JPS61174680A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
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- JPS61174680A JPS61174680A JP60014220A JP1422085A JPS61174680A JP S61174680 A JPS61174680 A JP S61174680A JP 60014220 A JP60014220 A JP 60014220A JP 1422085 A JP1422085 A JP 1422085A JP S61174680 A JPS61174680 A JP S61174680A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/1035—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIIBV compounds
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体受光装置に係り、特に素子容量の低減に
好適な構造に関する。
好適な構造に関する。
従来、半導体受光装置の構造は種′々知られている。そ
の代表例として、ブレーナ型ホトダイオードを例にとり
、第１図を用いて説明する。
の代表例として、ブレーナ型ホトダイオードを例にとり
、第１図を用いて説明する。
第１図において、１はｎ型基板、２はｎ型光吸収層、３
はｎ型窓層、４はｐ型不純物を拡散した領域であり、ｎ
型窓層３のこの部分はｐ型に変換している。５は絶縁膜
、６はｐ電極で、７はその内のポンディングパッド部分
、８はｎ電極である。
はｎ型窓層、４はｐ型不純物を拡散した領域であり、ｎ
型窓層３のこの部分はｐ型に変換している。５は絶縁膜
、６はｐ電極で、７はその内のポンディングパッド部分
、８はｎ電極である。
通常はＰ電極６に−、ｎ電極８に十のバイアス電圧（逆
バイアス）を印加して使用する。
バイアス）を印加して使用する。
光通信システムにおいて、特に高速応答、広帯域幅、高
Ｓ／Ｎ比動作を実現するにあたって、半導体受光装置に
要求される主要な性能の１つに、素子容量の低減がある
。この素子容量の主成分は。
Ｓ／Ｎ比動作を実現するにあたって、半導体受光装置に
要求される主要な性能の１つに、素子容量の低減がある
。この素子容量の主成分は。
接合容量とポンディングパッド容量であり、本発明は、
後者の低減に関するものである。
後者の低減に関するものである。
第１図において、ポンディングパッド容量は、ｎ型窓層
３−絶縁膜５−Ｐ電極６中のポンディングパッド部分７
の間の容量である。ここで、絶縁膜５は、半導体表面の
パッシベーション、受光面の反射防止、電極と半導体と
の絶縁、等を目的とした１層または多層の膜であり、熱
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）＋スパッタ、プラズマＣＶＤ等の方法で形
成したＳ ｉ Ｎｘ。
３−絶縁膜５−Ｐ電極６中のポンディングパッド部分７
の間の容量である。ここで、絶縁膜５は、半導体表面の
パッシベーション、受光面の反射防止、電極と半導体と
の絶縁、等を目的とした１層または多層の膜であり、熱
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ ）＋スパッタ、プラズマＣＶＤ等の方法で形
成したＳ ｉ Ｎｘ。
ＳｉＯ２，Ｐ Ｓ Ｇ （Ｐｈｏｓｐｈｏｒ ５ｉｌｉ
ｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ） 。
ｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ） 。
ＡＱ□Ｏ１等の材料が用いられていた。たとえば、１９
８４年春季応用物理学会予稿集３１Ｐ−Ｌ−２，７Ｐ−
Ｉ−５等に公表されている。ポンディングパッド容量を
低減するには、■ポンディングパッド面積を小さくする
、■絶縁膜の誘電率を大きくする、■絶縁膜の厚みを大
きくする、という３つの方法があるが、これまで、いず
れの方法もあまり良い結果を得られなかった。すなわち
、■の方法は、ワイヤボンディング歩留との兼ね合いで
、あまりポンディングパッド面積を小さくできず、■の
方法は、上記絶縁膜の目的に合い、半導体および電極と
の密着性が良く、かつ誘電率が従来使用されていたもの
より小さい、という条件を満たす適当な材料が得られず
、■の方法は、従来の材料では、熱処理時の密着性劣化
、クラック発生等の問題があって、あまり厚い膜が得ら
れないという欠点があった。
