JPS61189622A - 分子線エピタキシ装置 - Google Patents
分子線エピタキシ装置Info
- Publication number
- JPS61189622A JPS61189622A JP3080585A JP3080585A JPS61189622A JP S61189622 A JPS61189622 A JP S61189622A JP 3080585 A JP3080585 A JP 3080585A JP 3080585 A JP3080585 A JP 3080585A JP S61189622 A JPS61189622 A JP S61189622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- molecular beam
- beam source
- shielding plate
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02658—Pretreatments
- H01L21/02661—In-situ cleaning
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は分子線エピタキシ装置に関し、特に分子線源
を清浄化するために分子線源るつぼを水素加熱できるよ
うにしたものに関するものである。
を清浄化するために分子線源るつぼを水素加熱できるよ
うにしたものに関するものである。
第２図は従来の分子線エピタキシ装置を示す。
図において、１は分子線源、８は分子線源ｌを収納する
分子線源るつぼ、６は該分子線源るつぼ８を加熱するヒ
ータ、５は該ヒータ６の外周に設けられた熱放射遮蔽板
、７はるつぼ８の外側底面に取付けられた熱電対、４は
基板ホルダ、２は成長室、３は水素導入バルブ、９はイ
オンポンプである。
分子線源るつぼ、６は該分子線源るつぼ８を加熱するヒ
ータ、５は該ヒータ６の外周に設けられた熱放射遮蔽板
、７はるつぼ８の外側底面に取付けられた熱電対、４は
基板ホルダ、２は成長室、３は水素導入バルブ、９はイ
オンポンプである。
このような構成の装置において、分子線源るつぼ８をヒ
ータ６により加熱すると、該るつぼ８内の分子線源１が
加熱蒸発して分子線が基板ホルダ４の方向に放射され、
これにより基板ホルダ４に保持された基板（図示せず）
上に薄膜がエピタキシャル成長される。
ータ６により加熱すると、該るつぼ８内の分子線源１が
加熱蒸発して分子線が基板ホルダ４の方向に放射され、
これにより基板ホルダ４に保持された基板（図示せず）
上に薄膜がエピタキシャル成長される。
このような従来の分子線エピタキシ装置において、分子
線源１に対し水素加熱処理を行う場合は、成長室２内に
水素導入バルブ３より水素を導入して成長室２を水素で
充満した状態で水素加熱処理を行っていた。
線源１に対し水素加熱処理を行う場合は、成長室２内に
水素導入バルブ３より水素を導入して成長室２を水素で
充満した状態で水素加熱処理を行っていた。
従来の分子線エピタキシ装置は以上のように構成されて
いるが、この従来装置で水素加熱処理を行う場合は、第
２図に示す如く、成長室２全体が１０−５ｔｏｒｒ程度
の真空度になる量の水素で充満されるので、成長室２内
壁及び基板ホルダ４２分子線るつぼ８等の成長室２内の
部材と水素との衝突により、水素以外の不純物ガスが放
出され、水素の純度が劣化し、その結果エピタキシャル
成長膜の特性１表面状態が悪化するという欠点があった
。
いるが、この従来装置で水素加熱処理を行う場合は、第
２図に示す如く、成長室２全体が１０−５ｔｏｒｒ程度
の真空度になる量の水素で充満されるので、成長室２内
壁及び基板ホルダ４２分子線るつぼ８等の成長室２内の
部材と水素との衝突により、水素以外の不純物ガスが放
出され、水素の純度が劣化し、その結果エピタキシャル
成長膜の特性１表面状態が悪化するという欠点があった
。
また水素熱処理後、水素を排気するのに多大の時間を要
するという欠点もあった。
するという欠点もあった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、成長室の真空度を水素導入により
悪くすることなく高純度水素により加熱処理できる分子
線エピタキシ装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、成長室の真空度を水素導入により
悪くすることなく高純度水素により加熱処理できる分子
線エピタキシ装置を提供することを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
この発明に係る分子線エピタキシ装置は、分子線源るつ
ぼに、分子線源のみに水素を直接照射できる水素導入パ
イプと、その水素導入口に分子線源ビームが付着するの
を防止する遮蔽板とを設けたものである。
ぼに、分子線源のみに水素を直接照射できる水素導入パ
イプと、その水素導入口に分子線源ビームが付着するの
を防止する遮蔽板とを設けたものである。
この発明においては、水素は水素導入パイプにより分子
線源のみに直接照射されるから、成長室の真空度は水素
導入により悪化することはなく、高純度水素により加熱
処理ができる。またその際分子線源からの分子線源ビー
ムは遮蔽板により遮蔽されて水素導入パイプの水素導入
口に付着することはない。
線源のみに直接照射されるから、成長室の真空度は水素
導入により悪化することはなく、高純度水素により加熱
