JPS61176169A - 光結合装置 - Google Patents
光結合装置Info
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- JPS61176169A JPS61176169A JP60017355A JP1735585A JPS61176169A JP S61176169 A JPS61176169 A JP S61176169A JP 60017355 A JP60017355 A JP 60017355A JP 1735585 A JP1735585 A JP 1735585A JP S61176169 A JPS61176169 A JP S61176169A
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- JP
- Japan
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- light
- resin
- epoxy resin
- refractive index
- filler
- Prior art date
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光結合装置に関し、特に発光素子として半導体
発光ダイオードを有し、受光素子として半導体受光素子
を有し、樹脂封止することによって成る光結合装置に関
する０ 〔従来の技術〕 従来、この種の光結合装置は発光素子と受光素子を離間
して配置し、フィラを含有した透光性エポキシ樹脂でモ
ールドし、さらにその外をフィラ及び炭素を含有した遮
光性エポキシ樹脂でモールドする構造となっていた。そ
れぞれの樹脂に含有されるフィラは、樹脂の熱膨張率を
低め熱的環境変化に対する変形を小さくシ、光結合装置
の信頼性を向上させる目的で用いられている。
発光ダイオードを有し、受光素子として半導体受光素子
を有し、樹脂封止することによって成る光結合装置に関
する０ 〔従来の技術〕 従来、この種の光結合装置は発光素子と受光素子を離間
して配置し、フィラを含有した透光性エポキシ樹脂でモ
ールドし、さらにその外をフィラ及び炭素を含有した遮
光性エポキシ樹脂でモールドする構造となっていた。そ
れぞれの樹脂に含有されるフィラは、樹脂の熱膨張率を
低め熱的環境変化に対する変形を小さくシ、光結合装置
の信頼性を向上させる目的で用いられている。
上述した従来の光結合装置は、透光性エポキシ樹脂内に
フィラを含有するので、エポキシ樹脂とフィラの屈折率
の違いにより樹脂とフィラの境界面で発光素子の発光が
反射され、透光性樹脂の光の透過率が低いので、光の結
合効率が悪いという欠点があった０ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の光結合装置は、透光性領域のエポキシ樹脂とフ
ィラの屈折率の差を０．０１以下とした。
フィラを含有するので、エポキシ樹脂とフィラの屈折率
の違いにより樹脂とフィラの境界面で発光素子の発光が
反射され、透光性樹脂の光の透過率が低いので、光の結
合効率が悪いという欠点があった０ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の光結合装置は、透光性領域のエポキシ樹脂とフ
ィラの屈折率の差を０．０１以下とした。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
発光素子１はガリウム・ヒ素発光ダイオード、受光素子
２はシリコン・フォトトランジスタ、透光性樹脂３はフ
ェノール樹脂変性エポキシ樹脂とフィラとして結晶性シ
リカを含有するモールド成形した樹脂、遮光性樹脂はエ
ポキシ樹脂とフィラとして結晶性シリカを含有し遮光剤
として炭素を含有するモールド成形した樹脂で、透光性
エポキシ樹脂３は屈折率１．５７のエポキシ樹脂を屈折
率１．５１の７エノール樹脂で変性させることに工って
結晶性シリカと同じ屈折率１．５４とした０これによっ
て、透光性エポキシ樹脂として屈折率Ｌ５４の結晶性シ
リカを含有する屈折率１．５７のエポキシ樹脂を用いた
従来の光結合装置と比較すると本実施例では光結合効率
を４７倍にすることができた０ 本実施例ではエポキシ樹脂の屈折率を変化させたが、フ
ィラの材質を変化させて屈折率を変化させる事も可能で
ある。
２はシリコン・フォトトランジスタ、透光性樹脂３はフ
ェノール樹脂変性エポキシ樹脂とフィラとして結晶性シ
リカを含有するモールド成形した樹脂、遮光性樹脂はエ
ポキシ樹脂とフィラとして結晶性シリカを含有し遮光剤
として炭素を含有するモールド成形した樹脂で、透光性
エポキシ樹脂３は屈折率１．５７のエポキシ樹脂を屈折
率１．５１の７エノール樹脂で変性させることに工って
結晶性シリカと同じ屈折率１．５４とした０これによっ
て、透光性エポキシ樹脂として屈折率Ｌ５４の結晶性シ
リカを含有する屈折率１．５７のエポキシ樹脂を用いた
従来の光結合装置と比較すると本実施例では光結合効率
を４７倍にすることができた０ 本実施例ではエポキシ樹脂の屈折率を変化させたが、フ
ィラの材質を変化させて屈折率を変化させる事も可能で
ある。
以上説明したように本発明は透光性樹脂としてエポキシ
樹脂とフィラの屈折率の差を０．０１以下にすることに
より、光結合装置の光結合効率を上げることができる効
果がある。
樹脂とフィラの屈折率の差を０．０１以下にすることに
より、光結合装置の光結合効率を上げることができる効
果がある。
第１図は不発明の光結合装置の一実施例の縦断面図。
ｌ・・・・・・発光素子、２・・・・・・受光素子、３
・・・・・・透光性樹脂、４・・・・・・遮光性樹脂、
５・・・・・・電極。 代理人 弁理士 内 原 晋、・４；へ。 ＼： ゝ′＋＋＋／
・・・・・・透光性樹脂、４・・・・・・遮光性樹脂、
５・・・・・・電極。 代理人 弁理士 内 原 晋、・４；へ。 ＼： ゝ′＋＋＋／
Claims (1)
- 発光素子と、該発光素子から離間した受光素子と、該
発光素子と該受光素子をモールドし該発光素子と該受光
素子を光学的に結合する第一の封止樹脂と、該第一の封
止樹脂をモールドし該発光素子と該受光素子を外部から
光学的に分離する第二の封止樹脂を有する光結合装置に
おいて、該第一の封止樹脂がフィラを含み該第一の封止
樹脂と該フィラの該発光素子の発光波長における屈折率
の差が０．０１以下であることを特徴とする光結合装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017355A JPS61176169A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光結合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017355A JPS61176169A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光結合装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61176169A true JPS61176169A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11941737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60017355A Pending JPS61176169A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光結合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61176169A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774389A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60017355A patent/JPS61176169A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0774389A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Nec Corp | フォトインタラプタ |
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