JPH0446257Y2 - - Google Patents
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- JPH0446257Y2 JPH0446257Y2 JP1986171187U JP17118786U JPH0446257Y2 JP H0446257 Y2 JPH0446257 Y2 JP H0446257Y2 JP 1986171187 U JP1986171187 U JP 1986171187U JP 17118786 U JP17118786 U JP 17118786U JP H0446257 Y2 JPH0446257 Y2 JP H0446257Y2
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- source device
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Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
Description
本考案はレーザ光を利用して画像情報の読み取
りまたは画像情報を記録媒体に画像記録する半導
体レーザ素子を有するレーザ光走査装置に関す
る。
りまたは画像情報を記録媒体に画像記録する半導
体レーザ素子を有するレーザ光走査装置に関す
る。
例えば、文字や図形や絵などの原稿画像情報を
読み取り2値化信号化する読取装置や、2値化信
号化された文字や図形を感光体上(あるいは感光
体を介して記録紙上)に記録する記録装置は種々
提案されている。例えば読取装置一例として、原
稿をレーザ光走査装置のレーザービームで走査
し、原稿からの反射光又は透過光又は散乱光を光
検出器により光電変換して画像信号を得、最終的
には可視画像として記録装置によりハードコピー
化したり、或はCRT上に再生したりして活用さ
れている。 かかるレーザ走査装置を用いた装置の一例とし
て、放射線画像情報読取装置について以下に説明
する。輝尽性蛍光体にX線、電子線、紫外線など
の励起光を照射すると、そのエネルギーの一部が
照射量に応じて輝尽性蛍光体の結晶内に一旦準安
定状態で蓄積される。これに可視光線や赤外線等
の輝尽励起光で刺激すると、蓄積エネルギーに比
例した輝尽性蛍光発光が起こる。この現象は各種
放射線によつて形成される画像情報の記録に利用
することができ、例えば特開昭55−12144号公報
には、光輝尽性蛍光体層を有する交換パネルにX
線等の放射線による画像情報露光を与えて放射線
エネルギーを吸収させて、一種の潜像を形成さ
せ、しかる後、輝尽励起光のビームによつて変換
パネル面を走査し、蛍光体の発する輝尽発光強度
を検出系で読み取り放射線画像情報を得る方法が
開示されている。こうした方法では通常輝尽励起
光としてはレーザービーム等が使用され、また輝
尽発光の読み取りには光電子増倍管等の光検出器
が使用され、輝尽発光強度は光電変換され電気信
号として取り出される。 第9図は、輝尽性蛍光体を利用した放射線画像
情報読取装置の構成図である。図において、1は
X線管のごとき放射線発生装置、2は被写体、3
は放射線画像変換パネル(蓄積性蛍光体)であ
り、従来の撮影に準じて行われる画像情報読取装
置4内にマウントされている撮影済みの変換パネ
ル3は、装置内では振動ミラー(ガルバノメータ
ミラー)、fθレンズを介するレーザービームの主
走査方向に対して直角方向に、変換パネル3を搬
送することにより、変換パネル3の全面を走査す
る。走査により生ずる光を光フアイバーで光検出
器(光電子増倍管)により光電変換し、時系列電
気信号としたうえでA/D変換する。 次に、画像処理機5において、デジタル化され
た電気信号はコンピユータにより、階調処理、エ
ツジ強調処理などの処理を診断目的に応じて施
す。処理画像は即座にCRTモニター6上に表示
される。また、処理画像は磁気デイスク、磁気テ
ープ、光デイスク光磁気デイスク等のメモリー装
置7に収容蓄積することが可能である。 画像記録機8は、前記処理信号をD/A変換し
たうえで光変調器により再びレーザービーム変調
し、この走査によりフイルムF上に書き込みを行
う部分である。書き込みの終了したフイルムは、
自動現像され最終出力画像としての処理済みのX
線写真が得られる。 上記のごとき放射線画像情報処理装置は、記録
し得る放射線露光域が極めて広く、電気信号とし
て得られる画像情報を自由に信号処理することが
でき、目的に最も適合した画像を得ることが出来
る等の特長を有する。特に、可視範囲の広い鮮明
な画像が恒常的に得られ、目的に応じて低線量撮
影も可能な利点がある。 上記画像情報読取装置4においては、輝尽励起
光発生用のレーザービームは、偏向器によつてド
ライブされるガルバノメーターミラーで主走査さ
れ、fθレンズを透過して、変換パネル3に照射さ
れる。レーザービームが照射されることにより、
変換パネル3から記録されている放射線画像が輝
尽発光となつて現れる。この輝尽発光は最初の放
射線の照射量による蓄積エネルギーに対応した光
量である。
読み取り2値化信号化する読取装置や、2値化信
号化された文字や図形を感光体上(あるいは感光
体を介して記録紙上)に記録する記録装置は種々
提案されている。例えば読取装置一例として、原
稿をレーザ光走査装置のレーザービームで走査
し、原稿からの反射光又は透過光又は散乱光を光
検出器により光電変換して画像信号を得、最終的
には可視画像として記録装置によりハードコピー
化したり、或はCRT上に再生したりして活用さ
れている。 かかるレーザ走査装置を用いた装置の一例とし
て、放射線画像情報読取装置について以下に説明
