JPS61166186A - 半導体光素子 - Google Patents
半導体光素子Info
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- JPS61166186A JPS61166186A JP60007183A JP718385A JPS61166186A JP S61166186 A JPS61166186 A JP S61166186A JP 60007183 A JP60007183 A JP 60007183A JP 718385 A JP718385 A JP 718385A JP S61166186 A JPS61166186 A JP S61166186A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ｉｒｒｉ−の利用分野）
この発明はジャンクションアップ構造の半導体光素子、
特に発光効率か高い半導体光素子に関する。
特に発光効率か高い半導体光素子に関する。
（従来の技術）
従来、ポンディング等の組１γが容易で量産性に潰れ、
電極の劣（Ｂが少なくて信頼性が高い等の優れた特色を
有する、ナσ距離光伝送用の光源として使用して好適な
ジャンクションアンプ構造の半導体光素子＝が提案され
ている（昭和５８年度゛取子通信学会光・電波部門全国
体会Ｎｏ、３０８、ｐ２−５２）。
電極の劣（Ｂが少なくて信頼性が高い等の優れた特色を
有する、ナσ距離光伝送用の光源として使用して好適な
ジャンクションアンプ構造の半導体光素子＝が提案され
ている（昭和５８年度゛取子通信学会光・電波部門全国
体会Ｎｏ、３０８、ｐ２−５２）。
この従来既知の半導体光素子の構造の横断面を第３図に
概略的に示す。この半導体光束ｆ−はＡｌＧａＡｓ発光
ダイオードで、■はｐ−ＧａＡｓ基板、２はこの基板１
Ｌにエピタキシャル成品さ仕たｐ −ＧａＡｓのバッフ
ァ層、３はｒｉ−ＧｌＩＡ、９の電流狭窄層（電流ブロ
ッキング層ともいい、図中斜線を付して示ｔ）、４は中
央部付近においてバフフッ層２と接触すると共に、残り
の周辺部は電流狭窄層３と接触するように設けられたＰ
−ＡＱｘ Ｇａ ｔ−ｘＡｓの第一クラッド層、５は
ＡＱ ｙ Ｇａ ７− ｙＡｓの活性層、６はｎ−ＡＱ
ｚ Ｇａ ／−ＸＡＳの第丁−クラ・ンド層である。
概略的に示す。この半導体光束ｆ−はＡｌＧａＡｓ発光
ダイオードで、■はｐ−ＧａＡｓ基板、２はこの基板１
Ｌにエピタキシャル成品さ仕たｐ −ＧａＡｓのバッフ
ァ層、３はｒｉ−ＧｌＩＡ、９の電流狭窄層（電流ブロ
ッキング層ともいい、図中斜線を付して示ｔ）、４は中
央部付近においてバフフッ層２と接触すると共に、残り
の周辺部は電流狭窄層３と接触するように設けられたＰ
−ＡＱｘ Ｇａ ｔ−ｘＡｓの第一クラッド層、５は
ＡＱ ｙ Ｇａ ７− ｙＡｓの活性層、６はｎ−ＡＱ
ｚ Ｇａ ／−ＸＡＳの第丁−クラ・ンド層である。
これら第一クラッド層４、活性層５及び第二クラッド層
６はダブルヘテロ構造の発光領域を形成している。さら
に、７はこの第二クラッド層にに設けたｎ −ＧａＡｓ
のキャップ層で、８及び９はｎ側電極及びｎ側電極、ｌ
Ｏは光取り出し窓である。
６はダブルヘテロ構造の発光領域を形成している。さら
に、７はこの第二クラッド層にに設けたｎ −ＧａＡｓ
のキャップ層で、８及び９はｎ側電極及びｎ側電極、ｌ
Ｏは光取り出し窓である。
この素子構造では、この素子を作動させた場合、斜線を
旧１７で示した電流狭窄層３には逆バイアスのため電流
が流れず、これがため、電流は第一クラッド層４とバッ
ファ層２とが接触している中央部イ（１近に集中して流
れる。この場合光が発生するのは活性層５の領域でしか
も電流■が集中して流れる中央部分である。そして、こ
の素子は発光した光を）、（板側とは反対側のエピタキ
シャル成長層の表面に形成した光取り出し窓１０から出
用させる面発光型の発光ダイオードである。
旧１７で示した電流狭窄層３には逆バイアスのため電流
