JP5013698B2 - 2波長型半導体レーザ発光装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
「一つの基板の上面に,赤外用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を積層した赤外レーザ発光素子と,赤色用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を積層した赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る2波長型半導体レーザ発光装置において,
前記赤外用の下層クラッド層を,当該下層クラッド層における厚さ方向の中間部にエッチングストップ層を設けて,前記赤色レーザ発光素子の部分まで延長し,この赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分を,前記赤色レーザ発光素子の部分において前記エッチングストップ層が露出するようにエッチング処理にて除去し,この部分に前記赤色レーザ発光素子を設け,更に,前記赤外レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を設ける一方,前記赤色レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を設ける。」
ことを特徴としている。
「前記請求項1の記載において,前記赤外レーザ発光素子における活性層及び前記赤色レーザ発光素子における活性層は,前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分と,前記エッチングストップ層とで,前記基板の上面からの高さ位置が同一にされている。」
ことを特徴としている。
更にまた,本発明のレーザ発光装置は,請求項3に記載したように,
「前記請求項1及び2の記載において,前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層がn型AlGaAsで,活性層がAlGaAsで,上層クラッド層がp型AlGaAsである一方,前記赤色レーザ発光素子における下層クラッド層がn型InGaAlPで,活性層がInGaPで,上層クラッド層がp型InGaAlPであり,更に,前記エッチングストップ層がInGaPである。」
ことを特徴としている。
「一つの基板の上面に,赤外レーザ発光素子と,赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る2波長型半導体レーザ発光装置を製造する方法において,
前記基板の上面に,赤外用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を有する第1積層体を設ける第1エピ工程と,この第1積層体の一部に前記赤外レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第1エッチング工程とを備え,
前記下層クラッド層の形成する工程が,当該下層クラッド層の厚さ方向の中間部に前記第1エッチング工程では除去されないエッチングストップ層を設ける工程を含み,
前記第1エッチング工程が前記エッチングストップ層より上側の部分を前記エッチングストップ層が露出するように除去する工程であり,
更に,前記赤外レーザ発光素子及び前記エッチングストップ層の上面に,赤色用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層から成る第2積層体を設ける第2エピ工程と,この第2積層体の一部に前記赤色レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第2エッチング工程とを備えており,
更に,前記赤外レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を形成する工程と,前記赤色レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を形成する工程とを,
備えている。」
ことを特徴としている。
2,12 基板
3,13 赤外レーザ発光素子
3a,13a 下層クラッド層
3a′,13a′ エッチングストップ層
3b,13b 活性層
3c,13c 上層クラッド層
4,14 赤色レーザ発光素子
4a,14a 下層クラッド層
4b,14b 活性層
4c,14c 上層クラッド層
5 第1積層体
6 第2積層体
Claims (4)
- 一つの基板の上面に,赤外用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を積層した赤外レーザ発光素子と,赤色用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を積層した赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る2波長型半導体レーザ発光装置において,
前記赤外用の下層クラッド層を,当該下層クラッド層における厚さ方向の中間部にエッチングストップ層を設けて,前記赤色レーザ発光素子の部分まで延長し,この赤外用の下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分を,前記赤色レーザ発光素子の部分において前記エッチングストップ層が露出するようにエッチング処理にて除去し,この部分に前記赤色レーザ発光素子を設け,更に,前記赤外レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を設ける一方,前記赤色レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を設けることを特徴とする2波長型半導体レーザ発光装置。 - 前記請求項1の記載において,前記赤外レーザ発光素子における活性層及び前記赤色レーザ発光素子における活性層は,前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層のうち前記エッチングストップ層より上側の部分と,前記エッチングストップ層とで,前記基板の上面からの高さ位置が同一にされていることを特徴とする2波長型半導体レーザ発光装置。
- 前記請求項1及び2の記載において,前記赤外レーザ発光素子における下層クラッド層がn型AlGaAsで,活性層がAlGaAsで,上層クラッド層がp型AlGaAsである一方,前記赤色レーザ発光素子における下層クラッド層がn型InGaAlPで,活性層がInGaPで,上層クラッド層がp型InGaAlPであり,更に,前記エッチングストップ層がInGaPであることを特徴とする2波長型半導体レーザ発光装置。
- 一つの基板の上面に,赤外レーザ発光素子と,赤色レーザ発光素子とを並べて設けて成る2波長型半導体レーザ発光装置を製造する方法において,
前記基板の上面に,赤外用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層を有する第1積層体を設ける第1エピ工程と,この第1積層体の一部に前記赤外レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第1エッチング工程とを備え,
前記下層クラッド層の形成する工程が,当該下層クラッド層の厚さ方向の中間部に前記第1エッチング工程では除去されないエッチングストップ層を設ける工程を含み,
前記第1エッチング工程が前記エッチングストップ層より上側の部分を前記エッチングストップ層が露出するように除去する工程であり,
更に,前記赤外レーザ発光素子及び前記エッチングストップ層の上面に,赤色用の下層クラッド層,活性層及び上層クラッド層から成る第2積層体を設ける第2エピ工程と,この第2積層体の一部に前記赤色レーザ発光素子を残しこれ以外の部分を除去する第2エッチング工程とを備えており,
更に,前記赤外レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を形成する工程と,前記赤色レーザ発光素子における上層クラッド層に,リッジを形成するとともに,このリッジを囲む埋め込み層を形成する工程とを,
備えていることを特徴とする2波長型半導体レーザ発光装置の製造方法。
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