JPS6119094B2 - - Google Patents
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- JPS6119094B2 JPS6119094B2 JP57092797A JP9279782A JPS6119094B2 JP S6119094 B2 JPS6119094 B2 JP S6119094B2 JP 57092797 A JP57092797 A JP 57092797A JP 9279782 A JP9279782 A JP 9279782A JP S6119094 B2 JPS6119094 B2 JP S6119094B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/26—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
- H01F10/28—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
本発明は、金属性磁性膜を蒸着するための非磁
性基板材料に関するものである。 従来、例えば薄膜磁気ヘツド、集積回路素子等
を製造するに際しては、チタン酸バリウム、チタ
ン酸カルシウム、アルミナ、亜鉛フエライト、ガ
ラス等を非磁性基板材料として用い、該基板材料
上に金属性膜を形成したものが用いられていた。
すなわち、これらの材料を基板材料として鏡面仕
上げ加工を施したあと、トリクロールエチレン、
アセトン等の有機溶媒中で洗浄し、この基板上に
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法等の公知の物理蒸着法技術を用いて数μ
〜数十μｍの膜厚に、Fe−Ni系またはFe−Al−
Si系の金属磁性膜を形成し、その後、磁気特性改
善のため500〜700℃で真空中加熱による熱処理を
実施している。 しかしながら、上記従来の基板材料の多くは、
その熱膨脹係数が金属磁性膜の熱膨脹係数αと大
きく異なつているため、蒸着した金属性磁膜が剥
離しやすいという欠点を有していた。また、例え
だ熱膨脹係数が金属性磁膜の熱膨脹係数と合つた
ガラスの場合には、蒸着膜の剥離の問題点はない
が、薄膜磁気ヘツドを構成した場合には、ガラス
の硬さが低いために磁気テープとの摺動により摩
耗するという欠点があつた。 このためFe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性
磁膜の熱膨脹係数α（120〜150×10-7／℃）に近
い熱膨脹係数を有し、しかも硬さは磁気テープに
含まれる磁性粉の硬さ（Hv 500〜700Kg／mm2）
なみの特性を有する非磁性基板材料の出現が望ま
れていた。 本発明は上記要望に応えるべくなされたもので
あり、Fe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁膜
を物理蒸着法により形成するに最適な非磁性基板
材料を提供することも目的とする。 上記目的を達成するために本発明は、
ZnxMnyNi2-x-yO2（ただし、０≦ｘ≦0.4，0.4≦
ｙ≦1.0，0.8≦ｘ＋ｙ≦1.0）で表わされ岩塩型構
造を有する酸化物を金属磁性膜蒸着用非磁性基板
材料として用いたことを特徴とするものである。 上記組成の酸化物は、フエライト磁気ヘツドの
製造技術において、フエライトとの接合に関連す
る構造材料として、先に本件出願人が提案したこ
とがあるものである（特開昭52−145797号公報参
照）。 しかしながら、先に提案したときは磁気ヘツド
の構造材料としての特性に着目したものであり、
当該材料が金属磁性膜蒸着用基板材料として適し
ているか否かは必ずしも明確ではなかつた。 本発明者等は、前記従来技術の欠点を解消する
新規な材料を実現すべく種々検討した結果、上記
組成の非磁性材料が特にFe−Ni系またはFe−Al
−Si系金属磁性膜蒸着用基板材料として最適なも
のであることを見出し本発明を完成したものであ
る。 本発明において、０≦ｘ≦0.4，0.4≦ｙ≦1.0，
0.8≦ｘ＋ｙ≦1.0としたものは、この組成範囲で
は熱膨脹係数αが120〜140×10-7／℃程度の特性
となり、Fe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁
膜のαとほぼ同等となるためである。 また、本発明において、上記組成を主成分とし
て、Al，Cr，Si，Sn，Ba等の添加物を含有させ
た場合には、より高密度化出来る利点があるの
で、αがFe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁
膜のαとほぼ同等のものであれば、同様に本発明
の効果を得ることができる。 以下、本発明を実施例に基づき詳述する。 実施例 １ 組成式ZnxMnyNi2-x-yO2で表わされる酸化物非
磁性材料のうちＡ（ｘ＝０，ｙ＝１）、Ｂ（ｘ＝
0.1，ｙ＝0.9）、Ｃ（ｘ＝0.25、ｙ＝0.65）および
Ｄ（ｘ＝0.4、ｙ＝0.4）の各組成のものについ
て、各素原料ZnO，MnCO3およびNiOを秤量し、
所望する醸化物をそれぞれ500g製造した。混