が流れず、これがため、電流は第一クラッド層４とバッ
ファ層２とが接触している中央部イ（１近に集中して流
れる。この場合光が発生するのは活性層５の領域でしか
も電流■が集中して流れる中央部分である。そして、こ
の素子は発光した光を）、（板側とは反対側のエピタキ
シャル成長層の表面に形成した光取り出し窓１０から出
用させる面発光型の発光ダイオードである。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、この発光ダイオードのバッファ層２、第一ク
ラッド層４、活性層５及び第二クラッド層６の組成特に
ＡＯ組成の値は第３図の断面図に対応させてその左側に
示したような分布となっている。従って、この従来構造
の場合には、活性層５の材料はＡＱｙＧａｌ−ｙＡｓで
あり、この材料のエネルギーギャップＥｇｙはバッファ
層２すなわちＧａＡｓ。
ラッド層４、活性層５及び第二クラッド層６の組成特に
ＡＯ組成の値は第３図の断面図に対応させてその左側に
示したような分布となっている。従って、この従来構造
の場合には、活性層５の材料はＡＱｙＧａｌ−ｙＡｓで
あり、この材料のエネルギーギャップＥｇｙはバッファ
層２すなわちＧａＡｓ。
のエネルギーギャップＥｇよりも大きいので、活性層５
で発光した光のうち基板側に進行する光はバッファ層２
の内部で全て吸収されてやがては熱エネルギーに変換さ
れてしまう。すなわち、この構造の素子は活性層５に基
板側に反則機能を有していないので、活性層から発光し
た光の約半分は内部で利用されないこととなり、従って
、外部取り出し変換効率も著しく小さく、その結果、発
光効率が低いという欠点があった。
で発光した光のうち基板側に進行する光はバッファ層２
の内部で全て吸収されてやがては熱エネルギーに変換さ
れてしまう。すなわち、この構造の素子は活性層５に基
板側に反則機能を有していないので、活性層から発光し
た光の約半分は内部で利用されないこととなり、従って
、外部取り出し変換効率も著しく小さく、その結果、発
光効率が低いという欠点があった。
一競に、光ファイバ通信相としてこの種の発光タイオー
ドを利用するためにはさらに高輝度にすることが望まれ
ている。
ドを利用するためにはさらに高輝度にすることが望まれ
ている。
従って、この発明の目的は高輝度の半導体光素子を提供
することにある。
することにある。
（問題点を解決するための手段）
この］１的の達成を図るため、この発明によれば、Ｇｄ
Ｐｓノ人板Ｌににバッフ ７層２と、ＡｌＧａＡｓの夕
゛プルへテロ構造の発光領域とを有し、このバッファ層
２とタプルヘテロ構造との中間に電流狭窄層３を其える
ジャンクションアップ構造の半導体光素子において、こ
のパンフγ層２の組成２の値をダブルヘテロ構造側から
基板ｌの側の方向に小さくしてなることを特徴とする（
第１図）。
Ｐｓノ人板Ｌににバッフ ７層２と、ＡｌＧａＡｓの夕
゛プルへテロ構造の発光領域とを有し、このバッファ層
２とタプルヘテロ構造との中間に電流狭窄層３を其える
ジャンクションアップ構造の半導体光素子において、こ
のパンフγ層２の組成２の値をダブルヘテロ構造側から
基板ｌの側の方向に小さくしてなることを特徴とする（
第１図）。
（作用）
この構造によれば、これら層のエネルギーギャップは例
えば第２図に示すような関係となっている。この図にお
いて、横軸に基板ｌから層の厚み方向の相対位置を取り
、縦軸にエネルギーレベルを取って示しである。この図
からも明らかなように、第一クラッド層４は活性層５の
エネルギーギャップよりも大きいＡＱ ｘ Ｇａ ７−
ｘＡｓの組成で形成されていて、これと連続するバッ
ファ層２のエネルギーギャップは基板ｌに至るまで順次
に例えば直線的に低減し、バッファ層２の中間点の位置
ｍでは活性層５のエネルギーギャップと等しくなり基板
ｌとの接触位置では基板ｌのエネルギーギャップと等し
くなっている。
えば第２図に示すような関係となっている。この図にお
いて、横軸に基板ｌから層の厚み方向の相対位置を取り
