JPS61177724A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
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- JPS61177724A JPS61177724A JP60016510A JP1651085A JPS61177724A JP S61177724 A JPS61177724 A JP S61177724A JP 60016510 A JP60016510 A JP 60016510A JP 1651085 A JP1651085 A JP 1651085A JP S61177724 A JPS61177724 A JP S61177724A
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- Japan
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ホトレジスト等の感光性防蝕剤を用いて基板
上にマスクまたはレティクルのパターンを転写する際に
使用される投影露光装置に関し、特に、基板上のパター
ンとマスクまたはレティクルパターンとを高精度に合わ
せることを必要とする場合に好適な投影露光装置に関す
る。
上にマスクまたはレティクルのパターンを転写する際に
使用される投影露光装置に関し、特に、基板上のパター
ンとマスクまたはレティクルパターンとを高精度に合わ
せることを必要とする場合に好適な投影露光装置に関す
る。
従来の投影露光装置は、第１図ζこ示すように、基板ｌ
上の２つのターゲットパターン２．３のＸ、Ｙ位置を検
出し、これにマスクまたはレティクル４上のターゲット
パターン５．６を合わせることにより、両者を整合させ
ていた。このように、基板上で左右方向をＸ、上下方向
をＹとした場合にＸ、Ｙ方向それぞれに２点のターゲッ
ト位置を検出し、Ｘ方向、Ｙ方向、回転およびＸまたは
Ｙ方向の基板パターンの伸縮歪を検出可能な機構の場合
、Ｘ方向とＹ方向の伸縮歪が等しくないと、基板全面で
の補正が正しく行なわれず、またＸ方向とＹ方向の直角
度の狂いを補正することが不可能であるという欠点を有
していた。
上の２つのターゲットパターン２．３のＸ、Ｙ位置を検
出し、これにマスクまたはレティクル４上のターゲット
パターン５．６を合わせることにより、両者を整合させ
ていた。このように、基板上で左右方向をＸ、上下方向
をＹとした場合にＸ、Ｙ方向それぞれに２点のターゲッ
ト位置を検出し、Ｘ方向、Ｙ方向、回転およびＸまたは
Ｙ方向の基板パターンの伸縮歪を検出可能な機構の場合
、Ｘ方向とＹ方向の伸縮歪が等しくないと、基板全面で
の補正が正しく行なわれず、またＸ方向とＹ方向の直角
度の狂いを補正することが不可能であるという欠点を有
していた。
本発明の目的は、Ｘ方向、Ｙ方向の伸縮歪およびＸＹ方
向の直交度歪を検出し、補正することができ、マスクま
たはレティクルと基板上のパターンとの重ね合せ精度を
高め得る新規な投影露光装置を提供することにある。
向の直交度歪を検出し、補正することができ、マスクま
たはレティクルと基板上のパターンとの重ね合せ精度を
高め得る新規な投影露光装置を提供することにある。
本発明の投影露光装置は、非直線上に配置された少くと
も３点のターゲットパターンの位置を検出し、ウェーハ
のＸ、Ｙ両方向の伸縮歪およびＸＹの直交度歪を検出す
る機構を有し、かつその検出結果に応じ露光時に基板ま
たはマスク若しくはレティクルの移動距離を修正するこ
とにより前記歪を補正する枝溝を具備することを特徴と
する。
も３点のターゲットパターンの位置を検出し、ウェーハ
のＸ、Ｙ両方向の伸縮歪およびＸＹの直交度歪を検出す
る機構を有し、かつその検出結果に応じ露光時に基板ま
たはマスク若しくはレティクルの移動距離を修正するこ
とにより前記歪を補正する枝溝を具備することを特徴と
する。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第２図は本発明の一実施例を示すもので、基板１０上（
こは３点のターゲットパターン１１．１２，１３が設け
られており、これにマスクまたはレティクル上のターゲ
ットパターン１４．１５．１６を合わせる。ターゲット
パターン１１．１２．１．ｊｉ同一直線上になく配置さ
れ、ターゲットパターン１１．１２間の距離Ａを検出す
ることにより、Ｘ方向の伸縮歪を検出でき、またターゲ
ットパターン１１．１２を結ぶ直線とターゲットパター
ン１３との距離Ｂを求めることによりＹ方向の伸縮歪を
測定できる。更にターゲットパターン１３について検出
されたＸ座標と、ターゲット１１．１２の測定から算出
される設定上のターゲットパターン１３のＸ座ａｈの差
より、Ｘ、Ｙ方向の直交度を検出できる。
こは３点のターゲットパターン１１．１２，１３が設け
られており、これにマスクまたはレティクル上のターゲ
ットパターン１４．１５．１６を合わせる。ターゲット
パターン１１．１２．１．ｊｉ同一直線上になく配置さ
れ、ターゲットパターン１１．１２間の距離Ａを検出す
ることにより、Ｘ方向の伸縮歪を検出でき、またターゲ
ットパターン１１．１２を結ぶ直線とターゲットパター
ン１３との距離Ｂを求めることによりＹ方向の伸縮歪を
測定できる。更にターゲットパターン１３について検出
されたＸ座標と、ターゲット１１．１２の測定から算出
される設定上のターゲットパターン１３のＸ座ａｈの差
より、Ｘ、Ｙ方向の直交度を検出できる。
第３図は本発明の他の実施例を示すもので、基板２０上
には５個のターゲットパターン２１．２２．２３．２４
．２５が設けられ、これにマスクまたはレティクル上の
ターゲットパターン２６．２７．２８．２９．３０を合
わせるようになっている。
には５個のターゲットパターン２１．２２．２３．２４
．２５が設けられ、これにマスクまたはレティクル上の
ターゲットパターン２６．２７．２８．２９．３０を合
わせるようになっている。
Ｘ方向のウェーハの伸縮は、ターゲットパターン２１．
２５間、２２．２５間の距離により求められ、またＹ方
