JPS61183931A - 絶縁膜表面の平坦化方法 - Google Patents
絶縁膜表面の平坦化方法Info
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- JPS61183931A JPS61183931A JP2366885A JP2366885A JPS61183931A JP S61183931 A JPS61183931 A JP S61183931A JP 2366885 A JP2366885 A JP 2366885A JP 2366885 A JP2366885 A JP 2366885A JP S61183931 A JPS61183931 A JP S61183931A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明［ＬＳＩ、超ＬＳＩ、薄膜磁気ヘッド等に利用で
きる、導体パターン上の絶縁膜表面の平坦化方法に関す
る。
きる、導体パターン上の絶縁膜表面の平坦化方法に関す
る。
（発明の背景）
絶縁層をはさんで導体パターンを積層形成する場合、絶
縁層表面は平坦であることが望まれる〇たとえば磁気薄
膜を用いた薄膜磁気ヘッド（おいて、多層の導体コイル
を形成する各層の導体）４タ一ン間は絶縁膜で絶縁する
ことが行なわれる。しかるに第１層を形成する導体パタ
ーン上の絶縁膜は導体の凹凸にともなってその表面は凹
凸面を形成し、その上に第２層を形成する導体ｉＪ？タ
ーンを積層した場合には、第１層の導体パターンを横切
る第２層の導体部分は第１層上の絶縁膜の凹凸面にした
がって凹凸面を形成する。この九め、第２層の導体が切
断し易くなつｆｃシ、絶縁膜凸部の壁部に第２層の導体
形成時のエツチング残りが生じて短絡を起し易い等の欠
点があり、信頼性を低下させる欠点が生ずるためである
。
縁層表面は平坦であることが望まれる〇たとえば磁気薄
膜を用いた薄膜磁気ヘッド（おいて、多層の導体コイル
を形成する各層の導体）４タ一ン間は絶縁膜で絶縁する
ことが行なわれる。しかるに第１層を形成する導体パタ
ーン上の絶縁膜は導体の凹凸にともなってその表面は凹
凸面を形成し、その上に第２層を形成する導体ｉＪ？タ
ーンを積層した場合には、第１層の導体パターンを横切
る第２層の導体部分は第１層上の絶縁膜の凹凸面にした
がって凹凸面を形成する。この九め、第２層の導体が切
断し易くなつｆｃシ、絶縁膜凸部の壁部に第２層の導体
形成時のエツチング残りが生じて短絡を起し易い等の欠
点があり、信頼性を低下させる欠点が生ずるためである
。
また、この几めに、特開昭５９−１１２４１６号に開示
されている如く導体ノリーンを無機材料からなる絶縁膜
で覆い、絶縁膜上を有機材料にて平坦な表面を形成する
ように覆って、アルがンと酸素との混合ガスをイオン源
としたイオンビームエツチングによって有機材料と絶縁
膜の上層部を除去する。この場合に酸素分圧を有機材料
と絶縁膜のエツチング速度がほぼ等しくなるように設定
して残留絶縁膜の表面を平坦にすることが知られている
。
されている如く導体ノリーンを無機材料からなる絶縁膜
で覆い、絶縁膜上を有機材料にて平坦な表面を形成する
ように覆って、アルがンと酸素との混合ガスをイオン源
としたイオンビームエツチングによって有機材料と絶縁
膜の上層部を除去する。この場合に酸素分圧を有機材料
と絶縁膜のエツチング速度がほぼ等しくなるように設定
して残留絶縁膜の表面を平坦にすることが知られている
。
しかし、この方法によるときは、反応ガス（０□）を必
要とし、物理的エツチングと複雑な化学反応によるエツ
チングとによるため、平坦化作業が容易ではない欠点が
ある。
要とし、物理的エツチングと複雑な化学反応によるエツ
チングとによるため、平坦化作業が容易ではない欠点が
ある。
（本発明の目的）
本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消して、簡単な方法で絶縁層の表面を平坦にすること
ができる絶縁層表面の平坦化方法を提供することを目的
とする。
解消して、簡単な方法で絶縁層の表面を平坦にすること
ができる絶縁層表面の平坦化方法を提供することを目的
とする。
（発明の構成）
本発明は、導体ノ臂ターンを無機材料からなる絶縁膜で
覆い、絶縁膜上を有機材料にて覆って平坦化し、ついで
