JPS61163738A - 受光素子過電流防止回路 - Google Patents
受光素子過電流防止回路Info
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- JPS61163738A JPS61163738A JP60004477A JP447785A JPS61163738A JP S61163738 A JPS61163738 A JP S61163738A JP 60004477 A JP60004477 A JP 60004477A JP 447785 A JP447785 A JP 447785A JP S61163738 A JPS61163738 A JP S61163738A
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- Japan
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/60—Receivers
- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/693—Arrangements for optimizing the preamplifier in the receiver
- H04B10/6931—Automatic gain control of the preamplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
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- H04B10/66—Non-coherent receivers, e.g. using direct detection
- H04B10/69—Electrical arrangements in the receiver
- H04B10/691—Arrangements for optimizing the photodetector in the receiver
- H04B10/6911—Photodiode bias control, e.g. for compensating temperature variations
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- Electronic Switches (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光電変換モジュールの過大電流を防止する受光
素子過電流防止回路に関する。
素子過電流防止回路に関する。
従来の技術
光電変換モジュール（以下、ＡＰＤと称す）から光電変
換信号を得る従来回路は第３図のように構成されている
。第３図において、１はＡＰＤ。
換信号を得る従来回路は第３図のように構成されている
。第３図において、１はＡＰＤ。
２は保護抵抗、３は負荷抵抗、４はプリアンプ、５はＡ
ＧＣ回路、６はＡＰＤ電圧印加回路、７はＡＰＤ用印加
印加電圧入力端子は光電変換信号出力端子である。ＡＰ
ＤＩに入力された光に応じて負荷抵抗３の両端に電圧が
発生し、プリアンプ４によって増幅される。プリアンプ
４の出力はＡＧＣ回路５に入力され、その出力には一定
振幅の電圧で出力される。ＡＧＣ回路５はプリアンプ４
からの振幅をピークホールドして得た祠−電圧によって
、ＡＧＣ回路５内部の振幅制御とＡＰＤｌに供給される
印加電圧をＡＰＤＩ！圧印加回路６で制御したＡＰＤ−
電気併用型が一般的である。
ＧＣ回路、６はＡＰＤ電圧印加回路、７はＡＰＤ用印加
印加電圧入力端子は光電変換信号出力端子である。ＡＰ
ＤＩに入力された光に応じて負荷抵抗３の両端に電圧が
発生し、プリアンプ４によって増幅される。プリアンプ
４の出力はＡＧＣ回路５に入力され、その出力には一定
振幅の電圧で出力される。ＡＧＣ回路５はプリアンプ４
からの振幅をピークホールドして得た祠−電圧によって
、ＡＧＣ回路５内部の振幅制御とＡＰＤｌに供給される
印加電圧をＡＰＤＩ！圧印加回路６で制御したＡＰＤ−
電気併用型が一般的である。
したがって、装置仕様によって決定した最大受光レベル
と最小受光レベルによって、ＡＰＤｌに印加される電圧
は、最大受光レベル時に低電圧になり、最小受光レベル
時には高電圧となる。
と最小受光レベルによって、ＡＰＤｌに印加される電圧
は、最大受光レベル時に低電圧になり、最小受光レベル
時には高電圧となる。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の構成では、光の遮断された状態〈すな
わち、光フアイバープラグが接続されていない時または
送信側の電源が投入されていない時）におけるＡＰＤへ
の印加電圧が最小受光レベル時と同様高電圧となってい
るため、光が遮断された状態から装置仕様以上の最大受
光レベルが入力された場合、ＡＰＤｌには過電流が流れ
