JPS61174590A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPS61174590A JPS61174590A JP60015006A JP1500685A JPS61174590A JP S61174590 A JPS61174590 A JP S61174590A JP 60015006 A JP60015006 A JP 60015006A JP 1500685 A JP1500685 A JP 1500685A JP S61174590 A JPS61174590 A JP S61174590A
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- Japan
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- film
- crystal display
- display device
- silicon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、液晶と液晶駆動用電極の各画素ごとに、液
晶と直列にリンをドープし次シリコン醗化膜、シリコン
チッ化膜を非線形抵抗素子として形成し友液晶表示装置
に関する。
晶と直列にリンをドープし次シリコン醗化膜、シリコン
チッ化膜を非線形抵抗素子として形成し友液晶表示装置
に関する。
この発明は、液晶と液晶駆動用電極の各画素ごとに液晶
と直列に非線形抵抗素子を接続したドツトマトリクス液
晶表示装置において、リンをドーグしたシリコン酸化膜
、ま几はリンをドープし交シリコン窒化膜、ま几はリン
全ドープしたシリコン酸化窒化膜であり、かつ原子組成
比０ ／ １３１ ＝ｘ ＊Ｎ／５ｉ＝ｙがそｎぞれ（
Ｌ１≦２≦１．９，０．１≦、≦１．３である膜を非線
形抵抗膜として用いることによシ、駆動電圧全低下させ
、表示むら、クロストークを減少させ、画素欠陥発生率
を減少させ、製造歩留りを同上させるようにし次もので
ある。
と直列に非線形抵抗素子を接続したドツトマトリクス液
晶表示装置において、リンをドーグしたシリコン酸化膜
、ま几はリンをドープし交シリコン窒化膜、ま几はリン
全ドープしたシリコン酸化窒化膜であり、かつ原子組成
比０ ／ １３１ ＝ｘ ＊Ｎ／５ｉ＝ｙがそｎぞれ（
Ｌ１≦２≦１．９，０．１≦、≦１．３である膜を非線
形抵抗膜として用いることによシ、駆動電圧全低下させ
、表示むら、クロストークを減少させ、画素欠陥発生率
を減少させ、製造歩留りを同上させるようにし次もので
ある。
小型、軽量、低消費電力の表示装置として液晶表示装置
が実用化されてき友。近年この攬の表示装置の表示情報
量増大化を計る目的で、ＺｎＯバリスターや金属−絶縁
膜−金属構造からなるＭＩＭ型非線形抵抗素子による液
晶表示装置が研究されてき友。本発明は上記従来例とは
異なシ、非線形素子として、導体−半導電性絶縁膜（以
後ＳＣエ−−−−−°Ｓｅｍ１ ｃｏｎａｕｃｔ１ｖｅ
工ｎ５ｕｌａｔｏｒと記す〕−導体からなる新規液晶表
示装置である。
が実用化されてき友。近年この攬の表示装置の表示情報
量増大化を計る目的で、ＺｎＯバリスターや金属−絶縁
膜−金属構造からなるＭＩＭ型非線形抵抗素子による液
晶表示装置が研究されてき友。本発明は上記従来例とは
異なシ、非線形素子として、導体−半導電性絶縁膜（以
後ＳＣエ−−−−−°Ｓｅｍ１ ｃｏｎａｕｃｔ１ｖｅ
工ｎ５ｕｌａｔｏｒと記す〕−導体からなる新規液晶表
示装置である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第２図は非線形抵抗素子を用いｔ従来から仰らｆＬ几液
晶ドツトマトリクス表示パネルのＸ−Ｙマトリクスパネ
ル回路図である。第２図の２１は行電極群、２２は列電
極群であり、通常おのおの２２００本から１０００本形
成する。Ｘ電極とＹ電極の又互恵には、液晶２３と非線
形抵抗素子２４が形成さｎる。この種の液晶駆動はマル
チプレックス駆動とよばれる方式で行なわる。第３図は
