JPS61169703A - 位置検出装置 - Google Patents
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- JPS61169703A JPS61169703A JP986685A JP986685A JPS61169703A JP S61169703 A JPS61169703 A JP S61169703A JP 986685 A JP986685 A JP 986685A JP 986685 A JP986685 A JP 986685A JP S61169703 A JPS61169703 A JP S61169703A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/26—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light
- G01D5/32—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light
- G01D5/34—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells
- G01D5/347—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable characterised by optical transfer means, i.e. using infrared, visible, or ultraviolet light with attenuation or whole or partial obturation of beams of light the beams of light being detected by photocells using displacement encoding scales
- G01D5/34707—Scales; Discs, e.g. fixation, fabrication, compensation
- G01D5/34715—Scale reading or illumination devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は位置゛検出装置に関し、特に特定方向からの入
射光に対して指向性を持たせた位置検出装置に関する。
射光に対して指向性を持たせた位置検出装置に関する。
近年の半導体技術の進歩により、受光部が半導体受光素
子を複数個直線状に配列して成る所謂ラインイメージセ
ンサが普及しつつあり、その応用分野もかなり広（、各
方面での実用化がなされている。
子を複数個直線状に配列して成る所謂ラインイメージセ
ンサが普及しつつあり、その応用分野もかなり広（、各
方面での実用化がなされている。
ところで、前記ラインイメージセンサは正確な計測を行
なう上で、その受光部を構成する複数個の半導体受光素
子の各々が夫々所定の方向からの光の有無を確実に検出
することが必要である。しかし前記ラインイメージセン
サの各受光素子は、一般に基板上に略平面状に形成され
ており、特定方向からの光に対して特に指向性を有する
構成とはなっていないので、反射、屈折及び回り込み光
等の雑音要因となる光が入射しやすく、従来よりＳ／Ｎ
比の向上等の観点からこのような光に対する対策が切望
されていた。
なう上で、その受光部を構成する複数個の半導体受光素
子の各々が夫々所定の方向からの光の有無を確実に検出
することが必要である。しかし前記ラインイメージセン
サの各受光素子は、一般に基板上に略平面状に形成され
ており、特定方向からの光に対して特に指向性を有する
構成とはなっていないので、反射、屈折及び回り込み光
等の雑音要因となる光が入射しやすく、従来よりＳ／Ｎ
比の向上等の観点からこのような光に対する対策が切望
されていた。
［発明の目的］
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、その目的とす
るところは、特定方向以外からの光の入射防止機能を向
上した受光部を用いた位置検出装置を提供することにあ
る。
るところは、特定方向以外からの光の入射防止機能を向
上した受光部を用いた位置検出装置を提供することにあ
る。
［発明の概要］
上記目的を達成するため、この発明は、光を検出する受
光部の受光面に溝を形成し、溝の底面以外を覆う遮光部
材を設けたことを要旨とする。
光部の受光面に溝を形成し、溝の底面以外を覆う遮光部
材を設けたことを要旨とする。
［発明の実施例］
以下、図面を用いてこの発明の詳細な説明する。 第１
図及び第２図は、本発明に係る半導体受光素子を回転セ
ンサに適用した場合の一例を示ずもので、第１図は回転
センサの送光部及び受光部の概略を示す断面図、第２図
は第１図に示す受光部の平面図である。
図及び第２図は、本発明に係る半導体受光素子を回転セ
ンサに適用した場合の一例を示ずもので、第１図は回転
