JPS61177348A - セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材Info
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- JPS61177348A JPS61177348A JP1843285A JP1843285A JPS61177348A JP S61177348 A JPS61177348 A JP S61177348A JP 1843285 A JP1843285 A JP 1843285A JP 1843285 A JP1843285 A JP 1843285A JP S61177348 A JPS61177348 A JP S61177348A
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- JP
- Japan
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- lead material
- brazing
- ceramic
- lead
- strength
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はセラミックパッケージＩＣ用リード材に関し、
さらに詳しくは、デュアル・イン・ライン型セラミック
パッケージのサイドブレーズ用のリードフレーム条およ
びピン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線であり、８
００〜９００℃の加熱下にろう付は接合されて入出力端
子とし、さらに、ろう付は後のビッカース硬度が少なく
とも１３０であるセラミックパッケージＩＣ用リード材
に関する。
さらに詳しくは、デュアル・イン・ライン型セラミック
パッケージのサイドブレーズ用のリードフレーム条およ
びピン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線であり、８
００〜９００℃の加熱下にろう付は接合されて入出力端
子とし、さらに、ろう付は後のビッカース硬度が少なく
とも１３０であるセラミックパッケージＩＣ用リード材
に関する。
［従来技術１
一般に、サイドブレーズ用ＩＣの基盤はセラミックから
なり、基盤の両側面のメタライズ部と端子としてのリー
ドフレームとは銀ろう付けにより接合されている。
なり、基盤の両側面のメタライズ部と端子としてのリー
ドフレームとは銀ろう付けにより接合されている。
このリードフレームの材料としては、Ｆｅ−４２Ｎｉ合
金（ＡＳＴＭ規格のＦ−３０合金）が使用され 。
金（ＡＳＴＭ規格のＦ−３０合金）が使用され 。
でおり、そして、このＦ−３０合金はセラミックと近似
の熱膨張係数を有しているので、８００〜９００℃の温
度で銀ろう付は後、常温まで冷却する際にセラミック基
盤に歪応力が加わらず、セラミック基盤の破損が起らな
いという理由から使用されている。
の熱膨張係数を有しているので、８００〜９００℃の温
度で銀ろう付は後、常温まで冷却する際にセラミック基
盤に歪応力が加わらず、セラミック基盤の破損が起らな
いという理由から使用されている。
また、このＦ−３０合金は、８００〜９００℃の温度に
おけるろう付は後においてもビッカース硬度が１３０以
上であるという長所を有している。
おけるろう付は後においてもビッカース硬度が１３０以
上であるという長所を有している。
しかしながら、このＦ−３０合金は、導電率が３％ｌＡ
Ｃ３と小さく、従って、熱伝導率も小さいのでＩＣ用リ
ード材としてはジュール熱が発生し易く、さらに、ＩＣ
素子の内部で発生する熱量の放散性も不充分である。
Ｃ３と小さく、従って、熱伝導率も小さいのでＩＣ用リ
ード材としてはジュール熱が発生し易く、さらに、ＩＣ
素子の内部で発生する熱量の放散性も不充分である。
特に、最近のＩＣ素子の高密度化に伴なって、ＩＣ素子
の内部で発生する熱量が増加するようになり、Ｆ−３０
合金は熱量の放散性が悪いことか呟これに代る材料が望
まれている。
の内部で発生する熱量が増加するようになり、Ｆ−３０
合金は熱量の放散性が悪いことか呟これに代る材料が望
まれている。
そして、この要望に沿う材料として銅合金が挙げられる
が、一般に銅合金は、８００〜９００℃の温度での銀ろ
う付けの際の加熱により軟化し、強度が失なわれるとい
う基本的な問題があり、さらに、強度および耐熱性の良
好な銅合金はＦ−３０合金と同じく導電率が低いという
問題がある。
が、一般に銅合金は、８００〜９００℃の温度での銀ろ
う付けの際の加熱により軟化し、強度が失なわれるとい
う基本的な問題があり、さらに、強度および耐熱性の良
