JPS61177370A - 減圧反応装置 - Google Patents
減圧反応装置Info
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- JPS61177370A JPS61177370A JP1548785A JP1548785A JPS61177370A JP S61177370 A JPS61177370 A JP S61177370A JP 1548785 A JP1548785 A JP 1548785A JP 1548785 A JP1548785 A JP 1548785A JP S61177370 A JPS61177370 A JP S61177370A
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- JP
- Japan
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- pump
- gas
- injection port
- furnace
- mechanical booster
- Prior art date
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、減圧ＣＶＤ（気相成長）装置等の減圧反応装
置に関する。
置に関する。
減圧反応装置の一例である減圧ＣＶＤ装置は、減圧状態
の反応炉中にＳｉＨ，（Ｊ□、Ｎｆ（８、ＳｉＨ，等の
反応ガスを供給し、気相中で熱分解等の化学反応を起こ
させ、且つ反応炉内を所定の減圧状態に制御しつつ反応
炉中から排ガスを排気して、基板上にＳｉ３Ｎ、膜、Ｓ
ｉｎ、膜、ポリシリコン膜等を成長させる装置である。
の反応炉中にＳｉＨ，（Ｊ□、Ｎｆ（８、ＳｉＨ，等の
反応ガスを供給し、気相中で熱分解等の化学反応を起こ
させ、且つ反応炉内を所定の減圧状態に制御しつつ反応
炉中から排ガスを排気して、基板上にＳｉ３Ｎ、膜、Ｓ
ｉｎ、膜、ポリシリコン膜等を成長させる装置である。
そしてこの減圧ＣＶＤ装置に於いては、反応炉内を所定
の減圧状態に制御することが生成膜の均一性（Ｄｅｖｉ
ｃｅ特性の均一性）に欠かせず、また排気を効率良く安
定して行うことが生産性の向上の為に必要である。
の減圧状態に制御することが生成膜の均一性（Ｄｅｖｉ
ｃｅ特性の均一性）に欠かせず、また排気を効率良く安
定して行うことが生産性の向上の為に必要である。
そこで従来は、この様な減圧反応装置に於いては、メカ
ニカルＯブースタ・ポンプ（ＭＢＰ）等を組合わせた真
空排気装置を反応炉の排気管に連結することに依って、
反応炉内を所定の減圧状態に制御していた。
ニカルＯブースタ・ポンプ（ＭＢＰ）等を組合わせた真
空排気装置を反応炉の排気管に連結することに依って、
反応炉内を所定の減圧状態に制御していた。
ここで第２図は、従来の真空排気系を含む減圧ＣＶＤ装
置を示し、と・−夕３１で加熱される減圧反応炉３２内
に８ｉ（シリコン）ウニ／Ｓ３３を多数配設し、８４Ｈ
，Ｃ１，，２，ＮＨ，等の反応ガス３４を送シ込むこと
によってウェハ３３上に気相成長膜を形成する。そして
、反応生成ガスおよび未反応ガスを減圧反応炉３２の排
気管３５から排出してメカニカル・ブースタ・ポンプ３
６に導き、さらに油回転式ポンプ３７によって排ガスを
排出している。
置を示し、と・−夕３１で加熱される減圧反応炉３２内
に８ｉ（シリコン）ウニ／Ｓ３３を多数配設し、８４Ｈ
，Ｃ１，，２，ＮＨ，等の反応ガス３４を送シ込むこと
によってウェハ３３上に気相成長膜を形成する。そして
、反応生成ガスおよび未反応ガスを減圧反応炉３２の排
気管３５から排出してメカニカル・ブースタ・ポンプ３
６に導き、さらに油回転式ポンプ３７によって排ガスを
排出している。
ところで、このような従来の装置においては、反応ガス
の反応や蓄積によって油回転式ポンプ３７の油が劣化し
、装置自体の劣化や寿命低下等の悪影響があシ、また、
メンテナンス頻度が多く、ポンプのダウンタイムが長く
