JPS61190815A - 透明導電膜パタ−ンの形成方法 - Google Patents
透明導電膜パタ−ンの形成方法Info
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- JPS61190815A JPS61190815A JP60030818A JP3081885A JPS61190815A JP S61190815 A JPS61190815 A JP S61190815A JP 60030818 A JP60030818 A JP 60030818A JP 3081885 A JP3081885 A JP 3081885A JP S61190815 A JPS61190815 A JP S61190815A
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、透明導電膜パターンの形成方法、具体的には
、透明導電膜からなる透明電極あるいは配線パターンを
形成する方法に関する。
、透明導電膜からなる透明電極あるいは配線パターンを
形成する方法に関する。
（従来の技術）
一般に、液晶表示素子、電界発光素子、エレクトロクロ
ミック素子などのオプトエレクトロニクス素子において
は、透明電極が必要不可欠であるが、この透明電極ある
いは配線等のパターン（以下、電極パターンという）の
形成方法としては、通常、透明基板の全面に形成された
透明導電膜にフォトレジストを塗布した後、所定のパタ
ーンを用いて露光、現像し、不要部分をエツチングして
電極パターンを形成する方法、あるいは透明基板の表面
に所定のパターンを形成されたマスクでマスキングし、
透明導電膜上に直接電極パターンの形状に透明導電膜を
形成する方法が採用されている。また、最近、フォト・
エツチング法で電極パターンを形成する代わりに、レー
ザー光でトリミングして電極パターンを形成する方法も
提案されている。
ミック素子などのオプトエレクトロニクス素子において
は、透明電極が必要不可欠であるが、この透明電極ある
いは配線等のパターン（以下、電極パターンという）の
形成方法としては、通常、透明基板の全面に形成された
透明導電膜にフォトレジストを塗布した後、所定のパタ
ーンを用いて露光、現像し、不要部分をエツチングして
電極パターンを形成する方法、あるいは透明基板の表面
に所定のパターンを形成されたマスクでマスキングし、
透明導電膜上に直接電極パターンの形状に透明導電膜を
形成する方法が採用されている。また、最近、フォト・
エツチング法で電極パターンを形成する代わりに、レー
ザー光でトリミングして電極パターンを形成する方法も
提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、従来のパターン形成方法では、いずれも
透明導電膜の部分的除去によって電極パターンを形成し
ているため、第５図に示すように、透明導電膜からなる
電極パターン２の有るところと無いところとで透明基板
１表面に凹凸を生じ、この凹凸が液晶表示素子や電界発
光素子等の薄膜電子デバイスの品質や特性に悪影響を及
ぼすという問題があった。例えば、この種の薄膜電子デ
バイスでは１００Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有する透
明電極が要求されるが、所定のシート抵抗を得るため透
明導電膜の膜厚を厚くすると、透明導電膜の無い部分と
有る部分との凹凸が激しくなり、これが液晶表示素子の
液晶の配向性に悪影響を及ぼす。また、電界発光素子に
おいては、透明電極上に形成された絶縁層が凹凸を生じ
るため品質が悪くなり、高電界を印加した際に、絶縁層
３の凹凸の段部のあるところで素子の破壊や劣化を誘発
し易いという問題があった。
透明導電膜の部分的除去によって電極パターンを形成し
ているため、第５図に示すように、透明導電膜からなる
電極パターン２の有るところと無いところとで透明基板
１表面に凹凸を生じ、この凹凸が液晶表示素子や電界発
光素子等の薄膜電子デバイスの品質や特性に悪影響を及
ぼすという問題があった。例えば、この種の薄膜電子デ
バイスでは１００Ω／ｓｑ以下のシート抵抗を有する透
明電極が要求されるが、所定のシート抵抗を得るため透
明導電膜の膜厚を厚くすると、透明導電膜の無い部分と
有る部分との凹凸が激しくなり、これが液晶表示素子の
液晶の配向性に悪影響を及ぼす。また、電界発光素子に
