JPS61175617A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS61175617A JPS61175617A JP1601485A JP1601485A JPS61175617A JP S61175617 A JPS61175617 A JP S61175617A JP 1601485 A JP1601485 A JP 1601485A JP 1601485 A JP1601485 A JP 1601485A JP S61175617 A JPS61175617 A JP S61175617A
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- Japan
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- aperture
- semiconductor laser
- support
- collimator lens
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/465—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using masks, e.g. light-switching masks
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/30—Collimators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、半導体レーザ装置に関する。
第５図において、光源として半導体レーザを用いる半導
体レーザ装置の一例を説明する。半導体レーザユニット
１からの出射ビームは、アパーチャ２によりその形状を
整形されたのち回転多面鏡３に入射する。回転多面鏡３
で偏向されたビームは、ｆθレンズ４１反射鏡５．シリ
ンドリカルレンズ６を経てベルト状感光体７上に走査ス
ポットを結像する。半導体レーザユニット１の構成は後
述するが、このユニット１からの出射ビームは、記録信
号により変調されており、回転多面鏡３の回転により、
感光体７の軸方向に主走査を行ない。
体レーザ装置の一例を説明する。半導体レーザユニット
１からの出射ビームは、アパーチャ２によりその形状を
整形されたのち回転多面鏡３に入射する。回転多面鏡３
で偏向されたビームは、ｆθレンズ４１反射鏡５．シリ
ンドリカルレンズ６を経てベルト状感光体７上に走査ス
ポットを結像する。半導体レーザユニット１の構成は後
述するが、このユニット１からの出射ビームは、記録信
号により変調されており、回転多面鏡３の回転により、
感光体７の軸方向に主走査を行ない。
感光体７の回転により副走査が行なわれる。感光体７の
表面は、予め所定極性に一様に帯電させられており、走
査スポットが当った部分の電荷が選択的に消散されて、
再現または記録すべき画像に対応した静電潜像がそこに
順次形成される。これを可視像化したのち、紙の如き記
録体に転写して最終画像を得る。
表面は、予め所定極性に一様に帯電させられており、走
査スポットが当った部分の電荷が選択的に消散されて、
再現または記録すべき画像に対応した静電潜像がそこに
順次形成される。これを可視像化したのち、紙の如き記
録体に転写して最終画像を得る。
半導体レーザユニット１の構成の一従来例を第６図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
半導体レーザＬＤは、ベース１０の係合孔１０ａと押え
板１１の係合孔１１ａに係合されている。半導体レーザ
ＬＤのピンは、ベース１０にスペーサ１２を介して取り
付けられたプリント基板１３に固定されている。
板１１の係合孔１１ａに係合されている。半導体レーザ
ＬＤのピンは、ベース１０にスペーサ１２を介して取り
付けられたプリント基板１３に固定されている。
ベースｌＯは、取付ねじ１４．１５により第一フランジ
１６に固定されている。第一フランジ１６には、レンズ
ホルダ１７を介してコリメータレンズ１８が螺合させら
れている。第一フランジ１６には、断熱材１９を介して
放熱フィン２０が取り付けられている。ベース１０と放
熱フィン２０との間にはペルチェ効果素子２１が介装さ
れている。第一フランジ１６の筒部１６ａには、第二フ
ランジ２２が嵌合させられている。かかる半導体レーザ
ユニット１は、第二フランジ２２の筒部２２ａをハウジ
ング２３の一側壁２３ａに形成された嵌合孔２３ｂに嵌