する。輝尽性蛍光体にX線、電子線、紫外線など
の励起光を照射すると、そのエネルギーの一部が
照射量に応じて輝尽性蛍光体の結晶内に一旦準安
定状態で蓄積される。これに可視光線や赤外線等
の輝尽励起光で刺激すると、蓄積エネルギーに比
例した輝尽性蛍光発光が起こる。この現象は各種
放射線によつて形成される画像情報の記録に利用
することができ、例えば特開昭55−12144号公報
には、光輝尽性蛍光体層を有する交換パネルにX
線等の放射線による画像情報露光を与えて放射線
エネルギーを吸収させて、一種の潜像を形成さ
せ、しかる後、輝尽励起光のビームによつて変換
パネル面を走査し、蛍光体の発する輝尽発光強度
を検出系で読み取り放射線画像情報を得る方法が
開示されている。こうした方法では通常輝尽励起
光としてはレーザービーム等が使用され、また輝
尽発光の読み取りには光電子増倍管等の光検出器
が使用され、輝尽発光強度は光電変換され電気信
号として取り出される。 第9図は、輝尽性蛍光体を利用した放射線画像
情報読取装置の構成図である。図において、1は
X線管のごとき放射線発生装置、2は被写体、3
は放射線画像変換パネル(蓄積性蛍光体)であ
り、従来の撮影に準じて行われる画像情報読取装
置4内にマウントされている撮影済みの変換パネ
ル3は、装置内では振動ミラー(ガルバノメータ
ミラー)、fθレンズを介するレーザービームの主
走査方向に対して直角方向に、変換パネル3を搬
送することにより、変換パネル3の全面を走査す
る。走査により生ずる光を光フアイバーで光検出
器(光電子増倍管)により光電変換し、時系列電
気信号としたうえでA/D変換する。 次に、画像処理機5において、デジタル化され
た電気信号はコンピユータにより、階調処理、エ
ツジ強調処理などの処理を診断目的に応じて施
す。処理画像は即座にCRTモニター6上に表示
される。また、処理画像は磁気デイスク、磁気テ
ープ、光デイスク光磁気デイスク等のメモリー装
置7に収容蓄積することが可能である。 画像記録機8は、前記処理信号をD/A変換し
たうえで光変調器により再びレーザービーム変調
し、この走査によりフイルムF上に書き込みを行
う部分である。書き込みの終了したフイルムは、
自動現像され最終出力画像としての処理済みのX
線写真が得られる。 上記のごとき放射線画像情報処理装置は、記録
し得る放射線露光域が極めて広く、電気信号とし
て得られる画像情報を自由に信号処理することが
でき、目的に最も適合した画像を得ることが出来
る等の特長を有する。特に、可視範囲の広い鮮明
な画像が恒常的に得られ、目的に応じて低線量撮
影も可能な利点がある。 上記画像情報読取装置4においては、輝尽励起
光発生用のレーザービームは、偏向器によつてド
ライブされるガルバノメーターミラーで主走査さ
れ、fθレンズを透過して、変換パネル3に照射さ
れる。レーザービームが照射されることにより、
変換パネル3から記録されている放射線画像が輝
尽発光となつて現れる。この輝尽発光は最初の放
射線の照射量による蓄積エネルギーに対応した光
量である。
ところで、上記変換パネル3における輝尽発光
の光量は、それが多いほど光検出器での光電変換
の際に高S/N比の電気信号を得ることができ、
良質の再生放射線画像を得ることができる。ま
た、輝尽発光の光量が多いほど走査線Aに沿つた
走査速度を速くして読取速度を高速化することも
できる。そして、上記輝尽発光量を増すには励起
光を増す必要があり、励起光発生部からの光ビー
ムの出力を増大する必要がある。 また、被写体2に照射するX線量を低減するた
めには、励起光の光量を増大させる必要があり、
このためには半導体レーザを励起光発生部に使用
した場合には、その出力の増大が必須となる。こ
れは感度の低い感光体を用いる記録装置において
も同様である。 しかしながら、半導体レーザの出力を増大せし
めると、レーザ素子の寿命が短かくなり信頼性が
低下するという問題点がある。即ち、レーザービ
ームの強度分布が正規分布を示さなくなつたり、
出力が不足したり、ダークラインを生じる等の欠
点が生じる。このため半導体レーザを新しいもの
と交換する頻度が多くなる。 そして半導体レーザを交換する都度、画像情報
読取(あるいは記録)装置内でレーザービーム光
の光学系位置調節を高精度に維持しなければなら
ない。しかしその調整作業は容易ではなく、ピン
ト調整に多大の時間を要し、かつ精度低下のおそ
れも生じる。 また、画像情報読取(あるいは記録)装置の光
源装置を他の光学系に変更する場合にも、同様な
作業性と精度に問題点が多い。
の光量は、それが多いほど光検出器での光電変換
の際に高S/N比の電気信号を得ることができ、
良質の再生放射線画像を得ることができる。ま
た、輝尽発光の光量が多いほど走査線Aに沿つた
走査速度を速くして読取速度を高速化することも
できる。そして、上記輝尽発光量を増すには励起
光を増す必要があり、励起光発生部からの光ビー
ムの出力を増大する必要がある。 また、被写体2に照射するX線量を低減するた
めには、励起光の光量を増大させる必要があり、
このためには半導体レーザを励起光発生部に使用
した場合には、その出力の増大が必須となる。こ
れは感度の低い感光体を用いる記録装置において
も同様である。 しかしながら、半導体レーザの出力を増大せし
めると、レーザ素子の寿命が短かくなり信頼性が
低下するという問題点がある。即ち、レーザービ
ームの強度分布が正規分布を示さなくなつたり、
出力が不足したり、ダークラインを生じる等の欠
点が生じる。このため半導体レーザを新しいもの
と交換する頻度が多くなる。 そして半導体レーザを交換する都度、画像情報
読取(あるいは記録)装置内でレーザービーム光
の光学系位置調節を高精度に維持しなければなら
