JPS61177344A - セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材Info
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- JPS61177344A JPS61177344A JP1843185A JP1843185A JPS61177344A JP S61177344 A JPS61177344 A JP S61177344A JP 1843185 A JP1843185 A JP 1843185A JP 1843185 A JP1843185 A JP 1843185A JP S61177344 A JPS61177344 A JP S61177344A
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- brazing
- lead
- ceramic
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はセラミックパッケージＩＣ用リード材に関し、
さらに詳しくは、デュアル・イン・ライン型セラミック
パッケージのサイドブレーズ用のリードフレーム条およ
びピン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線であり、８
００〜９００℃の加熱下にろう付は接合されて入出力端
子とし、さらに、ろう付は後のビッカース硬度が少なく
とも１３０であるセラミックパッケージＩＣ用リード材
に関する。
さらに詳しくは、デュアル・イン・ライン型セラミック
パッケージのサイドブレーズ用のリードフレーム条およ
びピン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線であり、８
００〜９００℃の加熱下にろう付は接合されて入出力端
子とし、さらに、ろう付は後のビッカース硬度が少なく
とも１３０であるセラミックパッケージＩＣ用リード材
に関する。
［従来技術］
一般に、サイドブレーズ用ＩＣの基盤はセラミックから
なり、基盤の両側面のメタライズ部と端子としてのリー
ドフレームとは銀ろう付げにより接合されている。
なり、基盤の両側面のメタライズ部と端子としてのリー
ドフレームとは銀ろう付げにより接合されている。
このリードフレームの材料としては、Ｆｅ−４２Ｎｉ合
金（ＡＳＴＭ規格のＦ−３０合金）が使用されており、
そして、このＦ−３０合金はセラミックと近似の熱膨張
係数を有しているので、８００〜９００°Ｃの温度で銀
ろう付は後、常温まで冷却する際にセラミック基盤に歪
応力が加わらず、セラミック基盤の破損４を起らないと
いう理由から使用されている。
金（ＡＳＴＭ規格のＦ−３０合金）が使用されており、
そして、このＦ−３０合金はセラミックと近似の熱膨張
係数を有しているので、８００〜９００°Ｃの温度で銀
ろう付は後、常温まで冷却する際にセラミック基盤に歪
応力が加わらず、セラミック基盤の破損４を起らないと
いう理由から使用されている。
また、このＦ−３０合金は、８００〜９００℃の温度に
おけるろう付は後においてもビッカース硬度が１３０以
上であるという長所を有している。
おけるろう付は後においてもビッカース硬度が１３０以
上であるという長所を有している。
しかしながら、このＦ−３０合金は、導電率が３％ｌＡ
Ｃ３と小さく、従って、熱伝導率も小さいのでＩＣ用リ
ード材としてはジュール熱が発生し易く、さらに、ＩＣ
素子の内部で発生する熱量の放散性も不充分である。
Ｃ３と小さく、従って、熱伝導率も小さいのでＩＣ用リ
ード材としてはジュール熱が発生し易く、さらに、ＩＣ
素子の内部で発生する熱量の放散性も不充分である。
特に、最近のＩＣ素子の高密度化に伴なって、ＩＣ素子
の内部で発生する熱量が増加するようになり、Ｆ−３０
合金は熱量の放散性が悪いことが呟これに代る材料が望
まれている。
の内部で発生する熱量が増加するようになり、Ｆ−３０
合金は熱量の放散性が悪いことが呟これに代る材料が望
まれている。
そして、この要望に沿う材料として銅合金が挙げられる
が、一般に銅合金は、８００〜９００℃の温度での銀ろ
う付けの際の加熱により軟化し、強度が失なわれるとい
う基本的な問題があり、さらに、強度および耐熱性の良