８４年春季応用物理学会予稿集３１Ｐ−Ｌ−２，７Ｐ−
Ｉ−５等に公表されている。ポンディングパッド容量を
低減するには、■ポンディングパッド面積を小さくする
、■絶縁膜の誘電率を大きくする、■絶縁膜の厚みを大
きくする、という３つの方法があるが、これまで、いず
れの方法もあまり良い結果を得られなかった。すなわち
、■の方法は、ワイヤボンディング歩留との兼ね合いで
、あまりポンディングパッド面積を小さくできず、■の
方法は、上記絶縁膜の目的に合い、半導体および電極と
の密着性が良く、かつ誘電率が従来使用されていたもの
より小さい、という条件を満たす適当な材料が得られず
、■の方法は、従来の材料では、熱処理時の密着性劣化
、クラック発生等の問題があって、あまり厚い膜が得ら
れないという欠点があった。
例えば、有効受光径が１００μｍφの受光装置の素子容
量は約５ｐＦであり、ポンプイングツくラド容量がその
大半をしめてｔ）た。周波数特性側よ、負荷抵抗５０Ω
で約６００ＭＨｚ、Ｓ／Ｎ比を良くするために負荷抵抗
をＩＫΩにすると約３０Ｍ Ｈｚであり、高速応答、高
Ｓ／Ｎ比動作カヘ困難であった。
量は約５ｐＦであり、ポンプイングツくラド容量がその
大半をしめてｔ）た。周波数特性側よ、負荷抵抗５０Ω
で約６００ＭＨｚ、Ｓ／Ｎ比を良くするために負荷抵抗
をＩＫΩにすると約３０Ｍ Ｈｚであり、高速応答、高
Ｓ／Ｎ比動作カヘ困難であった。
本発明は、上記した従来の欠点をなくし、ポンディング
パッド容量が小さい半導体受光装置を、容易に形成でき
る構造を提供する事に目的力１ある。
パッド容量が小さい半導体受光装置を、容易に形成でき
る構造を提供する事に目的力１ある。
本発明の概要を第２図を用いて説明する。同図において
、２１はｎ型基板、２２はｎ型光吸収層、２３はｎ型窓
層、２４はｐ型不純物を拡散した領域であり、ｎ型窓層
２３のこの部分はｐ型番こ変換している。２５は従来の
１層または多層の絶縁膜（第１絶縁膜）、２６はｎ電極
で、２７はその内のポンディングパッド部分；２８はｎ
電極である。
、２１はｎ型基板、２２はｎ型光吸収層、２３はｎ型窓
層、２４はｐ型不純物を拡散した領域であり、ｎ型窓層
２３のこの部分はｐ型番こ変換している。２５は従来の
１層または多層の絶縁膜（第１絶縁膜）、２６はｎ電極
で、２７はその内のポンディングパッド部分；２８はｎ
電極である。
２９は耐熱性樹脂材料を用いた第２絶縁膜である。
本発明において、ポンディングパッド容量の低減は、第
２絶縁膜２９を新たに付加し、膜厚の増加を企る事によ
って行なう。樹脂材料は、容易に数μｍの膜厚を被着で
きるため、ポンディングパッド容量の大幅な低減が実現
できる。ここで、第２絶縁膜２９には、ＳｉＯ，等の樹
脂材料以外の層を含んでいても良く、耐熱性樹脂材料層
は、１種または数種の材料からなる層が、１層でも複数
層でも良い、また、第２絶縁膜の厚みが十分厚ければ、
第１絶縁膜２５が無くても容量低減効果があ゛る事がわ
かる。すなわち、第１および第２絶縁膜２５．２９をい
っしょにして、最低限度１種の耐熱性絶縁膜が１層だけ
あれば、容量低減の効果は得られるという事である。さ
らに、第２絶縁膜２９は、第１絶縁膜２５上の全面にあ
る必要はなく、ｎ電極２６の下のみまたはそのポンディ
ングパッド部分２７の下のみにあっても、容量低減効果
がある。
２絶縁膜２９を新たに付加し、膜厚の増加を企る事によ
って行なう。樹脂材料は、容易に数μｍの膜厚を被着で
きるため、ポンディングパッド容量の大幅な低減が実現
できる。ここで、第２絶縁膜２９には、ＳｉＯ，等の樹
脂材料以外の層を含んでいても良く、耐熱性樹脂材料層
は、１種または数種の材料からなる層が、１層でも複数
層でも良い、また、第２絶縁膜の厚みが十分厚ければ、
第１絶縁膜２５が無くても容量低減効果があ゛る事がわ
かる。すなわち、第１および第２絶縁膜２５．２９をい
っしょにして、最低限度１種の耐熱性絶縁膜が１層だけ
あれば、容量低減の効果は得られるという事である。さ
らに、第２絶縁膜２９は、第１絶縁膜２５上の全面にあ
る必要はなく、ｎ電極２６の下のみまたはそのポンディ
ングパッド部分２７の下のみにあっても、容量低減効果
がある。
なお、本発明で用いる樹脂材料は゛、素子の信頼性およ
び作製歩留から、耐熱性である事が望ましい、この様な
耐熱性樹脂材料の例としては、ＰＩ樹脂（Ｐｏｌｙｉｍ
ｉｄｅ １ｓｏｉｎｄｏｌｏｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｅｄ
ｉｏｎｅポリイミドイソインドロキナゾリンジオン）、
ポリイミド、シリコーン、エポキシとフェノールとの混
合物、等があり、加工性、取り扱い、コスト等の要求に
応じて使い分けできる。なお、上記の内、特に耐熱性の