ない。しかしその調整作業は容易ではなく、ピン
ト調整に多大の時間を要し、かつ精度低下のおそ
れも生じる。 また、画像情報読取(あるいは記録)装置の光
源装置を他の光学系に変更する場合にも、同様な
作業性と精度に問題点が多い。
本考案は、かかる問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、レーザ光走査装置に半導体レー
ザを使用した場合、レーザービームのパワーを所
望の強度に増加させ、輝尽発光量の増大またはX
線量低減を可能にし、かつこれに伴う半導体レー
ザの出力低下による交換頻度増加にも拘らず、作
業性の向上と高精度維持を可能とするものであ
る。更に、光学系変更も容易確実に行なうことが
可能とするレーザ光走査装置を提供することを目
的とするものである。 上記した目的を達成する本考案のレーザ光走査
装置は、走査面上を光源装置からのレーザ光によ
り主走査する主走査手段と、前記走査面を主走査
方向とほぼ直角な方向に相対的に移動させて副走
査する副走査手段とを有するレーザ光走査装置に
おいて、前記主走査手段として、半導体レーザ素
子を中央に配置し、この半導体レーザ素子の照射
側にコリメートレンズを回動自在のレーザ保持部
材に嵌合して固定し、このレーザ保持部材の外周
に固定枠を備え、前記半導体レーザ素子の保持部
材に接して冷却部材を配置して光源装置を構成
し、この光源装置を保持する保持部材が位置決め
基準を設定した基板上に固定され、この光源装置
を一体化ユニツトにするとともにこのユニツト内
の基板上にビーム整形光学系を配置したことを特
徴とするものである。 また上記基板上にビーム整形光学系を配設した
光源装置を一体化ユニツトにしたり、複数のレー
ザ素子を有する光源装置を一体化ユニツトに構成
し、着脱、交換可能にすることにより前記目的を
達成することができる。
で、その目的は、レーザ光走査装置に半導体レー
ザを使用した場合、レーザービームのパワーを所
望の強度に増加させ、輝尽発光量の増大またはX
線量低減を可能にし、かつこれに伴う半導体レー
ザの出力低下による交換頻度増加にも拘らず、作
業性の向上と高精度維持を可能とするものであ
る。更に、光学系変更も容易確実に行なうことが
可能とするレーザ光走査装置を提供することを目
的とするものである。 上記した目的を達成する本考案のレーザ光走査
装置は、走査面上を光源装置からのレーザ光によ
り主走査する主走査手段と、前記走査面を主走査
方向とほぼ直角な方向に相対的に移動させて副走
査する副走査手段とを有するレーザ光走査装置に
おいて、前記主走査手段として、半導体レーザ素
子を中央に配置し、この半導体レーザ素子の照射
側にコリメートレンズを回動自在のレーザ保持部
材に嵌合して固定し、このレーザ保持部材の外周
に固定枠を備え、前記半導体レーザ素子の保持部
材に接して冷却部材を配置して光源装置を構成
し、この光源装置を保持する保持部材が位置決め
基準を設定した基板上に固定され、この光源装置
を一体化ユニツトにするとともにこのユニツト内
の基板上にビーム整形光学系を配置したことを特
徴とするものである。 また上記基板上にビーム整形光学系を配設した
光源装置を一体化ユニツトにしたり、複数のレー
ザ素子を有する光源装置を一体化ユニツトに構成
し、着脱、交換可能にすることにより前記目的を
達成することができる。
以下、本考案の実施例を図面に従い詳細に説明
する。 第1図は本考案に係るレーザ光走査装置を用い
た放射線画像情報読み取り装置の光学系配置を示
す概略斜視図である。 輝尽性蛍光層を有する放射線画像情報変換パネ
ル3は、画像情報読取装置内の所定位置に設置さ
れている。そして読取装置の主走査系と読取系と
は一体となつて構成され直線方向移動可能になつ
ていて、変換パネル3と相対移動して副走査bが
行なわれる。10は励起光発生用の光源装置(半
導体レーザー装置)であつて半導体レーザ駆動回
路9によつてドライブされる。光源装置10の半
導体レーザー素子より発生したレーザービームL
は、コリメートレンズCL、ビーム整形光学系
(プリズムペア)19、アパーチヤ20、単色光
フイルタ21、第一ミラー22を経て振動ミラー
(ガルバノメーターミラー)23に達する。該振
動ミラー23は偏向器24によつて振動され、レ
ーザービームLを走査領域内に一定角速度で振動
偏向する。偏向器24は偏向器ドライバー25に
よつてドライブされる。偏向されたレーザービー
ムLはfθレンズ26によつて主走査線上で一定速
度となるよう調整され、第2ミラー27、第3ミ
ラー28、第4ミラー29を経て変換パネル3上
を矢印a方向に主走査する。変換パネル3は同時
に矢印b方向に相対移動し(副走査)、変換パネ
ル3の全面がラスタースキヤン走査される。 レーザービームLによつて走査されて変換パネ
ル3から発生する輝尽は、光フアイバー集合体3
0で集光され輝尽光の波長領域のみを通すフイル
タ31を通つて光電子増倍管32等の光電変換器
を備えた受光部に至りアナログ電気信号に変換さ
れる。光電子増倍管32から電流として出力され
た画像信号は電流−電圧変換増幅器33を通つて
電圧増幅され、更に発光強度信号を画像濃度信号
に変換するLog変換器34、画像クロツク信号に
同期して信号を一定期間維持するサンプルホール
ド回路35を通つた後、A/D変換器36によつ
てデジタル信号に変換されたのち、メモリー37
に貯えられる。メモリー35はデジタル演算等を
行うCPU38に接続されている。CPU38はイ
ンターフエース39を介して外部の機器例えばデ
ータを保存、加工するためのコンピユーター、画
像を出力するCPU表示装置やプリンタ等に連結
することができ、メモリーに貯えられたデータの