８０１膜を便つ九この種の液晶表示装置の縦断面図を示
し、導体−日Ｃニー導体構造からなる非線形抵抗膜を使
った一画素について示す。第３図の３１．５２はそれぞ
れ上下透明基板、３３は液晶層、３４は透明導電膜、で
あシＸ電極群、３７はメタル電極であすｙｌｌ極群を形
成し、３６は非線形抵抗膜Ｓａｒ、３ｓは透明導電膜で
ある。第４図は従来の一画素の等価回路図であり、ＱＬ
Ｏ・・・液晶の容量、ＲＬＯ・・・液晶の抵抗、ＣＩ
・・・非線形抵抗膜の容量、ＲＸ ・・・非線形抵抗膜
の抵抗をそｎぞれ示し、抵抗ＲＸ は電圧に対して非線
形性を有する。
晶ドツトマトリクス表示パネルのＸ−Ｙマトリクスパネ
ル回路図である。第２図の２１は行電極群、２２は列電
極群であり、通常おのおの２２００本から１０００本形
成する。Ｘ電極とＹ電極の又互恵には、液晶２３と非線
形抵抗素子２４が形成さｎる。この種の液晶駆動はマル
チプレックス駆動とよばれる方式で行なわる。第３図は
８０１膜を便つ九この種の液晶表示装置の縦断面図を示
し、導体−日Ｃニー導体構造からなる非線形抵抗膜を使
った一画素について示す。第３図の３１．５２はそれぞ
れ上下透明基板、３３は液晶層、３４は透明導電膜、で
あシＸ電極群、３７はメタル電極であすｙｌｌ極群を形
成し、３６は非線形抵抗膜Ｓａｒ、３ｓは透明導電膜で
ある。第４図は従来の一画素の等価回路図であり、ＱＬ
Ｏ・・・液晶の容量、ＲＬＯ・・・液晶の抵抗、ＣＩ
・・・非線形抵抗膜の容量、ＲＸ ・・・非線形抵抗膜
の抵抗をそｎぞれ示し、抵抗ＲＸ は電圧に対して非線
形性を有する。
この種のパネルは通常号〜メバイアス駆動法とよばれる
方法で駆動するが、このとき、上記液晶の抵抗ＲＬσ、
液晶の容量ＱＬＯ，非線形抵抗素子ＲＺ。
方法で駆動するが、このとき、上記液晶の抵抗ＲＬσ、
液晶の容量ＱＬＯ，非線形抵抗素子ＲＺ。
非線形抵抗素子の容量０１ に制約条件が発生する。
すなわち、ＣＬａ／（３ｘ 比は２以上のできるだけ
大きいこと、Ｗ；４図のＡＢ間に印加さｎる電圧ＶＯＰ
に対して、およそＲＬｏ ／ １００ （Ｒｒ （Ｖｏ
ｐ） （１００ＲＬＯであること、Ｒ１は電圧に対して
できるだけ急峻に変化すること、駆動電圧を低下させる
定めにはＲＸ は低電圧で急峻に変化することである。
大きいこと、Ｗ；４図のＡＢ間に印加さｎる電圧ＶＯＰ
に対して、およそＲＬｏ ／ １００ （Ｒｒ （Ｖｏ
ｐ） （１００ＲＬＯであること、Ｒ１は電圧に対して
できるだけ急峻に変化すること、駆動電圧を低下させる
定めにはＲＸ は低電圧で急峻に変化することである。
ま次第３図のメタル電極３７と画素電極３５の重シ部分
にＳＣＩ膜３６が存在するが、この部分でのショート、
メタルを極３７のエツジ断差部のブレークダウンが発生
しやすく、製造コストが高くなつｔｏ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、非線形抵抗膜であるｓｅ工膜として、リン全
ドープし几シリコン酸化膜またにシリコンチッ化膜を用
いることによシ、抵抗値が、リンをドープしないｓｃｘ
ｇｉｉに対して２ケタ以下の抵抗値であシしかも非線形
性が大きいａＣＸ膜を作成し次。
にＳＣＩ膜３６が存在するが、この部分でのショート、
メタルを極３７のエツジ断差部のブレークダウンが発生
しやすく、製造コストが高くなつｔｏ 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、非線形抵抗膜であるｓｅ工膜として、リン全
ドープし几シリコン酸化膜またにシリコンチッ化膜を用
いることによシ、抵抗値が、リンをドープしないｓｃｘ
ｇｉｉに対して２ケタ以下の抵抗値であシしかも非線形
性が大きいａＣＸ膜を作成し次。
前述のごとく、本発明はリント−１のａａ工膜使用によ
シ、重なり部分のｓａｒ膜厚が、１０００スから１μｍ
の厚さで形成することにより、容量ＱＺが従来の１／１
０以下とすることができる。そのために、駆動電圧Ｖｏ
ｐ？低下させることができると同時に、１画素の表示状
態が、他の画素の表示状態力島らの影響を無くすること