点では、ＰＩ樹脂とポリイミド樹脂とが優れている。
び作製歩留から、耐熱性である事が望ましい、この様な
耐熱性樹脂材料の例としては、ＰＩ樹脂（Ｐｏｌｙｉｍ
ｉｄｅ １ｓｏｉｎｄｏｌｏｑｕｉｎａｚｏｌｉｎｅｄ
ｉｏｎｅポリイミドイソインドロキナゾリンジオン）、
ポリイミド、シリコーン、エポキシとフェノールとの混
合物、等があり、加工性、取り扱い、コスト等の要求に
応じて使い分けできる。なお、上記の内、特に耐熱性の
点では、ＰＩ樹脂とポリイミド樹脂とが優れている。
以下、本発明を実施例をもって詳細に説明する。
実施例１
第３図を用いて説明する６ｎ型ＩｎＰ基板（Ｓｎドープ
、ｌＸ１０”ａｍ弓）４１上に溶液成長法により、ｎ型
層ｎＰ層（バッファ一層）５０を１．ｕｍ、ｎ型層 ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層（光吸収層）４２を１．５μｍ
、ｎ型層ｎＰ層（窓層）４３を２μｍ、ｎ型層 ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐ 層（キャップ層）５１を０．２μｍ
、いずれもアンドープで連続成長した。
、ｌＸ１０”ａｍ弓）４１上に溶液成長法により、ｎ型
層ｎＰ層（バッファ一層）５０を１．ｕｍ、ｎ型層 ｎ
Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ層（光吸収層）４２を１．５μｍ
、ｎ型層ｎＰ層（窓層）４３を２μｍ、ｎ型層 ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐ 層（キャップ層）５１を０．２μｍ
、いずれもアンドープで連続成長した。
成長後、ｎ型層５１および４３に、Ｚｎ拡散によつて円
型のｐ型変換域４４を形成した。その後、ｎ型層５上上
に第１絶縁膜４５として、プラズマＣＶＤ法によるＳ
ｉｚＮ＊ （０，１μｍ）、熱ＣＶＤ法によるＰＳＧ
（０，１５ｐｍ）／Ｓｉｎ、（０，２５μｍ）の３層膜
を被着し、第２絶縁膜４９としてＰＩ樹脂（３，５μｍ
） を被着した。ホトリソグラフィにより、ｐ型変換域
４４の内側で絶縁膜４５および４９にリング状のコンタ
クト穴をあけた後、ポンディングパッド部分４７を含む
ｐ電極４６を形成した。後、Ｐ電極４６の下以外の部分
の第２絶縁膜４９を除去した。また、基板４１側にはｎ
電極４８を形成した。この後、６００μｍ角に切断し、
ステムにダイボンディング、ワイヤボンディングを行な
って受光ダイオードとした。
型のｐ型変換域４４を形成した。その後、ｎ型層５上上
に第１絶縁膜４５として、プラズマＣＶＤ法によるＳ
ｉｚＮ＊ （０，１μｍ）、熱ＣＶＤ法によるＰＳＧ
（０，１５ｐｍ）／Ｓｉｎ、（０，２５μｍ）の３層膜
を被着し、第２絶縁膜４９としてＰＩ樹脂（３，５μｍ
） を被着した。ホトリソグラフィにより、ｐ型変換域
４４の内側で絶縁膜４５および４９にリング状のコンタ
クト穴をあけた後、ポンディングパッド部分４７を含む
ｐ電極４６を形成した。後、Ｐ電極４６の下以外の部分
の第２絶縁膜４９を除去した。また、基板４１側にはｎ
電極４８を形成した。この後、６００μｍ角に切断し、
ステムにダイボンディング、ワイヤボンディングを行な
って受光ダイオードとした。
電極４６および４８に逆バイアスを印加したところ、電
圧１０Ｖにおいて、素子容量１．５ ｐ Ｆ を得た
。この値は、同一パターンで、第２絶縁膜４９を省いた
構造（従来構造）での値５ｐＦに比べて−以下であり、
はとんど接合容量のみになつた。また、周波数特性にお
いても、従来では６００ＭＨｚだったのが、本実施例で
は２ＧＨｚとなり、格段の改善が得られた。一方、他の
素子特性、例えば暗電流、逆耐圧、量子効率、信頼性試
験等に関しては、従来構造の素子と同等であり、本発明
が非常に有効である事を示している。また、本構造にお
いて、バッファ一層５０およびキャップ層４５を省いて
も、同様の効果があった。特にキャップ層４５は、一度
成長した後、その１部または全部を取り除いても同様の
効果が得られた。
圧１０Ｖにおいて、素子容量１．５ ｐ Ｆ を得た
。この値は、同一パターンで、第２絶縁膜４９を省いた
構造（従来構造）での値５ｐＦに比べて−以下であり、
はとんど接合容量のみになつた。また、周波数特性にお
いても、従来では６００ＭＨｚだったのが、本実施例で
は２ＧＨｚとなり、格段の改善が得られた。一方、他の
素子特性、例えば暗電流、逆耐圧、量子効率、信頼性試
験等に関しては、従来構造の素子と同等であり、本発明
が非常に有効である事を示している。また、本構造にお
いて、バッファ一層５０およびキャップ層４５を省いて
も、同様の効果があった。特にキャップ層４５は、一度
成長した後、その１部または全部を取り除いても同様の
効果が得られた。
