JP2018163339A - 光学基板のコーティング方法、および窓 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体コーティングの上にフォトレジストを塗布することと、
フォトレジストを選択的に露光することと、
フォトレジストを所定のパターンに現像(developing)することと、
フォトレジストの開口部を通して半導体コーティングをドープすることと、
半導体コーティング上に、所定のパターンでドープされた半導体を残すように、フォトレジストを取除くことと、
半導体コーティングの全表面の上に酸窒化シリコンのコーティングを被着させることと、
酸窒化シリコンの上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを露光し、フォトレジストを現像することと、
フォトレジストによって覆われていない酸窒化シリコンの所定の部分を取除き、次に、任意の残りのフォトレジストを取除くことと、を含むことができ、
半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、半導体コーティングの非ドープ領域内の酸素を増加させるように、空気中で酸窒化シリコン及び半導体コーティングをアニールすることを含む。
半導体コーティングが非ドープの状態で半導体コーティングの全表面の上に酸窒化シリコンのコーティングを被着させることと、
酸窒化シリコンの上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを露光し、フォトレジストを現像することと、
フォトレジストによって覆われていない酸窒化シリコンの部分を取除くことと、
フォトレジストの開口部を通して半導体コーティングをドープすることと、
半導体コーティング上に、パターン状にドープされた半導体を残すように、フォトレジストを取除くことと、を含んでもよく、
半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、半導体コーティングのドープされた領域内の酸素を減少させるように、真空中で酸窒化シリコン及び半導体コーティングをアニールすることを含む。
102…光学基板
104…半導体コーティング
105…開口部
106…フォトレジスト
108…ドープされた半導体部分
110…酸窒化シリコン
112…フォトレジスト
Claims (22)
- 光学基板のコーティング方法であって、
前記光学基板の表面の上に、広帯域光透過率を有する半導体コーティングを堆積させることと、
前記半導体コーティング内にドープされた半導体の空間的に変化したパターンを形成するように、前記半導体コーティングの所定の部分をドープすることと、
前記半導体コーティングの非ドープ領域内の酸素を増加させること、または、
前記半導体コーティングのドープされた領域内の酸素を減少させること、
のうち少なくとも一方を行うように、前記半導体コーティングをアニールすることと、
を備えた、方法。 - 前記半導体コーティングをアニールすることは、前記半導体コーティングの透明導電性酸化物(TCO)材料の結晶品質を改善し、かつ、前記半導体コーティングのドープされた領域の電気伝導性を増大させるように、所定のパターンにレーザアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、前記半導体コーティングの非ドープ領域内の酸素を増加させるように、空気中でアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングの所定の部分をドープすることは、
前記半導体コーティングの上にフォトレジストを塗布することと、
前記フォトレジストを選択的に露光することと、
前記フォトレジストを所定のパターンに現像することと、
前記フォトレジストの開口部を通して前記半導体コーティングをドープすることと、
前記半導体コーティング上に、前記パターン状に前記ドープされた半導体を残すように、前記フォトレジストを取除くことと、
前記半導体コーティングの全表面の上に酸窒化シリコンのコーティングを被着させることと、
前記酸窒化シリコンの上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを露光し、前記フォトレジストを現像することと、
フォトレジストによって覆われていない前記酸窒化シリコンの部分を取除き、次に、任意の残りのフォトレジストを取除くことと、
を含み、
前記半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、前記半導体コーティングの非ドープ領域内の酸素を増加させるように、空気中で前記酸窒化シリコン及び前記半導体コーティングをアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、前記半導体コーティングのドープされた領域内の酸素を減少させるように、真空下でアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングの所定の部分をドープすることは、
前記半導体コーティングが非ドープの状態で前記半導体コーティングの全表面の上に酸窒化シリコンのコーティングを被着させることと、
前記酸窒化シリコンの上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを露光し、前記フォトレジストを現像することと、
フォトレジストによって覆われていない前記酸窒化シリコンの部分を取除くことと、
前記フォトレジストの開口部を通して前記半導体コーティングをドープすることと、
前記半導体コーティング上に、前記パターンで前記ドープされた半導体を残すように、前記フォトレジストを取除くことと、
を含み、
前記半導体コーティングをアニールすることは、ドーパントを活性化して拡散させ、前記半導体コーティングの非ドープ領域内の酸素を減少させるように、真空中で前記酸窒化シリコン及び前記半導体コーティングをアニールすることを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記半導体コーティングは、In2O3またはZnOの少なくとも一方を含む、請求項1に記載の方法。
- 空間的に変化したパターンを形成するように前記半導体コーティングの所定の部分をドープすることは、イオン注入によってドーパントを付与することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記ドープされた半導体は、Sn、Mo、W、Ti、Al、またはGaの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングは、少なくとも可視及び赤外スペクトルにおいて広帯域光透過率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングを堆積させることは、前記半導体コーティングが非ドープの状態で前記半導体コーティングを堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングの所定の部分をドープし、前記半導体コーティングをアニールすることは、前記半導体コーティングを通して前記光学基板までドーパント原子を拡散させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティングを堆積させることは、前記光学基板の全体の表面の上に前記半導体コーティングを堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 空間的に変化したパターンを形成するように前記半導体コーティングの所定の部分をドープすることは、前記半導体コーティングの表面がその全体を前記パターンで覆われるように前記半導体コーティングの表面をドープすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティング内にアニールされ活性化されかつドープされた半導体を含む前記半導体コーティングと、前記光学基板とを、エッチングなしで窓になるよう形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記半導体コーティング内にアニールされ活性化されかつドープされた半導体を含む前記半導体コーティングと、前記光学基板とを、研磨またはポストプロセス平坦化なしで窓になるよう形成する、請求項1に記載の方法。
- 前記活性化されかつドープされた半導体及び前記半導体コーティングは、光散乱を軽減するように近似的に整合した屈折率を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記ドープされた半導体を電気伝導性にすることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- プラズマ化学気相堆積法(PECVD)による酸窒化シリコンプロセスによって、または水素プラズマによって、前記ドープされた半導体に水素を添加することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- コーティングを有する透明基板を備えた窓であって、前記コーティングは、透明半導体と前記透明半導体より低い透明度を有する電気伝導性の半導体との両方で作製されており、前記電気伝導性の半導体は、前記透明半導体内で、空間的に変化したパターン状にアニールされ、かつ分布している、窓。
- 前記電気伝導性の半導体はレーザアニールされている、請求項20に記載の窓。