好な銅合金はＦ−３０合金と同じく導電率が低いという
問題がある。
が、一般に銅合金は、８００〜９００℃の温度での銀ろ
う付けの際の加熱により軟化し、強度が失なわれるとい
う基本的な問題があり、さらに、強度および耐熱性の良
好な銅合金はＦ−３０合金と同じく導電率が低いという
問題がある。
また、従来において、ビン・グリッド・アレイＩＣはサ
イドブレーズＩＣと同じようにメタライズされた電極部
とヘッダー加工された線材の頂部とが銀ろう付けにより
接合され、この銀ろう付は温度が８００〜９００℃であ
り、サイドブレーズのリードフレームが条より製作され
るが、線材という寸法の相違の外はろう材およびろう付
は後の冷却による歪応力等は同じであるが、このビン・
グリッド・アレイＩＣのリード材はＦ−３０合金が使用
されているので、上記に説明したように、熱量の放散性
が悪く、これに代わる材料が望まれている。
イドブレーズＩＣと同じようにメタライズされた電極部
とヘッダー加工された線材の頂部とが銀ろう付けにより
接合され、この銀ろう付は温度が８００〜９００℃であ
り、サイドブレーズのリードフレームが条より製作され
るが、線材という寸法の相違の外はろう材およびろう付
は後の冷却による歪応力等は同じであるが、このビン・
グリッド・アレイＩＣのリード材はＦ−３０合金が使用
されているので、上記に説明したように、熱量の放散性
が悪く、これに代わる材料が望まれている。
［発明が解決しようとする問題点１
本発明は上記に説明したような従来のセラミックパッケ
ージＩＣ用リード祭、例えば、デュアル・イン・ライン
型セラミックパッケージのサイドブレーズＩＣ用および
ビン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線として使用さ
れて軽たＦ−３０合金およびこの代替としての銅合金に
おける導電性、熱伝導性および強度等の問題点に鑑みな
されたものであり、即ち、熱膨張係数が大きく、銀ろう
付は後の冷却過程にお一部でセラミック基盤の破損がな
く、８００〜９００℃の温度における銀ろう付は後にお
いても強度、繰り返し曲げ性、導電率、熱伝導率、はん
だ付は性、はんだの加熱下に、おける耐剥離性等に優れ
、結晶粒の大きさが５０μｍ以下であるセラミックパッ
ケージＩ用Ｃリード材を提供するものである。
ージＩＣ用リード祭、例えば、デュアル・イン・ライン
型セラミックパッケージのサイドブレーズＩＣ用および
ビン・グリッド・アレイＩＣ用のリード線として使用さ
れて軽たＦ−３０合金およびこの代替としての銅合金に
おける導電性、熱伝導性および強度等の問題点に鑑みな
されたものであり、即ち、熱膨張係数が大きく、銀ろう
付は後の冷却過程にお一部でセラミック基盤の破損がな
く、８００〜９００℃の温度における銀ろう付は後にお
いても強度、繰り返し曲げ性、導電率、熱伝導率、はん
だ付は性、はんだの加熱下に、おける耐剥離性等に優れ
、結晶粒の大きさが５０μｍ以下であるセラミックパッ
ケージＩ用Ｃリード材を提供するものである。
［問題点を解決するための手段１
本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材の特
徴とするところは、 Ｎ ｉ １．Ｏ〜５．０ｗｔ％、ｃｏｏ、２〜１．０Ｉ
ｌｌｔ％、Ｓ ｉ ０．２−１，５ｕ＋ｔ％、Ｚｎ ０
．０５−５，０ｗｔ％、Ｓ ｎ ０．１−２．０ｗｔ％
、Ｃｒ ０．００１〜０，５ｗｔ％を含有し、残部Ｃｕ
および不可避不純物からなるものである。
徴とするところは、 Ｎ ｉ １．Ｏ〜５．０ｗｔ％、ｃｏｏ、２〜１．０Ｉ
ｌｌｔ％、Ｓ ｉ ０．２−１，５ｕ＋ｔ％、Ｚｎ ０
．０５−５，０ｗｔ％、Ｓ ｎ ０．１−２．０ｗｔ％
、Ｃｒ ０．００１〜０，５ｗｔ％を含有し、残部Ｃｕ
および不可避不純物からなるものである。
本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材につ
いて以下詳細に説明する。
いて以下詳細に説明する。
先ず、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード
材の含有成分および成分割合について説明する。
材の含有成分および成分割合について説明する。
Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉは強度を向上させる元素であり、特に