なるのみならず、設備費用も嵩むという欠点がある。さ
らに、窒化物（ナイトライド）系のＣＶＤを行うための
反応ガス、特に、５ｉＨ２ＣＪ、□や８ｉＣ４，等とＮ
Ｈ，との混合ガスを用いる場合には、反応炉からの排気
ガスがポンプ内で析出して固形物となって付着し、ポン
プをつまらせる原因となる。
の反応や蓄積によって油回転式ポンプ３７の油が劣化し
、装置自体の劣化や寿命低下等の悪影響があシ、また、
メンテナンス頻度が多く、ポンプのダウンタイムが長く
なるのみならず、設備費用も嵩むという欠点がある。さ
らに、窒化物（ナイトライド）系のＣＶＤを行うための
反応ガス、特に、５ｉＨ２ＣＪ、□や８ｉＣ４，等とＮ
Ｈ，との混合ガスを用いる場合には、反応炉からの排気
ガスがポンプ内で析出して固形物となって付着し、ポン
プをつまらせる原因となる。
また、上記油回転式ポンプ３７０代りに、空気エゼクタ
・ポンプおよび水封ポンプを用いるものも提案されてい
るが、装置全体が大型化し、また、上記ナイトライド系
のＣＶＤを行う場合には数バッチ毎の掃除等のメンテナ
ンスが必要となる。
・ポンプおよび水封ポンプを用いるものも提案されてい
るが、装置全体が大型化し、また、上記ナイトライド系
のＣＶＤを行う場合には数バッチ毎の掃除等のメンテナ
ンスが必要となる。
本発明は、このような欠点を除去すべくなされたもので
あり、設備費用が嵩むことなく、メンテナンスが容易で
、ポンプの寿命を長寿命化でき、また常に安定な真空度
が得られるような減圧反応装置の提供を目的とする。
あり、設備費用が嵩むことなく、メンテナンスが容易で
、ポンプの寿命を長寿命化でき、また常に安定な真空度
が得られるような減圧反応装置の提供を目的とする。
上述のような問題点を解決するために、本発明の減圧反
応装置は、減圧反応炉の排気経路に複数のメカニカル０
ブースタ・ポンプと液封ポンプとを順次配設し、これら
のメカニカル会ブースタ・ポンプおよび液封ポンプを含
む吸引手段によって上記減圧反応炉内を所定の減圧状態
に制御しながら上記減圧反応炉から排ガスを導出するよ
うになし、上記複数のメカニカル・ブースタ・ポンプ間
に注入口を設けている。
応装置は、減圧反応炉の排気経路に複数のメカニカル０
ブースタ・ポンプと液封ポンプとを順次配設し、これら
のメカニカル会ブースタ・ポンプおよび液封ポンプを含
む吸引手段によって上記減圧反応炉内を所定の減圧状態
に制御しながら上記減圧反応炉から排ガスを導出するよ
うになし、上記複数のメカニカル・ブースタ・ポンプ間
に注入口を設けている。
メカニカル０ブースタ・ポンプ間に設けられた注入口か
ら例えばｆ（，０（水）あるいはＮ ２ （窒素）ガス
等を注入することによシ、析出された固形物を溶解除去
したシあるいは排気ガスを希釈して析出を抑えることが
可能となシ、また、油回転式ポンプやエゼクタ・ポンプ
等を用いない比較的簡単な構成の減圧反応装置を提供で
きる。
ら例えばｆ（，０（水）あるいはＮ ２ （窒素）ガス
等を注入することによシ、析出された固形物を溶解除去
したシあるいは排気ガスを希釈して析出を抑えることが
可能となシ、また、油回転式ポンプやエゼクタ・ポンプ
等を用いない比較的簡単な構成の減圧反応装置を提供で
きる。
以下、本発明を減圧ＣＶＤ装置に適用した一実施例に付
き第１図を参照しながら説明する。
き第１図を参照しながら説明する。
第１図は５ｉＮ（窒化シリコン）ＣＶＤ（気相成長）を
行うための減圧ＣＶＤ装置を示しておシ、この装置では
、ヒータ１で加熱される減圧反応炉ｚ内にｓｉウェハ３
を多数配置し、５ｉＨ２Ｃ１２、ＮＨＨ等の反応ガス４
を送シ込むことに依って、ウェハ３上に気相成長膜を形
成する。
行うための減圧ＣＶＤ装置を示しておシ、この装置では
、ヒータ１で加熱される減圧反応炉ｚ内にｓｉウェハ３
を多数配置し、５ｉＨ２Ｃ１２、ＮＨＨ等の反応ガス４
を送シ込むことに依って、ウェハ３上に気相成長膜を形
成する。
この場合、反応炉ｚ内を所定の減圧状態に減圧しながら
、反応生成ガス及び未反応ガスを排出する必要がある。