、縦軸にエネルギーレベルを取って示しである。この図
からも明らかなように、第一クラッド層４は活性層５の
エネルギーギャップよりも大きいＡＱ ｘ Ｇａ ７−
ｘＡｓの組成で形成されていて、これと連続するバッ
ファ層２のエネルギーギャップは基板ｌに至るまで順次
に例えば直線的に低減し、バッファ層２の中間点の位置
ｍでは活性層５のエネルギーギャップと等しくなり基板
ｌとの接触位置では基板ｌのエネルギーギャップと等し
くなっている。
従って、活性層５で発生した波長入、の光の半分は第２
図の図面内で右側の第一クラッド層４側に進み（第１図
では図面内で下側に進む）、第一クラッド層４では吸収
されずにバッファ層２へと進む。このバッファ層２の中
間点の位置ｍまでは４７２７層２のエネルギーギャップ
が活性層５のエネルギーギャップよりも大きいので、光
は吸収されないで進行するが、この位置ｍから左側の基
板側ではエネルギーギャップの大きさが逆転するので、
この位置から光の吸収が生じる。
図の図面内で右側の第一クラッド層４側に進み（第１図
では図面内で下側に進む）、第一クラッド層４では吸収
されずにバッファ層２へと進む。このバッファ層２の中
間点の位置ｍまでは４７２７層２のエネルギーギャップ
が活性層５のエネルギーギャップよりも大きいので、光
は吸収されないで進行するが、この位置ｍから左側の基
板側ではエネルギーギャップの大きさが逆転するので、
この位置から光の吸収が生じる。
しかしながら、第２図に示ずよに、エネルギーギャップ
が直線的に変化しているので、この位置ｍで吸収された
波長λ１の光により電子が価電子帯ＶＢから伝導帯ＣＢ
に励起されるため、ホトルミネッセンス効果により波長
のより長い入２の光が発生する。
が直線的に変化しているので、この位置ｍで吸収された
波長λ１の光により電子が価電子帯ＶＢから伝導帯ＣＢ
に励起されるため、ホトルミネッセンス効果により波長
のより長い入２の光が発生する。
このようにホトルミネッセンス効果により発生した光の
半分は光取り出し窓ｌＯ側へと進行するが他の残りの半
分は基板ｌの側に進行する。しかしながら、この基板側
に進行した光は、上述したと。
半分は光取り出し窓ｌＯ側へと進行するが他の残りの半
分は基板ｌの側に進行する。しかしながら、この基板側
に進行した光は、上述したと。
同様なホトルミネッセンス効果により、波長の長い光を
順次に繰り返し発生させることとなり、その光の半分は
光取り出し窓１０側へと進行する。
順次に繰り返し発生させることとなり、その光の半分は
光取り出し窓１０側へと進行する。
このように、バッファ層２の領域では光の吸収及び再発
光のメカニズムが働き、基板側へ進行した光はより波長
の長い光に変換されながら光取り出し窓１０側へと進行
する光を発生していくので、結果的には゛ト導体光素子
の光取り出し効率を増大させることとなり、発光波長は
同一波長ではないけれども発光輝度を高めることが出来
る。
光のメカニズムが働き、基板側へ進行した光はより波長
の長い光に変換されながら光取り出し窓１０側へと進行
する光を発生していくので、結果的には゛ト導体光素子
の光取り出し効率を増大させることとなり、発光波長は
同一波長ではないけれども発光輝度を高めることが出来
る。
（実施例）
以下、図面により、この発明の詳細な説明する。
第１図はこの発明の半導体光素子の一実施例を略図的に
承す横断面図及びＮ組成の値の分布図である。
承す横断面図及びＮ組成の値の分布図である。
この実施例では、バッファ層２の材料をＧａＡｓの変り
にＡｔ） ｚ Ｇａ ／−２ＡＳで形成し、この組成２
の値をタプルヘテロ構造側から基板ｌの側の方向に小さ
くなるように設定する。この場合、組成２の値を、例え
ば第１図に示すように、第一クラッド層４から基板１へ
と直線的に低減するような分布とすることが出来る。こ
の場合には°、この組成Ｚは基板１のｚ＝０のＧａＡｓ
から第一クラッド層４のＮｘＧａ７−ｘＡｓのｚ−＝ｘ
（例えばｘ ＝ ０．４）まで漸次に変化している。或
いは、この組成Ｚの値を階段的に変化するようにしても