合、粉砕は水またはアルコール、アセトン等の有
機溶媒中ボールミルで10〜20h処理した。また、
上記Ａ（ｘ＝０，ｙ＝１）の組成のものにAl2O3
を粉砕時に４重量％添加したものも同様に製造処
理した。 仮焼は、700〜1200℃で実施し、金型成形後、
窒素ガス中1150〜1300℃の温度範囲で焼結した。
得られた材料についてＸ線解析し、NaCl構造で
あることを確認した。次に、これらの材料より片
面を鏡面仕上げした10×20×2tなる形状の基板を
加工し、これらの鏡面仕上げ面上にスパツタリン
グ法にてFe−Ni系金属性磁膜（パーマロイ膜）
またはFe−Al−Si系金属性磁膜（センダスト
膜）を約５μｍ厚みに形成した。こうして得られ
たものを、真空中600℃10分間保持の炉冷条件で
熱処理を施した。その結果を第１表に示す。 また、比較のために、従来材としてチタン酸バ
リウム系の基板も上記と同様にして作製処理し
た。
性基板材料に関するものである。 従来、例えば薄膜磁気ヘツド、集積回路素子等
を製造するに際しては、チタン酸バリウム、チタ
ン酸カルシウム、アルミナ、亜鉛フエライト、ガ
ラス等を非磁性基板材料として用い、該基板材料
上に金属性膜を形成したものが用いられていた。
すなわち、これらの材料を基板材料として鏡面仕
上げ加工を施したあと、トリクロールエチレン、
アセトン等の有機溶媒中で洗浄し、この基板上に
真空蒸着法、スパツタリング法、イオンプレーテ
イング法等の公知の物理蒸着法技術を用いて数μ
〜数十μｍの膜厚に、Fe−Ni系またはFe−Al−
Si系の金属磁性膜を形成し、その後、磁気特性改
善のため500〜700℃で真空中加熱による熱処理を
実施している。 しかしながら、上記従来の基板材料の多くは、
その熱膨脹係数が金属磁性膜の熱膨脹係数αと大
きく異なつているため、蒸着した金属性磁膜が剥
離しやすいという欠点を有していた。また、例え
だ熱膨脹係数が金属性磁膜の熱膨脹係数と合つた
ガラスの場合には、蒸着膜の剥離の問題点はない
が、薄膜磁気ヘツドを構成した場合には、ガラス
の硬さが低いために磁気テープとの摺動により摩
耗するという欠点があつた。 このためFe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性
磁膜の熱膨脹係数α（120〜150×10-7／℃）に近
い熱膨脹係数を有し、しかも硬さは磁気テープに
含まれる磁性粉の硬さ（Hv 500〜700Kg／mm2）
なみの特性を有する非磁性基板材料の出現が望ま
れていた。 本発明は上記要望に応えるべくなされたもので
あり、Fe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁膜
を物理蒸着法により形成するに最適な非磁性基板
材料を提供することも目的とする。 上記目的を達成するために本発明は、
ZnxMnyNi2-x-yO2（ただし、０≦ｘ≦0.4，0.4≦
ｙ≦1.0，0.8≦ｘ＋ｙ≦1.0）で表わされ岩塩型構
造を有する酸化物を金属磁性膜蒸着用非磁性基板
材料として用いたことを特徴とするものである。 上記組成の酸化物は、フエライト磁気ヘツドの
製造技術において、フエライトとの接合に関連す
る構造材料として、先に本件出願人が提案したこ
とがあるものである（特開昭52−145797号公報参
照）。 しかしながら、先に提案したときは磁気ヘツド
の構造材料としての特性に着目したものであり、
当該材料が金属磁性膜蒸着用基板材料として適し
ているか否かは必ずしも明確ではなかつた。 本発明者等は、前記従来技術の欠点を解消する
新規な材料を実現すべく種々検討した結果、上記
組成の非磁性材料が特にFe−Ni系またはFe−Al
−Si系金属磁性膜蒸着用基板材料として最適なも
のであることを見出し本発明を完成したものであ
る。 本発明において、０≦ｘ≦0.4，0.4≦ｙ≦1.0，
0.8≦ｘ＋ｙ≦1.0としたものは、この組成範囲で
は熱膨脹係数αが120〜140×10-7／℃程度の特性
となり、Fe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁
膜のαとほぼ同等となるためである。 また、本発明において、上記組成を主成分とし
て、Al，Cr，Si，Sn，Ba等の添加物を含有させ
た場合には、より高密度化出来る利点があるの
で、αがFe−Ni系またはFe−Al−Si系金属性磁
膜のαとほぼ同等のものであれば、同様に本発明
の効果を得ることができる。 以下、本発明を実施例に基づき詳述する。 実施例 １ 組成式ZnxMnyNi2-x-yO2で表わされる酸化物非
磁性材料のうちＡ（ｘ＝０，ｙ＝１）、Ｂ（ｘ＝
0.1，ｙ＝0.9）、Ｃ（ｘ＝0.25、ｙ＝0.65）および
Ｄ（ｘ＝0.4、ｙ＝0.4）の各組成のものについ
て、各素原料ZnO，MnCO3およびNiOを秤量し、
所望する醸化物をそれぞれ500g製造した。混
合、粉砕は水またはアルコール、アセトン等の有
機溶媒中ボールミルで10〜20h処理した。また、
上記Ａ（ｘ＝０，ｙ＝１）の組成のものにAl2O3
を粉砕時に４重量％添加したものも同様に製造処
理した。 仮焼は、700〜1200℃で実施し、金型成形後、
窒素ガス中1150〜1300℃の温度範囲で焼結した。