好な銅合金はＦ−３０合金と同じく導電率が低いという
問題がある。
また、従来において、ビン・グリッド・アレイＩＣはサ
イドブレーズＩＣと同じようにメタライズされた電極部
とへラダー加工された線材の頂部とが銀ろう付けにより
接合され、この銀ろう付は温度が８００〜９００℃であ
り、サイドブレーズのリードフレームが条より製作され
るが、線材という寸法の相違の外はろう材およびろう付
は後の冷却による歪応力等は同じであるが、このビン・
グリッド・アレイＩＣのリード材はＦ−３０合金が使用
されているので、上記に説明したように、熱量の放散性
が悪く、これに代わる材料が望まれている。
イドブレーズＩＣと同じようにメタライズされた電極部
とへラダー加工された線材の頂部とが銀ろう付けにより
接合され、この銀ろう付は温度が８００〜９００℃であ
り、サイドブレーズのリードフレームが条より製作され
るが、線材という寸法の相違の外はろう材およびろう付
は後の冷却による歪応力等は同じであるが、このビン・
グリッド・アレイＩＣのリード材はＦ−３０合金が使用
されているので、上記に説明したように、熱量の放散性
が悪く、これに代わる材料が望まれている。
［発明が解決しようとする問題点１
本発明は上記に説明したような従来のセラミックパッケ
ージＩＣ用リード材、例えば、デュアル・イン・ライン
型セラミックパッケージのサイドブレーズＩＣ用および
ビン・グリッド・７レイＩＣ用のリード線として使用さ
れてきたＦ−３０合金およびこの代替としての銅合金に
おける導電性、熱伝導性および強度等の問題点に鑑みな
されたものであり、即ち、熱膨張係数が大きく、銀ろう
付は後の冷却過程においてセラミック基盤の破損がなく
、８００〜９００℃の温度における銀ろう付は後におい
ても強度、繰り返し曲げ性、導電率、熱伝導率、はんだ
付は性、はんだの加熱下における耐剥離性等に優れ、結
晶粒の大きさが５０μ−以下であるセラミックバクケー
ジ■用Ｃリード材を提供するものである。
ージＩＣ用リード材、例えば、デュアル・イン・ライン
型セラミックパッケージのサイドブレーズＩＣ用および
ビン・グリッド・７レイＩＣ用のリード線として使用さ
れてきたＦ−３０合金およびこの代替としての銅合金に
おける導電性、熱伝導性および強度等の問題点に鑑みな
されたものであり、即ち、熱膨張係数が大きく、銀ろう
付は後の冷却過程においてセラミック基盤の破損がなく
、８００〜９００℃の温度における銀ろう付は後におい
ても強度、繰り返し曲げ性、導電率、熱伝導率、はんだ
付は性、はんだの加熱下における耐剥離性等に優れ、結
晶粒の大きさが５０μ−以下であるセラミックバクケー
ジ■用Ｃリード材を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材の特
徴とするところは、 Ｎ ｉ １．Ｏ〜５，０ｗｔ％、Ｃｏ ０．２〜１．０
ｗｔ％、Ｓｉ ０．２〜１．５ｗｔ％、Ｚｎ ０．０５
〜５，０ｗｔ％、Ｃｒ ０．００１〜０，５ｗｔ％ を含有し、残部Ｃｕおよび不可避不純物からなるもので
ある。
徴とするところは、 Ｎ ｉ １．Ｏ〜５，０ｗｔ％、Ｃｏ ０．２〜１．０
ｗｔ％、Ｓｉ ０．２〜１．５ｗｔ％、Ｚｎ ０．０５
〜５，０ｗｔ％、Ｃｒ ０．００１〜０，５ｗｔ％ を含有し、残部Ｃｕおよび不可避不純物からなるもので
ある。
本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材につ
いて以下詳細に説明する。
いて以下詳細に説明する。
先ず、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード
材の含有成分および成分割合について説明する。
材の含有成分および成分割合について説明する。
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉは強度を向上させる元素であり、特に
、Ｎｉは単独或いは一部をｃｏと置換した状態において
Ｓｉとの金属開化合物を形成することにより強度向上に
寄与する。
、Ｎｉは単独或いは一部をｃｏと置換した状態において
Ｓｉとの金属開化合物を形成することにより強度向上に
寄与する。
Ｎｉ含有量が１．Ｏａｔ％未満、Ｓｉ含有量が０．２ｗ
ｔ％未満ではＣｏ含有量が１．０ｗｔ％を越えて含有さ
れても充分な強度を得ることができず、また、Ｎｉ。
ｔ％未満ではＣｏ含有量が１．０ｗｔ％を越えて含有さ
れても充分な強度を得ることができず、また、Ｎｉ。
Ｓｉ含有量を増加させていくと８００〜９００℃の温度
でのろう付は後においても充分な強度と導電率が得られ
るが、Ｎｉ含有量が５．Ｏｕｔ％を越えるとこの効果が
飽和してしまい、Ｓｉ含有量が１．５ｗｔ％を越えると
熱間加工性が劣化するようになる。よって、Ｎｉ含有量