演算、転送を可能とする。 前記光源装置10は、そのハウジング内に後述
のレーザ発生器SLとコリメートレンズCLを内蔵
し、該ハウジングの背面には放熱器14が固定さ
れ、ハウジングの底面には取付台41を介して基
板42が固定されている。 第2図および第3図は本考案による光源装置ユ
ニツトの一実施例を示す斜視図および側断面図で
ある。 レーザ発生器SLは、半導体レーザ素子と、こ
れを収容する外装体であるパツケージと、該レー
ザ素子に電気的に接続され外部のレーザ発振器9
に接続するリード線等から構成されている。 上記レーザ発生器SLは、レーザーホルダ11
の中央の段付開口部に嵌入され、ピン11Aによ
り円周方向が位置決めされ、レーザーホルダ11
の段付部にパツケージのフランジ部が当接し後方
のスペーサ11Bによる支持と接着により光軸方
向が位置決めされ一体化される。この状態で前記
パツケージの中心軸(ビーム光軸)とレーザーホ
ルダ11の中心軸とはほぼ一致して固定されるこ
とになる。 レーザーホルダ11の一部には温度検出素子1
2たとえばサーミスタ等が内蔵され、またレーザ
ーホルダ11の背面には電子冷却素子、たとえば
ペルチエ素子13が密着して取付けられている。
更に該ペルチエ素子13の他の面にはヒートシン
ク等の放熱器14が取付けられている。 前記レーザーホルダ11は、断熱性を有する保
持部材15とそれぞれの中心軸が一致するように
嵌合、保持されている。該保持部材15は更にハ
ウジング本体16の内部に、各中心軸が一致する
ように嵌合、保持されている。前記放熱器14は
上記本体16にねじ固定される。 上記本体16の外周側面の一部は平面状にカツ
トされていて取付面16Aを形成している。該取
付面16Aは前記取付台40に当接しねじ固定さ
れる。ここで41は取付台40と本体16との各
穴に嵌合し位置決めする取付基準ピンである。 一方、前記レーザ発生器SLから出射した光ビ
ームをコリメートして平行光束にするコリメート
レンズCLは、レンズホルダ17内に嵌入され、
レンズ押え17Aにより固定されている。該レン
ズホルダ17は、マウント部材18とねじ嵌合し
ていて、ロツクナツト17Bにより固定可能にな
つている。コリメートレンズCLのピント調整は、
上記レンズホルダ17を回転させて微動させるこ
とによつて行なわれ、調整完了後にロツクナツト
17Bにより位置固定する。 コリメートレンズCLの光軸調整は、マウント
部材18を本体16の端面上で摺動させ、図示し
ない外方の検出器等により位置決めしたのち、本
体16にねじ固定する。 以上の如くピント調整と光軸調整され取付台4
0に固定された光源装置10は、基板42に位置
調整されたのちねじ固定される。ここで基板42
は前方基準面42Xと側方基準面42Yと上方基
準面42Zとを有し、一定の板厚に作られてい
る。前記取付台40はこれら3基準面に対し所定
の寸法を保ち、平行度が得られるよう設定された
のち固定される。かくしてレンズ発生器SL等を
収容した本体16と、コリメートレンズCLを収
容したマウント部材18等から成る光源装置10
は取付台40と共に基板42上に位置調整されて
一体化ユニツトを形成する。 上記基板42が取り付けられる画像情報読取装
置の主走査手段の光学系部材を配設する基体43
上に基準ゲージ44を予め位置決め固定してあ
る。そして該基準ゲージ44の直交する内側2面
に前記光源装置10を備えた基板42の2つの基
準面42X,42Yを突き当てて、基板42を基
体43にねじ固定すれば、光源装置10によるレ
ンズ光のピントおよび光軸は正確に設定される。 以上の如く調整設定された前記一体化ユニツト
の光源装置のうち、レーザ発生器SLは、放射線
画像形成装置におけるX線量低減や、高S/N比
の電気信号による高画質化や、読取速度の高速化
等を達成させるため、レーザ光の出力を増大して
使用される場合、半導体レーザ素子の寿命が短く
なる。このためレーザ発生器SLの交換を行う必
要があるが、その交換時に、ピント調整や光軸調
整や既設主走査手段の既設光学系との光軸合致調
整等を読取装置本体内で作業することは困難であ
る。 このため前記一体化ユニツトをなす光源装置1
0と基板42とを一体にして前記基板43から取
り外して、新規半導体レンズ素子を内蔵した交換
用光源装置を有する一体化ユニツトの基板42を
基体43上に設置し、基準ゲージ44に基準面4
2X,42Yを突き当ててX,Y方向の位置決め
したのち、基板42を基体43にねじ固定する。
このとき従来のユニツトと交換する新規ユニツト
間に光軸位置(x,y,z)に差異を生じないよ
う予め所定値になるよう各ユニツトを調整して共
通化しておくことが必要である。その一方法とし
て、調整済みの標準ユニツトと、基準ゲージ44
を含む基体43と同等の形状を有し、前遠方に光
検出器を備えた標準検査装置とを準備し、新規に
交換する一体化ユニツトを上記検査装置を用いて
標準ユニツトと同一寸法精度になるよう調整して
おけば、すべての光源装置の位置精度は共通化で
きる。このように予め共通化された新規の光源装
置を用いて、パワー低下した光源装置と交換すれ
ば、作業は迅速、確実に行なわれ精度維持も正確
である。そしてパワー低下した光源装置は内部の
レーザ発生器を新規のものと交換し、前記標準検
査装置により調整すれば、再び使用可能となる。 第4図は本考案による他の実施例を示すもの
で、基体43上の基準ゲージ44の代りに、基体
43上に2個の基準ピン45A,45Bを植設す
る。基板42には、上記基準ピン45Aに嵌合す
る基準穴42Aと、反対側の基準ピン45Bの回
動を規制するよう嵌合する長円形穴42Bとがあ
けられている。これらの2対のピンと穴によつて
基板42は基板43に対して着脱自在に取付可能