、反応生成ガス及び未反応ガスを排出する必要がある。
このため、反応炉２の排気管５に設けた圧力ゲージ６に
依って作業圧を測定しながら、次のような真空排気系に
より排ガスの排出を行っている。
依って作業圧を測定しながら、次のような真空排気系に
より排ガスの排出を行っている。
すなわち、本発明の要旨として、排気管５の排気経路に
複数の、例えば３つのメカニカル・ブースタ・ポンプ１
３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃと、水封ポンプ１７とを順次配設
シ、上記３つのメカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ａ、
１３Ｂ、１３Ｃの間、例えばポンプ１３Ｂと１３Ｃとの
間に注入口１４を設けておシ、この注入口１４からＮ２
０（水）あるいはＮ２筐素）ガス等を注入することによ
シ析出物の溶解除去あるいは排出ガスの希釈を行うこと
が可能となる。
複数の、例えば３つのメカニカル・ブースタ・ポンプ１
３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃと、水封ポンプ１７とを順次配設
シ、上記３つのメカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ａ、
１３Ｂ、１３Ｃの間、例えばポンプ１３Ｂと１３Ｃとの
間に注入口１４を設けておシ、この注入口１４からＮ２
０（水）あるいはＮ２筐素）ガス等を注入することによ
シ析出物の溶解除去あるいは排出ガスの希釈を行うこと
が可能となる。
さらに、第１図において、圧力ゲージ６とパルプ９との
間には、冷却機８によって冷却される冷却トラップ７が
設けられておシ、この冷却トラップ７によシ反応炉２か
らの排ガスを冷却し、排ガス中の未反応ガスを液化して
除去するとともに、Ｎｆ（、ＣＪ、等の固形反応生成物
の吸着性あるいは粘着性を低下させている。なお、冷却
機８は、少なくとも上記排ガス中の未反応ガスである５
ｉＨ２Ｃｊ、。
間には、冷却機８によって冷却される冷却トラップ７が
設けられておシ、この冷却トラップ７によシ反応炉２か
らの排ガスを冷却し、排ガス中の未反応ガスを液化して
除去するとともに、Ｎｆ（、ＣＪ、等の固形反応生成物
の吸着性あるいは粘着性を低下させている。なお、冷却
機８は、少なくとも上記排ガス中の未反応ガスである５
ｉＨ２Ｃｊ、。
ＮＨ，等を液化し得る７レオンー２２等を冷媒として使
用している。
用している。
次に、パルプ９には微調節用のバイパス・パルプ１０が
併設されておシ、このバイパス・バルフ１０によシスロ
ーに（緩慢に）排気したシ逆流防止の作用を行わせてい
る。
併設されておシ、このバイパス・バルフ１０によシスロ
ーに（緩慢に）排気したシ逆流防止の作用を行わせてい
る。
このバルブ９からの排出ガスは、流量調整弁１１を介し
て、メカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ａに導かれてい
る。ここで、３つの直列に連結されたメカニカル・ブー
スタ・ポンプ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、それぞれまゆ
型カム１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを有し、本実施例におい
ては、いわゆるトライパックと称される１台のポンプ装
置にまとめられておシ、これによってポンプの大型化を
防止している。これらのポンプ１３Ａ〜１３Ｃは、はぼ
オイル・フリーのポンプであって、排気容量と到達真空
度を実現するために使用されるものである。例えば作業
圧が０．４〜０．５Ｔｏｒｒのときに約４０００ｖ分の
排気速度を有しておシ、メカニカル・ブースタ・ポンプ
１３Ａと１３Ｂとの間で数Ｔｏｒｒ程度、ポンプ１３Ｂ
と１３Ｃとの間で約９〜２０Ｔｏｒｒ程度の真空度とな
る。このため、メカニカル０ブースタ・ポンプ１３Ｃ以
降のように真空度が低下した系においてＮＨ，ＣＪ等の