破壊される。それを防止するため、従来では光が入力さ
れても過電流とならないように計算した保護抵抗２を入
れるが、装置などの仕様から数百ＭΩ程度の高抵抗とな
り、それによってＡＧＯの制御等が困難となる。そのた
め、実際には数十にΩ程度の抵抗を付け、操作上（パワ
ーメータで、その都度定格値であるかどうかを測定し入
力する）において防止しているのが現状である。
わち、光フアイバープラグが接続されていない時または
送信側の電源が投入されていない時）におけるＡＰＤへ
の印加電圧が最小受光レベル時と同様高電圧となってい
るため、光が遮断された状態から装置仕様以上の最大受
光レベルが入力された場合、ＡＰＤｌには過電流が流れ
破壊される。それを防止するため、従来では光が入力さ
れても過電流とならないように計算した保護抵抗２を入
れるが、装置などの仕様から数百ＭΩ程度の高抵抗とな
り、それによってＡＧＯの制御等が困難となる。そのた
め、実際には数十にΩ程度の抵抗を付け、操作上（パワ
ーメータで、その都度定格値であるかどうかを測定し入
力する）において防止しているのが現状である。
本発明は簡易な構成で自動的に光電変換モジュールの過
大電流による破壊を防止できる受光素子過電流防止回路
を提供することを目的とする。
大電流による破壊を防止できる受光素子過電流防止回路
を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の受光素子過電流防止回路は、光電変換モジュー
ルから電気信号を取出すプリアンプと、前記プリアンプ
の出力を一定電圧に保つＡＧＣ回路と、前記ＡＧＣ回路
の出力によって前記光電変換モジュールに最適電圧を印
加する電圧印加回路と、前記電圧印加回路の印加電圧を
値の異なる抵抗″を介して前記光電変換モジュールに供
給する切換回路と、前記ＡＧＣ回路によるピークホール
ド電圧出力が最小受光レベルに達したことを検出する第
１のコンパレータと、ＡＧＣ回路によるピークホールド
電圧出力が最大受光レベルに達したことを検出する第２
のコンパレータと、前記第１のコンパレータの出力と第
２のコンパレータの出力とから受光範囲を判定する判定
回路と、外部より供給される前記光電変換モジュール用
印加電圧を前記判定回路の出力によって制御して前記電
圧印加回路に出力する電圧制御回路とを設け、かつ前記
切換回路を前記判定回路の出力によって切換えるように
したことを特徴とする。
ルから電気信号を取出すプリアンプと、前記プリアンプ
の出力を一定電圧に保つＡＧＣ回路と、前記ＡＧＣ回路
の出力によって前記光電変換モジュールに最適電圧を印
加する電圧印加回路と、前記電圧印加回路の印加電圧を
値の異なる抵抗″を介して前記光電変換モジュールに供
給する切換回路と、前記ＡＧＣ回路によるピークホール
ド電圧出力が最小受光レベルに達したことを検出する第
１のコンパレータと、ＡＧＣ回路によるピークホールド
電圧出力が最大受光レベルに達したことを検出する第２
のコンパレータと、前記第１のコンパレータの出力と第
２のコンパレータの出力とから受光範囲を判定する判定
回路と、外部より供給される前記光電変換モジュール用
印加電圧を前記判定回路の出力によって制御して前記電
圧印加回路に出力する電圧制御回路とを設け、かつ前記
切換回路を前記判定回路の出力によって切換えるように
したことを特徴とする。
作用
この構成により、装置仕様で決定した最大／最小の受光
レベル間で動作し、それ以上についてはＡＰＤへ印加す
る電圧およびＡＰＤの保護抵抗の切換え制御が行なわれ
るため、安定かつ安全である。
レベル間で動作し、それ以上についてはＡＰＤへ印加す
る電圧およびＡＰＤの保護抵抗の切換え制御が行なわれ
るため、安定かつ安全である。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図と第２図に基づいて説
明する。第１図は本発明の受光素子過電流防止回路を示
、第２図と同様の作用を成すものには同一符号が付され
ている。
明する。第１図は本発明の受光素子過電流防止回路を示
、第２図と同様の作用を成すものには同一符号が付され
ている。
第１図において９は保護抵抗２とは別に設けられた保護
抵抗、１０は切換回路、１１は最小受光レベルを検出す
る第１のコンパレータ、１２は最大受光レベルを検出す
る第２のコンパレータ、１３は判定回路としてのＥＸ−
ＯＲ回路、１４は電圧制御回路、１５はＡＧＣ回路５が
プリアンプ４の振幅をピークホールドして得た信号を出
力する端子、１６はＡＧＣ回路５がＡＰＤ電圧印加回路
６へのＩＩＪＩＩｌ電圧を出力する端子、１７はＡＧＣ
回路５が一定振幅の光電変換信号を出力する端子である
。
抵抗、１０は切換回路、１１は最小受光レベルを検出す
る第１のコンパレータ、１２は最大受光レベルを検出す
る第２のコンパレータ、１３は判定回路としてのＥＸ−
ＯＲ回路、１４は電圧制御回路、１５はＡＧＣ回路５が
プリアンプ４の振幅をピークホールドして得た信号を出
力する端子、１６はＡＧＣ回路５がＡＰＤ電圧印加回路