良いし、或いは曲線的に連続して変化するようにしても
良い。
にＡｔ） ｚ Ｇａ ／−２ＡＳで形成し、この組成２
の値をタプルヘテロ構造側から基板ｌの側の方向に小さ
くなるように設定する。この場合、組成２の値を、例え
ば第１図に示すように、第一クラッド層４から基板１へ
と直線的に低減するような分布とすることが出来る。こ
の場合には°、この組成Ｚは基板１のｚ＝０のＧａＡｓ
から第一クラッド層４のＮｘＧａ７−ｘＡｓのｚ−＝ｘ
（例えばｘ ＝ ０．４）まで漸次に変化している。或
いは、この組成Ｚの値を階段的に変化するようにしても
良いし、或いは曲線的に連続して変化するようにしても
良い。
このようなＭｌ成Ｚの値を漸次に変化させてバッファ層
２を形成する手法としては、例えば、気相成長法（ＭＯ
−ＣＶＤ、ＶＰＥ） 、！−カ、電子ビーム蒸着法があ
るが、その詳細な説明は省略する。
２を形成する手法としては、例えば、気相成長法（ＭＯ
−ＣＶＤ、ＶＰＥ） 、！−カ、電子ビーム蒸着法があ
るが、その詳細な説明は省略する。
尚、上述した実施例では基板をｐ型とした例につき説明
したがｎ型とし、これに対応して他の層の導電型を反転
させたり、それに伴なって所要の変更を加えることが出
来ること明らかである。
したがｎ型とし、これに対応して他の層の導電型を反転
させたり、それに伴なって所要の変更を加えることが出
来ること明らかである。
また、半導体光素子の層の積層構造は−Ｌ述した積層構
造に限定されない。
造に限定されない。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体
光素子によれば、活性層から発生して基板側に進んだ光
を効果的に光取り出し窓の方向に戻す機能を有している
ので、外部光取り出し変換効率を従来の構造の場合より
も少なくとも２倍以にに高めることが出来るので、従来
よりも遥に高輝度となる。
光素子によれば、活性層から発生して基板側に進んだ光
を効果的に光取り出し窓の方向に戻す機能を有している
ので、外部光取り出し変換効率を従来の構造の場合より
も少なくとも２倍以にに高めることが出来るので、従来
よりも遥に高輝度となる。
従って、この発明は結晶基板側に反射鏡等の反射機能を
持たせることが出来ない構造の半導体光素子に適用して
極めて効果的である。また、このようの構造の半導体光
素子は光フアイバ通信に使用して特に好適である。
持たせることが出来ない構造の半導体光素子に適用して
極めて効果的である。また、このようの構造の半導体光
素子は光フアイバ通信に使用して特に好適である。
第１図はこの発明の半導体光素子の一実施例を説明する
ための略図的断面図及びＮ組成の値の分；／ｌｉ ［１
１１線図、 第２図はこの発明の説明に供するエネルギーギャップを
示す線図、 第３図は従来の半導体光素子の第１図と同様な略図的断
面図及びへ〇組成の値に分布曲線図である。 ■・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・バッファ層３
・・・電流狭窄層、 ４・・・第一クラッド層５
・・・活性層、 ６・・・第二クラッド層７
・・・キャップ層、 ８．９・・・電極１０・・・
光取り出し窓、 ＢＶ・・・価電子帯ＣＢ・・・伝導
帯。 Ａｔ姐域 第２図 ｆ Ｐ−ＧａＡｓ基籾 ２ バ・１７ア屑 Ｊ 電浪狭窄斥 ４ 茅−７フ、７ド乃 ６ 砧１４．屑 ６ 茅ニアう・／）冴 ７ ヘマ 、／ フ゛ノ１ ８ ｎイ則電杵 ｑ Ｐイ貝グ／ｒｔｔ７会 １ＯＪ）Ｌ、取り出し克 第３図 ＡＬＭへ Ｆ″−糸プ′１玉ネ由 １’ｌ’−’ｒ＝１ｇ昭和旧＜
ｒ ４ ｔｊ＋ ｏ ｒ−＋ ４、＋１１ＴＩ Ｉ’＋’ ｋ′ｌ’−宇賀 Ｊｆｌ′
！部 殿１”１１イ’Ｉの人事 昭和１ｉｆ藺Ｏ１′
Ｉ Ｉｙｌ駈１ｏｏ７＋＋＋：＋−３２分、明の名称 Ａｌｌ 七阜イ本 光束 ｒ ３袖１）会Ｊ−る者 中イ′１どの関係 ’１．＋１ 、￥Ｉ出願人イ１
所 （〒 −１ｆｉ５） 東にｚ都７ハ１ズル〜：ノ閂ＪＪｌ１７州１ン号名称