であり、かつ常に所定位置に設置されるから、光
源装置10の出射ビームの光軸は交換後も変らず
精度が維持できる。 第5図および第6図は本考案による更に他の実
施例による主走査手段の光学系の正面図および側
面図である。 これらの図において、前記レンズ発生器SLと
コリメートレンズCLとから成る光源装置10と、
該光源装置10の光ビーム出射方向前方に配置さ
れたビーム整形光学系(プリズムペア)19を保
持する取付台50とを基板51上に固設して、こ
れらを一体化ユニツトとした。 このように光源装置10、とビーム整形光学系
19とを一体化ユニツトに構成して、予め標準検
査装置を用いて標準寸法に調整・設定しておくこ
とにより、特に高精度を要する光源装置10とビ
ーム整形光学系19の相対位置を維持することが
可能で、レーザ発生器SLの交換時の作業も正確、
迅速、容易に遂行することができる。 第7図は本考案による更に他の実施例によるレ
ーザ光走査装置を用いた画像情報読取装置の主走
査光学系の一部を示す斜視図である。 本実施例では、光ビームをα,βで示すよう
に、2本使用する。これら2本の光ビームは、
各々別の独立したレーザ発生器SL1,SL2から
射出され、その各々がコリメートレンズCL1,
CL2でコリメート(平行光線ビーム)にされ、
これにより光ビームα,βを形成され、偏光ビー
ムスプリツタ60入射する。この偏光ビームスプ
リツタ60では、光ビームαはそこのハーフミラ
ー面を通過するように偏光を揃えられ、また光ビ
ームβは上記ハーフミラー面をほぼ直角に反射す
るよう偏光を揃えられる。そして、上記偏光ビー
ムスプリツタ60から出た光ビームα,βは、そ
の主光線が一致する(共軸となる)よう集束され
た光ビームとなり、前記主走査光学系により変換
パネル3の上面の主走査線a上の一点(一画素)
に集光される。即ち、両光ビームα,βの集合し
たパワーとなり、高エネルギーの励起光となるか
ら、変換パネル3上に励起される輝尽発光量は増
大し、画像読取精度の向上と高速処理が可能とな
る。 かかる複数の光ビームを共軸的集光させる場合
にも、上記複数のレーザ発生器SL1,SL2と、
複数のコリメートレンズCL1,DL2と、偏光ビ
ームスプリツタ60とを一つの基板61上に配置
し、一体化ユニツトに構成して交換着脱可能にす
れば、前述と同様にレーザ発生器交換時の作業性
と精度維持が容易、迅速、正確に行なわれる。 第8図は7図に示した例の変形例を示すもの
で、レーザ発生器SL1,SL2から射出した光ビ
ームを直接偏光ビームスプリツタ62で共軸とな
るよう集束・集光させ、そののちコリメートレン
ズCLによりコリメートさせるようにしたもので
ある。この例では、コリメートレンズCLを1個
にすることができる。この場合においても、上記
レーザ発生器SL1,SL2、偏光ビームスプリツ
タ62、コリメートレンズCLを一つの基板63
上に配設し一体化ユニツトに構成すれば、前述と
同様な効果が得られる。 なお、第7図、第8図はレーザ発生器を2個用
いた場合について示したが、レーザ発生器を3個
以上用いる場合もレーザ発生器、コリメートレン
ズ、偏光ビームスプリツタを1つの基板上に配置
し、一体化ユニツトとすることで前述と同様の効
果が得られる。
する。 第1図は本考案に係るレーザ光走査装置を用い
た放射線画像情報読み取り装置の光学系配置を示
す概略斜視図である。 輝尽性蛍光層を有する放射線画像情報変換パネ
ル3は、画像情報読取装置内の所定位置に設置さ
れている。そして読取装置の主走査系と読取系と
は一体となつて構成され直線方向移動可能になつ
ていて、変換パネル3と相対移動して副走査bが
行なわれる。10は励起光発生用の光源装置(半
導体レーザー装置)であつて半導体レーザ駆動回
路9によつてドライブされる。光源装置10の半
導体レーザー素子より発生したレーザービームL
は、コリメートレンズCL、ビーム整形光学系
(プリズムペア)19、アパーチヤ20、単色光
フイルタ21、第一ミラー22を経て振動ミラー
(ガルバノメーターミラー)23に達する。該振
動ミラー23は偏向器24によつて振動され、レ
ーザービームLを走査領域内に一定角速度で振動
偏向する。偏向器24は偏向器ドライバー25に
よつてドライブされる。偏向されたレーザービー
ムLはfθレンズ26によつて主走査線上で一定速
度となるよう調整され、第2ミラー27、第3ミ
ラー28、第4ミラー29を経て変換パネル3上
を矢印a方向に主走査する。変換パネル3は同時
に矢印b方向に相対移動し(副走査)、変換パネ
ル3の全面がラスタースキヤン走査される。 レーザービームLによつて走査されて変換パネ
ル3から発生する輝尽は、光フアイバー集合体3
0で集光され輝尽光の波長領域のみを通すフイル
タ31を通つて光電子増倍管32等の光電変換器
を備えた受光部に至りアナログ電気信号に変換さ
れる。光電子増倍管32から電流として出力され
た画像信号は電流−電圧変換増幅器33を通つて
電圧増幅され、更に発光強度信号を画像濃度信号
に変換するLog変換器34、画像クロツク信号に
同期して信号を一定期間維持するサンプルホール
ド回路35を通つた後、A/D変換器36によつ
てデジタル信号に変換されたのち、メモリー37
に貯えられる。メモリー35はデジタル演算等を
行うCPU38に接続されている。CPU38はイ
ンターフエース39を介して外部の機器例えばデ
ータを保存、加工するためのコンピユーター、画
像を出力するCPU表示装置やプリンタ等に連結
することができ、メモリーに貯えられたデータの
演算、転送を可能とする。 前記光源装置10は、そのハウジング内に後述
のレーザ発生器SLとコリメートレンズCLを内蔵
し、該ハウジングの背面には放熱器14が固定さ