６へのＩＩＪＩＩｌ電圧を出力する端子、１７はＡＧＣ
回路５が一定振幅の光電変換信号を出力する端子である
。
第２図は同実施例のタイミングチャートで、ａはＡＧＣ
回路５の端子１５の出力波形１、ｂは最小受光レベルを
検出する第１のコンパレータ１１の出力波形、０は最大
受光レベルを検出する第２のコンパレータ１２の出力波
形、ｄは２個の保護抵抗２゜９が切換回路１０によって
選択された抵抗、ｅは電圧制御回路１４の出力波形であ
る。
回路５の端子１５の出力波形１、ｂは最小受光レベルを
検出する第１のコンパレータ１１の出力波形、０は最大
受光レベルを検出する第２のコンパレータ１２の出力波
形、ｄは２個の保護抵抗２゜９が切換回路１０によって
選択された抵抗、ｅは電圧制御回路１４の出力波形であ
る。
次に動作に基づいて第１図の構成を詳細に説明する。な
お、ここで一方の保護抵抗２は光電変換時に用いる数十
にΩ程度の抵抗値、他方の保護抵抗９はＡＰＤｌへの印
加電圧が最大となっても過電流とならない数百ＭΩ以上
の高抵抗で、切換回路１０の接点は、光がＡＰＤＩに入
力されていない時には、ＥＸ−ＯＲ回路１３からの信号
によって保護抵抗９側に接続されている。また、光が入
力されていない時のＡＰＤｌには、ＥＸ−ＯＲ回路１３
からの信号によって電圧が発生する電圧制御回路１４と
、ＡＧＣ回路５からの信号によって電圧が発生するＡＰ
Ｄｌｆ圧印加回圧印上回路６て、ＡＰＤ用印加印加電圧
入力端子７力されている高電圧（ＡＰＤがブレークダウ
ンしない電圧値以下）とほぼ同じ程度の電圧が印加され
ている。
お、ここで一方の保護抵抗２は光電変換時に用いる数十
にΩ程度の抵抗値、他方の保護抵抗９はＡＰＤｌへの印
加電圧が最大となっても過電流とならない数百ＭΩ以上
の高抵抗で、切換回路１０の接点は、光がＡＰＤＩに入
力されていない時には、ＥＸ−ＯＲ回路１３からの信号
によって保護抵抗９側に接続されている。また、光が入
力されていない時のＡＰＤｌには、ＥＸ−ＯＲ回路１３
からの信号によって電圧が発生する電圧制御回路１４と
、ＡＧＣ回路５からの信号によって電圧が発生するＡＰ
Ｄｌｆ圧印加回圧印上回路６て、ＡＰＤ用印加印加電圧
入力端子７力されている高電圧（ＡＰＤがブレークダウ
ンしない電圧値以下）とほぼ同じ程度の電圧が印加され
ている。
第２図の時刻Ｔ１にＡＰＤｌに光が入力されると、負荷
抵抗３に電圧が発生し、プリアンプ４によって増幅され
る。増幅されたプリアンプ４の出力はＡＧＣ回路５に入
力し、振幅をピークホールドして得た信号ａを端子１５
に得る。端子１５の出力は、振幅が徐々に上昇する。こ
の信号は最小受光レベルを検出する第１のコンパレータ
１１と最大受光レベルを検出する第２のコンパレータ１
２へ入力されており、信号ａに示す各々のレベルでスラ
イスされて第１のコンパレータ１１の出力にｂ１第２の
コンパレータ１２の出力にＣの出力波形を得る。
抵抗３に電圧が発生し、プリアンプ４によって増幅され
る。増幅されたプリアンプ４の出力はＡＧＣ回路５に入
力し、振幅をピークホールドして得た信号ａを端子１５
に得る。端子１５の出力は、振幅が徐々に上昇する。こ
の信号は最小受光レベルを検出する第１のコンパレータ
１１と最大受光レベルを検出する第２のコンパレータ１
２へ入力されており、信号ａに示す各々のレベルでスラ
イスされて第１のコンパレータ１１の出力にｂ１第２の
コンパレータ１２の出力にＣの出力波形を得る。
各時点における各検出状態、すなわち、信号す。
Ｃに示すように、“Ｏｎ“０″、１１ｔ Ｍ Ｑ ＩＩ
。
。
“１″“１′”、“１″“０″の状態によってＥＸ−Ｏ
Ｒ回路１３が動作し、この排他的論理和出力によって電
圧制御回路１４および切換回路１０をＩＩＩ ｔｌｌす
る。具体的に説明すると、第１のコンパレータ１１の出
力が“１”で第２のコンパレータ１２の出力が“０″で
ある時は、切換回路１０の接点が保護抵抗２側になり、
また、電圧制御回路１４の電圧は一旦低電圧に急降下さ
せ、その後徐々に上昇する。第１のコンパレータ１１の
出力および第２のコンパレータ１２の出力が各々“０″
“０”又は“１パ１”になった時には、切換回路１０の
接点が保護抵抗９側になり、また、電圧制御回路１４の
電圧は徐々に高電圧になる。最小受光レベルを検出した
時に、切換回路１０の動作によって保護抵抗値が切換え
られるが、電圧制御回路１４の電圧が急降下し低電圧に
なった時に切換ねるようなタイミングで設定されている
。
Ｒ回路１３が動作し、この排他的論理和出力によって電
圧制御回路１４および切換回路１０をＩＩＩ ｔｌｌす
る。具体的に説明すると、第１のコンパレータ１１の出
力が“１”で第２のコンパレータ１２の出力が“０″で
ある時は、切換回路１０の接点が保護抵抗２側になり、
また、電圧制御回路１４の電圧は一旦低電圧に急降下さ
せ、その後徐々に上昇する。第１のコンパレータ１１の
出力および第２のコンパレータ１２の出力が各々“０″
“０”又は“１パ１”になった時には、切換回路１０の
接点が保護抵抗９側になり、また、電圧制御回路１４の
