JPS61193152A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61193152A JPS61193152A JP60033317A JP3331785A JPS61193152A JP S61193152 A JPS61193152 A JP S61193152A JP 60033317 A JP60033317 A JP 60033317A JP 3331785 A JP3331785 A JP 3331785A JP S61193152 A JPS61193152 A JP S61193152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- film
- carbon film
- resist film
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/56—Organic absorbers, e.g. of photo-resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野］
本発明はＩＣなど半導体装置の製造工程に使用されるフ
ォトマスクに関する。
ォトマスクに関する。
半導体装置の製造において、最も重要な工程の一つに微
細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプロセ
スがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが欠か
せない材料である。従前より、フォトマスクにはエマル
ジョンマスクとハードマスクとの二種類があるが、ＩＣ
の高集積化に伴い、微細パターン形成に優れたハードマ
スクが汎用されるようになってきた。
細パターンを写真食刻法で形成する、所謂フォトプロセ
スがあり、このフォトプロセスではフォトマスクが欠か
せない材料である。従前より、フォトマスクにはエマル
ジョンマスクとハードマスクとの二種類があるが、ＩＣ
の高集積化に伴い、微細パターン形成に優れたハードマ
スクが汎用されるようになってきた。
しかし、このようなハードマスクは出来るだけ耐用期限
の長いこと、換言すれば耐久性があることが要望されて
いる。
の長いこと、換言すれば耐久性があることが要望されて
いる。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］さて、
ハードマスクとは金属膜、金属酸化膜からなるパターン
を形成したマスクのことで、一般には膜厚１０００人前
後のクロム（Ｃｒ）膜や酸化クロム（Ｃｒｚ Ｏ３）膜
、あるいは両者の複合膜によってパターンが形成されて
いる。これらの膜はスパッタ法によって透明基板上に被
着し、その上にレジスト膜パターンを形成し、それを保
護膜にしてエツチングして作成される。
ハードマスクとは金属膜、金属酸化膜からなるパターン
を形成したマスクのことで、一般には膜厚１０００人前
後のクロム（Ｃｒ）膜や酸化クロム（Ｃｒｚ Ｏ３）膜
、あるいは両者の複合膜によってパターンが形成されて
いる。これらの膜はスパッタ法によって透明基板上に被
着し、その上にレジスト膜パターンを形成し、それを保
護膜にしてエツチングして作成される。
第４図は従来のハードマスク（以下、マスクと呼ぶ）の
構造断面図を示しており、１は石英ガラス基板（透明基
板）、２はクロム膜、３は酸化クロム膜、本例はクロム
膜と酸化クロム膜とからなる複合膜パターン（膜厚１０
００人前後）を設けたマスク例である。
構造断面図を示しており、１は石英ガラス基板（透明基
板）、２はクロム膜、３は酸化クロム膜、本例はクロム
膜と酸化クロム膜とからなる複合膜パターン（膜厚１０
００人前後）を設けたマスク例である。
このようなマスクは耐久性（硬度）と熱伝導性に問題が
ある。即ち、クロムや酸化クロムなどの金属膜、金属酸
化膜は接触によって傷が付き易く、耐久性が良くないこ
とが大きな欠点である。そのため、使用中は絶えず検査
を繰り換えして、傷のチェックが行なわれている状況で
ある。
ある。即ち、クロムや酸化クロムなどの金属膜、金属酸
化膜は接触によって傷が付き易く、耐久性が良くないこ
とが大きな欠点である。そのため、使用中は絶えず検査
を繰り換えして、傷のチェックが行なわれている状況で
ある。
もう一つの熱伝導性は、マスク作成時に問題となること
で、レジスト膜パターンを形成するために、最近では電
子ビーム露光法で露光が行なわれているが、その際、ビ
ーム照射によって石英ガラス基板が加熱され、それによ
ってレジスト膜が変形して、レジスト膜パターンの精度
が悪くなる問題がある。そうすると、精度の良い金属膜
パターンが作成され難い。
で、レジスト膜パターンを形成するために、最近では電
子ビーム露光法で露光が行なわれているが、その際、ビ
ーム照射によって石英ガラス基板が加熱され、それによ
ってレジスト膜が変形して、レジスト膜パターンの精度
が悪くなる問題がある。そうすると、精度の良い金属膜
パターンが作成され難い。
本発明の目的は、このような問題を低減させて、耐久性
が良く、且つ、パターン精度も改善されるフォトマスク
を提供するものである。
が良く、且つ、パターン精度も改善されるフォトマスク
を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、透明基板上に炭素膜パターンが設けられて
いるフォトマスクによって達成される。
いるフォトマスクによって達成される。
例えば、その炭素膜パターンはアモルファス炭素膜で形
成する。
成する。
［作用］
即ち、本発明は石英ガラス基板上に炭素膜でパターンを
形成する。そうすると、炭素は結晶構造的に接触に強く
、また、耐薬品性があって、化学薬品では腐食されない
。更に、熱伝導性が良いから、レジスト膜パターン形成
時に高精度なパターンが形成され、従って、高品質なフ
ォトマスクになる。
形成する。そうすると、炭素は結晶構造的に接触に強く
、また、耐薬品性があって、化学薬品では腐食されない
。更に、熱伝導性が良いから、レジスト膜パターン形成
時に高精度なパターンが形成され、従って、高品質なフ
ォトマスクになる。
［実施例］
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第１図は本発明にかかるフォトマスクの断面図を示して
おり、１は石英ガラス基板、１２は膜厚５０００人のア
モルファス炭素膜パターンである。このように、膜厚５
０００人の炭素膜パターンを形成したフォトマスクは、