合させて該ハウジングに装着される。
１６に固定されている。第一フランジ１６には、レンズ
ホルダ１７を介してコリメータレンズ１８が螺合させら
れている。第一フランジ１６には、断熱材１９を介して
放熱フィン２０が取り付けられている。ベース１０と放
熱フィン２０との間にはペルチェ効果素子２１が介装さ
れている。第一フランジ１６の筒部１６ａには、第二フ
ランジ２２が嵌合させられている。かかる半導体レーザ
ユニット１は、第二フランジ２２の筒部２２ａをハウジ
ング２３の一側壁２３ａに形成された嵌合孔２３ｂに嵌
合させて該ハウジングに装着される。
ハウジング２３内には、シリンドリカルレンズ２４（第
５図には図示せず）を支持するレンズホルダ２５が取付
ねじ２６によって固定配置されている。レンズホルダ２
５には、アパーチャ２が支持されている。
５図には図示せず）を支持するレンズホルダ２５が取付
ねじ２６によって固定配置されている。レンズホルダ２
５には、アパーチャ２が支持されている。
アパーチャ２は、第５図に示すように、不透明な部材に
透光用の窓孔２ａを形成されていて、この窓孔を走査ビ
ーム０上に位置させている。
透光用の窓孔２ａを形成されていて、この窓孔を走査ビ
ーム０上に位置させている。
半導体レーザＬＤの光は、コリメータレンズ１８によっ
て平行光束に変換され、アパーチャ２によりその形状を
整形されて回転多面鏡３に向かう。この場合、半導体レ
ーザＬＤ、コリメータレンズ２．アパーチャ２は、走査
ビーム上すなわちコリメータレンズ２の光軸上にそれぞ
れ精度よく配置される必要がある。半導体レーザＬＤと
コリメータレンズ１８とは、半導体レーザユニット１と
して組み立てられているので、互いの位置精度が出し易
いが、アパーチャ２がハウジング２３に取付られている
関係上、該アパーチャ２と半導体レーザユニット１との
位置精度が出し難い、従って、上記三者の相対的な位置
は、走査ビーム０（コリメータレンズ２の光軸）に対す
るアパーチャ２の取付精度、換言すると、ハウジング２
３の嵌合孔２３ｂとレンズホルダ２５の取付面２３ｃの
相対的な位置の加工精度並びにレンズホルダ２５の加工
精度によってその正否が定まる。走査ビーム０とアパー
チャ２の窓孔２ａとの位置がずれてい４ると、感光体７
に到達する半導体レーザＬＤの光量が大きく低下すると
いう不具合となって現れる。
て平行光束に変換され、アパーチャ２によりその形状を
整形されて回転多面鏡３に向かう。この場合、半導体レ
ーザＬＤ、コリメータレンズ２．アパーチャ２は、走査
ビーム上すなわちコリメータレンズ２の光軸上にそれぞ
れ精度よく配置される必要がある。半導体レーザＬＤと
コリメータレンズ１８とは、半導体レーザユニット１と
して組み立てられているので、互いの位置精度が出し易
いが、アパーチャ２がハウジング２３に取付られている
関係上、該アパーチャ２と半導体レーザユニット１との
位置精度が出し難い、従って、上記三者の相対的な位置
は、走査ビーム０（コリメータレンズ２の光軸）に対す
るアパーチャ２の取付精度、換言すると、ハウジング２
３の嵌合孔２３ｂとレンズホルダ２５の取付面２３ｃの
相対的な位置の加工精度並びにレンズホルダ２５の加工
精度によってその正否が定まる。走査ビーム０とアパー
チャ２の窓孔２ａとの位置がずれてい４ると、感光体７
に到達する半導体レーザＬＤの光量が大きく低下すると
いう不具合となって現れる。
目 的
この発明は、上記不具合を解消するためになされたもの
であって、半導体レーザ、コリメータレンズ、アパーチ
ャの相対的な位置精度を簡単に得られる半導体レーザ装
置の提供を目的とする。
であって、半導体レーザ、コリメータレンズ、アパーチ
ャの相対的な位置精度を簡単に得られる半導体レーザ装
置の提供を目的とする。
以下、図示の実施例に基づいて本発明の詳細な説明する
。
。
第１図において、コリメータレンズ３０は、レンズホル
ダ３１を介して支持体３２に固定支持されている。支持
体３２は、その筒部３２ａをハウジング２３（第６図参
照）の−側板２３ａに形成された嵌合孔２３ｂに嵌合さ
せたのち、取付ねじ３３，３４により固定されている。
ダ３１を介して支持体３２に固定支持されている。支持
体３２は、その筒部３２ａをハウジング２３（第６図参
照）の−側板２３ａに形成された嵌合孔２３ｂに嵌合さ
せたのち、取付ねじ３３，３４により固定されている。
筒部３２ａの開口端には、第３図、第４図にも示すよう
に、アパーチャ３５を保持するアパーチャ保持部３６が
形成されている。このアパーチャ保持部３６は、アパー
チャ３５を係合する輪状凹部３７と、アパーチャ３５の