がでる。さらに、ＳＣＣ腹膜膜厚が厚い友めにダストに
よるショート、電極エツジ部のブレークダウンを減少さ
せることができる。
シ、重なり部分のｓａｒ膜厚が、１０００スから１μｍ
の厚さで形成することにより、容量ＱＺが従来の１／１
０以下とすることができる。そのために、駆動電圧Ｖｏ
ｐ？低下させることができると同時に、１画素の表示状
態が、他の画素の表示状態力島らの影響を無くすること
がでる。さらに、ＳＣＣ腹膜膜厚が厚い友めにダストに
よるショート、電極エツジ部のブレークダウンを減少さ
せることができる。
次に本発明による液晶表示装置について、実施例にもと
づいて詳細に説明する。第１図（ａ）は不発明によるリ
ンドープＢＯ工膜を用いた液晶表示装置の下側基板の斜
視図である。基板１はガラス、電極２は、金属クロム電
極であり、スパッターによって膜厚約１０００＾をパタ
ーニングし、電極巾約５０μｍで５００本形成しＸ電極
群とした。
づいて詳細に説明する。第１図（ａ）は不発明によるリ
ンドープＢＯ工膜を用いた液晶表示装置の下側基板の斜
視図である。基板１はガラス、電極２は、金属クロム電
極であり、スパッターによって膜厚約１０００＾をパタ
ーニングし、電極巾約５０μｍで５００本形成しＸ電極
群とした。
第１図（ａ）の３は、ＭＢ工膜であり、プラズマＣＶＤ
法によシ、シランガスとホスフィンガスと亜酸化窒素ガ
スによって、基板温度３００℃で約１５μｍの厚さに形
成した。第１図（ａ）の４は画素透明電極であり、スパ
ッターによってインジウムスズ酸化膜（ｘＴｏ）２約５
ｏｏＸ形成し、次にバターニングを行って、５００μｍ
×８００μｍの画素電極を形成した。第１図（ａ）では
省略し几が、この上に液晶層、Ｙ電極を形成し友上側基
板が構成される。第１図（ａ）の部分５に非線形抵抗素
子が形成されておシ、構造は、金属電極０ｖ−８Ｃ工膜
−透明導電電極構造である。第１図（ｂ）は、第１図（
ａ）の５のＢＣＩ膜を使った非線形抵抗素子の抵抗対電
圧特性含水すグラフであり、第１図（ｂ）のグラフＡが
、リンをドープした本発明によるＳＯＸ膜の特性、グラ
フＢがリン全ドープしない通常のＳＣＣ層膜膜厚１００
０Ａの抵抗対電圧特性である。８０工膜°のリンのドー
プ量は、プラズマＣＶＤにおけるシランガスとホスフィ
ンガスの流量比で決定され、本発明においては流量比０
．１％〜１％で作成した。
法によシ、シランガスとホスフィンガスと亜酸化窒素ガ
スによって、基板温度３００℃で約１５μｍの厚さに形
成した。第１図（ａ）の４は画素透明電極であり、スパ
ッターによってインジウムスズ酸化膜（ｘＴｏ）２約５
ｏｏＸ形成し、次にバターニングを行って、５００μｍ
×８００μｍの画素電極を形成した。第１図（ａ）では
省略し几が、この上に液晶層、Ｙ電極を形成し友上側基
板が構成される。第１図（ａ）の部分５に非線形抵抗素
子が形成されておシ、構造は、金属電極０ｖ−８Ｃ工膜
−透明導電電極構造である。第１図（ｂ）は、第１図（
ａ）の５のＢＣＩ膜を使った非線形抵抗素子の抵抗対電
圧特性含水すグラフであり、第１図（ｂ）のグラフＡが
、リンをドープした本発明によるＳＯＸ膜の特性、グラ
フＢがリン全ドープしない通常のＳＣＣ層膜膜厚１００
０Ａの抵抗対電圧特性である。８０工膜°のリンのドー
プ量は、プラズマＣＶＤにおけるシランガスとホスフィ
ンガスの流量比で決定され、本発明においては流量比０
．１％〜１％で作成した。
第１図（句より明らかに、リン全ドープしたＳａ工膜は
ドープしない８Ｃ工膜よりも抵抗値が下シ、非線形性が
同上していることがわかる。第１図（ｃ）は本発明によ
るＳＣＣ層膜電流対電圧特性を示すグラフであり、第１
図（Ｃ）のグラフＡがリンをドープし７２ｓｃ工膜、グ
ラフＢがト°−プしないＳＣＣ層膜ある。非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置において、液晶層に対して直流
電圧が印加されると液晶と電極間で電気化学的な反応が
起き、急速に液晶が劣化し寿命を短くする。こｆＬヲ防
止する友めに、非線形抵抗素子は印加電圧の極性に対し