れ、ハウジングの底面には取付台41を介して基
板42が固定されている。 第2図および第3図は本考案による光源装置ユ
ニツトの一実施例を示す斜視図および側断面図で
ある。 レーザ発生器SLは、半導体レーザ素子と、こ
れを収容する外装体であるパツケージと、該レー
ザ素子に電気的に接続され外部のレーザ発振器9
に接続するリード線等から構成されている。 上記レーザ発生器SLは、レーザーホルダ11
の中央の段付開口部に嵌入され、ピン11Aによ
り円周方向が位置決めされ、レーザーホルダ11
の段付部にパツケージのフランジ部が当接し後方
のスペーサ11Bによる支持と接着により光軸方
向が位置決めされ一体化される。この状態で前記
パツケージの中心軸(ビーム光軸)とレーザーホ
ルダ11の中心軸とはほぼ一致して固定されるこ
とになる。 レーザーホルダ11の一部には温度検出素子1
2たとえばサーミスタ等が内蔵され、またレーザ
ーホルダ11の背面には電子冷却素子、たとえば
ペルチエ素子13が密着して取付けられている。
更に該ペルチエ素子13の他の面にはヒートシン
ク等の放熱器14が取付けられている。 前記レーザーホルダ11は、断熱性を有する保
持部材15とそれぞれの中心軸が一致するように
嵌合、保持されている。該保持部材15は更にハ
ウジング本体16の内部に、各中心軸が一致する
ように嵌合、保持されている。前記放熱器14は
上記本体16にねじ固定される。 上記本体16の外周側面の一部は平面状にカツ
トされていて取付面16Aを形成している。該取
付面16Aは前記取付台40に当接しねじ固定さ
れる。ここで41は取付台40と本体16との各
穴に嵌合し位置決めする取付基準ピンである。 一方、前記レーザ発生器SLから出射した光ビ
ームをコリメートして平行光束にするコリメート
レンズCLは、レンズホルダ17内に嵌入され、
レンズ押え17Aにより固定されている。該レン
ズホルダ17は、マウント部材18とねじ嵌合し
ていて、ロツクナツト17Bにより固定可能にな
つている。コリメートレンズCLのピント調整は、
上記レンズホルダ17を回転させて微動させるこ
とによつて行なわれ、調整完了後にロツクナツト
17Bにより位置固定する。 コリメートレンズCLの光軸調整は、マウント
部材18を本体16の端面上で摺動させ、図示し
ない外方の検出器等により位置決めしたのち、本
体16にねじ固定する。 以上の如くピント調整と光軸調整され取付台4
0に固定された光源装置10は、基板42に位置
調整されたのちねじ固定される。ここで基板42
は前方基準面42Xと側方基準面42Yと上方基
準面42Zとを有し、一定の板厚に作られてい
る。前記取付台40はこれら3基準面に対し所定
の寸法を保ち、平行度が得られるよう設定された
のち固定される。かくしてレンズ発生器SL等を
収容した本体16と、コリメートレンズCLを収
容したマウント部材18等から成る光源装置10
は取付台40と共に基板42上に位置調整されて
一体化ユニツトを形成する。 上記基板42が取り付けられる画像情報読取装
置の主走査手段の光学系部材を配設する基体43
上に基準ゲージ44を予め位置決め固定してあ
る。そして該基準ゲージ44の直交する内側2面
に前記光源装置10を備えた基板42の2つの基
準面42X,42Yを突き当てて、基板42を基
体43にねじ固定すれば、光源装置10によるレ
ンズ光のピントおよび光軸は正確に設定される。 以上の如く調整設定された前記一体化ユニツト
の光源装置のうち、レーザ発生器SLは、放射線
画像形成装置におけるX線量低減や、高S/N比
の電気信号による高画質化や、読取速度の高速化
等を達成させるため、レーザ光の出力を増大して
使用される場合、半導体レーザ素子の寿命が短く
なる。このためレーザ発生器SLの交換を行う必
要があるが、その交換時に、ピント調整や光軸調
整や既設主走査手段の既設光学系との光軸合致調
整等を読取装置本体内で作業することは困難であ
る。 このため前記一体化ユニツトをなす光源装置1
0と基板42とを一体にして前記基板43から取
り外して、新規半導体レンズ素子を内蔵した交換
用光源装置を有する一体化ユニツトの基板42を
基体43上に設置し、基準ゲージ44に基準面4
2X,42Yを突き当ててX,Y方向の位置決め
したのち、基板42を基体43にねじ固定する。
このとき従来のユニツトと交換する新規ユニツト
間に光軸位置(x,y,z)に差異を生じないよ
う予め所定値になるよう各ユニツトを調整して共
通化しておくことが必要である。その一方法とし
て、調整済みの標準ユニツトと、基準ゲージ44
を含む基体43と同等の形状を有し、前遠方に光
検出器を備えた標準検査装置とを準備し、新規に
交換する一体化ユニツトを上記検査装置を用いて
標準ユニツトと同一寸法精度になるよう調整して
おけば、すべての光源装置の位置精度は共通化で
きる。このように予め共通化された新規の光源装
置を用いて、パワー低下した光源装置と交換すれ
ば、作業は迅速、確実に行なわれ精度維持も正確
である。そしてパワー低下した光源装置は内部の
レーザ発生器を新規のものと交換し、前記標準検
査装置により調整すれば、再び使用可能となる。 第4図は本考案による他の実施例を示すもの
で、基体43上の基準ゲージ44の代りに、基体
43上に2個の基準ピン45A,45Bを植設す
る。基板42には、上記基準ピン45Aに嵌合す
る基準穴42Aと、反対側の基準ピン45Bの回
動を規制するよう嵌合する長円形穴42Bとがあ
けられている。これらの2対のピンと穴によつて
基板42は基板43に対して着脱自在に取付可能
であり、かつ常に所定位置に設置されるから、光
源装置10の出射ビームの光軸は交換後も変らず
精度が維持できる。 第5図および第6図は本考案による更に他の実