センサの送光部及び受光部の概略を示す断面図、第２図
は第１図に示す受光部の平面図である。
第１図において、１は発光ダイオード、３は回転を検出
すべき検出対象物に同期して回転する回転スリット板、
５はこの回転スリット板に設けられたスリット、７は発
光ダイオード１に対して回転スリット板３をはさんで配
設される受光部である。発光ダイオード１は回転スリッ
ト板３を介して受光部７に光を供給する。回転スリット
板３は所定のピッチで連続的に刻み込まれたスリット５
を有し、回転時には発光ダイオード１からの光の受光部
７への供給を透過遮断するものである。
すべき検出対象物に同期して回転する回転スリット板、
５はこの回転スリット板に設けられたスリット、７は発
光ダイオード１に対して回転スリット板３をはさんで配
設される受光部である。発光ダイオード１は回転スリッ
ト板３を介して受光部７に光を供給する。回転スリット
板３は所定のピッチで連続的に刻み込まれたスリット５
を有し、回転時には発光ダイオード１からの光の受光部
７への供給を透過遮断するものである。
受光部７は後述するバイポーラプロセスにより形成され
、スリット５を透過した発光ダイオード１からの光を検
出して、検出した光を電気信号に変換するホトダイオー
ドが例えば４個ライン状に配列されている。ホトダイオ
ード９ａ〜９ｄは、Ｐ型シリコン基板１９上のＰ＋素子
分離拡散領域１７により分離されたｎエピタキシャル層
１１８〜１１ｄに掘り込んだ台形状の溝に形成され、Ｐ
型シリコン基板１９及びＰ＋素子分離拡散領域１７とｎ
エピタキシャル層１１８〜ｌｌｄとの間にＰＮ接合を成
している。また、前記溝の底面を除く受光部７の表面全
体が、光を吸収する例えば黒化した光吸収膜１３により
被われている。すなわち、前記ホトダイオード９８〜９
ｄは、前記溝の長方形状の底面を受光面とし、この受光
面に入射した光だけを検出して受光信号を発生する。な
お、前記光吸収膜１３としては、同一機能を達成すべく
、他に光を反射する例えば光反射性の金属で形成された
光反射膜を用いてもよい。
、スリット５を透過した発光ダイオード１からの光を検
出して、検出した光を電気信号に変換するホトダイオー
ドが例えば４個ライン状に配列されている。ホトダイオ
ード９ａ〜９ｄは、Ｐ型シリコン基板１９上のＰ＋素子
分離拡散領域１７により分離されたｎエピタキシャル層
１１８〜１１ｄに掘り込んだ台形状の溝に形成され、Ｐ
型シリコン基板１９及びＰ＋素子分離拡散領域１７とｎ
エピタキシャル層１１８〜ｌｌｄとの間にＰＮ接合を成
している。また、前記溝の底面を除く受光部７の表面全
体が、光を吸収する例えば黒化した光吸収膜１３により
被われている。すなわち、前記ホトダイオード９８〜９
ｄは、前記溝の長方形状の底面を受光面とし、この受光
面に入射した光だけを検出して受光信号を発生する。な
お、前記光吸収膜１３としては、同一機能を達成すべく
、他に光を反射する例えば光反射性の金属で形成された
光反射膜を用いてもよい。
そして、例えば回転スリット板３が第１図に示す位置に
ある場合にあっては、スリット５の真下に位置するホト
ダイオード９ｂ、９ｃには発光ダイオード１から照射さ
れる光が入射する一方、ホトダイオード９ａ 、９ｄは
回転スリット板３により発光ダイオード１から照射され
る光が遮断されるとともに、例えば前記溝が、幅２０μ
ｍ、深さ５μｍ、側面の傾斜角度５４．７°で形成され
ていると、約１０７°以上の入射角を有する回り込み光
等の雑音の要因となる光も前記光吸収膜１３により吸収
され、ホトダイオード９ａ 、９ｄの受光面には当たら
ない。すなわち、回転スリット板３により発光ダイオー
ド１から照射される光が遮られる部分に位置するホトダ
イオードは、その受光面に入射する回り込み光等の入射
角が約１０７°以内に限られるため、回り込み光等が発
生しても、光を検出していない状態所謂ＯＦＦ状態とな
りうる。光を検出したホトダイオードは、その出力信号
がカソード端子２３ａ〜２３ｄを介して抵抗等により電
圧変換され、受光信号を発生する。
ある場合にあっては、スリット５の真下に位置するホト
ダイオード９ｂ、９ｃには発光ダイオード１から照射さ
れる光が入射する一方、ホトダイオード９ａ 、９ｄは
回転スリット板３により発光ダイオード１から照射され
る光が遮断されるとともに、例えば前記溝が、幅２０μ
ｍ、深さ５μｍ、側面の傾斜角度５４．７°で形成され
ていると、約１０７°以上の入射角を有する回り込み光
等の雑音の要因となる光も前記光吸収膜１３により吸収
され、ホトダイオード９ａ 、９ｄの受光面には当たら
ない。すなわち、回転スリット板３により発光ダイオー
ド１から照射される光が遮られる部分に位置するホトダ
イオードは、その受光面に入射する回り込み光等の入射
角が約１０７°以内に限られるため、回り込み光等が発
生しても、光を検出していない状態所謂ＯＦＦ状態とな
りうる。光を検出したホトダイオードは、その出力信号
がカソード端子２３ａ〜２３ｄを介して抵抗等により電
圧変換され、受光信号を発生する。
また前記ホトダイオード９８〜９ｄのアノード端子２１
は、アースに接続されている。
