JPS61185751A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61185751A JPS61185751A JP60027347A JP2734785A JPS61185751A JP S61185751 A JPS61185751 A JP S61185751A JP 60027347 A JP60027347 A JP 60027347A JP 2734785 A JP2734785 A JP 2734785A JP S61185751 A JPS61185751 A JP S61185751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- resist
- carbon film
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＩＣなど半導体装置の製造工程に使用されるフ
ォトマスクに関する。
ォトマスクに関する。
半導体装置の製造において、最も重要な工程の一つに微
細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプロセ
スがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが欠か
せない材料である。従前よす、フォトマスクにはエマル
ジョンマスクとハードマスクとの二種類があるが、ＩＣ
の高集積化に伴い、微細パターン形成に優れたハードマ
スクが汎用されるようになってきた。
細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプロセ
スがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが欠か
せない材料である。従前よす、フォトマスクにはエマル
ジョンマスクとハードマスクとの二種類があるが、ＩＣ
の高集積化に伴い、微細パターン形成に優れたハードマ
スクが汎用されるようになってきた。
しかし、このようなハードマスクは出来る限り精度の良
いパターンが形成されていることが望ましく、それは半
導体装置の性能・品質に大きな影響を与えるからである
。
いパターンが形成されていることが望ましく、それは半
導体装置の性能・品質に大きな影響を与えるからである
。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点コハード
マスクとは金属膜、金属酸化膜からなるパターンを形成
したマスクのことで、一般には膜厚１０００人前後のク
ロム（Ｃｒ） Ｈ’Ａや酸化クロム（Ｃｒ２Ｑ３）膜、
あるいは両者の複合膜によってパターンが形成されるこ
とが多い。これらの膜はスパッタ法によって透明基板上
に被着し、その上にレジスト腰パターンを形成し、それ
を保護膜にしてエツチングして作成される。
マスクとは金属膜、金属酸化膜からなるパターンを形成
したマスクのことで、一般には膜厚１０００人前後のク
ロム（Ｃｒ） Ｈ’Ａや酸化クロム（Ｃｒ２Ｑ３）膜、
あるいは両者の複合膜によってパターンが形成されるこ
とが多い。これらの膜はスパッタ法によって透明基板上
に被着し、その上にレジスト腰パターンを形成し、それ
を保護膜にしてエツチングして作成される。
また、ハードマスクにも、密着露光用のマスクと縮小露
光用のレチクルの二種類が知られているが、以下にマス
クと総称して説明する。
光用のレチクルの二種類が知られているが、以下にマス
クと総称して説明する。
第４図は、その作成途中の一工程のマスクの断面図を示
しており、ｌは石英ガラス基板（透明基板）、２はクロ
ム膜、３はレジスト膜パターンで、図はレジスト膜パタ
ーンを形成した直後、即ち、クロム膜をエツチングする
直前の断面図を示している。
しており、ｌは石英ガラス基板（透明基板）、２はクロ
ム膜、３はレジスト膜パターンで、図はレジスト膜パタ
ーンを形成した直後、即ち、クロム膜をエツチングする
直前の断面図を示している。
従来、このレジスト膜パターン３を形成するために、紫
外光などの光露光法を用いて露光していたが、最近では
電子ビーム露光法で露光が行なわれている。それは、勿
論、電子ビーム露光法の方が高精度なレジスト膜パター
ンを形成でき、率いては高精度なマスクが作成できるか
らである。
外光などの光露光法を用いて露光していたが、最近では
電子ビーム露光法で露光が行なわれている。それは、勿
論、電子ビーム露光法の方が高精度なレジスト膜パター
ンを形成でき、率いては高精度なマスクが作成できるか
らである。
ところが、パターンを描画するために、レジスト腰上に
電子ビームを照射すると、そのビームエネルギーのため
、ガラス基板１が加熱され、そのため、パターン描画精
度が悪くなる問題がある。
電子ビームを照射すると、そのビームエネルギーのため
、ガラス基板１が加熱され、そのため、パターン描画精
度が悪くなる問題がある。
電子ビーム描画の場合、チャーシア、プを防止するため
に、クロム膜２を接地して露光しているが、それだけで
充分ではなく、ガラス基板ｌは熱伝導が悪いから、ビー
ム照射による熱がガラス基板に蓄えられ、そのためにレ
ジスト膜が変形して、レジスト膜パターンの形成精度を
悪化させる。基板として、耐熱性の石英ガラス基板を使
用しているのも熱のためで、石英ガラスは熱膨張が少な
く、熱によって破壊され難いからである。
に、クロム膜２を接地して露光しているが、それだけで
充分ではなく、ガラス基板ｌは熱伝導が悪いから、ビー
ム照射による熱がガラス基板に蓄えられ、そのためにレ
