JPH0527924B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0527924B2 JPH0527924B2 JP60030818A JP3081885A JPH0527924B2 JP H0527924 B2 JPH0527924 B2 JP H0527924B2 JP 60030818 A JP60030818 A JP 60030818A JP 3081885 A JP3081885 A JP 3081885A JP H0527924 B2 JPH0527924 B2 JP H0527924B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transparent conductive
- transparent
- pattern
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は透明導電膜パターンの形成方法、具体
的には、不純物ドナーを含む透明導電膜からなる
透明電極あるいは配線等の透明導電膜パターンを
形成する方法に関する。
的には、不純物ドナーを含む透明導電膜からなる
透明電極あるいは配線等の透明導電膜パターンを
形成する方法に関する。
（従来の技術）
一般に、液晶表示素子、電界発生素子、エレク
トロクロミツク素子などのオプトエレクトロニク
ス素子においては、透明電極が必要不可欠である
が、この透明電極あるいは配線等の導電性パター
ンの形成方法としては、通常、透明基板の全面に
形成された透明導電膜にフオトレジストを塗布し
た後、所定のパターンを用いて露光、現像し、不
要部分をエツチングして導電性パターンを形成す
る方法、あるいは透明基板の表面に所定のパター
ンを形成されたマスクでマスキングし、透明導電
膜上に直接導電性パターンの形状に透明導電膜を
形成する方法が採用されている。
トロクロミツク素子などのオプトエレクトロニク
ス素子においては、透明電極が必要不可欠である
が、この透明電極あるいは配線等の導電性パター
ンの形成方法としては、通常、透明基板の全面に
形成された透明導電膜にフオトレジストを塗布し
た後、所定のパターンを用いて露光、現像し、不
要部分をエツチングして導電性パターンを形成す
る方法、あるいは透明基板の表面に所定のパター
ンを形成されたマスクでマスキングし、透明導電
膜上に直接導電性パターンの形状に透明導電膜を
形成する方法が採用されている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、従来の導電性パターン形成方法
では、いずれも透明導電膜の有無によつて導電性
パターンを形成しているため、第３図に示すよう
に、透明導電膜からなる導電性パターン２の有る
ところと無いところとで透明基板１表面に凹凸を
生じ、この凹凸が液晶表示素子や電界発光素子等
の薄膜電子デバイスの品質や特性に悪影響を及ぼ
すという問題があつた。例えば、この種の薄膜電
子デバイスでは100Ω／sq以下のシート抵抗を有
する透明電極が要求されるが、所定のシート抵抗
を得るため透明導電膜の膜厚を厚くすると、透明
導電膜の無い部分と有る部分との凹凸が激しくな
り、これが液晶表示素子の液晶の配向性に悪影響
を及ぼす。また、電界発光素子においては、透明
電極上に形成された絶縁層が凹凸を生じるため品
質が悪くなり、高電界を印加した際に、絶縁層３
の凹凸の段部のあるところで素子の破壊や劣化を
誘発し易いという問題があつた。
では、いずれも透明導電膜の有無によつて導電性
パターンを形成しているため、第３図に示すよう
に、透明導電膜からなる導電性パターン２の有る
ところと無いところとで透明基板１表面に凹凸を
生じ、この凹凸が液晶表示素子や電界発光素子等
の薄膜電子デバイスの品質や特性に悪影響を及ぼ
すという問題があつた。例えば、この種の薄膜電
子デバイスでは100Ω／sq以下のシート抵抗を有
する透明電極が要求されるが、所定のシート抵抗
を得るため透明導電膜の膜厚を厚くすると、透明
導電膜の無い部分と有る部分との凹凸が激しくな
り、これが液晶表示素子の液晶の配向性に悪影響
を及ぼす。また、電界発光素子においては、透明
電極上に形成された絶縁層が凹凸を生じるため品
質が悪くなり、高電界を印加した際に、絶縁層３
の凹凸の段部のあるところで素子の破壊や劣化を
誘発し易いという問題があつた。
従つて、本発明は、透明導電膜に膜厚の物理的
変化をきたすことなく、透明導電膜からなる導電
性パターンを形成することができるようにするこ
とを課題とするものである。
変化をきたすことなく、透明導電膜からなる導電
性パターンを形成することができるようにするこ
とを課題とするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明は、前記課題を解決する手段として、透
明基板上に酸化インジウム・錫系透明導電膜、酸
化スズ系透明導電膜及び酸化亜鉛系透明導電膜か
らなる群から選ばれた一種のドナー含有透明導電
膜を形成し、該透明導電膜の導電性パターン形成
部の表面をマスキングした後、該透明導電膜の導
電性パターン形成部以外の非導電性パターン形成
部に不純物ドナーをも補償するリン、銅及び窒素
からなる群から選ばれた一種の不純物を単独で又
は酸素と共に導入し、前記非導電性パターン形成
部を高抵抗化するようにしたものである。
明基板上に酸化インジウム・錫系透明導電膜、酸
化スズ系透明導電膜及び酸化亜鉛系透明導電膜か
らなる群から選ばれた一種のドナー含有透明導電
膜を形成し、該透明導電膜の導電性パターン形成
部の表面をマスキングした後、該透明導電膜の導
電性パターン形成部以外の非導電性パターン形成