、Ｎｉは単独或いは一部をｃｏと置換した状態において
Ｓｉとの金属間化合物を形成することにより強度向上に
寄与する。
、Ｎｉは単独或いは一部をｃｏと置換した状態において
Ｓｉとの金属間化合物を形成することにより強度向上に
寄与する。
Ｎｉ含有量が１，０ｗｔ％未満、Ｓｉ含有量が０．２ｗ
ｔ％未満ではＣｏ含有量が１，０Ｉｌｌｔ％を越えて含
有されても充分な強度を得ることができず、また、Ｎｉ
、Ｓｉ含有量を増加させていくと８００〜９００℃の温
度でのろう付は後においても充分な強度と導電率が得ら
れるが、Ｎｉ含有量が５．０ｗｔ％を越えるとこの効果
が飽和してしまい、Ｓｉ含有量が１．５ｗｔ％を越える
と熱間加工性が劣化するようになる。よって、Ｎｉ含有
量は１．０〜５．Ｏｗｔ％、Ｓｉ含有量は０．２〜１，
５ｗｔ％とする。
ｔ％未満ではＣｏ含有量が１，０Ｉｌｌｔ％を越えて含
有されても充分な強度を得ることができず、また、Ｎｉ
、Ｓｉ含有量を増加させていくと８００〜９００℃の温
度でのろう付は後においても充分な強度と導電率が得ら
れるが、Ｎｉ含有量が５．０ｗｔ％を越えるとこの効果
が飽和してしまい、Ｓｉ含有量が１．５ｗｔ％を越える
と熱間加工性が劣化するようになる。よって、Ｎｉ含有
量は１．０〜５．Ｏｗｔ％、Ｓｉ含有量は０．２〜１，
５ｗｔ％とする。
ＣｏはＮｉと同様に強度向上に寄与する元素であり、特
に、８００〜９００℃の温度でのろう付は時の結晶粒の
ｒ＆長を抑制して効果を発揮し、８００〜９００℃の温
度でのろう付は後、結晶粒の大きさが５０μｍを越えて
大きくなると繰り返し曲げ回数の低下、リード材のめっ
き後の表面の肌荒れ、疲労強度の低下が生じ易くなり、
含有量が０，２ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく
、また、１．０ｗｔ％を越えて含有されても効果はある
が高価となり、高価となる割には効果の向上は少ない。
に、８００〜９００℃の温度でのろう付は時の結晶粒の
ｒ＆長を抑制して効果を発揮し、８００〜９００℃の温
度でのろう付は後、結晶粒の大きさが５０μｍを越えて
大きくなると繰り返し曲げ回数の低下、リード材のめっ
き後の表面の肌荒れ、疲労強度の低下が生じ易くなり、
含有量が０，２ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく
、また、１．０ｗｔ％を越えて含有されても効果はある
が高価となり、高価となる割には効果の向上は少ない。
よって、Ｃｏ含有量は０．２〜１．０ｗｔ％とする。
ＳｎはＣｕ中に固溶して強度および伸びを向上させ、さ
らに、繰り返し曲げ回数を向上させる元素であり、含有
量が００１ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく、ま
た、２１％を越える含有量では導電性が低下する。よっ
て、Ｓｎ含有量は０．１〜２．０ｗｔ％とする。
らに、繰り返し曲げ回数を向上させる元素であり、含有
量が００１ｗｔ％未満ではこのような効果は少なく、ま
た、２１％を越える含有量では導電性が低下する。よっ
て、Ｓｎ含有量は０．１〜２．０ｗｔ％とする。
Ｚｎはリード材の表面に施した錫めっき或いは錫合金め
っき層の熱的な耐剥離性を改善するための必須の元素で
あり、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではこの効果は少な
く、また、５，０ｗｔ％を越えて含有されるとはんだ付
は性が劣化する。よって、Ｚｎ含有量は０．０５〜５．
０ｗｊ％とする。
っき層の熱的な耐剥離性を改善するための必須の元素で
あり、含有量が０．０５ｗｔ％未満ではこの効果は少な
く、また、５，０ｗｔ％を越えて含有されるとはんだ付
は性が劣化する。よって、Ｚｎ含有量は０．０５〜５．
０ｗｊ％とする。
Ｃｒは鋳塊の粒界が強化され、熱間加工性を向上させる
元素であり、含有量がＱ、００ｂｗｔ％未満ではこの効
果は少なく、また、０．５ｔｕｔ％を越えて含有される
と溶湯が酸化し、鋳造性が劣化する。よって、Ｃｒ含有
量は０．００１〜０，５ｗＬ％とする。
元素であり、含有量がＱ、００ｂｗｔ％未満ではこの効
果は少なく、また、０．５ｔｕｔ％を越えて含有される
と溶湯が酸化し、鋳造性が劣化する。よって、Ｃｒ含有