実施例２
第４図を用いて説明する０本実施例の構造および製作方
法は、第２絶縁膜４９において、ｐ電極４６の下以外の
部分を除去する工程をはぶき、ｎ型層７１上およびｐ型
変換層４４上に全面残したままにした点を除き、実施例
１と同じである０本構造の受光ダイオードの素子容量を
測定した所、実施例１と同様の良好な効果を得た。ただ
し、他の主要特性中ただ一点、量子効率のみが従来構造
の値よりも約１０％低下した。しかし、製作工程が簡易
な事から、製造コスト面で有利である事がわかった。し
たがって、本構造も有用である。
法は、第２絶縁膜４９において、ｐ電極４６の下以外の
部分を除去する工程をはぶき、ｎ型層７１上およびｐ型
変換層４４上に全面残したままにした点を除き、実施例
１と同じである０本構造の受光ダイオードの素子容量を
測定した所、実施例１と同様の良好な効果を得た。ただ
し、他の主要特性中ただ一点、量子効率のみが従来構造
の値よりも約１０％低下した。しかし、製作工程が簡易
な事から、製造コスト面で有利である事がわかった。し
たがって、本構造も有用である。
実施例３
第３図および第４図の構造において、第２絶縁膜４９に
用いたＰＩ樹脂の膜厚をパラメータとして変えて、検討
を行なった。その結果、膜厚が０．１μｍないし１０μ
ｍでは、素子容量は５ＰＦないし１．２ｐＦ であり、
ポンディングパッド部分の容量は、絶縁膜の厚さの逆数
に対して、はぼリニアに変化した。したがって１本発明
によらない構造の素子容量５ｐＦに比較して、著しい容
量の低減が行なえた。しかし、膜厚が０．１μｍないし
０．５μｍでは、効果がまだ不十分であり、また７μｍ
以上では、エツジの形状制御がむずかしくなって電極の
不連続が生じやすく、また容量低減率もあまり伸びない
。したがって、耐熱性樹脂膜厚としては、０．５μｍか
ら７μｍの間が、最も良好な範囲である。
用いたＰＩ樹脂の膜厚をパラメータとして変えて、検討
を行なった。その結果、膜厚が０．１μｍないし１０μ
ｍでは、素子容量は５ＰＦないし１．２ｐＦ であり、
ポンディングパッド部分の容量は、絶縁膜の厚さの逆数
に対して、はぼリニアに変化した。したがって１本発明
によらない構造の素子容量５ｐＦに比較して、著しい容
量の低減が行なえた。しかし、膜厚が０．１μｍないし
０．５μｍでは、効果がまだ不十分であり、また７μｍ
以上では、エツジの形状制御がむずかしくなって電極の
不連続が生じやすく、また容量低減率もあまり伸びない
。したがって、耐熱性樹脂膜厚としては、０．５μｍか
ら７μｍの間が、最も良好な範囲である。
以上説明した様に、本発明によれば、絶縁膜の厚膜化が
可能なため、素子特性および組立歩留を損なう事なく、
ポンディングパッド容量ひいては素子容量を低減できる
。したがって、高速応答、広帯域幅、Ｓ／Ｎ比動作が可
能な半導体受光装置を、歩留り良く製産する上で、多大
な効果がある。
可能なため、素子特性および組立歩留を損なう事なく、
ポンディングパッド容量ひいては素子容量を低減できる
。したがって、高速応答、広帯域幅、Ｓ／Ｎ比動作が可
能な半導体受光装置を、歩留り良く製産する上で、多大
な効果がある。
本発明の効果は、実施例の他に、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ
、Ｉ ｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ、Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｎ Ａ ｓ等の組合せ、およ
び他の■−■族化合物の組合せ、Ｓｉ、Ｇｅ等でも同様
である。また、素子構造においても＋ ｐｉｎ型ホトダ
イオード、アバランシェホトダイオード、ホトダイオー
ドとＦＥＴとを組合せた受光０ＥＩＣ、ホトダイオード
と発光素子とを組合せたモニター付発光素子等、またプ
レーナ型とメサ型等、本発明の概念を変更しない範囲に
おいて、実施例にとられれる事なく、変更しても良い、
また、ｐおよびｎの導伝型を実施例と全く逆にしたり、
半導体層の省略および追加等を行なったりしても良い事
は当然である。製作方法においても１例えばｐ−ｎ接合
を成長接合する等、変更しても良い。また、モノリシッ
ク受光０ＥＩＣのごとく、ポンディングパッドが受光素
子部分に無く、他部分への配線が出ている場合でも良い
、この結果、本発明の構造により、信頼性の高い半導体
受光装置を安価に製造できる。これらの受光装置は、光
通信、計測、その他の分野への応用が可能であり、本発
明は工業上、経済上極めて有用である。
、Ｉ ｎＰ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ、Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｎ Ａ ｓ等の組合せ、およ