は１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉ含有量は０．２〜１．５
ｗｔ％とする。
でのろう付は後においても充分な強度と導電率が得られ
るが、Ｎｉ含有量が５．Ｏｕｔ％を越えるとこの効果が
飽和してしまい、Ｓｉ含有量が１．５ｗｔ％を越えると
熱間加工性が劣化するようになる。よって、Ｎｉ含有量
は１．０〜５．０ｗｔ％、Ｓｉ含有量は０．２〜１．５
ｗｔ％とする。
ＣｏはＮｉと同様に強度向上に寄与する元素であり、特
に、８００〜９００℃の温度でのろう付は時の結晶粒の
成長を抑制して効果を発揮し、８００〜９００℃の温度
でのろう付は後、結晶粒の大きさが５０μ−を越えて大
きくなると繰り返し曲げ回数の低下、リード材のめっき
後の表面の肌荒れ、疲労強度の低下が生じ易くなり、含
有量が０．２ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく、
また、１．０ｗｔ％を越えて含有されても効果はあるが
高価となり、高価となる割には効果の向上は少ない、よ
って、Ｃｏ含有量は０．２〜ｌ、０ｗｔ％とする。
に、８００〜９００℃の温度でのろう付は時の結晶粒の
成長を抑制して効果を発揮し、８００〜９００℃の温度
でのろう付は後、結晶粒の大きさが５０μ−を越えて大
きくなると繰り返し曲げ回数の低下、リード材のめっき
後の表面の肌荒れ、疲労強度の低下が生じ易くなり、含
有量が０．２ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく、
また、１．０ｗｔ％を越えて含有されても効果はあるが
高価となり、高価となる割には効果の向上は少ない、よ
って、Ｃｏ含有量は０．２〜ｌ、０ｗｔ％とする。
Ｚｎはリード材の表面に施した錫めっき或いは錫合金め
っき層の熱的な耐剥離性を改善するための必須の元素で
あり、含有量が０．０５ｕ＋ｔ％未満ではこの効果は少
なく、また、５．０ｗｔ％を越えて含有されるとはんだ
付は性が劣化する。よって、Ｚｎ含有量は０．０５〜５
．０ｗｔ％とする。
っき層の熱的な耐剥離性を改善するための必須の元素で
あり、含有量が０．０５ｕ＋ｔ％未満ではこの効果は少
なく、また、５．０ｗｔ％を越えて含有されるとはんだ
付は性が劣化する。よって、Ｚｎ含有量は０．０５〜５
．０ｗｔ％とする。
Ｃｒは鋳塊の粒界が強化され、熱間加工性を向上させる
元素であり、含有量が０．００１ｗｔ％未満ではこの効
果は少なく、また、０．５ｗｔ％を越えて含有されると
溶湯が酸化し、債遣性が劣化する。よりて、Ｃｒ含有量
は０．００１−０．５ｕ＋ｔ％とする。
元素であり、含有量が０．００１ｗｔ％未満ではこの効
果は少なく、また、０．５ｗｔ％を越えて含有されると
溶湯が酸化し、債遣性が劣化する。よりて、Ｃｒ含有量
は０．００１−０．５ｕ＋ｔ％とする。
なお、上記の含有成分以外に、Ａｇ、 ＡＩ、Ｉｎ、Ｆ
ｅ、Ｍｎ、Ｓｎを１種或いは２種以上を０．２ｗｔ％ま
で、また、Ｂ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐを１種或い
は２種以上を０．１ｗｔ％までの含有は、銀ろう付は性
、引張強さ、導電性、はんだ付は性、はんだの加熱下に
おける耐剥離性お上ゾリード材の繰り返し曲げ回数等の
問題を生じることな←維持することができるので、上記
含有量は許容される。
ｅ、Ｍｎ、Ｓｎを１種或いは２種以上を０．２ｗｔ％ま
で、また、Ｂ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐを１種或い
は２種以上を０．１ｗｔ％までの含有は、銀ろう付は性
、引張強さ、導電性、はんだ付は性、はんだの加熱下に
おける耐剥離性お上ゾリード材の繰り返し曲げ回数等の
問題を生じることな←維持することができるので、上記
含有量は許容される。
しかして、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リ
ード材は、上記に説明した銅合金を圧延或いは押し出し
等の熱間加工、圧延或いは抽伸等の冷間加工および焼鈍
工程により製作されるが、この工程は特に限定的なもの
ではなく、また、ろう付は後の冷却速度もセラミ・ツク
が割れなり１種度であればよい。
ード材は、上記に説明した銅合金を圧延或いは押し出し
等の熱間加工、圧延或いは抽伸等の冷間加工および焼鈍
工程により製作されるが、この工程は特に限定的なもの
ではなく、また、ろう付は後の冷却速度もセラミ・ツク
が割れなり１種度であればよい。
また、本発明に係るセラミ・ツクパッケージＩＣ用リー
ド材は、銀ろう付、け後さらに４００〜５５０°Ｃの温
度で５〜３０分間熱処理を行なうことにより、硬度およ
び導電率を向上させることができる。