おいては、透明電極上に形成された絶縁層が凹凸を生じ
るため品質が悪くなり、高電界を印加した際に、絶縁層
３の凹凸の段部のあるところで素子の破壊や劣化を誘発
し易いという問題があった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、電極パターンあるいはその上に積層された絶
縁層表面の凹凸に起因する問題を解決するため、透明基
板上に形成された透明導電膜の導電性パターンを形成す
べき部位以外の部位を高抵抗化処理することによって電
極パターン部分と非電極パターン部分とを形成するよう
にしたものである。
縁層表面の凹凸に起因する問題を解決するため、透明基
板上に形成された透明導電膜の導電性パターンを形成す
べき部位以外の部位を高抵抗化処理することによって電
極パターン部分と非電極パターン部分とを形成するよう
にしたものである。
導電性パターンを形成すべき部位以外の部位を高抵抗化
処理する手段としては、透明導電膜の導電性パターンを
形成すべき部位以外の部位に酸素イオンまたは膜中のド
ナーを補償する不純物イオンを注入もしくは導入する方
法、適当な雰囲気中で高エネルギー放射線や荷電粒子を
照射する方法、酸素含有雰囲気中で放電プラズマにさら
す方法、ドナーを補償する元素を含むガスまたは酸化性
ガス雰囲気中でレーザー光を照射する方法、あるいは前
記方法を併用する方法を採用することができる。
処理する手段としては、透明導電膜の導電性パターンを
形成すべき部位以外の部位に酸素イオンまたは膜中のド
ナーを補償する不純物イオンを注入もしくは導入する方
法、適当な雰囲気中で高エネルギー放射線や荷電粒子を
照射する方法、酸素含有雰囲気中で放電プラズマにさら
す方法、ドナーを補償する元素を含むガスまたは酸化性
ガス雰囲気中でレーザー光を照射する方法、あるいは前
記方法を併用する方法を採用することができる。
前記膜中のドナーを補償する不純物イオンとしては、例
えば、酸化亜鉛系透明導電膜の場合、酸素イオン、リン
イオン、銅イオン、窒素イオンなどが挙げられる。
えば、酸化亜鉛系透明導電膜の場合、酸素イオン、リン
イオン、銅イオン、窒素イオンなどが挙げられる。
（作用）
本発明方法によれば、低抵抗の透明導電膜を局部的に高
抵抗化処理することにより、高抵抗領域と低抵抗領域と
が形成され、低抵抗領域が所定の透明電極パターンとし
て機能し、膜厚の物理的変化を伴なうことなく、透明導
電膜パターンを形成することができる。
抵抗化処理することにより、高抵抗領域と低抵抗領域と
が形成され、低抵抗領域が所定の透明電極パターンとし
て機能し、膜厚の物理的変化を伴なうことなく、透明導
電膜パターンを形成することができる。
本発明方法により形成された透明導電膜パターンは、第
１図に示すように、透明基板ｌと、薄膜４とから構成さ
れ、薄膜４は透明導電膜パターン（例えば、電極パター
ン）を形成する低抵抗領域６と高抵抗領域７とから構成
されている。なお、薄膜４上には透明絶縁層３が積層さ
れている。
１図に示すように、透明基板ｌと、薄膜４とから構成さ
れ、薄膜４は透明導電膜パターン（例えば、電極パター
ン）を形成する低抵抗領域６と高抵抗領域７とから構成
されている。なお、薄膜４上には透明絶縁層３が積層さ
れている。
前記構成の透明導電膜パターンは、例えば、第２図に示
すように、アルミニウムまたはステンレス鋼製の陰極１
１と、それに相対して配設された陽極１３と、両電極間
に陽極１３に近接させて配設されたアルミニウムまたは
ステンレス鋼製の格子１２と、それらを収容する真空槽
１４から構成されたプラズマ陽極酸化装置を用いて形成
することができる。
すように、アルミニウムまたはステンレス鋼製の陰極１
１と、それに相対して配設された陽極１３と、両電極間
に陽極１３に近接させて配設されたアルミニウムまたは
ステンレス鋼製の格子１２と、それらを収容する真空槽
１４から構成されたプラズマ陽極酸化装置を用いて形成
することができる。
このプラズマ陽極酸化装置を用いて、電極パターンを形
成する場合、まず、マスキングした透明導電膜を陽極１
３として真空槽１４内に配置した後、バルブ１５を介し
て真空ポンプ（図示せず）で高真空度に排気し、次いで
真空槽１４内を排気しながらバルブ１６から酸素を供給
して、真空槽１４内を１〜５０Ｐａの真空度に維持する
一方、電源Ｅ、により格子１２と陰極Ｉｔとの間に直流