量は０．００１〜０，５ｗＬ％とする。
なお、上記の含有成分以外に、Ａ８、Ａ１、Ｉｎ、Ｆｅ
、Ｍｎを１種或いは２種以上を０，２ｗＬ％まで、また
、Ｂ、Ｂｅ％Ｍｇ％Ｔｉ、Ｚｒ％Ｐを１種或いは２種以
上を０，１ｗＬ％までの含有は、銀ろう付は性、引張強
さ、導電性、はんだ付は性、はんだの加熱下における耐
剥離性およびリード材の繰り返し曲げ回数等の問題を生
じることなく維持することができるので、上記含有量は
許容される。
、Ｍｎを１種或いは２種以上を０，２ｗＬ％まで、また
、Ｂ、Ｂｅ％Ｍｇ％Ｔｉ、Ｚｒ％Ｐを１種或いは２種以
上を０，１ｗＬ％までの含有は、銀ろう付は性、引張強
さ、導電性、はんだ付は性、はんだの加熱下における耐
剥離性およびリード材の繰り返し曲げ回数等の問題を生
じることなく維持することができるので、上記含有量は
許容される。
しかして、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リ
ード材は、上記に説明した銅合金を圧延或いは押し出し
等の熱間加工、圧延或いは抽伸等の冷間加工および焼鈍
工程により製作されるが、この工程は特に限定的なもの
ではなく、また、ろう付は後の冷却速度もセラミックが
割れない程度であればよい。
ード材は、上記に説明した銅合金を圧延或いは押し出し
等の熱間加工、圧延或いは抽伸等の冷間加工および焼鈍
工程により製作されるが、この工程は特に限定的なもの
ではなく、また、ろう付は後の冷却速度もセラミックが
割れない程度であればよい。
また、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用＋７−
）’材は、銀ろう付は後さらに４００〜５５０℃の温
度で５〜３０分間熱処理を行なうことにより、硬度およ
び導電率を向上させることができるにのように、本発明
に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材が硬ろう付
は後においても硬度が高く、かつ、導電率が大きいのは
、ろう付は後の冷却過程中に４００〜５５０℃の温度域
を通過する際に、（Ｎ ｉ、 −ＸＣＯＸ）２Ｓ ｉが
析出して母相を強化し、純度が向上するからである。
）’材は、銀ろう付は後さらに４００〜５５０℃の温
度で５〜３０分間熱処理を行なうことにより、硬度およ
び導電率を向上させることができるにのように、本発明
に係るセラミックパッケージＩＣ用リード材が硬ろう付
は後においても硬度が高く、かつ、導電率が大きいのは
、ろう付は後の冷却過程中に４００〜５５０℃の温度域
を通過する際に、（Ｎ ｉ、 −ＸＣＯＸ）２Ｓ ｉが
析出して母相を強化し、純度が向上するからである。
［実 施 例１
次に、本発明に係るセラミックパッケージＩＣ用リード
材の実施例を説明する。
材の実施例を説明する。
実施例
ＰＡ１表に示す含有成分および成分割合の銅合金をクリ
プトル炉で大気中で木炭被覆下において溶解し、傾注式
の債鉄製のブックモールドに箭込み、厚さ６０ｍｍ、幅
６０關、長さ１８０＋ｍの鋳塊を作製した。
プトル炉で大気中で木炭被覆下において溶解し、傾注式
の債鉄製のブックモールドに箭込み、厚さ６０ｍｍ、幅
６０關、長さ１８０＋ｍの鋳塊を作製した。
このｓ塊の表面および裏面を各５開面削し、８５０℃の
温度で熱間圧延を行ない、厚さ１０ｍｍの板材とし、こ
の板材の表面および裏面の酸化スケールを開削により除
去した後、冷間圧延により０．２５ｍｍｔの板材を作製
した。
温度で熱間圧延を行ない、厚さ１０ｍｍの板材とし、こ
の板材の表面および裏面の酸化スケールを開削により除
去した後、冷間圧延により０．２５ｍｍｔの板材を作製
した。
なお、比較材として市販のＦ−３０合金を使用した。
これらの板材をセラミックにメタライズして形成した電
極に、ＪＩＳ規格のＢＡｇ−８等の銀ろうで接合する条
件を想定して、８５０℃の温度で５分間加熱後、約１４
°Ｃ／分の速度で室温まで冷却し、ｓｏｏ’ｃの温度で
１５分間時効処理を行ない、導電率、引張強さ、伸び、
ビッカース硬さ、スティ７ネス強度、リードの繰り返し
曲げ性、結晶粒の大きさの測定およびはんだの加熱下に
おける耐剥離性等の特性を測定した。
極に、ＪＩＳ規格のＢＡｇ−８等の銀ろうで接合する条
件を想定して、８５０℃の温度で５分間加熱後、約１４
°Ｃ／分の速度で室温まで冷却し、ｓｏｏ’ｃの温度で