波長２０００人程度０遠紫外光を十分に遮断して透過率
は０となる。
おり、１は石英ガラス基板、１２は膜厚５０００人のア
モルファス炭素膜パターンである。このように、膜厚５
０００人の炭素膜パターンを形成したフォトマスクは、
波長２０００人程度０遠紫外光を十分に遮断して透過率
は０となる。
第２１図（ａ）〜（Ｃ）は、このようなマスクを作成す
るための工程順断面図を示しており、まず、同図（ａ）
に示すように、石英ガラス基板１上にアモルファス炭素
膜１２を被着し、その上にレジストＭ＊１２を塗布する
。アモルファス炭素膜１２はスパッタ法でも被着できる
が、例えば、第３図に示すような気相成長装置を用いた
気相成長法で被着させる。
るための工程順断面図を示しており、まず、同図（ａ）
に示すように、石英ガラス基板１上にアモルファス炭素
膜１２を被着し、その上にレジストＭ＊１２を塗布する
。アモルファス炭素膜１２はスパッタ法でも被着できる
が、例えば、第３図に示すような気相成長装置を用いた
気相成長法で被着させる。
第３図はその気相成長装置の概要断面図を示しており、
反応室２０の中でカソード電極２１とアノード電極２２
とを対向させて、カソード電極２１上に石英ガラス基板
１を載置する。真空口２３より真空吸引して、−ガス流
入口２４より１０％アルゴンガスを含む炭化水素系ガス
を導入して、減圧度を０．２ Ｔｏｒｒ程度にし、両電
極間に５００Ｗの電力を印加する。
反応室２０の中でカソード電極２１とアノード電極２２
とを対向させて、カソード電極２１上に石英ガラス基板
１を載置する。真空口２３より真空吸引して、−ガス流
入口２４より１０％アルゴンガスを含む炭化水素系ガス
を導入して、減圧度を０．２ Ｔｏｒｒ程度にし、両電
極間に５００Ｗの電力を印加する。
そうすると、石英ガラス基板ｌ上にアモルファス炭素膜
を被着させることができる。
を被着させることができる。
第２図（ａ）のように形成した後、レジスト膜１３を電
子ビーム露光法で露光し現像して、同回出）に示すよう
に、レジスト膜パターン１３を形成する。そうすると、
ビーム照射による熱は炭素膜から放散して、レジスト膜
パターンの変形は減少する。
子ビーム露光法で露光し現像して、同回出）に示すよう
に、レジスト膜パターン１３を形成する。そうすると、
ビーム照射による熱は炭素膜から放散して、レジスト膜
パターンの変形は減少する。
次いで、第２図（Ｃ）に示すように、レジスト膜パター
ン１３を保護膜にして、露出部のアモルファス炭素膜１
２を酸素プラズマ法によってエツチング除去し、所望の
パターンを形成する。
ン１３を保護膜にして、露出部のアモルファス炭素膜１
２を酸素プラズマ法によってエツチング除去し、所望の
パターンを形成する。
しかる後、レジスト膜パターン１３を有機溶剤で溶解除
去して、第１図のように完成する。このようなマスクは
、従来の欠点である耐久性が改善された高品質なマスク
であり、且つ、電子ビーム描画時に、高精度にレジスト
膜パターンが形成されて、従って、高精度な炭素膜パタ
ーンを有している。
去して、第１図のように完成する。このようなマスクは
、従来の欠点である耐久性が改善された高品質なマスク
であり、且つ、電子ビーム描画時に、高精度にレジスト
膜パターンが形成されて、従って、高精度な炭素膜パタ
ーンを有している。
［発明の効果〕
以上の説明から判るように、本発明にかかるフォトマス
クは耐久性があり、パターン精度の良い高品質なマスク
であるから、半導体装置のコストダウンや品質向上に大
きく寄与するものである。
クは耐久性があり、パターン精度の良い高品質なマスク
であるから、半導体装置のコストダウンや品質向上に大
きく寄与するものである。
上記はマスクを例として説明したが、レチクル（ｔ＊小
投影マスク）にも通用できることは云うまでもない。
投影マスク）にも通用できることは云うまでもない。
第１図は本発明にかかるマスクの構造断面図、第２図（
ａ）〜（Ｃ）はその作成工程順断面図、第３図は炭素膜
を被着するための気相成長装置の概要図、 第４図は従来のマスクの構造断面図である。 図において、 ｌは石英ガラス基板、 ２はクロム膜、３は酸化クロ
ム膜、 １２はアモルファス炭素膜、 １３はレジスト膜またはレジスト膜パターンを示してい
る。 第１図 第２図
ａ）〜（Ｃ）はその作成工程順断面図、第３図は炭素膜
を被着するための気相成長装置の概要図、 第４図は従来のマスクの構造断面図である。 図において、 ｌは石英ガラス基板、 ２はクロム膜、３は酸化クロ
ム膜、 １２はアモルファス炭素膜、 １３はレジスト膜またはレジスト膜パターンを示してい
る。 第１図 第２図
Claims (2)
- （１）透明基板上に炭素膜パターンが設けられているこ
とを特徴とするフォトマスク。 - （２）前記炭素膜パターンはアモルファス炭素膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォト
マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033317A JPS61193152A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033317A JPS61193152A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193152A true JPS61193152A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12383177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033317A Pending JPS61193152A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193152A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208079A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60033317A patent/JPS61193152A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007208079A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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