有機材料のエツチング速度と絶縁膜のエツチング速度と
がほぼ等しくなる入射角度にてイオンビームを照射して
イオンビームエツチングを行なって有機材料と絶啄膜上
層部分を除去して、残留絶縁膜表面を平坦にすることを
特徴とするものである。
覆い、絶縁膜上を有機材料にて覆って平坦化し、ついで
有機材料のエツチング速度と絶縁膜のエツチング速度と
がほぼ等しくなる入射角度にてイオンビームを照射して
イオンビームエツチングを行なって有機材料と絶啄膜上
層部分を除去して、残留絶縁膜表面を平坦にすることを
特徴とするものである。
本発明によればイオンビームの入射角度を有機材料およ
び絶縁膜を形成する無機材料とによって設定することの
みで、容易に絶縁膜表面を平坦にすることができる。
び絶縁膜を形成する無機材料とによって設定することの
みで、容易に絶縁膜表面を平坦にすることができる。
（発明の実施例）
以下、本発明方法を実施例にょシ説明する◇第１図は本
発明方法の工程を示す説明図である。
発明方法の工程を示す説明図である。
第１図（、）に示す如く基板１上に例えばＡｔまｔはＣ
ｕ等からなる導体パターン２を形成し、ついで第１図（
ｂ）に示す如く無機材料例えば５ｉｏ２からなる絶縁膜
３を被膜する。この結果、導体・臂ターン２上および導
体パターン２外の基板１上は絶縁膜３によシ覆われるが
、絶縁膜３の表面は導体パターン２の凹凸に応答して凹
凸を呈する。
ｕ等からなる導体パターン２を形成し、ついで第１図（
ｂ）に示す如く無機材料例えば５ｉｏ２からなる絶縁膜
３を被膜する。この結果、導体・臂ターン２上および導
体パターン２外の基板１上は絶縁膜３によシ覆われるが
、絶縁膜３の表面は導体パターン２の凹凸に応答して凹
凸を呈する。
絶縁膜３上に有機材料例えばホトレジスト４を塗布する
ことにニジ第１図（ｃ）に示す如く絶縁膜３上の凹凸を
埋めてレヅスＩｆ面を平坦化し、所定の温度にて熱処理
をすることによりホトレジスト４を焼き固める。
ことにニジ第１図（ｃ）に示す如く絶縁膜３上の凹凸を
埋めてレヅスＩｆ面を平坦化し、所定の温度にて熱処理
をすることによりホトレジスト４を焼き固める。
ツ部テ、アルゴンをイオン源とするイオンビームエツチ
ングを行なう。この場合において、イオンビーム５の入
射角度を７５度に設定してイオンビームエツチングを行
なって、ホトレジスト４および絶縁膜３の上層部を除去
する。
ングを行なう。この場合において、イオンビーム５の入
射角度を７５度に設定してイオンビームエツチングを行
なって、ホトレジスト４および絶縁膜３の上層部を除去
する。
絶縁膜３にＳｌＯ□ を用い、かつ有機材料にホトレジ
スト４を用い几場合、イオンビーム入射角度に対するエ
ツチング速度は第２図に示す如くであり、この場合入射
角度がほぼ７５度のとき絶縁膜３とホトレジスト４との
エツチング速度が等しい。
スト４を用い几場合、イオンビーム入射角度に対するエ
ツチング速度は第２図に示す如くであり、この場合入射
角度がほぼ７５度のとき絶縁膜３とホトレジスト４との
エツチング速度が等しい。
この結果、上記の入射角度によってイオンビームエツチ
ングをなすことにょシ、ホトレジスト４の表面は平坦で
あシ、ホトレジスト４のエツチング速度と絶縁膜３のエ
ツチング速度がほぼ等しいために、第１図（ｄ）に示す
如く、エツチング後の残留絶縁膜３の表面は平坦となる
。したがって薄膜微細導体ツクターンを多層化した場合
においても、絶縁膜３０表面が平坦である丸め、上層の
導体パターンに影響を及ぼすことはない。
ングをなすことにょシ、ホトレジスト４の表面は平坦で
あシ、ホトレジスト４のエツチング速度と絶縁膜３のエ
ツチング速度がほぼ等しいために、第１図（ｄ）に示す
如く、エツチング後の残留絶縁膜３の表面は平坦となる
。したがって薄膜微細導体ツクターンを多層化した場合
においても、絶縁膜３０表面が平坦である丸め、上層の
導体パターンに影響を及ぼすことはない。
（発明の効果）
以上説明した如く本発明によれば、ホトレジストの如き
簡便な有機材料を絶縁膜上に塗布し、有機材料のエツチ
ング速度と絶縁膜のエツチング速度とが等しくなる入射
角度でイオンビームを照射してイオンエツチングをする
ことに＝９、絶縁膜の表面を平坦化することができる。
簡便な有機材料を絶縁膜上に塗布し、有機材料のエツチ
ング速度と絶縁膜のエツチング速度とが等しくなる入射