または交流電界を印加してグロー放電による酸素ブラズ
マを発生させ、電源Ｅ、により格子１２と陽極１３上の
透明導電膜との間に直流電７４を印加し、格子１２を介
して電子流と酸素イオンを引き出して透明導電膜の所定
の部位に衝突させ、透明導電膜を局部的に酸化させ、高
抵抗化させることにより形成される。
成する場合、まず、マスキングした透明導電膜を陽極１
３として真空槽１４内に配置した後、バルブ１５を介し
て真空ポンプ（図示せず）で高真空度に排気し、次いで
真空槽１４内を排気しながらバルブ１６から酸素を供給
して、真空槽１４内を１〜５０Ｐａの真空度に維持する
一方、電源Ｅ、により格子１２と陰極Ｉｔとの間に直流
または交流電界を印加してグロー放電による酸素ブラズ
マを発生させ、電源Ｅ、により格子１２と陽極１３上の
透明導電膜との間に直流電７４を印加し、格子１２を介
して電子流と酸素イオンを引き出して透明導電膜の所定
の部位に衝突させ、透明導電膜を局部的に酸化させ、高
抵抗化させることにより形成される。
また、第３図に示すように、マグネトロンスパッタ装置
を用いて形成することもできる。この場合、電極１８上
に透明導電膜５を配置し、５〜５０Ｐａの減圧下で、透
明導電膜５を２００〜４００°Ｃの温度に維持しながら
、マグネトロンカソード１７と電極１８との間に高周波
電圧を印加すると共に、外部ソレノイドコイル１９によ
り磁界をターゲット中央付近の表面磁界の向きと同方向
に印加し、非スパツタ状態の酸素高周波プラズマを発生
させて、透明導電膜を局部的に酸化させることによって
も形成することができる。なお、ターゲット１８の中心
を避け、その周辺にドーナツ状に透明導電膜を配置する
のは、酸素イオンをカソード付近の強い電界で加速させ
、より強いエネルギーで透明導電膜に衝突するのを促進
させるためであり、中央付近ではその効果が十分に得ら
れないからである。
を用いて形成することもできる。この場合、電極１８上
に透明導電膜５を配置し、５〜５０Ｐａの減圧下で、透
明導電膜５を２００〜４００°Ｃの温度に維持しながら
、マグネトロンカソード１７と電極１８との間に高周波
電圧を印加すると共に、外部ソレノイドコイル１９によ
り磁界をターゲット中央付近の表面磁界の向きと同方向
に印加し、非スパツタ状態の酸素高周波プラズマを発生
させて、透明導電膜を局部的に酸化させることによって
も形成することができる。なお、ターゲット１８の中心
を避け、その周辺にドーナツ状に透明導電膜を配置する
のは、酸素イオンをカソード付近の強い電界で加速させ
、より強いエネルギーで透明導電膜に衝突するのを促進
させるためであり、中央付近ではその効果が十分に得ら
れないからである。
さらに、第４図に示すように、レーザー光照射装置を用
いて透明導電膜パターンを形成することもできる。この
場合、レーザー光源２０からのレーザー光をレンズ系２
１て収束させ、空気、ドナーを補償する元素を含むガス
など適当な雰囲気中に配置した透明導電膜５の所定の部
位に照射させれば良い。
いて透明導電膜パターンを形成することもできる。この
場合、レーザー光源２０からのレーザー光をレンズ系２
１て収束させ、空気、ドナーを補償する元素を含むガス
など適当な雰囲気中に配置した透明導電膜５の所定の部
位に照射させれば良い。
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。
（実施例Ｉ）
透明ガラス基板上に形成された酸化インジウム・酸化ス
ズ系透明導電膜（ＩＴＯ膜）の表面に、アルミニウムマ
スクを重ね、これを第２図のプラズマ陽極酸化装置に陽
極１３として配設し、下記条件下で電極パターンを形成
すべき部位以外の部位を高抵抗化処理して透明電極を形
成し、その前後にわたるシート抵抗を測定しｒ二。
ズ系透明導電膜（ＩＴＯ膜）の表面に、アルミニウムマ
スクを重ね、これを第２図のプラズマ陽極酸化装置に陽
極１３として配設し、下記条件下で電極パターンを形成
すべき部位以外の部位を高抵抗化処理して透明電極を形
成し、その前後にわたるシート抵抗を測定しｒ二。
高抵抗化処理条件
陰極格子間電圧：２５０Ｖ（周波数：１３．５６ＭＩ−
ＩＺ）陰極格子間間隔＝３０１１１Ｉ１１ 洛子陽極間電圧：３ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｉ 圧カニ ９Ｐａ 導電膜加熱温度＝３５０℃ 時間： ３０分 透明導電膜の処理前とマスクで遮蔽された部位のシート