１５分間時効処理を行ない、導電率、引張強さ、伸び、
ビッカース硬さ、スティ７ネス強度、リードの繰り返し
曲げ性、結晶粒の大きさの測定およびはんだの加熱下に
おける耐剥離性等の特性を測定した。
第２表に測定結果を示す。
「試験条件」
（１）導電率はダブルブリッジを使用し、ＪＩＳＨ０５
０５に基いて測定した。算出方法は平均断面積法によっ
た。
０５に基いて測定した。算出方法は平均断面積法によっ
た。
（２）引張試験および伸びは圧延方向１こ平行に切出し
たＪＩＳ１３号Ｂ試験片を用い、また、硬度はマイクロ
ビッカース硬度計、荷重３００ｇで測定した。
たＪＩＳ１３号Ｂ試験片を用い、また、硬度はマイクロ
ビッカース硬度計、荷重３００ｇで測定した。
（３）スティ７ネス強度は圧延方向に平行に切出した０
、２５ｍｍ ｔＸ１０關すＸ６０ｍｍ ｌの試験片を用
い、曲げ半径４０ａ＋ｍで曲げを与え、変位角度が２０
度になる時の曲げモーメントとして求めた。
、２５ｍｍ ｔＸ１０關すＸ６０ｍｍ ｌの試験片を用
い、曲げ半径４０ａ＋ｍで曲げを与え、変位角度が２０
度になる時の曲げモーメントとして求めた。
（４）リードの曲げ繰り返し性はインターナルリード幅
１．５■、エクスターナルリード幅０．５ｍｍの実際の
ＩＣリードフレームをプレスで打抜き、エクスターナル
リード部に２２７ｇの錘りを吊して、往復９０度の１方
向曲げを行ない破断に至るまでの回数を往復を１回と数
え、試験片数５の平均値として求めた。曲げは圧延方向
と直角である。
１．５■、エクスターナルリード幅０．５ｍｍの実際の
ＩＣリードフレームをプレスで打抜き、エクスターナル
リード部に２２７ｇの錘りを吊して、往復９０度の１方
向曲げを行ない破断に至るまでの回数を往復を１回と数
え、試験片数５の平均値として求めた。曲げは圧延方向
と直角である。
（５）はんだの加熱剥離性は弱活性７ラツクスを用い、
２３０℃の温度の５ｎ６０〜Ｐｂ４０のはんだ浴中では
んだ付けした試験片を、１５０℃の温度で５００時間保
持した後９０度曲げを行ない、はんだの密着性を調べた
。
２３０℃の温度の５ｎ６０〜Ｐｂ４０のはんだ浴中では
んだ付けした試験片を、１５０℃の温度で５００時間保
持した後９０度曲げを行ない、はんだの密着性を調べた
。
この第２表から明らかなように、本発明に係るセラミッ
クパッケージＩＣ用リード材ＮＯ６１，２はセラミック
パッケージＩＣ用リード材として総合的に優れた性能を
有していることがわかる。
クパッケージＩＣ用リード材ＮＯ６１，２はセラミック
パッケージＩＣ用リード材として総合的に優れた性能を
有していることがわかる。
そして、比較材Ｎｏ、３．４．５．６に比較して以下説
明するように特性が改善されている。
明するように特性が改善されている。
即ち、本発明Ｎｏ、１およびＮｏ、２はＣｏを０．２ｗ
ｔ％以上含有することにより、比較材Ｎｏ、３．４．５
のＣｏ含有量が帆２ｗｔ％未満のものに比してｓｓｏ’
ｃｘｓ分の銀ろう付けの条件下で結晶粒の大きさが５０
μｌ以下と微細であって、比較材Ｎｏ。
ｔ％以上含有することにより、比較材Ｎｏ、３．４．５
のＣｏ含有量が帆２ｗｔ％未満のものに比してｓｓｏ’
ｃｘｓ分の銀ろう付けの条件下で結晶粒の大きさが５０
μｌ以下と微細であって、比較材Ｎｏ。
６と略同等である。
また、本発明Ｎｏ、１およびＮｏ、２はＣｏ含有量が０
．２ｗｔ％以上で、かつ、Ｓｎ含有量を０，２ｗｔ％以
上とすることにより、銀ろう付は条件、即ち、８５０℃
の温度で５分加熱後のビッカース硬さが１３０以上であ
り、さらに、５００℃の温度で１５分の時効処理を行な
うことによって１５０以上となり、かつ、比較材Ｎｏ、
６よりスティ７ネス強度、即ち、腰が強くなっているこ
とがわかる。
．２ｗｔ％以上で、かつ、Ｓｎ含有量を０，２ｗｔ％以
上とすることにより、銀ろう付は条件、即ち、８５０℃
の温度で５分加熱後のビッカース硬さが１３０以上であ
り、さらに、５００℃の温度で１５分の時効処理を行な
うことによって１５０以上となり、かつ、比較材Ｎｏ、
６よりスティ７ネス強度、即ち、腰が強くなっているこ
とがわかる。
本発明Ｎｏ、１、Ｎｏ、２は導電率が２０％ｌＡＣ３以
上であって、比較材Ｎｏ、６より格段に優れている。
上であって、比較材Ｎｏ、６より格段に優れている。
本発明Ｎ０１１、Ｎｏ、２は比較材Ｎｏ、５に比し、Ｚ