向の伸縮はターゲットパターン２３．２５間、２４．２
５間の距離を検出することにより測定できる。更に、タ
ーゲットパターン２１．２５を基準とし、／２１，２５
，２３． Ｚ２１．２５．２２．／２１．２５．２４を
求めることにより、それぞれの方向の角度歪を検出する
ことができる。このようにして求められた歪データに応
じ、露光時に、基板またはマスクかレティクルの移動距
離を修正することにより、前記歪を補正することができ
る。
２５間、２２．２５間の距離により求められ、またＹ方
向の伸縮はターゲットパターン２３．２５間、２４．２
５間の距離を検出することにより測定できる。更に、タ
ーゲットパターン２１．２５を基準とし、／２１，２５
，２３． Ｚ２１．２５．２２．／２１．２５．２４を
求めることにより、それぞれの方向の角度歪を検出する
ことができる。このようにして求められた歪データに応
じ、露光時に、基板またはマスクかレティクルの移動距
離を修正することにより、前記歪を補正することができ
る。
本発明多こよれば、基板上のＸ方向、Ｙ方向の伸縮歪と
Ｘ、Ｙ方向の直交度歪を従来の方法より一段と精度良く
検出し補正できる。従って、マスクまたはＶティクル七
基板上のパターンとの重ね合わせ精度を著しく向上させ
ることができる。
Ｘ、Ｙ方向の直交度歪を従来の方法より一段と精度良く
検出し補正できる。従って、マスクまたはＶティクル七
基板上のパターンとの重ね合わせ精度を著しく向上させ
ることができる。
第１図は従来の装置におけるマスクまたはレティクルと
基板上のターゲットパターンの配置を示す平面説明図、
第２図は本発明の一実施例におけるターゲットパターン
の配置を示す平面説明図、第３図は同じく他の実施例の
ターゲットパターンの配置を示す平面説明図である。 １０．２０・・・基板、 １１．１２．１３．２１．２２．２３．２４．２５・・
・基板上のターゲットパターン、 １４．１５％１６，２６．２７．２８．２９．３ｏ・・
・マスクまたはレティクル上のターゲットパターン。 第１図
基板上のターゲットパターンの配置を示す平面説明図、
第２図は本発明の一実施例におけるターゲットパターン
の配置を示す平面説明図、第３図は同じく他の実施例の
ターゲットパターンの配置を示す平面説明図である。 １０．２０・・・基板、 １１．１２．１３．２１．２２．２３．２４．２５・・
・基板上のターゲットパターン、 １４．１５％１６，２６．２７．２８．２９．３ｏ・・
・マスクまたはレティクル上のターゲットパターン。 第１図
Claims (1)
- ホトレジスト等の感光性防蝕剤を塗布した基板上にマ
スクまたはレテイクルのパターンを転写する投影露光装
置において、非直線上に配置された少くとも３点のター
ゲットパターンの位置を検出しウェーハのＸ、Ｙ両方向
の伸縮歪およびＸＹの直交度歪を検出する機構と、この
検出結果に応じ露光時に基板またはマスク若しくはレテ
イクルの移動距離を修正することにより前記歪を補正す
る機構を具備することを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016510A JPH069182B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016510A JPH069182B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 投影露光方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9180894A Division JPH10161324A (ja) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | 投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177724A true JPS61177724A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH069182B2 JPH069182B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=11918266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016510A Expired - Lifetime JPH069182B2 (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069182B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007000889A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Honda Motor Co Ltd | ローラヘミング装置及びローラヘミング方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP60016510A patent/JPH069182B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111076A (en) * | 1975-03-26 | 1976-10-01 | Hitachi Ltd | Exposure device |
| JPS5954225A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007000889A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Honda Motor Co Ltd | ローラヘミング装置及びローラヘミング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069182B2 (ja) | 1994-02-02 |
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