- 前記透明半導体コーティングは、透明導電性酸化物(TCO)材料を含み、前記電気伝導性の半導体は、電気伝導性を与えるようにドープされた半導体材料を含み、前記ドープされた半導体は、Sn、Mo、W、Ti、Al、またはGaの少なくとも1つの含む、請求項20に記載の窓。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022549855A (ja) * | 2019-09-26 | 2022-11-29 | レイセオン カンパニー | Ir伝送窓およびドームをemiから保護する方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10126656B2 (en) * | 2016-09-08 | 2018-11-13 | Goodrich Corporation | Apparatus and methods of electrically conductive optical semiconductor coating |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5125996A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-03 | Hitachi Ltd | |
JPS544395A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Eproduction method of transparent electrode |
JPS5638084A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Sharp Kk | Patterning of transparent electroconductive film |
JPS61190815A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-25 | 大阪特殊合金株式会社 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
JPS6374033A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
JPH01297620A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Casio Comput Co Ltd | 透明電極の形成方法 |
JPH06191892A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-07-12 | Saint Gobain Vitrage Internatl | 導電性及び/又は赤外線反射性を有する薄膜の処理方法 |
JP2014502044A (ja) * | 2010-11-16 | 2014-01-23 | テールズ | Irを透過させてrfを反射するオプトロニクス窓 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4093357A (en) | 1977-04-05 | 1978-06-06 | Hughes Aircraft Company | Cermet interface for electro-optical devices |
US4395467A (en) * | 1981-12-30 | 1983-07-26 | Rca Corporation | Transparent conductive film having areas of high and low resistivity |
US5217539A (en) * | 1991-09-05 | 1993-06-08 | The Boeing Company | III-V solar cells and doping processes |
JP4425530B2 (ja) | 2002-08-20 | 2010-03-03 | 日揮触媒化成株式会社 | インジウム系酸化物微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置 |
CN1292448C (zh) | 2003-06-24 | 2006-12-27 | 精工爱普生株式会社 | 发热元件、发热基板、发热基板制造方法、微型开关及流体传感器 |
US8236680B2 (en) | 2008-06-20 | 2012-08-07 | Northwestern University | Nanoscale, spatially-controlled Ga doping of undoped transparent conducting oxide films |
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EP2673674B1 (en) | 2011-02-09 | 2018-10-17 | Kinestral Technologies, Inc. | Electrochromic multi-layer devices with spatially coordinated switching |
WO2014025921A1 (en) | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Kinestral Technologies, Inc. | Electrochromic multi-layer devices with current modulating structure |
JP5887024B2 (ja) | 2012-08-08 | 2016-03-16 | キネストラル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドKinestral Technologies,Inc. | 複合電気導電層を有したエレクトロクロミック多層デバイス |
US9249504B2 (en) | 2013-09-26 | 2016-02-02 | Eastman Kodak Company | Method of passivating ultra-thin AZO with nano-layer alumina |
US9276034B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-03-01 | Goodrich Corporation | Grid topography for patterned semiconductor coating that minimizes optical scatter and obscuration |
US9842938B2 (en) | 2015-03-24 | 2017-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device including semiconductor device |
-
2017
- 2017-03-13 US US15/457,021 patent/US9952355B1/en active Active
-
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- 2018-03-12 EP EP22182912.0A patent/EP4152909A1/en active Pending
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-
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-
2024
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5125996A (ja) * | 1974-08-28 | 1976-03-03 | Hitachi Ltd | |
JPS544395A (en) * | 1977-06-10 | 1979-01-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Eproduction method of transparent electrode |
JPS5638084A (en) * | 1979-09-05 | 1981-04-13 | Sharp Kk | Patterning of transparent electroconductive film |
JPS61190815A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-25 | 大阪特殊合金株式会社 | 透明導電膜パタ−ンの形成方法 |
JPS6374033A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-04 | Canon Inc | パタ−ン形成方法 |
JPH01297620A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-11-30 | Casio Comput Co Ltd | 透明電極の形成方法 |
JPH06191892A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-07-12 | Saint Gobain Vitrage Internatl | 導電性及び/又は赤外線反射性を有する薄膜の処理方法 |
JP2014502044A (ja) * | 2010-11-16 | 2014-01-23 | テールズ | Irを透過させてrfを反射するオプトロニクス窓 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022549855A (ja) * | 2019-09-26 | 2022-11-29 | レイセオン カンパニー | Ir伝送窓およびドームをemiから保護する方法 |
JP7534056B2 (ja) | 2019-09-26 | 2024-08-14 | レイセオン カンパニー | Ir伝送窓およびドームをemiから保護する方法 |
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