切殺がれた対向側縁３５ａ 、 ３５ａが係合する係止
片３８．３８と、アパーチャ３５の位置決め突起３５ｂ
を係合させて該アパーチャの取付姿勢を保持する切欠３
９とからなっている。アパーチャ３５は、可撓性を有す
る不透明な材料からなっていて、軸状凹部３７に嵌合す
る円板部と切欠３９に係合する突起部とからなり１円板
部の対向する部分を切殺いだ対向側縁３５ａ、３５ａと
、走査ビーム整形用の窓孔３５ｃを形成されている。窓
孔３５ｃは、軸状凹部３７の中心に位置するように形成
される。輪状凹部３７は、レンズホルダ３１を取り付け
る取付孔３２ｂと同心的に形成される。
に、アパーチャ３５を保持するアパーチャ保持部３６が
形成されている。このアパーチャ保持部３６は、アパー
チャ３５を係合する輪状凹部３７と、アパーチャ３５の
切殺がれた対向側縁３５ａ 、 ３５ａが係合する係止
片３８．３８と、アパーチャ３５の位置決め突起３５ｂ
を係合させて該アパーチャの取付姿勢を保持する切欠３
９とからなっている。アパーチャ３５は、可撓性を有す
る不透明な材料からなっていて、軸状凹部３７に嵌合す
る円板部と切欠３９に係合する突起部とからなり１円板
部の対向する部分を切殺いだ対向側縁３５ａ、３５ａと
、走査ビーム整形用の窓孔３５ｃを形成されている。窓
孔３５ｃは、軸状凹部３７の中心に位置するように形成
される。輪状凹部３７は、レンズホルダ３１を取り付け
る取付孔３２ｂと同心的に形成される。
支持体３２の背部には、半導体レーザ保持部４０が形成
されている。この保持部４０は、前記レンズホルダ３１
の取付孔３２ｂと同心的に形成されていて。
されている。この保持部４０は、前記レンズホルダ３１
の取付孔３２ｂと同心的に形成されていて。
半導体レーザＬＤのフランジ部ＬＤａを係合させられる
。半導体レーザＬＤは、ベース４１に固定されていて、
該ベースに固定されたプリント基板４２に接続されてい
る。ベース４１は、取付ねじ４３．４３により支持体３
２に固定されている。
。半導体レーザＬＤは、ベース４１に固定されていて、
該ベースに固定されたプリント基板４２に接続されてい
る。ベース４１は、取付ねじ４３．４３により支持体３
２に固定されている。
一つの支持体に、コリメータレンズを支持する取付孔３
２ｂと、アパーチャを保持するアパーチャ保持部３６と
、半導体レーザＬＤを保持する半導体レーザ保持部４０
とを、それぞれの中心軸線を一致させて形成することは
、機械加工上それほど困難ではない６従って、各保持部
に保持されたコリメータレンズ、半導体レーザ、アパー
チャは、コリメータレンズの光軸すなわち走査ビーム上
に精度よく位置させられることになる。
２ｂと、アパーチャを保持するアパーチャ保持部３６と
、半導体レーザＬＤを保持する半導体レーザ保持部４０
とを、それぞれの中心軸線を一致させて形成することは
、機械加工上それほど困難ではない６従って、各保持部
に保持されたコリメータレンズ、半導体レーザ、アパー
チャは、コリメータレンズの光軸すなわち走査ビーム上
に精度よく位置させられることになる。
第２図において、本発明の他の実施例を説明する。
この実施例は、第１図に示した実施例の支持体３２が単
一の部材からなっているのに対して、支持体が二つの部
材からなっている点と、これに伴うハウジングへの取材
力が異なっているだけであるから、第１図にて示した部
材と同一機能を果す部材については同一符号を付すに止
め個々の説明は割愛する。
一の部材からなっているのに対して、支持体が二つの部
材からなっている点と、これに伴うハウジングへの取材
力が異なっているだけであるから、第１図にて示した部
材と同一機能を果す部材については同一符号を付すに止
め個々の説明は割愛する。
支持体３２の筒部３２ａには、フランジ１３２の筒部１
３２ａが密に嵌合させられている。このフランジ１３２
は、支持体３２を囲繞していて、該フランジ１３２．支
持体３２及びベース４１を貫通する取付ねじ１３３，１
３４により、各部材と共にハウジングの一側板２３ａに
取り付けられている。フランジ１３２の開口端には、第
３図及び第４図に示したと同様の、係止片１３８゜１３
８を有するアパーチャ保持部１３６が形成されている。
３２ａが密に嵌合させられている。このフランジ１３２
は、支持体３２を囲繞していて、該フランジ１３２．支
持体３２及びベース４１を貫通する取付ねじ１３３，１
３４により、各部材と共にハウジングの一側板２３ａに
取り付けられている。フランジ１３２の開口端には、第
３図及び第４図に示したと同様の、係止片１３８゜１３
８を有するアパーチャ保持部１３６が形成されている。