固形反応生成物が析出し易くなシ、この点を考慮してポ
ンプ１３Ｂと１３０との間に注入口１４を設けている。
て、メカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ａに導かれてい
る。ここで、３つの直列に連結されたメカニカル・ブー
スタ・ポンプ１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、それぞれまゆ
型カム１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを有し、本実施例におい
ては、いわゆるトライパックと称される１台のポンプ装
置にまとめられておシ、これによってポンプの大型化を
防止している。これらのポンプ１３Ａ〜１３Ｃは、はぼ
オイル・フリーのポンプであって、排気容量と到達真空
度を実現するために使用されるものである。例えば作業
圧が０．４〜０．５Ｔｏｒｒのときに約４０００ｖ分の
排気速度を有しておシ、メカニカル・ブースタ・ポンプ
１３Ａと１３Ｂとの間で数Ｔｏｒｒ程度、ポンプ１３Ｂ
と１３Ｃとの間で約９〜２０Ｔｏｒｒ程度の真空度とな
る。このため、メカニカル０ブースタ・ポンプ１３Ｃ以
降のように真空度が低下した系においてＮＨ，ＣＪ等の
固形反応生成物が析出し易くなシ、この点を考慮してポ
ンプ１３Ｂと１３０との間に注入口１４を設けている。
この注入口１４には、反応炉２における減圧Ｃ■Ｄ処理
が終了しポンプ等を停止させた後に、水封ポンプ１７の
みを動作状態としてＮ２０（水）を注入する。注入量は
Ｎｆ（、Ｃ１等の固形反応生成物の３倍以上とする。こ
れは、ＮＨ２Ｃｌ、は水に溶解するが、２０℃で水１０
０Ｆに対して３７．２Ｐ程度の溶解度であることを考慮
したものである。また、反応炉２における減圧ＣＶＤ処
理中においては、注入口１４よＦａｔ Ｎ２（窒素）ガ
スや不活性ガス等を注入することにより、ポンプ１３Ｃ
に導かれた排ガスを希釈して固形反応生成物の析出を抑
えることが好ましい。
が終了しポンプ等を停止させた後に、水封ポンプ１７の
みを動作状態としてＮ２０（水）を注入する。注入量は
Ｎｆ（、Ｃ１等の固形反応生成物の３倍以上とする。こ
れは、ＮＨ２Ｃｌ、は水に溶解するが、２０℃で水１０
０Ｆに対して３７．２Ｐ程度の溶解度であることを考慮
したものである。また、反応炉２における減圧ＣＶＤ処
理中においては、注入口１４よＦａｔ Ｎ２（窒素）ガ
スや不活性ガス等を注入することにより、ポンプ１３Ｃ
に導かれた排ガスを希釈して固形反応生成物の析出を抑
えることが好ましい。
次に、ポンプ１３Ｃからの排ガスは、逆流防止弁１５を
介し、水封ポンプ１７に導かれる。この水封ポンプ１７
は従来公知のように１００メ／ｈｒの処理量の真空ポン
プの役割シを果たしつつ、メカニカル０ブースタ・ポン
プ１３Ｃからの排出ガス中に残存している固形反応生成
物を水封を利用して安全に処理するものである。このた
め、導管１６から給水を行い、この供給された水で固形
反応生成物を除去しつつポンプ１７内に排出ガスを取シ
込む。なお逆流防止弁１５は、水封ポンプ１７が停止し
た時に水がメカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ｃ側へ流
れるのを防止する為のものである。
介し、水封ポンプ１７に導かれる。この水封ポンプ１７
は従来公知のように１００メ／ｈｒの処理量の真空ポン
プの役割シを果たしつつ、メカニカル０ブースタ・ポン
プ１３Ｃからの排出ガス中に残存している固形反応生成
物を水封を利用して安全に処理するものである。このた
め、導管１６から給水を行い、この供給された水で固形
反応生成物を除去しつつポンプ１７内に排出ガスを取シ
込む。なお逆流防止弁１５は、水封ポンプ１７が停止し
た時に水がメカニカル・ブースタ・ポンプ１３Ｃ側へ流
れるのを防止する為のものである。
水封ポンプ１７からは水相及びガス相１８が夫々排出さ
れて、後続の夕／り２０内に導入される。
れて、後続の夕／り２０内に導入される。