施例による主走査手段の光学系の正面図および側
面図である。 これらの図において、前記レンズ発生器SLと
コリメートレンズCLとから成る光源装置10と、
該光源装置10の光ビーム出射方向前方に配置さ
れたビーム整形光学系(プリズムペア)19を保
持する取付台50とを基板51上に固設して、こ
れらを一体化ユニツトとした。 このように光源装置10、とビーム整形光学系
19とを一体化ユニツトに構成して、予め標準検
査装置を用いて標準寸法に調整・設定しておくこ
とにより、特に高精度を要する光源装置10とビ
ーム整形光学系19の相対位置を維持することが
可能で、レーザ発生器SLの交換時の作業も正確、
迅速、容易に遂行することができる。 第7図は本考案による更に他の実施例によるレ
ーザ光走査装置を用いた画像情報読取装置の主走
査光学系の一部を示す斜視図である。 本実施例では、光ビームをα,βで示すよう
に、2本使用する。これら2本の光ビームは、
各々別の独立したレーザ発生器SL1,SL2から
射出され、その各々がコリメートレンズCL1,
CL2でコリメート(平行光線ビーム)にされ、
これにより光ビームα,βを形成され、偏光ビー
ムスプリツタ60入射する。この偏光ビームスプ
リツタ60では、光ビームαはそこのハーフミラ
ー面を通過するように偏光を揃えられ、また光ビ
ームβは上記ハーフミラー面をほぼ直角に反射す
るよう偏光を揃えられる。そして、上記偏光ビー
ムスプリツタ60から出た光ビームα,βは、そ
の主光線が一致する(共軸となる)よう集束され
た光ビームとなり、前記主走査光学系により変換
パネル3の上面の主走査線a上の一点(一画素)
に集光される。即ち、両光ビームα,βの集合し
たパワーとなり、高エネルギーの励起光となるか
ら、変換パネル3上に励起される輝尽発光量は増
大し、画像読取精度の向上と高速処理が可能とな
る。 かかる複数の光ビームを共軸的集光させる場合
にも、上記複数のレーザ発生器SL1,SL2と、
複数のコリメートレンズCL1,DL2と、偏光ビ
ームスプリツタ60とを一つの基板61上に配置
し、一体化ユニツトに構成して交換着脱可能にす
れば、前述と同様にレーザ発生器交換時の作業性
と精度維持が容易、迅速、正確に行なわれる。 第8図は7図に示した例の変形例を示すもの
で、レーザ発生器SL1,SL2から射出した光ビ
ームを直接偏光ビームスプリツタ62で共軸とな
るよう集束・集光させ、そののちコリメートレン
ズCLによりコリメートさせるようにしたもので
ある。この例では、コリメートレンズCLを1個
にすることができる。この場合においても、上記
レーザ発生器SL1,SL2、偏光ビームスプリツ
タ62、コリメートレンズCLを一つの基板63
上に配設し一体化ユニツトに構成すれば、前述と
同様な効果が得られる。 なお、第7図、第8図はレーザ発生器を2個用
いた場合について示したが、レーザ発生器を3個
以上用いる場合もレーザ発生器、コリメートレン
ズ、偏光ビームスプリツタを1つの基板上に配置
し、一体化ユニツトとすることで前述と同様の効
果が得られる。
以上説明したように、半導体レーザの出力を増
大せしめたとき、これに伴う半導体レーザの寿命
短縮や信頼性低下に応じて、半導体レーザの交換
が頻繁になり、その都度、光学系配列の調整やピ
ント調整等の精度作業に高度の熟練と多大な時間
を要していたが、本考案によれば、消耗するレー
ザ発生器の位置決めと、関連する光学部材のアラ
イメントとを一体化ユニツトとして予め精密検査
装置を用い外部で調整済みとなし、交換時にこの
ユニツトを画像情報読取装置の基準位置に装着す
るのみで完了するから、誰でも容易、確実、迅速
に交換着脱することができ、直ちに読取操作を遂
行できる。また、消耗したレーザ発生器のみを新
規のものと交換し上記一体化ユニツトニ組込み上
記精密検査装置で再調整すれば、再び使用可能な
状態に復元するから、ユニツトのコストは最小限
で済む。
大せしめたとき、これに伴う半導体レーザの寿命
短縮や信頼性低下に応じて、半導体レーザの交換
が頻繁になり、その都度、光学系配列の調整やピ
ント調整等の精度作業に高度の熟練と多大な時間
を要していたが、本考案によれば、消耗するレー
ザ発生器の位置決めと、関連する光学部材のアラ
イメントとを一体化ユニツトとして予め精密検査
装置を用い外部で調整済みとなし、交換時にこの
ユニツトを画像情報読取装置の基準位置に装着す
るのみで完了するから、誰でも容易、確実、迅速
に交換着脱することができ、直ちに読取操作を遂
行できる。また、消耗したレーザ発生器のみを新
規のものと交換し上記一体化ユニツトニ組込み上
記精密検査装置で再調整すれば、再び使用可能な
状態に復元するから、ユニツトのコストは最小限
で済む。
第1図は本考案に係る放射線画像情報読取装置
の光学系配置を示す概略斜視図である。第2図お
よび第3図は本考案による光源装置ユニツトの一
実施例を示す斜視図および側断面図である。第4
図は本考案による他の実施例を示す光源装置ユニ
ツトの斜視図である。第5図および第6図は本考
案による更に他の実施例による主走査光学系の正
面図および側面図である。第7図および第8図は
本考案による更に他の実施例による光源装置ユニ
ツトの斜視図である。第9図は放射線画像情報読
取装置の構成図である。 3……放射線画像変換パネル、4……画像情報
読取装置、10……光源装置、16……ハウジン
グ本体、17……レンズホルダ、18……マウン
ト部材、19……ビーム整形光学系(プリズムペ
ア)、40,50……取付台、42,51,61,
63……取付台、43……基台、44……基準ゲ
ージ、45A,45B……基準ピン、60,62
……偏光ビームスプリツタ、CL,CL1,CL2