処理ができる。またその際分子線源からの分子線源ビー
ムは遮蔽板により遮蔽されて水素導入パイプの水素導入
口に付着することはない。
以下、この発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
第１図において、第２図と同一符号は同一部分を示し、
１０は分子線源るつぼ８内の分子線に水素を直線照射す
るための水素導入パイプ、１２はその水素導入口、１５
は成長室２外に設けられた水素導入管、３は該水素導入
管１５に設けられた水素導入バルブ、１４は成長室２内
で水素導入管１５と水素導入パイプ１０とをつなぐベロ
ーズ、１１は分子線源からの分子線源ビームが上記水素
導入口１１に付着するのを防止する遮蔽板であり、これ
は箱状体の下面部１１ａに開口１１ｂを設けて構成され
ている。
１０は分子線源るつぼ８内の分子線に水素を直線照射す
るための水素導入パイプ、１２はその水素導入口、１５
は成長室２外に設けられた水素導入管、３は該水素導入
管１５に設けられた水素導入バルブ、１４は成長室２内
で水素導入管１５と水素導入パイプ１０とをつなぐベロ
ーズ、１１は分子線源からの分子線源ビームが上記水素
導入口１１に付着するのを防止する遮蔽板であり、これ
は箱状体の下面部１１ａに開口１１ｂを設けて構成され
ている。
次に動作について説明する。
本装置の水素加熱処理を行うには、あらかじめ昇温され
た分子線源１に対し水素バルブ３を開き、水素をベロー
ズ１４を通して水素導入パイプ１０より導入する。水素
は、図中矢印で示すように遮蔽板１１の下面部１１ａに
一度衝突した後、分子線源１に照射される。分子線源１
からのビームはすべて遮蔽板１１の下面部１１ａに付着
し、該分子線源ビームが水素導入口１２に付着すること
はな（、分子線源の清浄化に悪影響を及ぼすことはない
。このときの水素導入量は成長室２内の真空度が１（１
８ｔｏｒｒ台になる程度であり、従来方式の十分の１で
、分子線源の清浄化が可能であった。
た分子線源１に対し水素バルブ３を開き、水素をベロー
ズ１４を通して水素導入パイプ１０より導入する。水素
は、図中矢印で示すように遮蔽板１１の下面部１１ａに
一度衝突した後、分子線源１に照射される。分子線源１
からのビームはすべて遮蔽板１１の下面部１１ａに付着
し、該分子線源ビームが水素導入口１２に付着すること
はな（、分子線源の清浄化に悪影響を及ぼすことはない
。このときの水素導入量は成長室２内の真空度が１（１
８ｔｏｒｒ台になる程度であり、従来方式の十分の１で
、分子線源の清浄化が可能であった。
また水素処理完了後は水素バルブ３を閉じ、水素導入パ
イプ１０及び遮蔽板１１を真空容器外から回転導入端子
１３を介して回転させ、本装置のエピタキシ動作におい
て該遮蔽板１１が分子線源ビームを遮蔽しない位置に移
動させる。
イプ１０及び遮蔽板１１を真空容器外から回転導入端子
１３を介して回転させ、本装置のエピタキシ動作におい
て該遮蔽板１１が分子線源ビームを遮蔽しない位置に移
動させる。
このような本実施例装置では、成長室の真空度を悪くす
ることな（、分子線源１を高純度水素により加熱処理す
ることができ、分子線エピタキシャル法によるエピタキ
シャル膜の特性１表面状態を向上できる。
ることな（、分子線源１を高純度水素により加熱処理す
ることができ、分子線エピタキシャル法によるエピタキ
シャル膜の特性１表面状態を向上できる。
以上のように、この発明にかかる分子線エピタキシ装置
によれば、分子線源のみに水素を直接照射できる水素導
入パイプと、その水素導入口に分子線源ビームが付着す
るのを防止する遮蔽板とを設けたから、成長室の真空度
を水素導入により悪（することなく、高純度水素により
加熱処理でき、エピタキシャル膜の特性を向上できる効
果がある。
によれば、分子線源のみに水素を直接照射できる水素導
入パイプと、その水素導入口に分子線源ビームが付着す
るのを防止する遮蔽板とを設けたから、成長室の真空度
を水素導入により悪（することなく、高純度水素により
加熱処理でき、エピタキシャル膜の特性を向上できる効
果がある。
第１図は本発明の一実施例による分子線エピタキシ装置
の断面図、第２図は従来の分子線エピタキシ装置の断面
図である。 図中、１は分子線源、２は成長室、３は水素導入バルブ
、４は基板ホルダ、５は熱放射遮蔽板、６はヒータ、７
は熱電対、８は分子線源るつぼ、９はイオンポンプ、１
０は水素導入パイプ、１１は遮蔽板、１２は水素導入口
、１３は回転導入器、１４はベローズ、１５は水素導入
管である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の断面図、第２図は従来の分子線エピタキシ装置の断面
図である。 図中、１は分子線源、２は成長室、３は水素導入バルブ
、４は基板ホルダ、５は熱放射遮蔽板、６はヒータ、７
は熱電対、８は分子線源るつぼ、９はイオンポンプ、１
０は水素導入パイプ、１１は遮蔽板、１２は水素導入口
、１３は回転導入器、１４はベローズ、１５は水素導入
管である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）分子線エピタキシ装置において、分子線源を収納
する分子線源るつぼと、該分子線源るつぼ内の分子線源
に水素ガスを照射するための水素導入パイプと、該水素
導入パイプによる水素照射時にその水素導入口を分子線
源ビームが付着するのを防止する遮蔽板とを備えたこと