ここでは、固形反応生成物を含む水相２１から排液が排
出管２２を通じて排出され、またタンク底部に溜ったＮ
Ｈ，Ｃｊ等の固形反応生成物は底部の排出管２３から排
出される。他方、タンクの上部からは排ガス１９が排出
管を通じて放出される。なお排液は適当なフィルタ（図
示せず）に通じて固形物を除去し、その後に再び導管１
６から給水として再利用することができる。
出管２２を通じて排出され、またタンク底部に溜ったＮ
Ｈ，Ｃｊ等の固形反応生成物は底部の排出管２３から排
出される。他方、タンクの上部からは排ガス１９が排出
管を通じて放出される。なお排液は適当なフィルタ（図
示せず）に通じて固形物を除去し、その後に再び導管１
６から給水として再利用することができる。
以上の説明からも明らかなように、本発明の実施例にお
いては、冷却トラップ７によって未反応ガスや固形反応
生成物をある程度除去するとともに、メカニカル・ブー
スタ０ポンプ１３Ａ〜１３Ｃの真空度が低下した部分で
析出するＮＨ４（Ｊ等の反応生成物については、ＣｖＤ
処理後に注入口１４から水を注入して溶解除去し水封ポ
ンプ１７で排出することができるため、ポンプのメンテ
ナンスが大幅に軽減される。また、エゼクタ・ポンプの
ような大型の装置を必要とせず、占有空間が小さくて済
み、設備費も軽減できる。
いては、冷却トラップ７によって未反応ガスや固形反応
生成物をある程度除去するとともに、メカニカル・ブー
スタ０ポンプ１３Ａ〜１３Ｃの真空度が低下した部分で
析出するＮＨ４（Ｊ等の反応生成物については、ＣｖＤ
処理後に注入口１４から水を注入して溶解除去し水封ポ
ンプ１７で排出することができるため、ポンプのメンテ
ナンスが大幅に軽減される。また、エゼクタ・ポンプの
ような大型の装置を必要とせず、占有空間が小さくて済
み、設備費も軽減できる。
なお、本発明は上述の実施例のみに限定されるものでは
なく、例えばメカニカル−ブースタ・ポンプは３段に限
定されず、２段あるいは４段以上としてもよい。この場
合、複数段のメカニカル・ブースタ０ポンプのうちの真
空度が低下して固形反応生成物が析出し易くなる部分で
あって水封ポンプに近い方のポンプとその前段のポンプ
との間に注入口を設けるようにすればよい。
なく、例えばメカニカル−ブースタ・ポンプは３段に限
定されず、２段あるいは４段以上としてもよい。この場
合、複数段のメカニカル・ブースタ０ポンプのうちの真
空度が低下して固形反応生成物が析出し易くなる部分で
あって水封ポンプに近い方のポンプとその前段のポンプ
との間に注入口を設けるようにすればよい。
減圧ＣＶＤ処理等の減圧反応処理後に、注入口よシ水を
注入してＮｆ（４Ｃ４等の固形反応生成物を溶解除去す
ることによシ、ポンプのっまシによる故障や事故等を低
減でき、メンテナンス時間が短かくてすみ、ポンプの寿
命の延長が図れ、点検、修理のインターバルも長くとれ
る。また、反応処理中には、注入口よりＮｚガスや不活
性ガス等を注入して排ガス中の未反応ガス等を希釈する
ことにより、固形反応生成物の析出を抑えることができ
、上述の効果をよシ高めることができる。さらに、エゼ
クタ・ポンプのような大型のポンプを必要とせず、装置
全体を小型化でき、占有空間が少なく、設備費を軽減で
きるとともに、ランニング・コストやメンテナンスに関
する維持費等も少なくてすむ。
注入してＮｆ（４Ｃ４等の固形反応生成物を溶解除去す
ることによシ、ポンプのっまシによる故障や事故等を低
減でき、メンテナンス時間が短かくてすみ、ポンプの寿
命の延長が図れ、点検、修理のインターバルも長くとれ
る。また、反応処理中には、注入口よりＮｚガスや不活
性ガス等を注入して排ガス中の未反応ガス等を希釈する
ことにより、固形反応生成物の析出を抑えることができ
、上述の効果をよシ高めることができる。さらに、エゼ
クタ・ポンプのような大型のポンプを必要とせず、装置
全体を小型化でき、占有空間が少なく、設備費を軽減で
きるとともに、ランニング・コストやメンテナンスに関
する維持費等も少なくてすむ。