ｎを０．０５ｕ＋ｔ％以上含有しているのではんだの加
熱後の耐剥離性が改善されていることが明らかである。
ｎを０．０５ｕ＋ｔ％以上含有しているのではんだの加
熱後の耐剥離性が改善されていることが明らかである。
さらに、本発明Ｎｏ、１、Ｎｏ、２は４００〜５５０℃
の温度で５〜３０分間の時効処理を行なうことにより、
比較材Ｎｏ、６に比して導電率、引張強さ、硬さ、ステ
ィ７ネス強度等のリード材として必須の特性が優れてい
ることがわかる。゛ ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係るセラミックパッケー
ジＩＣ用リード材は上記の構成を有しているものである
から、セラミックスの熱膨張係数とは近似していないに
も拘わらず、８００〜９００℃の温度下の銀ろう付は後
の冷却過程でセラミックスの割れの発生は皆無とするこ
とが可能であり、セラミックスとリード材との熱膨張係
数を近似させる必要はなく、ろう付は後においても強度
が高く、導電率が大きいという優れた効果を有するもの
である。
の温度で５〜３０分間の時効処理を行なうことにより、
比較材Ｎｏ、６に比して導電率、引張強さ、硬さ、ステ
ィ７ネス強度等のリード材として必須の特性が優れてい
ることがわかる。゛ ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係るセラミックパッケー
ジＩＣ用リード材は上記の構成を有しているものである
から、セラミックスの熱膨張係数とは近似していないに
も拘わらず、８００〜９００℃の温度下の銀ろう付は後
の冷却過程でセラミックスの割れの発生は皆無とするこ
とが可能であり、セラミックスとリード材との熱膨張係
数を近似させる必要はなく、ろう付は後においても強度
が高く、導電率が大きいという優れた効果を有するもの
である。
Claims (1)
- Ｎｉ１．０〜５．０ｗｔ％、Ｃｏ０．２〜１．０ｗｔ
％、Ｓｉ０．２〜１．５ｗｔ％、Ｚｎ０．０５〜５．０
ｗｔ％、Ｓｎ０．１〜２．０ｗｔ％、Ｃｒ０．００１〜
０．５ｗｔ％を含有し、残部Ｃｕおよび不可避不純物か
らなることを特徴とするセラミックパッケージＩＣ用リ
ード材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1843185A JPS61177344A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
| EP86100029A EP0189745B1 (en) | 1985-02-01 | 1986-01-03 | Lead material for ceramic package ic |
| DE8686100029T DE3660351D1 (en) | 1985-02-01 | 1986-01-03 | Lead material for ceramic package ic |
| US06/816,897 US4687633A (en) | 1985-02-01 | 1986-01-07 | Lead material for ceramic package IC |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1843185A JPS61177344A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177344A true JPS61177344A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11971455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1843185A Pending JPS61177344A (ja) | 1985-02-01 | 1985-02-01 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177344A (ja) |
-
1985
- 1985-02-01 JP JP1843185A patent/JPS61177344A/ja active Pending
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