ジスト膜が変形して、レジスト膜パターンの形成精度を
悪化させる。基板として、耐熱性の石英ガラス基板を使
用しているのも熱のためで、石英ガラスは熱膨張が少な
く、熱によって破壊され難いからである。
しかし、このままでは基板が原因して、パターン精度を
向上させるのに限界がある。
向上させるのに限界がある。
本発明は、このような問題点を軽減させて、一層パター
ン精度が高められるフォトマスクを提案するものである
。
ン精度が高められるフォトマスクを提案するものである
。
［問題点を解決するための手段コ
その問題は、透明基板上に炭素膜を介在させた金属膜パ
ターンが設けられているフォトマスクによって解決され
る。
ターンが設けられているフォトマスクによって解決され
る。
例えば、その炭素膜はアモルファス炭素膜で形成する。
［作用コ
即ち、本発明は、石英ガラス基板全面を炭素膜で被覆し
て、その上に金属膜を被着し、その上にレジスト膜パタ
ーンを描画する。次いで、エツチングして、炭素膜を介
在させた金属膜パターンを形成する。このような構造に
すれば、パターン描画時に熱伝導が良くなり、高ＩＮ度
なパターンをもったフォトマスクが作成される。
て、その上に金属膜を被着し、その上にレジスト膜パタ
ーンを描画する。次いで、エツチングして、炭素膜を介
在させた金属膜パターンを形成する。このような構造に
すれば、パターン描画時に熱伝導が良くなり、高ＩＮ度
なパターンをもったフォトマスクが作成される。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるフォトマスクの構造断面図を示
しており、１は石英ガラス基板、１１は膜厚１０００〜
３０００人のアモルファス炭素膜、１２は膜厚１０００
人のクロム膜で、炭素膜１１を基板とクロム膜との間に
介在させである。
しており、１は石英ガラス基板、１１は膜厚１０００〜
３０００人のアモルファス炭素膜、１２は膜厚１０００
人のクロム膜で、炭素膜１１を基板とクロム膜との間に
介在させである。
第２図（ａ）〜（Ｃ）は、このようなマスクを作成する
ための工程順断面図を示しており、まず、同図（ａ）に
示すように、石英ガラス基板１の全面をアモルファス炭
素膜１１で被覆し、その上にクロム膜１２を被着し、そ
の上にレジスト膜１３を塗布する。クロム膜１２はスパ
ッタ法で被着させるが、炭素膜１１は例えば、第３図に
示すような気相成長装置を用いた気相成長法で被着させ
る。
ための工程順断面図を示しており、まず、同図（ａ）に
示すように、石英ガラス基板１の全面をアモルファス炭
素膜１１で被覆し、その上にクロム膜１２を被着し、そ
の上にレジスト膜１３を塗布する。クロム膜１２はスパ
ッタ法で被着させるが、炭素膜１１は例えば、第３図に
示すような気相成長装置を用いた気相成長法で被着させ
る。
第３図はその気相成長装置の概要断面図を示しており、
反応室２０の中でカソード電極２１とアノード電極２２
とを対向させて、カソード電極２１上に石英ガラス基板
１を載置する。真空口２３より真空吸引して、ガス流入
口２４より１０％アルゴンガスを含む炭化水素系ガスを
導入して、減圧度を０．２ Ｔｏｒｒ程度にし、両電極
間に５００Ｗの電力を印加する。
反応室２０の中でカソード電極２１とアノード電極２２
とを対向させて、カソード電極２１上に石英ガラス基板
１を載置する。真空口２３より真空吸引して、ガス流入
口２４より１０％アルゴンガスを含む炭化水素系ガスを
導入して、減圧度を０．２ Ｔｏｒｒ程度にし、両電極
間に５００Ｗの電力を印加する。
そうすると、石英ガラス基板１にアモルファス炭素膜が
形成される。
形成される。
第２図（ａｌのように形成した後、レジスト膜１３を電
子ビーム露光法で露光し現像して、同図ｆｂ）に示すよ
うに、レジスト膜パターン１３を形成する。この時、石
英ガラス基板１を裏面より冷却すれば、電子ビーム露光
による描画パターンは更に高精度化される。
子ビーム露光法で露光し現像して、同図ｆｂ）に示すよ
うに、レジスト膜パターン１３を形成する。この時、石
英ガラス基板１を裏面より冷却すれば、電子ビーム露光
による描画パターンは更に高精度化される。
次いで、第２図（Ｃ）に示すように、レジスト膜パター
ン１３を保護膜にして、露出したクロム膜１２とアモル
ファス炭素膜１１をエツチング除去して、所望のパター
ンを形成する。エツチングはドライエツチング法で行い
、エツチングガスはクロム膜が四塩化炭素＋酸素の混合
ガス、炭素膜が酸素プラズマを用いる。
ン１３を保護膜にして、露出したクロム膜１２とアモル
ファス炭素膜１１をエツチング除去して、所望のパター
ンを形成する。エツチングはドライエツチング法で行い
、エツチングガスはクロム膜が四塩化炭素＋酸素の混合
ガス、炭素膜が酸素プラズマを用いる。
しかる後、レジスト膜パターン１３を熔解除去して、第
１図のように仕上げる。このようなマスクは、電子ビー
ム描画時に、高精度にレジスト膜パターンが形成されて
おり、従って、高精度なマスクパターンをもったマスク
が得られる。
１図のように仕上げる。このようなマスクは、電子ビー
ム描画時に、高精度にレジスト膜パターンが形成されて
おり、従って、高精度なマスクパターンをもったマスク
が得られる。
「発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明は高精度パター
ンを設けたマスクとなるから、半導体装置の高性能化・
高品質化に顕著に貢献するものである。
ンを設けたマスクとなるから、半導体装置の高性能化・
高品質化に顕著に貢献するものである。
