JPS61168435A - ウエ−ハの研磨方法 - Google Patents
ウエ−ハの研磨方法Info
- Publication number
- JPS61168435A JPS61168435A JP683285A JP683285A JPS61168435A JP S61168435 A JPS61168435 A JP S61168435A JP 683285 A JP683285 A JP 683285A JP 683285 A JP683285 A JP 683285A JP S61168435 A JPS61168435 A JP S61168435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- polishing
- polished
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P25/00—Auxiliary treatment of workpieces, before or during machining operations, to facilitate the action of the tool or the attainment of a desired final condition of the work, e.g. relief of internal stress
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は磁気メモリを形成する基板１例えば、ＧＧＧ基
板（以下、ウェーハと呼ぶ）製造に係るウェーハの研磨
方法に関する。
板（以下、ウェーハと呼ぶ）製造に係るウェーハの研磨
方法に関する。
バブルメモリ媒体に係るＧＧＧ （Ｇｄ３ Ｇａ５０１
２）ウェーハは、液相エピタキシアル成長法で引き上げ
られた例えば３吋径結晶のインゴツト材をスライスカッ
トして厚さが例えば５００μｍの薄片にされる。そして
、前記カットされたウェーハ薄片の両面は超精密研磨盤
を用い鏡面研磨（ポリッシュ研磨）がされる。
２）ウェーハは、液相エピタキシアル成長法で引き上げ
られた例えば３吋径結晶のインゴツト材をスライスカッ
トして厚さが例えば５００μｍの薄片にされる。そして
、前記カットされたウェーハ薄片の両面は超精密研磨盤
を用い鏡面研磨（ポリッシュ研磨）がされる。
本発明は係るポリッシュ研磨時、先にラップ研削された
加工歪により均一な研磨が出来ず、これを改善すべくウ
ェーハの平行平面性を維持せしめるー・研磨手段につい
て提示されたものである。
加工歪により均一な研磨が出来ず、これを改善すべくウ
ェーハの平行平面性を維持せしめるー・研磨手段につい
て提示されたものである。
従来、前記超精密研磨盤を用いて行う非接着取付は方式
ウェーハの研磨方法を、第２図のウェーハ装着せる研磨
盤の部分的断面図により説明する。
ウェーハの研磨方法を、第２図のウェーハ装着せる研磨
盤の部分的断面図により説明する。
身；２図の断面図において、１０は装着になるＧＧＧ組
成の厚さ５００μｍ程度のウェーハ、１１はウェーハ１
０の周辺面を保持するウェーハ固定の枠組体。
成の厚さ５００μｍ程度のウェーハ、１１はウェーハ１
０の周辺面を保持するウェーハ固定の枠組体。
１２は枠組体内ウェーハに研磨圧力を加える主測定盤、
及び１３は回転する研磨盤側で盤面にはポリッシュ用布
が張着される。
及び１３は回転する研磨盤側で盤面にはポリッシュ用布
が張着される。
斯様な構成の超精密研磨盤で、光重目的とするポリッシ
ュをウェーハ１０の下面１５側で行い、続いて該ウェー
ハ１０の上面１４を前記同様にポリッシュするのが一般
的である。
ュをウェーハ１０の下面１５側で行い、続いて該ウェー
ハ１０の上面１４を前記同様にポリッシュするのが一般
的である。
然しなから、前記下面１５のポリッシュ完了の段階での
枠組体１１から取り出したウェーハ１０は第３図断面図
の如き反りδがある。これはポリッシュ前のラップ研削
面１４と、ポリッシュ研磨面１５の相互面に残る夫々の
歪が相異するためであり、これに伴いウェーハが下方に
向は凹となる。これはランプ研削面の残存歪がポリッシ
ュ研磨面の歪より大きい為と推定される。
枠組体１１から取り出したウェーハ１０は第３図断面図
の如き反りδがある。これはポリッシュ前のラップ研削
面１４と、ポリッシュ研磨面１５の相互面に残る夫々の
歪が相異するためであり、これに伴いウェーハが下方に
向は凹となる。これはランプ研削面の残存歪がポリッシ
ュ研磨面の歪より大きい為と推定される。
然しなから、従来係る歪の除去手段がなく下方に湾曲し
たウェーハ１０のままで上面１４の研磨（面１４を下に
して第２図同様のウェーハ装着をなす）していたため平
行性が崩れ、これが改善策が要請されていた。
たウェーハ１０のままで上面１４の研磨（面１４を下に
して第２図同様のウェーハ装着をなす）していたため平
行性が崩れ、これが改善策が要請されていた。
第３図の如きウェーハ１０の湾曲状態では上面１４の研
磨に支障となる。即ち１片面のみのポリ・ノシュ研磨で
生ずるウェーハ反りδをなくすことである。