……コリメートレンズ、SL,SL1,SL2……レ
ーザ発生器。
の光学系配置を示す概略斜視図である。第2図お
よび第3図は本考案による光源装置ユニツトの一
実施例を示す斜視図および側断面図である。第4
図は本考案による他の実施例を示す光源装置ユニ
ツトの斜視図である。第5図および第6図は本考
案による更に他の実施例による主走査光学系の正
面図および側面図である。第7図および第8図は
本考案による更に他の実施例による光源装置ユニ
ツトの斜視図である。第9図は放射線画像情報読
取装置の構成図である。 3……放射線画像変換パネル、4……画像情報
読取装置、10……光源装置、16……ハウジン
グ本体、17……レンズホルダ、18……マウン
ト部材、19……ビーム整形光学系(プリズムペ
ア)、40,50……取付台、42,51,61,
63……取付台、43……基台、44……基準ゲ
ージ、45A,45B……基準ピン、60,62
……偏光ビームスプリツタ、CL,CL1,CL2
……コリメートレンズ、SL,SL1,SL2……レ
ーザ発生器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 走査面上を光源装置からのレーザ光により主
走査する主走査手段と、前記走査面を主走査方
向とほぼ直角な方向に相対的に移動させて副走
査する副走査手段とを有するレーザ光走査装置
において、前記主走査手段として、半導体レー
ザ素子を中央に配置し、この半導体レーザ素子
の照射側にコリメートレンズを回動自在のレー
ザ保持部材に嵌合して固定し、このレンズ保持
部材の外周に固定枠を備え、前記半導体レーザ
素子の保持部材に接して冷却部材を配置して光
源装置を構成し、この光源装置を保持する保持
部材が位置決め基準を設定した基板上に固定さ
れ、この光源装置を一体化ユニツトにするとと
もにこのユニツト内の基板上にビーム整形光学
系を配置したことを特徴とするレーザ光走査装
置。 (2) 前記光源装置を構成する複数の半導体レーザ
素子と、コリメートレンズと、該レーザ素子か
ら射出される複数の光ビームを集束させる偏光
ビームスプリツトとを、位置決め基準を有する
基板上に配設して、これらを一体化ユニツトに
なしたことを特徴とする実用新案登録請求の範
囲第1項記載のレーザ光走査装置。 (3) 前記一体化ユニツトの基板が前記主走査手段
の本体基準面に着脱可能であることを特徴とす
る実用新案登録請求の範囲第1項または第2項
に記載のレーザ光走査装置。 (4) 前記走査装置が放射線画像情報が蓄積記録さ
れた輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルであり、前記光源装置が、該光源装置のレ
ーザ光の励起光により主走査露光し、走査面の
放射線画像情報に応じた輝尽発光光を光検出器
により光電変換して画像情報を読み取る放射線
画像読取装置における励起光主走査手段の光源
装置であることを特徴とする実用新案登録請求
の範囲第1項ないし第3項のいずれか1項に記
載のレーザ光走査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986171187U JPH0446257Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1986171187U JPH0446257Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376817U JPS6376817U (ja) | 1988-05-21 |
JPH0446257Y2 true JPH0446257Y2 (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=31106587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1986171187U Expired JPH0446257Y2 (ja) | 1986-11-06 | 1986-11-06 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0446257Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028732B2 (ja) * | 1979-03-16 | 1985-07-06 | フオク・ウント・コムパニ− | 包み材および類似なものを熱密封する装置 |
JPS61175617A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028732U (ja) * | 1983-08-02 | 1985-02-26 | キヤノン株式会社 | レ−ザ走査光学装置 |
-
1986
- 1986-11-06 JP JP1986171187U patent/JPH0446257Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6028732B2 (ja) * | 1979-03-16 | 1985-07-06 | フオク・ウント・コムパニ− | 包み材および類似なものを熱密封する装置 |
JPS61175617A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-07 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6376817U (ja) | 1988-05-21 |
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