て対称な電流電圧特性が必要である。本発明のリンをド
ープしたＳＣＣ層膜、リン全ドープしない場合でも同様
であるが、Ｃｖ−８ＣＩ−工ＴＯの非対称な構造である
にもかかわらず、電気的な特性はすぐｆ１次対称性金有
する。このことは、ＳＣＣ層膜非線形性はショットキー
電流ではないことが理解できる。第１図（１）） 、
（０）より、８Ｃ工膜の抵抗値が、リン全ドープするこ
とによシ低下し、さらに非線形性が同上する。そのため
に、基本的に電荷注入容量保持動作である本方式表示装
置においては非線形素子の抵抗値が低下することは液晶
パネル駆動の電圧を下げることを意味する。第１図（ａ
）の構造で、リンをドープ量ｆｌ−８ＣＩ膜を用いて下
１ｌｌｌｘ′ｗＬ極群と上側Ｙ電極群をそｎぞれ５００
ライン形成し、駆動電圧１０〜１５ポルト、１Ａバイア
ス電圧平均化法によるマルチプレックス駆動を行つ九と
ころ、コントラスト比１０：１以上、クロストーク、表
示状態によって影響をうけやすい表示むらが全くない良
好な表示状態を示した。また非線形抵抗素子のショート
、およびブレークダウンによる画素欠陥発生ｙＩＡは従
来の１／１０ 以下に減少した。
ドープしない８Ｃ工膜よりも抵抗値が下シ、非線形性が
同上していることがわかる。第１図（ｃ）は本発明によ
るＳＣＣ層膜電流対電圧特性を示すグラフであり、第１
図（Ｃ）のグラフＡがリンをドープし７２ｓｃ工膜、グ
ラフＢがト°−プしないＳＣＣ層膜ある。非線形抵抗素
子を用いた液晶表示装置において、液晶層に対して直流
電圧が印加されると液晶と電極間で電気化学的な反応が
起き、急速に液晶が劣化し寿命を短くする。こｆＬヲ防
止する友めに、非線形抵抗素子は印加電圧の極性に対し
て対称な電流電圧特性が必要である。本発明のリンをド
ープしたＳＣＣ層膜、リン全ドープしない場合でも同様
であるが、Ｃｖ−８ＣＩ−工ＴＯの非対称な構造である
にもかかわらず、電気的な特性はすぐｆ１次対称性金有
する。このことは、ＳＣＣ層膜非線形性はショットキー
電流ではないことが理解できる。第１図（１）） 、
（０）より、８Ｃ工膜の抵抗値が、リン全ドープするこ
とによシ低下し、さらに非線形性が同上する。そのため
に、基本的に電荷注入容量保持動作である本方式表示装
置においては非線形素子の抵抗値が低下することは液晶
パネル駆動の電圧を下げることを意味する。第１図（ａ
）の構造で、リンをドープ量ｆｌ−８ＣＩ膜を用いて下
１ｌｌｌｘ′ｗＬ極群と上側Ｙ電極群をそｎぞれ５００
ライン形成し、駆動電圧１０〜１５ポルト、１Ａバイア
ス電圧平均化法によるマルチプレックス駆動を行つ九と
ころ、コントラスト比１０：１以上、クロストーク、表
示状態によって影響をうけやすい表示むらが全くない良
好な表示状態を示した。また非線形抵抗素子のショート
、およびブレークダウンによる画素欠陥発生ｙＩＡは従
来の１／１０ 以下に減少した。
なお、本発明による８０Ｉ膜は、第１図（ｄ）で示し几
ように、表示画面全面に設けている。これはＳＯＸ膜が
透明の場合である。本発明者の実験結果によれば、酸化
膜の場合にシランガスと亜酸化窒素ガスの流量比′ｌｉ
ｔ：ｆえて、８ＯＮ膜中のシリコンと酸素の原子組成比
０／５ｉ＝ｘ″ｉ［１５以上、窒化膜の場合は、シラン
ガスとアンモニアガスまた扛窒素ガスの流量比を変え、
ＳＣＣ腹膜中シリコンと窒素の原子組成比Ｎ ／ Ｂ
ｉ ＝ ｙを１６以上とすることによシ、ＳＣＣ層膜光
学的バンドギャップが２．５ｅＶ以上となシ、町視元領
域において透明となる。ｘくα５．、（０，６の場合は
、第１図（、）の非線形抵抗素子部５のみ５ａｘ２残し
、他の画素部はフォトエツチングによって画素電極４′
ｆｔ形成する前に選択エッチを行って除去すれば良い。
ように、表示画面全面に設けている。これはＳＯＸ膜が
透明の場合である。本発明者の実験結果によれば、酸化
膜の場合にシランガスと亜酸化窒素ガスの流量比′ｌｉ
ｔ：ｆえて、８ＯＮ膜中のシリコンと酸素の原子組成比
０／５ｉ＝ｘ″ｉ［１５以上、窒化膜の場合は、シラン
ガスとアンモニアガスまた扛窒素ガスの流量比を変え、
ＳＣＣ腹膜中シリコンと窒素の原子組成比Ｎ ／ Ｂ