第１図は本発明の一実施例となる減圧ＣＶＤ装置を示す
概略図、第２図は従来の減圧ＣＶＤ装置を示す概略図で
ある。 ２・・・・・・・・・減圧反応炉 ５・・・・・・・・・排気管 １３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ−・・メカニカル・ブースタ・
ポンプ １４・・・・・・注入口 １７・・・・・・水封ポンプ
概略図、第２図は従来の減圧ＣＶＤ装置を示す概略図で
ある。 ２・・・・・・・・・減圧反応炉 ５・・・・・・・・・排気管 １３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ−・・メカニカル・ブースタ・
ポンプ １４・・・・・・注入口 １７・・・・・・水封ポンプ
Claims (1)
- 減圧反応炉の排気経路に複数のメカニカル・ブースタ・
ポンプと液封ポンプとを順次配設し、これらのメカニカ
ル・ブースタ・ポンプおよび液封ポンプを含む吸引手段
によつて上記減圧反応炉内を所定の減圧状態に制御しな
がら上記減圧反応炉から排ガスを導出するようになし、
上記複数のメカニカル・ブースタ・ポンプ間に注入口を
設けたことを特徴とする減圧反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1548785A JPS61177370A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 減圧反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1548785A JPS61177370A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 減圧反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177370A true JPS61177370A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH0559987B2 JPH0559987B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=11890150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1548785A Granted JPS61177370A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 減圧反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177370A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 | ||
| EP1560252B1 (en) * | 2003-12-31 | 2016-03-09 | Edwards Vacuum, LLC | Deposition apparatus |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP1548785A patent/JPS61177370A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS648039U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-17 | ||
| EP1560252B1 (en) * | 2003-12-31 | 2016-03-09 | Edwards Vacuum, LLC | Deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0559987B2 (ja) | 1993-09-01 |
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