磨に支障となる。即ち１片面のみのポリ・ノシュ研磨で
生ずるウェーハ反りδをなくすことである。
〔問題点を解決するための手段〕
前記の問題点は、ウェーハ両面の平行研磨方法において
、一方の面がポリッシュされた面にスパッタ法によりウ
ェーハより熱膨脹係数の小さい物質を膜着し、然る後、
ウェーハの他面をポリッシュす・ｂ本発明による研磨方
法として解決される。
、一方の面がポリッシュされた面にスパッタ法によりウ
ェーハより熱膨脹係数の小さい物質を膜着し、然る後、
ウェーハの他面をポリッシュす・ｂ本発明による研磨方
法として解決される。
一方の面をポリッシュした後、該ポリッシュ面にウェー
ハより熱膨脹係数の小さい物質を蒸着法あるいはスパッ
タ法等の手段で薄膜被着する加工は、少なくとも基板温
度が百数十度となる。該温度で表面に形成された薄膜被
着の基板は常温復帰時、膜と基板膜々の膨張係数差に依
存するストレスが生ずることとなり、これを用いればウ
ェーハ反りδの吸収がされる。
ハより熱膨脹係数の小さい物質を蒸着法あるいはスパッ
タ法等の手段で薄膜被着する加工は、少なくとも基板温
度が百数十度となる。該温度で表面に形成された薄膜被
着の基板は常温復帰時、膜と基板膜々の膨張係数差に依
存するストレスが生ずることとなり、これを用いればウ
ェーハ反りδの吸収がされる。
然る後ウェーハの他面側をポ肝ｙシュすれば表裏面の平
行性が維持されるので効率的な平行研磨が施行されるこ
とになる。
行性が維持されるので効率的な平行研磨が施行されるこ
とになる。
以下、第１図の本発明に係るＧＧＧウェーハ研磨実施例
流側より１本発明の詳細な説明する。
流側より１本発明の詳細な説明する。
同ＩＦ（イ）乃至（ニ）は例えば円形断面ウェーハ１０
の研磨と研磨面の薄膜被着の手段が断面図で示される。
の研磨と研磨面の薄膜被着の手段が断面図で示される。
企図を通して同一参照番号は同一対象物である。
同図（イ）は、一方（下面）のウェーハ面１５がポリッ
シュ完了により取り出されたウェーハ１０の前記第３図
と同じウェーハ断面図である。
シュ完了により取り出されたウェーハ１０の前記第３図
と同じウェーハ断面図である。
図示の様にポリッシュ前のラップ研削済みウェーハ面（
上面）と、ポリッシュ研磨面１５（下面）とは９面内残
存の歪が相異するためウェーハ１０は下方に向って凹と
なる反りδがある（第３図と第１図（イ）図は同一ウェ
ーハ断面図）。
上面）と、ポリッシュ研磨面１５（下面）とは９面内残
存の歪が相異するためウェーハ１０は下方に向って凹と
なる反りδがある（第３図と第１図（イ）図は同一ウェ
ーハ断面図）。
同図（ロ）は、 （イ）図のポリッシュ面１５に対し蒸
着法、或いはアルゴン雰囲気中のプラズマスパッタ装置
により基板膜着時の温度を２００℃に加熱した状態で例
えば酸化シリコンを２μｍ被着してウェーハ１０より熱
膨脹係数の小さい物質膜２０がスバ・ツタ法で形成され
る図である。
着法、或いはアルゴン雰囲気中のプラズマスパッタ装置
により基板膜着時の温度を２００℃に加熱した状態で例
えば酸化シリコンを２μｍ被着してウェーハ１０より熱
膨脹係数の小さい物質膜２０がスバ・ツタ法で形成され
る図である。
因に両者の熱膨脹係数を比較すると
酸化シリコン（Ｓｉ Ｏｚ ）−０，４８Ｘ １０″″
６７℃ＧＧＧウエーハーー−一・−・・−−−−−−−
−−−一一一・・−７，００ｘｌＯ−Ｇ／”ｃである。
６７℃ＧＧＧウエーハーー−一・−・・−−−−−−−
−−−一一一・・−７，００ｘｌＯ−Ｇ／”ｃである。
（ハ）はスパッタ装置よりウエーノＸ１０を取出したウ
ェーハ被着膜２０によって、２００℃から常温への復帰
時、膜とウェーハの膨張係数差に基づく膜ストレス作用
により反りδがゼロとなりウェーハ両面の平行性が取得
された状態が示される。即ち。
ェーハ被着膜２０によって、２００℃から常温への復帰
時、膜とウェーハの膨張係数差に基づく膜ストレス作用
により反りδがゼロとなりウェーハ両面の平行性が取得
された状態が示される。即ち。
被着膜２０によりウェーハ１０の反りが強制的に補正除
去されたところである。
去されたところである。
同図（ニ）は、 （ハ）図の平行平面性がえられたウェ
ーハの他面１４側をポリッシュ研磨する工程である。
ーハの他面１４側をポリッシュ研磨する工程である。
前記（ニ）図の研磨がおわったウェーハ被着のＳｉ（’
ｚ薄膜は以後不要となるので例えばプラズマエツチング
手段で剥離する。
ｚ薄膜は以後不要となるので例えばプラズマエツチング
手段で剥離する。
前記本発明のポリッシュ研磨方法とすれば、ウェーハ表
裏面の平行性をもたせて研磨が出来るので、ポリッシュ
作業の能率が向上する。
裏面の平行性をもたせて研磨が出来るので、ポリッシュ
作業の能率が向上する。
更に先にポリッシュされた面はスパッタ被着膜で保護さ
れるので線面の損傷もなくなると云う利点もある。
れるので線面の損傷もなくなると云う利点もある。
以上、説明したように本発明のウェーハの両面研磨方法
においては、薄膜の熱膨脹係数を用いて研磨対象ウェー
ハの湾曲が除去されるので、これに伴いポリッシュ作業
の能率が大幅に向上する。