抵抗はそれぞれ１１Ω／ｓｑで、遮蔽されていない部位
のシート抵抗は２ＸｌＯ’Ω／ｓｑであった。
ＩＺ）陰極格子間間隔＝３０１１１Ｉ１１ 洛子陽極間電圧：３ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｉ 圧カニ ９Ｐａ 導電膜加熱温度＝３５０℃ 時間： ３０分 透明導電膜の処理前とマスクで遮蔽された部位のシート
抵抗はそれぞれ１１Ω／ｓｑで、遮蔽されていない部位
のシート抵抗は２ＸｌＯ’Ω／ｓｑであった。
（実施例２）
透明ガラス基板上に形成された酸化スズ系透明導電膜（
ＮＥＳＡ膜）を陽極１３として、実施例１と同様にして
下記の条件下で高抵抗化処理して透明電極パターンを形
成し、その前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定
した。透明導電膜の処理前と遮蔽された部位のソート抵
抗はそれぞれ８０Ω／ｓｑで、遮蔽されていない部位の
シート抵抗はほぼ１０８Ω／ｓｑであった。
ＮＥＳＡ膜）を陽極１３として、実施例１と同様にして
下記の条件下で高抵抗化処理して透明電極パターンを形
成し、その前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定
した。透明導電膜の処理前と遮蔽された部位のソート抵
抗はそれぞれ８０Ω／ｓｑで、遮蔽されていない部位の
シート抵抗はほぼ１０８Ω／ｓｑであった。
高抵抗化処理条件
陰極格子間電圧： ３００Ｖ（直流）陰極格子間間隔
：３０Ｉ！ｌ＋ｉ 格子陽極間電圧： ２，５ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｍ 圧力、 ９Ｐａ 導電膜加熱温度： ２５０℃ 時間： ３０分 （実施例３） 透明ガラス基板上に形成されたＡｆ２（２ｗｔ％）をド
ープした酸化亜鉛系透明導電膜を陽極１３として、実施
例１と同様にして下記の条件下で高抵抗化処理を行ない
、透明電極ノ（ターンを形成し、その前後にわたる透明
導電膜のシート抵抗を濠１１定した。透明導電膜の処理
前と遮蔽さ１ｔた部位のシート抵抗はそれぞれ８Ω／ｓ
ｑで、遮蔽されて０なＬ）部位のシート抵抗は４ｘｌＯ
”Ω／ｓｑであった。
：３０Ｉ！ｌ＋ｉ 格子陽極間電圧： ２，５ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｍ 圧力、 ９Ｐａ 導電膜加熱温度： ２５０℃ 時間： ３０分 （実施例３） 透明ガラス基板上に形成されたＡｆ２（２ｗｔ％）をド
ープした酸化亜鉛系透明導電膜を陽極１３として、実施
例１と同様にして下記の条件下で高抵抗化処理を行ない
、透明電極ノ（ターンを形成し、その前後にわたる透明
導電膜のシート抵抗を濠１１定した。透明導電膜の処理
前と遮蔽さ１ｔた部位のシート抵抗はそれぞれ８Ω／ｓ
ｑで、遮蔽されて０なＬ）部位のシート抵抗は４ｘｌＯ
”Ω／ｓｑであった。
高抵抗化処理条件
陰極格子間電圧： ２５０Ｖ（直流）陰極格子間間隔
：２０ｍｍ 格子陽極間型圧＋ ２．５ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｍ 圧カニ １０Ｐａ 導電膜加熱温度二 ２５０℃ 時間＝ ３０分 （実施例４） 透明ガラス基板上に形成された酸化亜鉛透明導電膜を陽
極Ｉ３とし、実施例１と同様にして下記の条件下で高抵
抗化処理を行ない、その前後にわたる透明導電膜のシー
ト抵抗を測定した。透明導電膜の処理前と遮蔽された部
位のシート抵抗は、それぞれ２０Ω／ｓｑで、遮蔽され
ていない部位のシート抵抗はほぼ１０’Ω／ｓｑであっ
た。
：２０ｍｍ 格子陽極間型圧＋ ２．５ＲＶ 格子陽極間間隔：１ｍｍ 圧カニ １０Ｐａ 導電膜加熱温度二 ２５０℃ 時間＝ ３０分 （実施例４） 透明ガラス基板上に形成された酸化亜鉛透明導電膜を陽
極Ｉ３とし、実施例１と同様にして下記の条件下で高抵
抗化処理を行ない、その前後にわたる透明導電膜のシー
ト抵抗を測定した。透明導電膜の処理前と遮蔽された部
位のシート抵抗は、それぞれ２０Ω／ｓｑで、遮蔽され
ていない部位のシート抵抗はほぼ１０’Ω／ｓｑであっ
た。
高抵抗化処理条件
陰極格子間電圧：２５０Ｖ（周波数：１３．５６ＭＨｚ
）陰極格子間間隔：２０ｎｕ＋＋ 格子陽極間型圧： ２ＲＶ 格子陽極間間隔二１ｌＩＩ１１ 圧カニ １０Ｐａ 導電膜加熱温度：２００℃ 時間： ３０分 （実施例５） 第４図に示す構成の装置を用い、大気中で約！ＯＫＷの
