調整が可能である。従つて高歩留りでき
安価に供することが可能である。
工時間はきわめて短時間で良いために、該凹部
11a,12aを除去した後のケース面11
c,12cはほとんど完全な透明面を得ること
が可能である。従つて該水晶振動子を真空封止
した後、外部よりレーザー光線を照射して周波
数調整を行う場合、照射したレーザー光線が該
ケース面11c,12cにおいて屈折、錯乱す
ることは極めて少く、該水晶発振片に付着せし
めてある金属膜の除去量は一定となり、正確な
周波数調整が可能である。従つて高歩留りでき
安価に供することが可能である。
第1図Aは従来の水晶振動子に用いられたケー
スの断面図、第1図Bは第1図Aにおいて腐食加
工時間が短い場合のケース断面図、第1図Cは第
1図Aにおいて腐食加工時間が長い場合のケース
断面図、第2図は第1図に示したケースを用いた
従来の水晶振動子の断面図、第3図A,B,C,
Dは本発明に用いるケースの製造工程例を示した
ケースの断面図、第4図は本発明による水晶振動
子の実例を示す断面図。 1……ケース、1a……凹部、1b……外周
部、1c……ケース面、1d……突起、2……金
属マスク、3……水晶発振片、3a……音叉、3
b……枠部、4,5……上、下各ケース、4a,
5a……凹部、4b,5b……外周部、4c,5
c……ケース面、6……レーザー光線、6a……
集束レンズ、7……透明材料、7a……凹部、7
b……ケース外周部、8……金属膜、9……保護
膜、10……水晶発振片、10a……音叉、10
b……枠部、11,12……上、下各ケース、1
1a,12a……凹部、11b,12b……外周
部、11c,12c……ケース面、13……レー
ザー光線、13a……集束レンズ、t……ケース
厚み、t1……外周部腐食加工深さ、t2……凹部腐
食加工深さ、t3……凹部残り厚み、t0……水晶振
動子の総厚、t4……ケースの原料となる厚み、t5
……凹部腐食加工深さ、t6……凹部残り厚み、t7
……水晶振動子総厚。
スの断面図、第1図Bは第1図Aにおいて腐食加
工時間が短い場合のケース断面図、第1図Cは第
1図Aにおいて腐食加工時間が長い場合のケース
断面図、第2図は第1図に示したケースを用いた
従来の水晶振動子の断面図、第3図A,B,C,
Dは本発明に用いるケースの製造工程例を示した
ケースの断面図、第4図は本発明による水晶振動
子の実例を示す断面図。 1……ケース、1a……凹部、1b……外周
部、1c……ケース面、1d……突起、2……金
属マスク、3……水晶発振片、3a……音叉、3
b……枠部、4,5……上、下各ケース、4a,
5a……凹部、4b,5b……外周部、4c,5
c……ケース面、6……レーザー光線、6a……
集束レンズ、7……透明材料、7a……凹部、7
b……ケース外周部、8……金属膜、9……保護
膜、10……水晶発振片、10a……音叉、10
b……枠部、11,12……上、下各ケース、1
1a,12a……凹部、11b,12b……外周
部、11c,12c……ケース面、13……レー
ザー光線、13a……集束レンズ、t……ケース
厚み、t1……外周部腐食加工深さ、t2……凹部腐
食加工深さ、t3……凹部残り厚み、t0……水晶振
動子の総厚、t4……ケースの原料となる厚み、t5
……凹部腐食加工深さ、t6……凹部残り厚み、t7
……水晶振動子総厚。
Claims (1)
- 1 内面に凹部を有してなる平型の2個のケース
のうち1方を透明材料で形成してなる水晶振動子
ケースの製造方法において、前記透明材料からな
る平型ケースが、透明薄板上の両面に保護膜とな
る金属膜をケース外形状に載置固着し、更に前記
金属膜上にレジスト膜を塗布するとともに1方の
金属膜上のレジスト膜は前記凹部の平面形状を除
いて塗布される第1工程と、前記金属膜以外の部
分をエツチングにより腐蝕抜きする第2工程と、
前記レジスト膜が塗布された以外の金属膜を除去
する第3工程と、前記金属膜が除去された部分を
エツチング加工し凹部を形成する第4工程と、前
記金属膜を除去する第5工程によつて形成される
ことを特徴とする水晶振動子ケース製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14586477A JPS5478694A (en) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | Crystal vibrator |
JP14586377A JPS5478693A (en) | 1977-12-05 | 1977-12-05 | Crystal vibrator |
US05/966,688 US4293986A (en) | 1977-12-05 | 1978-12-05 | Method of making a quartz crystal oscillator |
CH1240178A CH633160B (fr) | 1977-12-05 | 1978-12-05 | Procede de fabrication d'un oscillateur a cristal de quartz de type ultra mince et oscillateur a cristal de quartz encapsule resultant du procede. |
US06/141,025 US4288284A (en) | 1977-12-05 | 1980-04-17 | Method of producing housing element for quartz crystal oscillator |
CH982A CH647642GA3 (ja) | 1977-12-05 | 1982-01-04 |
Applications Claiming Priority (2)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03121U (ja) * | 1989-05-23 | 1991-01-07 |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH625372A5 (ja) * | 1979-07-06 | 1981-09-15 | Ebauchesfabrik Eta Ag | |
JPS57152212A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Seiko Epson Corp | Quartz oscillator |
CH655423GA3 (ja) * | 1984-02-15 | 1986-04-30 | ||
JPS60191511A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-30 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電振動子とその製造方法 |
JPS6146608A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電振動子 |
US4627533A (en) * | 1984-10-29 | 1986-12-09 | Hughes Aircraft Company | Ceramic package for compensated crystal oscillator |
DE3520085A1 (de) * | 1985-06-05 | 1986-12-11 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zum herstellen eines hermetisch verschlossenen bauelementengehaeuses, insbesondere fuer schwingquarze |
US4639631A (en) * | 1985-07-01 | 1987-01-27 | Motorola, Inc. | Electrostatically sealed piezoelectric device |
DE3539504A1 (de) * | 1985-11-07 | 1987-05-21 | Schott Glaswerke | Flachgehaeuse zur hermetischen kapselung von piezoelektrischen bauelementen |
FR2592247A1 (fr) * | 1985-12-24 | 1987-06-26 | Electronique Piezo Electr Cie | Perfectionnement aux resonateurs piezoelectriques. |
US5265316A (en) * | 1987-02-27 | 1993-11-30 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a pressure seal type piezoelectric oscillator |
US5607236A (en) * | 1987-02-27 | 1997-03-04 | Seiko Epson Corporation | Quartz oscillator temperature sensor |