は、アースに接続されている。
又、このような溝（幅２０μ園、深さ５μ腸、側面の傾
斜角度５７．４°）とすると、前記光反射膜を用いても
不要な反射光が受光面に到達することはなく、かつ上部
からの光は溝の側面で反射され、受光面に到達するため
、ホトダイオードとしての感度が向上する。
斜角度５７．４°）とすると、前記光反射膜を用いても
不要な反射光が受光面に到達することはなく、かつ上部
からの光は溝の側面で反射され、受光面に到達するため
、ホトダイオードとしての感度が向上する。
ここで、前記ホトダイオード９ａ〜９ｄの形成工程を説
明する。バイポーラプロセスによりＰ型シリコン基板１
９の上に例えば厚さ１２μｍ、比抵抗２０Ｃ−のｎエピ
タキシャル層１１ａ〜１１ｄを成長させ、そのｎエピタ
キシャル層１１ａ〜１１ｄにＢＢｒ３を被着させ内部へ
埋込み拡散することによりＰ＋素子分離拡散領域１７を
形成し、ＰＯＣｆＬ：＋を被着させることによりｎエミ
ッタ拡散領域２５ａ〜２５ｄを形成する。次に減圧Ｃ■
ＤでＳ！３Ｎ４膜を被着させ、溝を掘る部分を除去し、
この５ｉ３Ｎ４１１１をマスクにしてフィールド酸化膜
をエツチングする。さらに、例えば３ｉエツチング液で
溝を掘り、ＳｉＯ２膜１５膜形５し、コンタクトエツチ
ング、Ａｎ蒸着及びパターニングを行ない、反射膜とし
てＡｎを用いる場合にはパターニングにおいて形成し、
ＰＳＧを被着してパッドのエツチングを行なう。また吸
収膜１３を形成する場合にはレジストを塗布し、バター
ニングを行なった後イオン注入で黒化させ工程を完了す
る。
明する。バイポーラプロセスによりＰ型シリコン基板１
９の上に例えば厚さ１２μｍ、比抵抗２０Ｃ−のｎエピ
タキシャル層１１ａ〜１１ｄを成長させ、そのｎエピタ
キシャル層１１ａ〜１１ｄにＢＢｒ３を被着させ内部へ
埋込み拡散することによりＰ＋素子分離拡散領域１７を
形成し、ＰＯＣｆＬ：＋を被着させることによりｎエミ
ッタ拡散領域２５ａ〜２５ｄを形成する。次に減圧Ｃ■
ＤでＳ！３Ｎ４膜を被着させ、溝を掘る部分を除去し、
この５ｉ３Ｎ４１１１をマスクにしてフィールド酸化膜
をエツチングする。さらに、例えば３ｉエツチング液で
溝を掘り、ＳｉＯ２膜１５膜形５し、コンタクトエツチ
ング、Ａｎ蒸着及びパターニングを行ない、反射膜とし
てＡｎを用いる場合にはパターニングにおいて形成し、
ＰＳＧを被着してパッドのエツチングを行なう。また吸
収膜１３を形成する場合にはレジストを塗布し、バター
ニングを行なった後イオン注入で黒化させ工程を完了す
る。
第３図は、ホトダイオード９８〜９ｄが発生する受光信
号を受けて回転方向信号と回転パルス信号を得る回路の
一例を示すものである。同図において、Ｄ型フリップフ
ロップ回路３１のＤ入力端子及びＣＫ端子は、任意の隣
り合う溝に形成された夫々のホトダイオードの出力する
受光信号が供給されている。Ｄ型ノリツブフロップ回路
３１は、そのＣＫ端子に供給される受光信号の立ち上り
に同期して、Ｄ型入内端子に供給される信号のレベルを
Ｑ出力端子から回転方向信号として出力する。
号を受けて回転方向信号と回転パルス信号を得る回路の
一例を示すものである。同図において、Ｄ型フリップフ
ロップ回路３１のＤ入力端子及びＣＫ端子は、任意の隣
り合う溝に形成された夫々のホトダイオードの出力する
受光信号が供給されている。Ｄ型ノリツブフロップ回路
３１は、そのＣＫ端子に供給される受光信号の立ち上り
に同期して、Ｄ型入内端子に供給される信号のレベルを
Ｑ出力端子から回転方向信号として出力する。
■ツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３は、ホトダ
イオードの出力する受光信号を受け、その受光信号の立
ち上りでトリガされ、ワンショットパルス信号をオア回
路３５に供給する。オア回路３５は、夫々のエツジトリ
が単安定マルチバイブレータ３３が出力するワンショッ
トパルス信号の論理和をとり、回転パルス信号を発生す
る。
イオードの出力する受光信号を受け、その受光信号の立
ち上りでトリガされ、ワンショットパルス信号をオア回
路３５に供給する。オア回路３５は、夫々のエツジトリ
が単安定マルチバイブレータ３３が出力するワンショッ
トパルス信号の論理和をとり、回転パルス信号を発生す
る。
次にこの実施例の作用を説明する。
発光ダイオード１と受光部７を固定し、・回転スリット
板３が検出対象物の回転に同期して回転すると、スリッ
ト５を介して発光ダイオード１から受光部７に照射され
る光の帯が、前記回転スリット板３の回転方向と同じ方
向に移動するとともに、ホトダイオード９ａ〜９ｄはス
リット５の移動に同期して光を検出する。前記スリット
５を介して発光ダイオード１から照射される光を検出し
たホトダイオードは、光電流を発生しその光電流を抵抗
等により電圧変換し受光信号を出力する。
板３が検出対象物の回転に同期して回転すると、スリッ
ト５を介して発光ダイオード１から受光部７に照射され
る光の帯が、前記回転スリット板３の回転方向と同じ方
向に移動するとともに、ホトダイオード９ａ〜９ｄはス