部に不純物ドナーをも補償するリン、銅及び窒素
からなる群から選ばれた一種の不純物を単独で又
は酸素と共に導入し、前記非導電性パターン形成
部を高抵抗化するようにしたものである。
本発明においては、非導電性パターン形成部
（即ち、導電性パターンを形成すべき部位以外の
部位）を高抵抗化する手段としては、非導電性パ
ターン形成部に透明導電膜中のドナーを補償する
特定の不純物を単独で又は酸素と共に導入する方
法が採用されるが、その具体的な方法としては、
イオン注入法、ドナーを補償する不純物元素また
はそれと共に酸素を含むガス雰囲気中でレーザー
光を照射する方法、あるいはイオン注入法やレー
ザー光照射法により特定の不純物を導入した後、
酸素雰囲気中で放電プラズマにさらして酸素を導
入する方法などが挙げられる。
（即ち、導電性パターンを形成すべき部位以外の
部位）を高抵抗化する手段としては、非導電性パ
ターン形成部に透明導電膜中のドナーを補償する
特定の不純物を単独で又は酸素と共に導入する方
法が採用されるが、その具体的な方法としては、
イオン注入法、ドナーを補償する不純物元素また
はそれと共に酸素を含むガス雰囲気中でレーザー
光を照射する方法、あるいはイオン注入法やレー
ザー光照射法により特定の不純物を導入した後、
酸素雰囲気中で放電プラズマにさらして酸素を導
入する方法などが挙げられる。
透明導電膜としては、酸化インジウム・錫系透
明導電膜（ITO膜）、酸化スズ系透明導電膜
（NESA膜）及び酸化亜鉛系透明導電膜などが挙
げられる。
明導電膜（ITO膜）、酸化スズ系透明導電膜
（NESA膜）及び酸化亜鉛系透明導電膜などが挙
げられる。
本発明方法により形成された透明導電膜パター
ンは、第１図に示すように、透明基板１と薄膜４
とから構成され、薄膜４は透明導電膜からなる導
電性パターン（例えば、電極パターン）を形成す
る低抵抗領域６と非導電性パターンを形成する高
抵抗領域７とから構成され、薄膜４上には透明絶
縁層３が形成されている。
ンは、第１図に示すように、透明基板１と薄膜４
とから構成され、薄膜４は透明導電膜からなる導
電性パターン（例えば、電極パターン）を形成す
る低抵抗領域６と非導電性パターンを形成する高
抵抗領域７とから構成され、薄膜４上には透明絶
縁層３が形成されている。
なお、透明導電膜中にリン、銅及び窒素からな
る群から選ばれた一種の不純物を導入したあと、
酸素を導入する手段としては、公知のプラズマ陽
極酸化法やマグネトロンスパツタ装置を用いて高
周波放電酸素プラズマ中で酸化させるプラズマ酸
化法など任意の方法を採用できる。
る群から選ばれた一種の不純物を導入したあと、
酸素を導入する手段としては、公知のプラズマ陽
極酸化法やマグネトロンスパツタ装置を用いて高
周波放電酸素プラズマ中で酸化させるプラズマ酸
化法など任意の方法を採用できる。
（作用）
一般に、実用可能な透明導電膜は、不純物ドナ
ーを導入して低抵抗化されているが、不純物ドナ
ーを導入した場合でも、透明導電膜中にはネイテ
イブドナーが存在し、これも抵抗化に寄与してい
るため、非導電性パターン形成部となる透明導電
膜中に不純物ドナーを補償する不純物を導入する
と、不純物ドナーと共にネイテイブドナーも補償
されて高抵抗化する。従つて、導電性パターン形
成部をマスキングし、非導電性パターン形成部の
みにドナーを補償する不純物を導入することによ
り非導電性パターン形成部が高抵抗化し、マスク
された低抵抗領域が所定の透明導電性パターンと
して機能するため、膜厚の物理的変化を伴うこと
なく、導電性パターンを形成することができる。
ーを導入して低抵抗化されているが、不純物ドナ
ーを導入した場合でも、透明導電膜中にはネイテ
イブドナーが存在し、これも抵抗化に寄与してい
るため、非導電性パターン形成部となる透明導電
膜中に不純物ドナーを補償する不純物を導入する
と、不純物ドナーと共にネイテイブドナーも補償
されて高抵抗化する。従つて、導電性パターン形
成部をマスキングし、非導電性パターン形成部の
みにドナーを補償する不純物を導入することによ
り非導電性パターン形成部が高抵抗化し、マスク
された低抵抗領域が所定の透明導電性パターンと
して機能するため、膜厚の物理的変化を伴うこと
なく、導電性パターンを形成することができる。
次に、本発明の実施例について説明する。
（実施例 １）
透明ガラス基板上に形成された酸化亜鉛系透明
導電膜（ZnO：Al、ZnO：In、ZnO：Ga）を用
意し、これに導電性パターン形成部を覆うアルミ
ニウムマスクを重ね、イオン注入装置を用いてＰ
イオンを注入したところ、マスキングされていた
部位のシート抵抗は処理前と同じ20Ω／sqで、マ
スキングされていない部位のシート抵抗は、いづ
れも通常の電気抵抗測定装置では測定できない
108Ω／sqを越える高抵抗を示した。
導電膜（ZnO：Al、ZnO：In、ZnO：Ga）を用
意し、これに導電性パターン形成部を覆うアルミ
ニウムマスクを重ね、イオン注入装置を用いてＰ
イオンを注入したところ、マスキングされていた
部位のシート抵抗は処理前と同じ20Ω／sqで、マ
スキングされていない部位のシート抵抗は、いづ
れも通常の電気抵抗測定装置では測定できない
108Ω／sqを越える高抵抗を示した。
（実施例 ２）
透明ガラス基板上に形成された透明導電膜
（In2O3：Sn、In2O3：Ｆ、In2O3：Te、シート抵
抗11Ω／sq）と、透明ガラス基板上に形成された
酸化スズ系透明導電膜（SnO2：Sb、SnO2：Ｆ、
シート抵抗80Ω／sq）と、実施例１で用いた
ZnO：Alからなる透明導電膜を用意し、これを
第２図に示すように配置し、レーザー光源２０か
らのレーザー光をレンズ系２１で収束させて照射