ド材は、銀ろう付、け後さらに４００〜５５０°Ｃの温
度で５〜３０分間熱処理を行なうことにより、硬度およ
び導電率を向上させることができる。
このように、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用
リード材が硬ろう付は後においても硬度が高く、かつ、
導電率が大きいのは、ろう付は後の冷却過程中に４００
〜５５０℃の温度域を通過する際に、（ＮｉＩ ＸＣＯ
ｘ）２Ｓｉが析出して母相を強化し、純度が向上するか
らである。
リード材が硬ろう付は後においても硬度が高く、かつ、
導電率が大きいのは、ろう付は後の冷却過程中に４００
〜５５０℃の温度域を通過する際に、（ＮｉＩ ＸＣＯ
ｘ）２Ｓｉが析出して母相を強化し、純度が向上するか
らである。
［実 施 例１
次に、本発明に係るセラミックパ・ンケーシＩＣ用リー
ド材の実施例を説明する。
ド材の実施例を説明する。
実施例
第１表に示す含有成分および成分割合の銅合金をクリブ
トル炉で大気中で木炭被覆下におし１て溶解し、傾注式
の鋳鉄製のブックモールドに勢込み、厚さ６０ｍｍ、幅
６０ｍｍ、長さ１８０ｍｍ＜７）ｉｌｔｔｉを作製した
。
トル炉で大気中で木炭被覆下におし１て溶解し、傾注式
の鋳鉄製のブックモールドに勢込み、厚さ６０ｍｍ、幅
６０ｍｍ、長さ１８０ｍｍ＜７）ｉｌｔｔｉを作製した
。
このＩＩＩの表面および裏面を各５ＩＩＩＩ＋１面前腰
８５０°Ｃの温度で熱間圧延を行ない、厚さ１０ｍａ＋
の板材とし、この板材の表面および裏面の酸化スケール
を面前により除去した後、冷間圧延により０．２５ｍｍ
ｔの板材を作製した。
８５０°Ｃの温度で熱間圧延を行ない、厚さ１０ｍａ＋
の板材とし、この板材の表面および裏面の酸化スケール
を面前により除去した後、冷間圧延により０．２５ｍｍ
ｔの板材を作製した。
なお、比較材として市販のＦ−３０合金を使用しこれら
の板材をセラミックにメタライズして形成した電極に、
ＪＩＳ規格のＢＡｇ−８等の銀ろうで接合する条件を想
定して、８５０℃の温度で５分間加熱後、約り４℃／分
の速度で室温まで冷却し、５００℃の温度で１５分間時
効処理を行ない、導電率、引張強さ、伸び、ビッカース
硬さ、スティ７ネス強度、リードの繰り返し曲げ性、結
晶粒の大きさの測定およびはんだの加熱下における耐剥
離性等の特性を測定した。
の板材をセラミックにメタライズして形成した電極に、
ＪＩＳ規格のＢＡｇ−８等の銀ろうで接合する条件を想
定して、８５０℃の温度で５分間加熱後、約り４℃／分
の速度で室温まで冷却し、５００℃の温度で１５分間時
効処理を行ない、導電率、引張強さ、伸び、ビッカース
硬さ、スティ７ネス強度、リードの繰り返し曲げ性、結
晶粒の大きさの測定およびはんだの加熱下における耐剥
離性等の特性を測定した。
第２表に測定結果を示す。
「試験条件」
（１）導電率はダブルブリッジを使用し、ＪＩＳＨ０５
０５に基いて測定した。算出方法は平均断面積法によっ
た。
０５に基いて測定した。算出方法は平均断面積法によっ
た。
（２）引張試験および伸びは圧延方向に平行に切出した
ＪＩＳ１３号Ｂ試験片を用い、また、硬度はマイクロビ
ッカース硬度計、荷重３００ｇで測定した。
ＪＩＳ１３号Ｂ試験片を用い、また、硬度はマイクロビ
ッカース硬度計、荷重３００ｇで測定した。
（３）スティ７ネス強度は圧延方向に平行に切出した０
、２５ｍｍ ＬＸｌｏｍｍ ｗＸ６０ｍｍ ｌの試験片
を用い、曲げ半径４０ｍｍで曲げを与え、変位角度が２
０度になる時の曲げモーメントとして求めた。
、２５ｍｍ ＬＸｌｏｍｍ ｗＸ６０ｍｍ ｌの試験片
を用い、曲げ半径４０ｍｍで曲げを与え、変位角度が２
０度になる時の曲げモーメントとして求めた。
（４）１Ｊ−ドの曲げ繰り返し性はインターナルリード
幅１．５關、エクスターナルリード幅０．５ｍ＋ａの実
際のＩＣリードフレームをプレスで打抜ト、エクスター
ナルリード部に２２７ｇの錘りを吊して、往復９０度の
１方向曲げを行ない破断に至るまでの回数を往復を１回
と数え、試験片数５の平均値として求めた。曲げは圧延
方向と直角である。
幅１．５關、エクスターナルリード幅０．５ｍ＋ａの実
際のＩＣリードフレームをプレスで打抜ト、エクスター
ナルリード部に２２７ｇの錘りを吊して、往復９０度の
１方向曲げを行ない破断に至るまでの回数を往復を１回
と数え、試験片数５の平均値として求めた。曲げは圧延
方向と直角である。
（５）はんだの加熱剥離性は弱活性フラックスを用い、
２３０℃の温度の５ｎ６０−Ｐｂ４０のはんだ洛中では
んだ付けした試験片を、１５０℃の温度で５００時間保
持した後９０度曲げを行ない、はんだの密着性を調べた
。
２３０℃の温度の５ｎ６０−Ｐｂ４０のはんだ洛中では
んだ付けした試験片を、１５０℃の温度で５００時間保