ｉ ＝ ｙを１６以上とすることによシ、ＳＣＣ層膜光
学的バンドギャップが２．５ｅＶ以上となシ、町視元領
域において透明となる。ｘくα５．、（０，６の場合は
、第１図（、）の非線形抵抗素子部５のみ５ａｘ２残し
、他の画素部はフォトエツチングによって画素電極４′
ｆｔ形成する前に選択エッチを行って除去すれば良い。
シリコン酸化チッ化膜の場合も同様である。
ま几プラズマＣｖＤ法によって作成した本発明によるリ
ンドープＳａ工膜中には、波数２１００３″ふきんに赤
外吸収ドープがみられ、膜中に５ｉ−Ｈボンドが存在し
、濃度は約１０”／ｅｆ１１ 混入している。
ンドープＳａ工膜中には、波数２１００３″ふきんに赤
外吸収ドープがみられ、膜中に５ｉ−Ｈボンドが存在し
、濃度は約１０”／ｅｆ１１ 混入している。
不発明の実施例においてＳａ工脱膜作成法プラズマＯＶ
Ｄ法によって行つ次が、こｎを同様のガスを用いて、Ｏ
ＶＤ法、スパッター法、光ＯＶＤ法によって製膜するこ
とができる。
Ｄ法によって行つ次が、こｎを同様のガスを用いて、Ｏ
ＶＤ法、スパッター法、光ＯＶＤ法によって製膜するこ
とができる。
以上述べてきたように不発明によるリンをドープしたシ
リコン酸化膜またはシリコン窒化膜、シリコン酸化窒化
膜は、膜厚（Ｌ５μｍで従来以下の抵抗値含水し、しか
も非線形係数が大きく、その九めにａｔ、ｏｌａｘ
沈金従来の５倍以上とることができ、その結果駆動電圧
が低下し、クロストーク、表示むらが減少し、さらに、
ｓａｒ膜厚が（Ｌ５μｍと厚いために非線形抵抗素子部
のショートが減少し製造歩留シが同上し、製造コストが
大巾に低下するという丁ぐれた効果を有する。
リコン酸化膜またはシリコン窒化膜、シリコン酸化窒化
膜は、膜厚（Ｌ５μｍで従来以下の抵抗値含水し、しか
も非線形係数が大きく、その九めにａｔ、ｏｌａｘ
沈金従来の５倍以上とることができ、その結果駆動電圧
が低下し、クロストーク、表示むらが減少し、さらに、
ｓａｒ膜厚が（Ｌ５μｍと厚いために非線形抵抗素子部
のショートが減少し製造歩留シが同上し、製造コストが
大巾に低下するという丁ぐれた効果を有する。
第１図（ｔＬ）は不発明による液晶表示装置の一実施例
であり、下側基板の電極構造を示す斜視図、第１図（ｂ
）は、本発明による液晶表示装置の、リンをドーグした
Ｓａ工膜とドープしないＳＣＣ腹膜抵抗対電圧特性を示
すグラフ、第１図（０）は本発明による液晶表示装置の
、リンをドーズしたＳａＩ膜とドープしないＳＣＣ腹膜
電流対電圧特性含水すグラフ、第２図は従来から知られ
た非線形抵抗素子を用い友液晶ドツトマトリクスパネル
の向路図、第３図は非線形抵抗素子としてＳＣＣ腹膜用
いた液晶パネルの縦断面図、第４図は従来の非線抵抗素
子を用いたときの旨画素の等価回路図をそれぞれ示す。 下側基板・・・１，３２ 上側基板・・・３１電極°
”・２，３７ 画素電極・・・４．３５上側透明
電極・・・３４ 液晶・・・３３ＢＯ工膜・・・３，
３６ 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 弔ｌ凶（Ｃ） 従来の４１轍形お４し１シと用いｒｃ
Ｓ ＣＩと１史書Ｌｋ東晶長示炭晶炙示便１の回路口
装置の町命図第２図
第３図 ＣＬＣＣｔ 従来の一＆素の回路口 第４図
であり、下側基板の電極構造を示す斜視図、第１図（ｂ
）は、本発明による液晶表示装置の、リンをドーグした
Ｓａ工膜とドープしないＳＣＣ腹膜抵抗対電圧特性を示
すグラフ、第１図（０）は本発明による液晶表示装置の
、リンをドーズしたＳａＩ膜とドープしないＳＣＣ腹膜
電流対電圧特性含水すグラフ、第２図は従来から知られ
た非線形抵抗素子を用い友液晶ドツトマトリクスパネル
の向路図、第３図は非線形抵抗素子としてＳＣＣ腹膜用
いた液晶パネルの縦断面図、第４図は従来の非線抵抗素
子を用いたときの旨画素の等価回路図をそれぞれ示す。 下側基板・・・１，３２ 上側基板・・・３１電極°
”・２，３７ 画素電極・・・４．３５上側透明
電極・・・３４ 液晶・・・３３ＢＯ工膜・・・３，