得られた材料についてＸ線解析し、NaCl構造で
あることを確認した。次に、これらの材料より片
面を鏡面仕上げした10×20×2tなる形状の基板を
加工し、これらの鏡面仕上げ面上にスパツタリン
グ法にてFe−Ni系金属性磁膜（パーマロイ膜）
またはFe−Al−Si系金属性磁膜（センダスト
膜）を約５μｍ厚みに形成した。こうして得られ
たものを、真空中600℃10分間保持の炉冷条件で
熱処理を施した。その結果を第１表に示す。 また、比較のために、従来材としてチタン酸バ
リウム系の基板も上記と同様にして作製処理し
た。
【表】
第１表より明らかな如く、従来材で生じていた
金属磁性膜の熱処理時の剥離は、本発明の材料で
は皆無である。また、副成分としてAl2O3を添加
したものもαが123×10-7／℃であり、問題なく
有効であることが明らかであり、極めて高い密度
を有するという利点と相俟つて有用な基板材料で
あること明白である。 以上詳述した如く、本発明非磁性基板材料を用
いることにより、金属磁性薄膜形成後に、磁気特
性の改善のための熱処理を施すことが望ましい金
属性磁膜に対して、膜の剥離を心配することなく
任意の熱処理が可能となり、磁気特性の優れた膜
を有する電子部品素子を生産することが出来る利
点がある。このため本発明の工業的価値は極めて
大なるものがある。
金属磁性膜の熱処理時の剥離は、本発明の材料で
は皆無である。また、副成分としてAl2O3を添加
したものもαが123×10-7／℃であり、問題なく
有効であることが明らかであり、極めて高い密度
を有するという利点と相俟つて有用な基板材料で
あること明白である。 以上詳述した如く、本発明非磁性基板材料を用
いることにより、金属磁性薄膜形成後に、磁気特
性の改善のための熱処理を施すことが望ましい金
属性磁膜に対して、膜の剥離を心配することなく
任意の熱処理が可能となり、磁気特性の優れた膜
を有する電子部品素子を生産することが出来る利
点がある。このため本発明の工業的価値は極めて
大なるものがある。
Claims (1)
- １ ZnxMnyNi2-x-yO2（ただし、０≦ｘ≦0.4，
0.4≦ｙ≦1.0，0.8≦ｘ＋ｙ≦1.0）で表わされ岩
塩型構造を有することを特徴とするFe−Ni系ま
たはFe−Al−Si系金属磁性膜蒸着用非磁性基板
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092797A JPS59908A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57092797A JPS59908A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 基板材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59908A JPS59908A (ja) | 1984-01-06 |
| JPS6119094B2 true JPS6119094B2 (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=14064407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57092797A Granted JPS59908A (ja) | 1982-05-31 | 1982-05-31 | 基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186014U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-26 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172703A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Hitachi Metals Ltd | 基板材料 |
| JPS6222411A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Hitachi Metals Ltd | 非磁性基板材料及び磁気ヘツド |
| EP0330121B1 (en) * | 1988-02-25 | 1994-06-01 | Japan Energy Corporation | Non-magnetic substrate of magnetic head, magnetic head and method for producing substrate |
-
1982
- 1982-05-31 JP JP57092797A patent/JPS59908A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62186014U (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59908A (ja) | 1984-01-06 |
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