び他の■−■族化合物の組合せ、Ｓｉ、Ｇｅ等でも同様
である。また、素子構造においても＋ ｐｉｎ型ホトダ
イオード、アバランシェホトダイオード、ホトダイオー
ドとＦＥＴとを組合せた受光０ＥＩＣ、ホトダイオード
と発光素子とを組合せたモニター付発光素子等、またプ
レーナ型とメサ型等、本発明の概念を変更しない範囲に
おいて、実施例にとられれる事なく、変更しても良い、
また、ｐおよびｎの導伝型を実施例と全く逆にしたり、
半導体層の省略および追加等を行なったりしても良い事
は当然である。製作方法においても１例えばｐ−ｎ接合
を成長接合する等、変更しても良い。また、モノリシッ
ク受光０ＥＩＣのごとく、ポンディングパッドが受光素
子部分に無く、他部分への配線が出ている場合でも良い
、この結果、本発明の構造により、信頼性の高い半導体
受光装置を安価に製造できる。これらの受光装置は、光
通信、計測、その他の分野への応用が可能であり、本発
明は工業上、経済上極めて有用である。
第１図は従来素子の縦断面図、第２図、第３図および第
４図は本発明の受光装置の縦断面図である。
４図は本発明の受光装置の縦断面図である。
Claims (1)
- １、ｐ型またはｎ型の伝導型を持つ少なくとも１つの第
１の半導体層と、該第１の半導体層と異なる伝導型を持
つ少なくとも１つの第２の半導体層とが接触しており、
該接触部の少なくとも１部と該第１および第２の半導体
層の少なくとも１部に接触する絶縁物層があり、該絶縁
物層上の少なくとも１部に金属層があり、該金属層は該
第１の半導体層と接触している構造において、該絶縁物
層の少なくとも１部は少なくとも耐熱性樹脂材料からな
る事を特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014220A JPS61174680A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60014220A JPS61174680A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174680A true JPS61174680A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11854991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60014220A Pending JPS61174680A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174680A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323950U (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-12 | ||
| JP2008021725A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Hamamatsu Photonics Kk | アバランシェホトダイオード |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124277A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Nec Corp | Semiconductor photodetector |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP60014220A patent/JPS61174680A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55124277A (en) * | 1979-03-19 | 1980-09-25 | Nec Corp | Semiconductor photodetector |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0323950U (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-12 | ||
| JP2008021725A (ja) * | 2006-07-11 | 2008-01-31 | Hamamatsu Photonics Kk | アバランシェホトダイオード |
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