においては、薄膜の熱膨脹係数を用いて研磨対象ウェー
ハの湾曲が除去されるので、これに伴いポリッシュ作業
の能率が大幅に向上する。
係る観点から本発明のウェーハ研磨方法は実用的価値の
大きいものがある。
大きいものがある。
第１図断面図の（イ）乃至（ニ）は、ウェーハ研磨方法
を説明する実施例図。 第２図は従来のウェーハ装着のポリッシュ研磨装置の部
分的断面図。 第３図はウェーハ研磨時の反りδを示す断面図である。 図中、１０はウェーハ。 １４と１５は１０の研磨面。 ２０は相対的に１０より熱膨脹係数の小さい薄膜である
。 第 １ 図 （匂 （ロ） （
ハ少！５ 弄 ２ 図 第 ３ 図
を説明する実施例図。 第２図は従来のウェーハ装着のポリッシュ研磨装置の部
分的断面図。 第３図はウェーハ研磨時の反りδを示す断面図である。 図中、１０はウェーハ。 １４と１５は１０の研磨面。 ２０は相対的に１０より熱膨脹係数の小さい薄膜である
。 第 １ 図 （匂 （ロ） （
ハ少！５ 弄 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- ウェーハ両面の平行研磨方法において、先行してポリッ
シュされた面にスパッタ法によりウェーハより熱膨脹係
数の小さい物質を膜着し、然る後ウェーハの他面側をポ
リッシュすることを特徴とするウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP683285A JPS61168435A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ウエ−ハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP683285A JPS61168435A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ウエ−ハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168435A true JPS61168435A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11649199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP683285A Pending JPS61168435A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | ウエ−ハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168435A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6321290B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Program checking method, program checking apparatus, and computer-readable recording medium for recording target program checking program capable of reducing tracing interrupt time |
| CN110682165A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-01-14 | 成都精密光学工程研究中心 | 一种平面光学元件及其加工方法 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP683285A patent/JPS61168435A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6321290B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-11-20 | Nec Corporation | Program checking method, program checking apparatus, and computer-readable recording medium for recording target program checking program capable of reducing tracing interrupt time |
| CN110682165A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-01-14 | 成都精密光学工程研究中心 | 一种平面光学元件及其加工方法 |
| CN110682165B (zh) * | 2019-11-06 | 2020-10-23 | 成都精密光学工程研究中心 | 一种平面光学元件及其加工方法 |
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