リット５の移動に同期して光を検出する。前記スリット
５を介して発光ダイオード１から照射される光を検出し
たホトダイオードは、光電流を発生しその光電流を抵抗
等により電圧変換し受光信号を出力する。
第４図に夫々のホトダイオード９８〜９ｄが出力する受
光信号（Ａ）〜（Ｄ）の−例を示す。夫々の受光信号は
エツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３に入力し、
このエツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３は、受
光信号の立ち上がりを検出すると同時にワンショットパ
ルス信号をオア回路３５に供給する。オア回路３５は夫
々のエツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３が出力
するワンショットパルス信号を受は論理和をとり、例え
ば第４図（Ｅ）に示す回転パルス信号を発生する。また
、Ｄ型フリップフロップ回路３１は、そのＣＫ端子に受
光信号が入力することにより、そのＱ端子から回転方向
信号を出力する。
光信号（Ａ）〜（Ｄ）の−例を示す。夫々の受光信号は
エツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３に入力し、
このエツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３は、受
光信号の立ち上がりを検出すると同時にワンショットパ
ルス信号をオア回路３５に供給する。オア回路３５は夫
々のエツジトリガ単安定マルチバイブレータ３３が出力
するワンショットパルス信号を受は論理和をとり、例え
ば第４図（Ｅ）に示す回転パルス信号を発生する。また
、Ｄ型フリップフロップ回路３１は、そのＣＫ端子に受
光信号が入力することにより、そのＱ端子から回転方向
信号を出力する。
第５図はこの発明の他の実施例を示すものである。この
実施例は、第１図に示す実施例においては１つの例えば
ホトダイオード９ａの受光面を１つの溝の底面とした代
りに、前記溝と同一形状の複数個例えば２個の溝のそれ
ぞれの底面２７ａ。
実施例は、第１図に示す実施例においては１つの例えば
ホトダイオード９ａの受光面を１つの溝の底面とした代
りに、前記溝と同一形状の複数個例えば２個の溝のそれ
ぞれの底面２７ａ。
２７８′を１個当りのホトダイオード９ａの受光面とし
たものであり、その他の構成は第１図の構成と同じであ
る。
たものであり、その他の構成は第１図の構成と同じであ
る。
このような構成とすることにより、受光面２７ａ、２７
ａ’に光が入射したときにホトダイオード９ａが受光状
態と判断することで指向性を向上できることに加えて、
１つの例えばホトダイオード９ａが複数の受光面２７ａ
、２７ａ’ を有することで、入射光に対して感度を向
上することができる。
ａ’に光が入射したときにホトダイオード９ａが受光状
態と判断することで指向性を向上できることに加えて、
１つの例えばホトダイオード９ａが複数の受光面２７ａ
、２７ａ’ を有することで、入射光に対して感度を向
上することができる。
以上の実施例においては、エピタキシャル層に溝を掘り
、ホトダイオードを形成しているため、Ｐ形シリコン基
板１９とエピタキシャル層１１ａ〜１１ｄとのＰＮ接合
面から受光面までのエピタキシャル層が薄（なり、ホト
ダイオードとしての感度が向上するという効果も得られ
る。
、ホトダイオードを形成しているため、Ｐ形シリコン基
板１９とエピタキシャル層１１ａ〜１１ｄとのＰＮ接合
面から受光面までのエピタキシャル層が薄（なり、ホト
ダイオードとしての感度が向上するという効果も得られ
る。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によれば、光を検出する
受光部の周囲に、特定以外の方向に対して所定幅を有す
る光遮断手段を設け、特定方向からの光に対して特に鋭
い指向性を有することとしたため、特定方向以外からの
雑音要因となる光の入射を防止することができるととも
に、光信号を正確に検出することができる。その結果、
Ｓ／Ｎ比の向上を実現することができる。
受光部の周囲に、特定以外の方向に対して所定幅を有す
る光遮断手段を設け、特定方向からの光に対して特に鋭
い指向性を有することとしたため、特定方向以外からの
雑音要因となる光の入射を防止することができるととも
に、光信号を正確に検出することができる。その結果、
Ｓ／Ｎ比の向上を実現することができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は第
１図の一部平面図、第３図は回転方向信号及び回転パル
ス信号を得る一回路図、第４図は第３図の動作タイムチ
ャート、第５図はこの発明の他の実施例を示す一部概略
図である。 （図の主要な部分を現わす符号の説明）１・・・発光ダ
イオード ３・・・回転スリット板７・・・受光部 ９８〜９ｄ・・・ホトダイオード ３１・・・Ｄ型フリップ７０ツブ回路 ３３・・・エツジトリガ単安定マルチバイブレータ３５