電圧は徐々に高電圧になる。最小受光レベルを検出した
時に、切換回路１０の動作によって保護抵抗値が切換え
られるが、電圧制御回路１４の電圧が急降下し低電圧に
なった時に切換ねるようなタイミングで設定されている
。
以上の事から、装置仕様以上の最大受光レベルが入力さ
れた場合、切換回路１０およびＡＰＤｌへの印加電圧は
電圧制御回路１４の電圧上昇サイクルで繰り返えされ、
仕様値の受光レベルが入力した時には安定状態となる。
れた場合、切換回路１０およびＡＰＤｌへの印加電圧は
電圧制御回路１４の電圧上昇サイクルで繰り返えされ、
仕様値の受光レベルが入力した時には安定状態となる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明の受光素子過電流防止回
路は、ＡＧＣ回路内における光電変換信号のピークホー
ルド電圧から、最大受光レベルを検゛出したコンパレー
タの出力と、最小受光レベルを検出したコンパレータの
出力状態によって、判定した判定回路の出力でＡＰＤに
印加する電圧の＠御およびＡＰＤの保護抵抗値を切換え
て防止するため、極めて簡単な回路構成で、自動的に光
電変換モジュールの過大電流による破壊を防止でき、実
用的にきわめて有用である。
路は、ＡＧＣ回路内における光電変換信号のピークホー
ルド電圧から、最大受光レベルを検゛出したコンパレー
タの出力と、最小受光レベルを検出したコンパレータの
出力状態によって、判定した判定回路の出力でＡＰＤに
印加する電圧の＠御およびＡＰＤの保護抵抗値を切換え
て防止するため、極めて簡単な回路構成で、自動的に光
電変換モジュールの過大電流による破壊を防止でき、実
用的にきわめて有用である。
第１図は本発明の受光素子過電流防止回路の一実施例の
ブロック図、第２図は同実施例の動作を説明するための
タイミングチャート図、第３図は光電変換信号を得る従
来の回路ブロック図である。 １・・・ＡＰＤ、２．９・・・保護抵抗、３・・・負荷
抵抗、４・・・プリアンプ、５・・−ＡＧＣ回路、６・
・・ＡＰＤ電圧印加回路、７・−Ａ Ｐ Ｄ用印加電圧
入力端子、１０・・・切換回路、１１・・・第１のコン
パレータ、１２・・・第２のコンパレータ、１３・−Ｅ
Ｘ −ＯＲ回路〔判定回路〕１４・・・電圧制御回路 代理人 森 本 義 弘 第２図 光入力 丁。
ブロック図、第２図は同実施例の動作を説明するための
タイミングチャート図、第３図は光電変換信号を得る従
来の回路ブロック図である。 １・・・ＡＰＤ、２．９・・・保護抵抗、３・・・負荷
抵抗、４・・・プリアンプ、５・・−ＡＧＣ回路、６・
・・ＡＰＤ電圧印加回路、７・−Ａ Ｐ Ｄ用印加電圧
入力端子、１０・・・切換回路、１１・・・第１のコン
パレータ、１２・・・第２のコンパレータ、１３・−Ｅ
Ｘ −ＯＲ回路〔判定回路〕１４・・・電圧制御回路 代理人 森 本 義 弘 第２図 光入力 丁。
Claims (1)
- １、光電変換モジュールから電気信号を取出すプリアン
プと、前記プリアンプの出力を一定電圧に保つＡＧＣ回
路と、前記ＡＧＣ回路の出力によって前記光電変換モジ
ュールに最適電圧を印加する電圧印加回路と、前記電圧
印加回路の印加電圧を値の異なる抵抗を介して前記光電
変換モジュールに供給する切換回路と、前記ＡＧＣ回路
によるピークホールド電圧出力が最小受光レベルに達し
たことを検出する第１のコンパレータと、ＡＧＣ回路に
よるピークホールド電圧出力が最大受光レベルに達した
ことを検出する第２のコンパレータと、前記第１のコン
パレータの出力と第２のコンパレータの出力とから受光
範囲を判定する判定回路と、外部より供給される前記光
電変換モジュール用印加電圧を前記判定回路の出力によ
つて制御して前記電圧印加回路に出力する電圧制御回路
とを設け、かつ前記切換回路を前記判定回路の出力によ
って切換えるようにした受光素子過電流防止回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004477A JPS61163738A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | 受光素子過電流防止回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60004477A JPS61163738A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | 受光素子過電流防止回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163738A true JPS61163738A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11585187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60004477A Pending JPS61163738A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | 受光素子過電流防止回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163738A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0361342A2 (de) * | 1988-09-28 | 1990-04-04 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger mit erweitertem Dynamikbereich |
| WO2000076093A1 (fr) * | 1999-06-07 | 2000-12-14 | Fujitsu Limited | Circuit de polarisation pour photodetecteur, et recepteur de communication optique |
| US7570084B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-08-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit outputting detection signal based on detection result of a detecting device and electronic device including the same |
| JPWO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-05-27 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置 |
| JP2021069025A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 光受信器 |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP60004477A patent/JPS61163738A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0361342A2 (de) * | 1988-09-28 | 1990-04-04 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Optischer Empfänger mit erweitertem Dynamikbereich |
| WO2000076093A1 (fr) * | 1999-06-07 | 2000-12-14 | Fujitsu Limited | Circuit de polarisation pour photodetecteur, et recepteur de communication optique |
| US6707024B2 (en) | 1999-06-07 | 2004-03-16 | Fujitsu Limited | Bias circuit for a photodetector, and an optical receiver |
| US7570084B2 (en) | 2006-08-04 | 2009-08-04 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit outputting detection signal based on detection result of a detecting device and electronic device including the same |
| JPWO2008099507A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2010-05-27 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置 |
| JP4998478B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2012-08-15 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光受信装置 |
| US8306437B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-11-06 | Fujitsu Limited | Optical receiver |
| JP2021069025A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 光受信器 |
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