を特徴とする分子線エピタキシ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080585A JPS61189622A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080585A JPS61189622A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189622A true JPS61189622A (ja) | 1986-08-23 |
| JPH035050B2 JPH035050B2 (ja) | 1991-01-24 |
Family
ID=12313895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080585A Granted JPS61189622A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | 分子線エピタキシ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61189622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261294A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分子線エピタキシャル成長法 |
| WO2007086560A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rohm Co., Ltd. | パージ機能を有する分子線セル |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP3080585A patent/JPS61189622A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61261294A (ja) * | 1985-05-14 | 1986-11-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 分子線エピタキシャル成長法 |
| WO2007086560A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Rohm Co., Ltd. | パージ機能を有する分子線セル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035050B2 (ja) | 1991-01-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61189622A (ja) | 分子線エピタキシ装置 | |
| JPS6132414A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP3212442B2 (ja) | ダイヤモンド表面吸着水素量の低減方法 | |
| JPS61291965A (ja) | 超高真空チヤンバ− | |
| US4382646A (en) | Method for removing gases caused by out-gassing in a vacuum vessel | |
| JPH0680639B2 (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| JPS62237720A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPS6369219A (ja) | 分子線源用セル | |
| JPS6235512A (ja) | 半導体単結晶薄膜の製造方法 | |
| JPH0746562B2 (ja) | 表示管の製造装置 | |
| JPS63141319A (ja) | ドライエツチング処理装置 | |
| JPH087625Y2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH10326565A (ja) | 陰極線管の表面処理装置 | |
| JP2001093841A (ja) | 高温、高真空下で熱処理する装置 | |
| JP3728538B2 (ja) | 薄膜成長装置、及び薄膜成長方法 | |
| JPS63239180A (ja) | 半導体単結晶の製造方法及びその装置 | |
| JPS63270388A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JP3933734B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JPS6213018A (ja) | エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0243720A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH0517648B2 (ja) | ||
| JPS61201418A (ja) | 薄膜成長装置 | |
| JPH0769787A (ja) | 分子線エピタキシー装置 | |
| JPH047818A (ja) | プラズマ装置と該装置の製造方法及びプラズマ装置の使用方法 | |
| JPS59100514A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 |