この保持部１３６には、アパーチャ３５が係合させられ
ている。この実施例におけるフランジ１３２は、第６図
に示した従来例における第二フランジ２２に相当するも
のである。従って、第２図に示す実施例は、上記第二フ
ランジ２２にアパーチャ保持部を形成したことと同じで
ある。かかる構成の違いは、半導体レーザ、コリメータ
レンズ、アパーチャの相対的な位置精度に大きく影響し
ている。
ている。この実施例におけるフランジ１３２は、第６図
に示した従来例における第二フランジ２２に相当するも
のである。従って、第２図に示す実施例は、上記第二フ
ランジ２２にアパーチャ保持部を形成したことと同じで
ある。かかる構成の違いは、半導体レーザ、コリメータ
レンズ、アパーチャの相対的な位置精度に大きく影響し
ている。
すなわち、第６図に示す従来例においては、走査ビーム
○に対するレンズホルダ２５の取付面２３ｃの加工精度
と、アパーチャ２を保持しているレンズホルダ２５の加
工精度という二箇所の精度が要求される。しかし、第２
図に示す実施例の場合要求されるのは、アパーチャを保
持する軸状凹部３７（第３図参照）の加工精度という一
箇所の精度だけでよい。そして、この部分の加工は、フ
ランジの筒部１３２ａに対する加工精度で決まり、その
精度は比較的容易に且つ高く得ることができる。
○に対するレンズホルダ２５の取付面２３ｃの加工精度
と、アパーチャ２を保持しているレンズホルダ２５の加
工精度という二箇所の精度が要求される。しかし、第２
図に示す実施例の場合要求されるのは、アパーチャを保
持する軸状凹部３７（第３図参照）の加工精度という一
箇所の精度だけでよい。そして、この部分の加工は、フ
ランジの筒部１３２ａに対する加工精度で決まり、その
精度は比較的容易に且つ高く得ることができる。
効果
以上のように、支持体を介して半導体レーザ。
コリメータレンズ、アパーチャを実質的に一体化した本
発明によれば、上記三者の相対的な位置精度が極めて容
易に得られるから、半導体レーザの光量が低下すること
がない。
発明によれば、上記三者の相対的な位置精度が極めて容
易に得られるから、半導体レーザの光量が低下すること
がない。
第１図は本発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す要
部横断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す要部横
断面図、第３図はアパーチャ保持部を示す斜視図、第４
図は同正面図、第５図は本発明を適用する半導体レーザ
装置の一例を示す概略構成図、第６図は従来の半導体レ
ーザ装置の一例を示す要部縦断面図である。 ＬＤ・・・半導体レーザ、３ｏ・・・コリメータレンズ
、３２．１３２・・・支持体、３５・・・アパーチャ、
０・・・走査ビーム（コリメータレンズの光軸）、３６
・・・アパーチャ支持部、４０・・・半導体レーザ支ｉ
部、３１・・・レンズホルダ、３２ｂ・・・取付孔。 ％１図 男４図 償う図 第ｚ図
部横断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す要部横
断面図、第３図はアパーチャ保持部を示す斜視図、第４
図は同正面図、第５図は本発明を適用する半導体レーザ
装置の一例を示す概略構成図、第６図は従来の半導体レ
ーザ装置の一例を示す要部縦断面図である。 ＬＤ・・・半導体レーザ、３ｏ・・・コリメータレンズ
、３２．１３２・・・支持体、３５・・・アパーチャ、
０・・・走査ビーム（コリメータレンズの光軸）、３６
・・・アパーチャ支持部、４０・・・半導体レーザ支ｉ
部、３１・・・レンズホルダ、３２ｂ・・・取付孔。 ％１図 男４図 償う図 第ｚ図
Claims (1)
- 光源としての半導体レーザと、この半導体レーザの発散
性光束を平行光束に変換するコリメータレンズと、上記
平行光束の走査ビームの光路中に配置されていて走査ビ
ームの形状を整形するためのアパーチャとを具備する半
導体レーザ装置において、上記コリメータレンズを支持
する支持体と、この支持体に形成されていて、上記半導
体レーザを係合させてこれを上記コリメータレンズの光
軸上に位置させるための半導体レーザ保持部と、上記支
持体に形成されていて、上記アパーチャを係合させてこ
れを上記コリメータレンズの光軸上に位置させるための
アパーチャ保持部とからなっていて、上記支持体を介し
て半導体レーザ、コリメータレンズ及びアパーチャを実