４００ ＨｚＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー光（波長
１．０６μｍ）を、酸化亜鉛透明導電膜に約２分間照射
し、その前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定し
た。透明導電膜の処理前のシート抵抗は２０Ω／ｓｑで
、処理後のシート抵抗はほぼ１０８Ω／ｓｑであった。
）陰極格子間間隔：２０ｎｕ＋＋ 格子陽極間型圧： ２ＲＶ 格子陽極間間隔二１ｌＩＩ１１ 圧カニ １０Ｐａ 導電膜加熱温度：２００℃ 時間： ３０分 （実施例５） 第４図に示す構成の装置を用い、大気中で約！ＯＫＷの
４００ ＨｚＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー光（波長
１．０６μｍ）を、酸化亜鉛透明導電膜に約２分間照射
し、その前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定し
た。透明導電膜の処理前のシート抵抗は２０Ω／ｓｑで
、処理後のシート抵抗はほぼ１０８Ω／ｓｑであった。
また、これとは別に、酸化亜鉛透明導電膜の表面をアル
ミニウム薄膜でマスキングして局部的に遮蔽して前記Ｙ
ＡＧレーザ光を照射したところ、レーザ光の照射された
部分のみ高抵抗化した。
ミニウム薄膜でマスキングして局部的に遮蔽して前記Ｙ
ＡＧレーザ光を照射したところ、レーザ光の照射された
部分のみ高抵抗化した。
（実施例６）
実施例５と同様にして、不活性ガス中でＮｄ：ＹＡＧレ
ーザー光を、酸化亜鉛透明導電膜に２分間照射し、その
前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定した。透明
導電膜の照射前のシート抵抗は２０Ω／ｓｑで、照射後
のシート抵抗は ２×１０’Ω／ｓｑであった。
ーザー光を、酸化亜鉛透明導電膜に２分間照射し、その
前後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定した。透明
導電膜の照射前のシート抵抗は２０Ω／ｓｑで、照射後
のシート抵抗は ２×１０’Ω／ｓｑであった。
（実施例７）
実施例５と同様にして、窒素ガス中でＮｄ：ＹＡＧレー
ザ光を、酸化亜鉛透明導電膜に約２分間照射し、その前
後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定した。透明導
電膜の照射前および遮蔽された部位のシート抵抗は２０
Ω／ｓｑで、照射された部位のシート抵抗は２ＸＩＯ’
Ω／ｓｑであった。
ザ光を、酸化亜鉛透明導電膜に約２分間照射し、その前
後にわたる透明導電膜のシート抵抗を測定した。透明導
電膜の照射前および遮蔽された部位のシート抵抗は２０
Ω／ｓｑで、照射された部位のシート抵抗は２ＸＩＯ’
Ω／ｓｑであった。
（実施例８）
イオン注入装置を用い、実施例１〜実施例４でそれぞれ
用いたＩＴＯ膜、ＮＥＳＡ膜および酸化亜鉛系透明導電
膜にそれぞれ酸素イオンを注入したところ、いずれの場
合もマスキングされていない部位のシート抵抗は、通常
の電気抵抗測定装置では測定できない程度、１０°Ω／
ｓｑ以上にまで高抵抗化した。
用いたＩＴＯ膜、ＮＥＳＡ膜および酸化亜鉛系透明導電
膜にそれぞれ酸素イオンを注入したところ、いずれの場
合もマスキングされていない部位のシート抵抗は、通常
の電気抵抗測定装置では測定できない程度、１０°Ω／
ｓｑ以上にまで高抵抗化した。
（実施例９） ・
イオン注入装置を用い、実施例４で用いた酸化亜鉛系透
明導電膜にリン（Ｐ）イオンを注入したところ、マスキ
ングされていない部位のシート抵抗は、通常の電気抵抗
測定装置では測定できない、１０８Ω／ｓｑを越える程
度にまで高抵抗化した。
明導電膜にリン（Ｐ）イオンを注入したところ、マスキ
ングされていない部位のシート抵抗は、通常の電気抵抗
測定装置では測定できない、１０８Ω／ｓｑを越える程
度にまで高抵抗化した。
（実施例ｉｏ）
エキシマレーザ−（出力３０ ｒａ Ｊ ｓ繰り返し周
波数１０Ｈ２）を用い、大気中でＡｒＦエキシマレーザ
−光（波長１９３ ｎｍ）を、実施例１〜４で用いたも
のと同じＩＴＯｌ［、ＮＥＳＡ膜および酸化亜鉛系透明