US5325574A (en) * | 1987-02-27 | 1994-07-05 | Seiko Epson Corporation | Method of forming a quartz oscillator temperature sensor |
US5392006A (en) * | 1987-02-27 | 1995-02-21 | Seiko Epson Corporation | Pressure seal type piezoelectric resonator |
US5592130A (en) * | 1987-02-27 | 1997-01-07 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator including a piezoelectric resonator with outer lead |
GB8719498D0 (en) * | 1987-08-18 | 1987-11-18 | Ferranti Plc | Seals |
US4895291A (en) * | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Eastman Kodak Company | Method of making a hermetic seal in a solid-state device |
US5138214A (en) * | 1989-12-27 | 1992-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric transducer and method of adjusting oscillation frequency thereof |
US5270491A (en) * | 1990-10-09 | 1993-12-14 | Eastman Kodak Company | Hermetically sealed microelectronic package |
JP2601016B2 (ja) * | 1990-11-17 | 1997-04-16 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子の製造方法 |
JPH06505597A (ja) * | 1991-03-04 | 1994-06-23 | モトローラ・インコーポレーテッド | 非導電性電子回路パッケージ用シールド装置 |
US5747857A (en) * | 1991-03-13 | 1998-05-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic components having high-frequency elements and methods of manufacture therefor |
US5668057A (en) * | 1991-03-13 | 1997-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Methods of manufacture for electronic components having high-frequency elements |
GB2260642B (en) * | 1991-10-19 | 1995-02-08 | Northern Telecom Ltd | Crystal resonator device |
JPH06291587A (ja) * | 1992-07-08 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子 |
KR0158469B1 (ko) * | 1992-10-15 | 1999-03-20 | 모리시타 요이찌 | 발진자 |
DE69322480T2 (de) * | 1992-10-20 | 1999-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Piezoelektrisches Filter und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5302879A (en) * | 1992-12-31 | 1994-04-12 | Halliburton Company | Temperature/reference package, and method using the same for high pressure, high temperature oil or gas well |
JPH06350376A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気密封止された圧電デバイスおよび気密封止パッケージ |
US5502344A (en) * | 1993-08-23 | 1996-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Packaged piezoelectric oscillator incorporating capacitors and method of making the same |
JPH07193294A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
DE69409215T2 (de) * | 1993-12-06 | 1998-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Hybrid Magnetstruktur und deren Herstellungsverfahren |
US5406682A (en) * | 1993-12-23 | 1995-04-18 | Motorola, Inc. | Method of compliantly mounting a piezoelectric device |
JPH07226644A (ja) * | 1994-02-16 | 1995-08-22 | Murata Mfg Co Ltd | エネルギー閉じ込め型圧電共振子 |
US5552655A (en) * | 1994-05-04 | 1996-09-03 | Trw Inc. | Low frequency mechanical resonator |
US5514928A (en) * | 1994-05-27 | 1996-05-07 | Litton Systems, Inc. | Apparatus having cascaded and interbonded microchannel plates and method of making |
DE19548062A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement - OFW-Bauelement - sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung |
DE19548048C2 (de) * | 1995-12-21 | 1998-01-15 | Siemens Matsushita Components | Elektronisches Bauelement, insbesondere mit akustischen Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement (OFW-Bauelement) |
US6242842B1 (en) | 1996-12-16 | 2001-06-05 | Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg | Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production |
US5696422A (en) * | 1996-03-01 | 1997-12-09 | Piezo Crystal Company | Crystal package |
DE69718693T2 (de) * | 1996-03-08 | 2003-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Elektronisches Bauteil und Herstellungsverfahren |
DE19649332C1 (de) * | 1996-11-28 | 1998-01-22 | Tele Quarz Gmbh | Resonator mit Kristall |
JP3042431B2 (ja) * | 1996-12-03 | 2000-05-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の封止構造および封止方法 |
US6976295B2 (en) * | 1997-07-29 | 2005-12-20 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric device |
US6960870B2 (en) * | 1997-07-29 | 2005-11-01 | Seiko Epson Corporation | Piezo-electric resonator and manufacturing method thereof |