するようにしたレーザー光照射装置（エキシマレ
ーザー、出力30mJ、繰り返し周波数10Hz）を用
いて、空気中、ArFエキシマレーザー光（波長
193nm）を各透明導電膜５に10分間照射した後、
シート抵抗を測定したところ、いずれもレーザー
光の照射されたところのみ105Ω／sq以上に高抵
抗を示した。
（In2O3：Sn、In2O3：Ｆ、In2O3：Te、シート抵
抗11Ω／sq）と、透明ガラス基板上に形成された
酸化スズ系透明導電膜（SnO2：Sb、SnO2：Ｆ、
シート抵抗80Ω／sq）と、実施例１で用いた
ZnO：Alからなる透明導電膜を用意し、これを
第２図に示すように配置し、レーザー光源２０か
らのレーザー光をレンズ系２１で収束させて照射
するようにしたレーザー光照射装置（エキシマレ
ーザー、出力30mJ、繰り返し周波数10Hz）を用
いて、空気中、ArFエキシマレーザー光（波長
193nm）を各透明導電膜５に10分間照射した後、
シート抵抗を測定したところ、いずれもレーザー
光の照射されたところのみ105Ω／sq以上に高抵
抗を示した。
この場合、空気中の酸素と窒素が透明導電膜中
に導入されると考えられる。
に導入されると考えられる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、従来の
透明導電膜のエツチングによるパターン形成法と
異なり、導電性パターン形成部以外の部位、即
ち、非導電性パターン形成部にアクセプタとして
機能する不純物を導入して高抵抗化するようにし
たので、透明導電膜に凹凸を生じさせることな
く、電極パターンや配線パターンを形成すること
ができる。従つて、液晶表示素子や電界発光素子
等の多層薄膜光電子素子の透明電極を形成して
も、液晶の配向性に悪影響を与えたり、透明電極
の凹凸による素子の劣化や破壊を来すことが無い
など優れた効果が得られる。
透明導電膜のエツチングによるパターン形成法と
異なり、導電性パターン形成部以外の部位、即
ち、非導電性パターン形成部にアクセプタとして
機能する不純物を導入して高抵抗化するようにし
たので、透明導電膜に凹凸を生じさせることな
く、電極パターンや配線パターンを形成すること
ができる。従つて、液晶表示素子や電界発光素子
等の多層薄膜光電子素子の透明電極を形成して
も、液晶の配向性に悪影響を与えたり、透明電極
の凹凸による素子の劣化や破壊を来すことが無い
など優れた効果が得られる。
第１図は本発明方法により形成された透明導電
膜パターンの断面図、第２図は本発明方法の実施
に使用するレーザー照射装置の説明図、第３図は
従来法により形成された透明電極の断面図であ
る。 １……透明基板、２……透明導電膜、３……透
明絶縁層、６……低抵抗領域、７……高抵抗領
域。
膜パターンの断面図、第２図は本発明方法の実施
に使用するレーザー照射装置の説明図、第３図は
従来法により形成された透明電極の断面図であ
る。 １……透明基板、２……透明導電膜、３……透
明絶縁層、６……低抵抗領域、７……高抵抗領
域。
Claims (1)
- １ 透明基板上に酸化インジウム・錫系透明導電
膜、酸化スズ系透明導電膜及び酸化亜鉛系透明導
電膜からなる群から選ばれた一種のドナー含有透
明導電膜を形成し、該透明導電膜の導電性パター
ン形成部の表面をマスキングした後、該透明導電
膜の導電性パターン形成部以外の非導電性パター
ン形成部に不純物ドナーをも補償するリン、銅及
び窒素からなる群から選ばれた一種の不純物を単
独で又は酸素と共に導入し、前記非導電性パター
ン形成部を高抵抗化することを特徴とする透明導
電膜パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030818A JPS61190815A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60030818A JPS61190815A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61190815A JPS61190815A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH0527924B2 true JPH0527924B2 (ja) | 1993-04-22 |
Family
ID=12314280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030818A Granted JPS61190815A (ja) | 1985-02-18 | 1985-02-18 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61190815A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2660289B2 (ja) * | 1988-05-11 | 1997-10-08 | グンゼ株式会社 | 透明導電膜パターンの形成方法及びその装置 |
| US8514476B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-08-20 | View, Inc. | Multi-pane dynamic window and method for making same |
| JP4608030B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2011-01-05 | 昭和電工株式会社 | 透明導電性材料の製造方法 |