導電膜にそれぞれ１０分間照射し、照射後のシート抵抗
を測定したところ、いずれもレーザー光の照射された部
分のみｌＯ４Ω／ｓｑ以上に高抵抗化した。
波数１０Ｈ２）を用い、大気中でＡｒＦエキシマレーザ
−光（波長１９３ ｎｍ）を、実施例１〜４で用いたも
のと同じＩＴＯｌ［、ＮＥＳＡ膜および酸化亜鉛系透明
導電膜にそれぞれ１０分間照射し、照射後のシート抵抗
を測定したところ、いずれもレーザー光の照射された部
分のみｌＯ４Ω／ｓｑ以上に高抵抗化した。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、従来の透明導電
膜のエツチングによるパターン形成法と異なり、透明導
電膜に凹凸を生じること無く電極パターンや配線パター
ンを形成することができる。
膜のエツチングによるパターン形成法と異なり、透明導
電膜に凹凸を生じること無く電極パターンや配線パター
ンを形成することができる。
従って、液晶表示素子や電界発光素子等の多層薄膜光電
子素子の透明電極を形成しても、液晶の配向性に悪影響
を与えたり透明電極の凹凸による素子の劣化や破壊をき
たすことが無いという優れた効果が得られる。
子素子の透明電極を形成しても、液晶の配向性に悪影響
を与えたり透明電極の凹凸による素子の劣化や破壊をき
たすことが無いという優れた効果が得られる。
第１図は本発明方法により形成された透明導電膜パター
ンの断面図、第２図は本発明方法の実施に使用するプラ
ズマ陽極酸化装置の説明図、第３図は本発明方法の実施
に使用するスパッタ装置の説明図、第４図は本発明方法
の実施に使用するレーザ照射装置の説明図、第５図は従
来の方法により形成された透明電極の断面図である。 １〜透明基板、２〜透明導電膜、３〜透明絶縁層、６〜
低抵抗領域、７〜高抵抗領域、１１〜陰極、１２〜格子
、１３〜陽極。 特 許 出 願 人 大阪特殊合金株式会社代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか２名第１図 第２ＷＡ 第３図
ンの断面図、第２図は本発明方法の実施に使用するプラ
ズマ陽極酸化装置の説明図、第３図は本発明方法の実施
に使用するスパッタ装置の説明図、第４図は本発明方法
の実施に使用するレーザ照射装置の説明図、第５図は従
来の方法により形成された透明電極の断面図である。 １〜透明基板、２〜透明導電膜、３〜透明絶縁層、６〜
低抵抗領域、７〜高抵抗領域、１１〜陰極、１２〜格子
、１３〜陽極。 特 許 出 願 人 大阪特殊合金株式会社代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか２名第１図 第２ＷＡ 第３図
Claims (6)
- （１）透明基板上に形成された透明導電膜のパターン形
成部以外の非パターン形成部を高抵抗化処理することを
特徴とする透明導電膜パターンの形成方法。 - （２）前記透明導電膜のパターン形成部の表面をマスキ
ングし、非パターン形成部に酸素プラズマ発生雰囲気で
酸素イオンを導入することにより高抵抗化処理を行なう
特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （３）前記非パターン形成部に透明導電膜中のドナーを
補償する不純物イオンを注入することにより高抵抗化処
理を行なう特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （４）前記非パターン形成部に酸素イオンを注入するこ
とにより高抵抗化処理を行なう特許請求の範囲第３項記
載の方法。 - （５）前記非パターン形成部に高エネルギー放射線また
は荷電粒子を照射することにより高抵抗化処理を行なう
特許請求の範囲第１項記載の方法。 - （６）前記非パターン形成部にレーザー光を照射するこ
とにより高抵抗化処理を行なう特許請求の範囲第１項記
載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030818A JPS61190815A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030818A JPS61190815A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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