持した後９０度曲げを行ない、はんだの密着性を調べた
。
この第２表から明らかなように、本発明に係るセラミッ
クパッケージＩＣ用リード材Ｎｏ、１．２はセラミック
パッケージＩＣ用リード材として総合的に優れた性能を
有していることがわかる。
クパッケージＩＣ用リード材Ｎｏ、１．２はセラミック
パッケージＩＣ用リード材として総合的に優れた性能を
有していることがわかる。
そして、比較材Ｎｏ、３．４．５．６に比較して以下説
明するように特性が改善されている。
明するように特性が改善されている。
即ち、本発明Ｎｏ、１およびＮｏ、２はＣｏを０．２ｗ
ｔ％以上含有することにより、比較材Ｎ００３およびＮ
ｏ、５のＣｏ含有量が０．２ｗｔ％未満のものに比して
８５０°ＣＸ５分の銀ろう付けの条件下で結晶粒の大き
さが５０μｍ以下と微細であって、比較材Ｎｏ、６と略
同等である。
ｔ％以上含有することにより、比較材Ｎ００３およびＮ
ｏ、５のＣｏ含有量が０．２ｗｔ％未満のものに比して
８５０°ＣＸ５分の銀ろう付けの条件下で結晶粒の大き
さが５０μｍ以下と微細であって、比較材Ｎｏ、６と略
同等である。
また、本発明Ｎｏ、１およびＮｏ、２、比較材Ｎｏ。
４はＣｏ含有量が０．２ＩＩＩｔ％以上であるので、銀
ろう付は後のビッカース硬さが１１０以上であり、さら
に、５００℃の温度で１５分の時効処理を行なうことに
よって１５０以上となり、比較材Ｎｏ。
ろう付は後のビッカース硬さが１１０以上であり、さら
に、５００℃の温度で１５分の時効処理を行なうことに
よって１５０以上となり、比較材Ｎｏ。
６よりスティ７ネス強度、即ち、腰が強くなっているこ
とがわかる。ただし、比較材Ｎｏ、４はＺｎを含有して
いないので、はんだが加熱後に剥離するという致命的な
欠陥を有している。
とがわかる。ただし、比較材Ｎｏ、４はＺｎを含有して
いないので、はんだが加熱後に剥離するという致命的な
欠陥を有している。
本発明Ｎｏ、１、Ｎｏ、２は導電率が３０％ｌＡＣ３以
上であって、比較材Ｎｏ、６の１０倍以上と優れている
。
上であって、比較材Ｎｏ、６の１０倍以上と優れている
。
本発明Ｎｏ、１、Ｎ００２は、Ｚｎを０，０５ｗｔ％以
上含有しているので、はんだの加熱後の耐剥離性が改善
されていることが明らかである。
上含有しているので、はんだの加熱後の耐剥離性が改善
されていることが明らかである。
さらに、本発明Ｎ０１１、Ｎｏ、２は５００℃の温度で
１５分間の時効処理を行なうことにより、比較材Ｎｏ、
６に比して導電率、引張強さ、硬さ、スティ７ネス強度
等のリード材として必須の特性が優れていることがわか
る。
１５分間の時効処理を行なうことにより、比較材Ｎｏ、
６に比して導電率、引張強さ、硬さ、スティ７ネス強度
等のリード材として必須の特性が優れていることがわか
る。
［発明の効果１
以上説明したように、本発明に係るセラミックパッケー
ジＩＣ用リード材は上記の構成を有しているものである
から、セラミックスの熱膨張係数とは近似していないに
も拘わらず、８００〜９００℃の温度下の銀ろう付Ｉｆ
技の冷却過程でセラミックスの割れの発生は皆無とする
ことが可能であり、セラミックスとリード材との熱膨張
係数を近似させる必要はなく、ろう付は後においても強
度が高く、導電率が大きいという優れた効果を有するも
のである。
ジＩＣ用リード材は上記の構成を有しているものである
から、セラミックスの熱膨張係数とは近似していないに
も拘わらず、８００〜９００℃の温度下の銀ろう付Ｉｆ
技の冷却過程でセラミックスの割れの発生は皆無とする
ことが可能であり、セラミックスとリード材との熱膨張
係数を近似させる必要はなく、ろう付は後においても強
度が高く、導電率が大きいという優れた効果を有するも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｎｉ１．０〜５．０ｗｔ％、Ｃｏ０．２〜１．０ｗｔ
％、Ｓｉ０．２〜１．５ｗｔ％、Ｚｎ０．０５〜５．０
ｗｔ％、Ｃｒ０．００１〜０．５ｗｔ％ を含有し、残部Ｃｕおよび不可避不純物からなることを
特徴とするセラミックパッケージＩＣ用リード材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1843285A JPS61177348A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
| EP86100029A EP0189745B1 (en) | 1985-02-01 | 1986-01-03 | Lead material for ceramic package ic |
| DE8686100029T DE3660351D1 (en) | 1985-02-01 | 1986-01-03 | Lead material for ceramic package ic |