３６ 以 上 出願人 セイコー電子工業株式会社 弔ｌ凶（Ｃ） 従来の４１轍形お４し１シと用いｒｃ
Ｓ ＣＩと１史書Ｌｋ東晶長示炭晶炙示便１の回路口
装置の町命図第２図
第３図 ＣＬＣＣｔ 従来の一＆素の回路口 第４図
Claims (4)
- （１）２枚の対向する基板、該基板間に挾持された液晶
層、液晶駆動用電極、少なくとも一方の基板の各画素の
液晶と液晶駆動用電極間に設けた非線形抵抗膜などから
なる液晶表示装置において、前記非線形抵抗膜を構成す
る原子は、少くなくともシリコン、酸素、リンからなる
シリコン酸化膜であり、前記シリコンと酸素の原子組成
比Ｏ／Ｓｉ＝ｘは、０．１≦ｘ≦１．９であることを特
徴とする液晶表示装置。 - （２）非線形抵抗膜を構成する原子は、すくなくともシ
リコン、チッ素、リンからなるシリコンチッ化膜であり
、前記シリコンとチッ素の原子組成比Ｎ／Ｓｉ＝ｙは、
０．１≦ｙ≦１．５であることを特徴とする特許請求範
囲第１項記載の液晶表示装置。 - （３）非線形抵抗膜を構成する原子は、すくなくとも、
シリコン、酸素、チッ素、リンからなるシリコン酸化チ
ッ化膜であることを特徴とする特許請求範囲第１項記載
の液晶表示装置。 - （４）非線形抵抗膜は、すくなくとも水素を含有するこ
とを特徴とする特許請求範囲第１項から第３項までいず
れか記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015006A JPS61174590A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015006A JPS61174590A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174590A true JPS61174590A (ja) | 1986-08-06 |
| JPH0574829B2 JPH0574829B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=11876803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015006A Granted JPS61174590A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174590A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562689B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60015006A patent/JPS61174590A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562689B1 (en) | 2000-04-14 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
| US6576978B2 (en) * | 2000-04-14 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Use of non-ion-implanted resistive silicon oxynitride films as resistors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574829B2 (ja) | 1993-10-19 |
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Legal Events
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| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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