US6114800A (en) * | 1997-10-01 | 2000-09-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Piezoelectric component |
JP3989663B2 (ja) * | 2000-02-17 | 2007-10-10 | セイコーインスツル株式会社 | 圧電振動子と圧電振動子の製造方法 |
US6628048B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-09-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Crystal oscillator with improved shock resistance |
JP3974346B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2007-09-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
US6548943B2 (en) * | 2001-04-12 | 2003-04-15 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method of producing thin-film bulk acoustic wave devices |
US6528875B1 (en) * | 2001-04-20 | 2003-03-04 | Amkor Technology, Inc. | Vacuum sealed package for semiconductor chip |
JP2003318699A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Piedekku Gijutsu Kenkyusho:Kk | 水晶ユニットとその製造方法 |
JP3905041B2 (ja) * | 2003-01-07 | 2007-04-18 | 株式会社日立製作所 | 電子デバイスおよびその製造方法 |
US8092734B2 (en) * | 2004-05-13 | 2012-01-10 | Aptina Imaging Corporation | Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers |
JP4451219B2 (ja) * | 2004-06-03 | 2010-04-14 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子 |
US7061086B2 (en) * | 2004-09-01 | 2006-06-13 | Bliley Technologies Inc. | Silicon package for piezoelectric device |
JP2006229295A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Kyocera Kinseki Corp | 振動子パッケージ |
JP4690146B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-06-01 | セイコーインスツル株式会社 | 水晶振動子、発振器及び電子機器 |
JP2007251766A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
US7564177B2 (en) * | 2006-12-26 | 2009-07-21 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal unit having stacked structure |
US8069549B2 (en) | 2007-03-22 | 2011-12-06 | Seiko Epson Corporation | Method for sealing a quartz crystal device |
JP5078512B2 (ja) * | 2007-09-06 | 2012-11-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス |
JP5048471B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-10-17 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージ、電子デバイス、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
JP4988799B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2012-08-01 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動デバイス及び圧電振動デバイスの製造方法 |
JP2011142374A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法 |
JP5129284B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2013-01-30 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動子及び圧電振動子の製造方法 |
CN106233624B (zh) * | 2014-04-24 | 2018-12-21 | 株式会社村田制作所 | 水晶振动装置以及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US261402A (en) * | 1882-07-18 | sprague | ||
US378423A (en) * | 1888-02-28 | Method of etching on one | ||
US3421962A (en) * | 1965-04-05 | 1969-01-14 | Int Rectifier Corp | Apparatus for dicing semiconductor wafers |
US3888708A (en) * | 1972-02-17 | 1975-06-10 | Kensall D Wise | Method for forming regions of predetermined thickness in silicon |
US3857161A (en) * | 1973-02-09 | 1974-12-31 | T Hutchins | Method of making a ductile hermetic indium seal |
FR2338607A1 (fr) * | 1976-01-16 | 1977-08-12 | France Etat | Resonateur a quartz a electrodes non adherentes au cristal |
US4077558A (en) * | 1976-12-06 | 1978-03-07 | International Business Machines Corporation | Diffusion bonding of crystals |
-
1977
- 1977-12-05 JP JP14586377A patent/JPS5478693A/ja active Granted
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-
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-
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- 1980-04-17 US US06/141,025 patent/US4288284A/en not_active Expired - Lifetime
-
1982
- 1982-01-04 CH CH982A patent/CH647642GA3/fr unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03121U (ja) * | 1989-05-23 | 1991-01-07 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH647642GA3 (ja) | 1985-02-15 |
US4293986A (en) | 1981-10-13 |
JPS5478693A (en) | 1979-06-22 |
CH633160GA3 (ja) | 1982-11-30 |
US4288284A (en) | 1981-09-08 |
JPS5478694A (en) | 1979-06-22 |
CH633160B (fr) |
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