| US11635666B2 (en) | 2012-03-13 | 2023-04-25 | View, Inc | Methods of controlling multi-zone tintable windows |
| US9341912B2 (en) | 2012-03-13 | 2016-05-17 | View, Inc. | Multi-zone EC windows |
| CN108873543B (zh) | 2012-11-13 | 2022-03-01 | 唯景公司 | 多区电致变色窗及其制造方法 |
| JP6683371B2 (ja) * | 2015-02-04 | 2020-04-22 | Ａｇｃ株式会社 | 導電膜付き基板 |
| US9952355B1 (en) * | 2017-03-13 | 2018-04-24 | Goodrich Corporation | Spatially controlled conductivity in transparent oxide coatings |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176012A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 日立コンデンサ株式会社 | 透明電極の製造方法 |
-
1985
- 1985-02-18 JP JP60030818A patent/JPS61190815A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61176012A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | 日立コンデンサ株式会社 | 透明電極の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61190815A (ja) | 1986-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5677240A (en) | Method for forming a semiconductor device | |
| US4389481A (en) | Method of making planar thin film transistors, transistor arrays | |
| CN100510851C (zh) | 制造平板显示器的方法 | |
| SU1327810A3 (ru) | Электролюминесцентна структура | |
| EP0645073B1 (en) | Low resistance, thermally stable electrode structure for electroluminescent displays | |
| WO1998003043A1 (en) | Electroluminescent display device | |
| US5538905A (en) | Method for forming a transparent conductive ITO film | |
| JPH0527924B2 (ja) | ||
| US4344817A (en) | Process for forming tin oxide conductive pattern | |
| US4502917A (en) | Process for forming patterned films | |
| GB2087147A (en) | Methods of manufacturing semiconductor devices | |
| KR100997963B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
| EP0060487B1 (en) | Plugged pinhole thin film and method of making same | |
| JP2788649B2 (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスク | |
| JPS63177472A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| US5607731A (en) | Method of forming electrical pathways in indium-tin-oxide coatings | |
| US3445732A (en) | Field effect device having an electrolytically insulated gate | |
| JPH056319B2 (ja) | ||
| EP0393979A3 (en) | Method for manufacturing edge end emission type electroluminescent device arrays | |
| JPH0784288A (ja) | 調光窓ガラス及びその製造方法 | |
| JPH0951098A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR970005102B1 (ko) | 박막형 전장 발광 표시소자 | |
| JPS62115123A (ja) | 表示素子用電極基板 | |
| KR960007992B1 (ko) | 전계발광 디스플레이장치 | |
| SU841071A1 (ru) | Способ изготовлени тонкопленочныхСХЕМ |