（［１２！Ｉ ）沖’Ｉｉ！、気Ｉ輩イＩＪ（会ネ１代
人渚 槁Ａ・ 南わＩＪ男 ４代理人 〒１７０ ’Ｒ（９１１８）５５）ｉ３
イＩ所 東京都豊島１〆東池袋１１１１２０番地、５６
袖１１の夕・１象 明細、Ｉ；の４！Ｉ’ ＋ｉ’ｒ ｆｉ１鴇ドの範囲σ
）欄、発明の詳細な説明く、）欄、図面の１’＋’ｔ′
ｌｉ１’な説明の欄７袖Ｉ）の内容 別紙の通り ＷイＩ白 の分 イ１１ 、ｕ ど １ｉ１’ ｉ
Ｆ−’−→ る 。 （１）明細ｉ４ｉの４、′ｆ許請求の範囲の欄を次の通
り＊ｉｌ ’＋Ｉする。 ’ ２４’ｒ ｉｉ’ｌ’ ｎｌ’ｌ十の範囲に、１へ
方Ｊ、ｔ、 ４１ソ１にハ・ンファ層と、 八Ｕ［ｉａ
八へのダフルヘデロ構造の発光領域とを有し、１該ハ・
・７）７層とタフルヘデロ４１ＩＩ＋造どの中間に電流
狭窄層を貝えるゝ シヘ・ンクシＨンアップ構造の半導
体元素ｆ′におい−（、前記バッファ層の組成Ｚの値を
前記タブルヘデＴＪ ４ｒ”ｒ造１１！すからＡ［板側
の力面に小さくしてなることを４．冒ｂ゛とｊるエカ体
光束了。」（２）、明細ＩＩ（、第４Ｌ′丁第１：（行
のｒ［１ｉｌＰｓ基板１」を１ｉ’ｆｉａＡｓ基板ＩＪ
どｒｉｌ”ｔｌ、−４−る。 （１））同、第５１′↓第１ｔｉｌＩ’ｉの「図面内で
４．側」を「図面内てノ；１１１１１ ！とｉｌ’ｉｌ
−する。 （４）、同、第ε３１′Ｊ第５行の「蒸ｒｔ法」をｒエ
ピクキ９〜フ人Ｊどｔｉｔ’ ｉｌ−、ｌノ、ｌ’１Ｊ
ｉｊｉｉ １８〜１９ｉ−Ｂ７） ｒ 少ｆ、ｔ ＜
トも２イ）゛）以１しご直１め」を「最大２イ８迄高め
ＪとＷ−１’ ＋Ｆ揚場−。
ための略図的断面図及びＮ組成の値の分；／ｌｉ ［１
１１線図、 第２図はこの発明の説明に供するエネルギーギャップを
示す線図、 第３図は従来の半導体光素子の第１図と同様な略図的断
面図及びへ〇組成の値に分布曲線図である。 ■・・・ＧａＡｓ基板、 ２・・・バッファ層３
・・・電流狭窄層、 ４・・・第一クラッド層５
・・・活性層、 ６・・・第二クラッド層７
・・・キャップ層、 ８．９・・・電極１０・・・
光取り出し窓、 ＢＶ・・・価電子帯ＣＢ・・・伝導
帯。 Ａｔ姐域 第２図 ｆ Ｐ−ＧａＡｓ基籾 ２ バ・１７ア屑 Ｊ 電浪狭窄斥 ４ 茅−７フ、７ド乃 ６ 砧１４．屑 ６ 茅ニアう・／）冴 ７ ヘマ 、／ フ゛ノ１ ８ ｎイ則電杵 ｑ Ｐイ貝グ／ｒｔｔ７会 １ＯＪ）Ｌ、取り出し克 第３図 ＡＬＭへ Ｆ″−糸プ′１玉ネ由 １’ｌ’−’ｒ＝１ｇ昭和旧＜
ｒ ４ ｔｊ＋ ｏ ｒ−＋ ４、＋１１ＴＩ Ｉ’＋’ ｋ′ｌ’−宇賀 Ｊｆｌ′
！部 殿１”１１イ’Ｉの人事 昭和１ｉｆ藺Ｏ１′
Ｉ Ｉｙｌ駈１ｏｏ７＋＋＋：＋−３２分、明の名称 Ａｌｌ 七阜イ本 光束 ｒ ３袖１）会Ｊ−る者 中イ′１どの関係 ’１．＋１ 、￥Ｉ出願人イ１
所 （〒 −１ｆｉ５） 東にｚ都７ハ１ズル〜：ノ閂ＪＪｌ１７州１ン号名称
（［１２！Ｉ ）沖’Ｉｉ！、気Ｉ輩イＩＪ（会ネ１代
人渚 槁Ａ・ 南わＩＪ男 ４代理人 〒１７０ ’Ｒ（９１１８）５５）ｉ３
イＩ所 東京都豊島１〆東池袋１１１１２０番地、５６
袖１１の夕・１象 明細、Ｉ；の４！Ｉ’ ＋ｉ’ｒ ｆｉ１鴇ドの範囲σ
）欄、発明の詳細な説明く、）欄、図面の１’＋’ｔ′
ｌｉ１’な説明の欄７袖Ｉ）の内容 別紙の通り ＷイＩ白 の分 イ１１ 、ｕ ど １ｉ１’ ｉ
Ｆ−’−→ る 。 （１）明細ｉ４ｉの４、′ｆ許請求の範囲の欄を次の通
り＊ｉｌ ’＋Ｉする。 ’ ２４’ｒ ｉｉ’ｌ’ ｎｌ’ｌ十の範囲に、１へ
方Ｊ、ｔ、 ４１ソ１にハ・ンファ層と、 八Ｕ［ｉａ
八へのダフルヘデロ構造の発光領域とを有し、１該ハ・
・７）７層とタフルヘデロ４１ＩＩ＋造どの中間に電流
狭窄層を貝えるゝ シヘ・ンクシＨンアップ構造の半導
体元素ｆ′におい−（、前記バッファ層の組成Ｚの値を
前記タブルヘデＴＪ ４ｒ”ｒ造１１！すからＡ［板側
の力面に小さくしてなることを４．冒ｂ゛とｊるエカ体
光束了。」（２）、明細ＩＩ（、第４Ｌ′丁第１：（行
のｒ［１ｉｌＰｓ基板１」を１ｉ’ｆｉａＡｓ基板ＩＪ