角度でイオンビームを照射してイオンエツチングをする
ことに＝９、絶縁膜の表面を平坦化することができる。
またさらに、本発明方法によれば物理的エツチングにの
みよって平坦化がなされて簡単であり、設定するパラメ
ータも少なく制御が容易である。
みよって平坦化がなされて簡単であり、設定するパラメ
ータも少なく制御が容易である。
また、本発明方法を適用して薄膜磁気ヘッドを製造した
場合、エツチング速度がばらつかないため、同一ウェハ
上における薄膜磁気ヘッド間の均一性は工く、さらに異
なるウニへ間における薄膜磁気ヘッドの再現性も良好で
ある。
場合、エツチング速度がばらつかないため、同一ウェハ
上における薄膜磁気ヘッド間の均一性は工く、さらに異
なるウニへ間における薄膜磁気ヘッドの再現性も良好で
ある。
ま之汎用性も大きく、薄膜磁気ヘッド製造の場合のみな
らず、ＬＳＩ、超ＬＳＩの製造の場合にも適用できる。
らず、ＬＳＩ、超ＬＳＩの製造の場合にも適用できる。
第１図は本発明方法の一笑施例の工程を示す説関口。
第２図はイオンビーム入射角度に対するエツチング速度
の特性図。 １・・・基板、２・・・導体パターン、３・・・絶縁膜
、４・・・ホトレジスト、５・・・イオンビーム。
の特性図。 １・・・基板、２・・・導体パターン、３・・・絶縁膜
、４・・・ホトレジスト、５・・・イオンビーム。
Claims (1)
- 導体パターンを無機材料からなる絶縁膜で覆つた後、
前記絶縁膜上を有機材料で覆つて平坦化し、ついで前記
有機材料のエッチング速度と前記絶縁縁膜のエッチング
速度とがほぼ等しくなる入射角度にてイオンビームを照
射してイオンビームエッチングを行なつて前記有機材料
と前記絶縁膜上層部分を除去して、残留絶縁膜表面を平
坦にすることを特徴とする絶縁膜表面の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2366885A JPS61183931A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 絶縁膜表面の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2366885A JPS61183931A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 絶縁膜表面の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183931A true JPS61183931A (ja) | 1986-08-16 |
Family
ID=12116868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2366885A Pending JPS61183931A (ja) | 1985-02-12 | 1985-02-12 | 絶縁膜表面の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183931A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143035A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-08 | Nec Corp | Manufacture of pattern |
| JPS60173839A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板の平担化法 |
-
1985
- 1985-02-12 JP JP2366885A patent/JPS61183931A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55143035A (en) * | 1979-04-24 | 1980-11-08 | Nec Corp | Manufacture of pattern |
| JPS60173839A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 基板の平担化法 |
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