質的に一体化したことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1601485A JPS61175617A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/821,683 US4763334A (en) | 1985-01-30 | 1986-01-23 | Laser beam emitting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1601485A JPS61175617A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61175617A true JPS61175617A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11904714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1601485A Pending JPS61175617A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61175617A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376817U (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | ||
| JPH0162529U (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-21 | ||
| JPH01164919A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Canon Inc | 走査光学装置 |
| JPH01172814A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Canon Inc | レーザーユニット |
| JPH01292312A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Ricoh Kogaku Kk | 走査光学用レンズユニット |
| US5048050A (en) * | 1988-01-08 | 1991-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH0650366U (ja) * | 1991-11-27 | 1994-07-08 | クァートン インコーポレーテッド | レーザーダイオード投光装置 |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1601485A patent/JPS61175617A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376817U (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | ||
| JPH0446257Y2 (ja) * | 1986-11-06 | 1992-10-30 | ||
| JPH0162529U (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-21 | ||
| JPH01164919A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Canon Inc | 走査光学装置 |
| JPH01172814A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Canon Inc | レーザーユニット |
| US5048050A (en) * | 1988-01-08 | 1991-09-10 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser apparatus |
| JPH01292312A (ja) * | 1988-05-20 | 1989-11-24 | Ricoh Kogaku Kk | 走査光学用レンズユニット |
| JPH0650366U (ja) * | 1991-11-27 | 1994-07-08 | クァートン インコーポレーテッド | レーザーダイオード投光装置 |
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