どｒｉｌ”ｔｌ、−４−る。 （１））同、第５１′↓第１ｔｉｌＩ’ｉの「図面内で
４．側」を「図面内てノ；１１１１１ ！とｉｌ’ｉｌ
−する。 （４）、同、第ε３１′Ｊ第５行の「蒸ｒｔ法」をｒエ
ピクキ９〜フ人Ｊどｔｉｔ’ ｉｌ−、ｌノ、ｌ’１Ｊ
ｉｊｉｉ １８〜１９ｉ−Ｂ７） ｒ 少ｆ、ｔ ＜
トも２イ）゛）以１しご直１め」を「最大２イ８迄高め
ＪとＷ−１’ ＋Ｆ揚場−。
Claims (1)
- ＧｄＰｓ基板Ｌにバッファ層と、ＡｌＧａＡｓのダブル
ヘテロ構造の発光領域とを有し、該バッファ層とダブル
ヘテロ構造との中間に電流狭窄層を具えるジャンクショ
ンアップ構造の半導体光素子において、前記バッファ層
の組成ｚの値を前記ダブルヘテロ構造側から基板側の方
向に小さくしてなることを特徴とする半導体光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60007183A JPS61166186A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60007183A JPS61166186A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166186A true JPS61166186A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11658944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60007183A Pending JPS61166186A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166186A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021057557A (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 点光源型発光ダイオード及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57199277A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-07 | Toshiba Corp | Semiconductor luminous elements and manufacture thereof |
| JPS5853826A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
| JPS59121887A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-14 | トムソン−セエスエフ | 発光ダイオ−ド |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60007183A patent/JPS61166186A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2021066116A1 (ja) * | 2019-10-02 | 2021-04-08 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 点光源型発光ダイオード及びその製造方法 |
| US12095004B2 (en) | 2019-10-02 | 2024-09-17 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Point source light-emitting diode and method of producing the same |
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