| US06/816,897 US4687633A (en) | 1985-02-01 | 1986-01-07 | Lead material for ceramic package IC |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1843285A JPS61177348A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177348A true JPS61177348A (ja) | 1986-08-09 |
| JPS6250535B2 JPS6250535B2 (ja) | 1987-10-26 |
Family
ID=11971482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1843285A Granted JPS61177348A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177348A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126888A (ja) * | 1974-08-27 | 1976-03-05 | Tanabe Seiyaku Co | Shinkikoseibutsushitsu noseiho |
| JPS5314490A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-09 | Hiroshi Shinoda | Cutting tools |
| JPS5534666A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Nippon Mining Co Ltd | Electrically conductive spring material with high hot rollability |
| JPS5662940A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-29 | Olin Mathieson | Improved copper alloy and production |
| JPS58124254A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
| JPS5949293A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-03-21 | エルフ・フランス | 潤滑組成物 |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1843285A patent/JPS61177348A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126888A (ja) * | 1974-08-27 | 1976-03-05 | Tanabe Seiyaku Co | Shinkikoseibutsushitsu noseiho |
| JPS5314490A (en) * | 1976-07-27 | 1978-02-09 | Hiroshi Shinoda | Cutting tools |
| JPS5534666A (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-11 | Nippon Mining Co Ltd | Electrically conductive spring material with high hot rollability |
| JPS5662940A (en) * | 1979-10-09 | 1981-05-29 | Olin Mathieson | Improved copper alloy and production |
| JPS58124254A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
| JPS5949293A (ja) * | 1982-08-11 | 1984-03-21 | エルフ・フランス | 潤滑組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6250535B2 (ja) | 1987-10-26 |
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