第１図は本発明にかかるマスクの構造断面図、第２図は
その作成工程順断面図、 第３図は炭素膜を被覆するための気相成長装置の概要図
、 第４図は従来のマスクの工程途中の一断面図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２，１２はクロム膜、３．１
３はレジスト膜またはレジスト膜パターン、１１は炭素
膜（アモルファス炭素膜） を示している。
その作成工程順断面図、 第３図は炭素膜を被覆するための気相成長装置の概要図
、 第４図は従来のマスクの工程途中の一断面図である。 図において、 １は石英ガラス基板、 ２，１２はクロム膜、３．１
３はレジスト膜またはレジスト膜パターン、１１は炭素
膜（アモルファス炭素膜） を示している。
Claims (2)
- （１）透明基板上に炭素膜を介在させた金属膜パターン
が設けられていることを特徴とするフォトマスク。 - （２）前記炭素膜はアモルファス膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027347A JPS61185751A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60027347A JPS61185751A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61185751A true JPS61185751A (ja) | 1986-08-19 |
Family
ID=12218508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60027347A Pending JPS61185751A (ja) | 1985-02-13 | 1985-02-13 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61185751A (ja) |
-
1985
- 1985-02-13 JP JP60027347A patent/JPS61185751A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7026077B2 (en) | Photomask blank manufacturing method | |
| JP2013228579A (ja) | フォトマスクブランクおよびその製造方法 | |
| JPS6252551A (ja) | フオトマスク材料 | |
| US6544894B1 (en) | Method of producing chromium mask | |
| JPS61273546A (ja) | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 | |
| JPS61185751A (ja) | フオトマスク | |
| TW200415703A (en) | Manufacturing method of stencil mask substrate, stencil mask substrate and stencil mask | |
| JPH03129349A (ja) | フォトマスクの製法 | |
| JPS61204933A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS58169150A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS61193152A (ja) | フオトマスク | |
| JPS6289053A (ja) | フオトマスク | |
| JPH06250374A (ja) | リソグラフィーエッチング方法 | |
| JPS61129827A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH0316116A (ja) | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたｘ線露光方法 | |
| JPS62125352A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
| JPS6116517A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH09244211A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク、ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びその製造方法 | |
| JPS61204932A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Bouchard | Overview and status of the next generation lithography mask center of competency | |
| JPS60202441A (ja) | 半導体装置用パタ−ン形成マスク | |
| JPH03168641A (ja) | フォトマスク | |
| JPH0434142B2 (ja) | ||
| JPH04315417A (ja) | 長波長ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS61245161A (ja) | Ｘ線用マスクの製造方法 |