・・・オア回路 特許出願人 日産自動車株式会社第１図 第２図 第５図
１図の一部平面図、第３図は回転方向信号及び回転パル
ス信号を得る一回路図、第４図は第３図の動作タイムチ
ャート、第５図はこの発明の他の実施例を示す一部概略
図である。 （図の主要な部分を現わす符号の説明）１・・・発光ダ
イオード ３・・・回転スリット板７・・・受光部 ９８〜９ｄ・・・ホトダイオード ３１・・・Ｄ型フリップ７０ツブ回路 ３３・・・エツジトリガ単安定マルチバイブレータ３５
・・・オア回路 特許出願人 日産自動車株式会社第１図 第２図 第５図
Claims (1)
- 光を送出する送光部と、光を検出する受光部と、前記送
光部から受光部への光を透過あるいは遮断する透過、遮
断部材を有し、前記受光部で検出される光の有無により
前記透過、遮断部材の位置を検出する位置検出装置にお
いて、前記受光部の受光面に溝を形成し、溝の底面以外
を覆う遮光部材を設けた事を特徴とする位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP986685A JPS61169703A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP986685A JPS61169703A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169703A true JPS61169703A (ja) | 1986-07-31 |
Family
ID=11732060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP986685A Pending JPS61169703A (ja) | 1985-01-24 | 1985-01-24 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61169703A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007043521A1 (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | エンコーダ及びエンコーダ用受光装置 |
| US7544925B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Encoder including rotating member, light source device and photodetecting device including a scale having photodetecting elements arranged thereon |
-
1985
- 1985-01-24 JP JP986685A patent/JPS61169703A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007043521A1 (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | エンコーダ及びエンコーダ用受光装置 |
| JPWO2007043521A1 (ja) * | 2005-10-13 | 2009-04-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | エンコーダ及びエンコーダ用受光装置 |
| US8044340B2 (en) | 2005-10-13 | 2011-10-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Encoder and light receiving device for encoder |
| JP2012185175A (ja) * | 2005-10-13 | 2012-09-27 | Hamamatsu Photonics Kk | エンコーダ |
| JP5068542B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2012-11-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | エンコーダ |
| US7544925B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-06-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Encoder including rotating member, light source device and photodetecting device including a scale having photodetecting elements arranged thereon |
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