JPS61163706A - マイクロストリツプラインアンテナの製造方法 - Google Patents
マイクロストリツプラインアンテナの製造方法Info
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- JPS61163706A JPS61163706A JP60004500A JP450085A JPS61163706A JP S61163706 A JPS61163706 A JP S61163706A JP 60004500 A JP60004500 A JP 60004500A JP 450085 A JP450085 A JP 450085A JP S61163706 A JPS61163706 A JP S61163706A
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- Japan
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- polyethylene
- synthetic resin
- line antenna
- microstrip line
- dielectric
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
- H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/20—Non-resonant leaky-waveguide or transmission-line antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
- H01Q13/206—Microstrip transmission line antennas
Landscapes
- Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、マイクロストリップラインアンテナの製造方
法に関する。
法に関する。
背景技術
従来から、マイクロストリップラインアンテナを製造す
るにあたって、四7ツ化エチレンを含浸した〃ラス製I
W膜を複数重ねて積層体となし、この積層体の両面に銅
箔を貼り合せ、前記銅箔をエツチングして前記積層体の
一方の面にストリップ導体を形成し、さらに積層体の他
方の面に金属製の地導体を貼合せて製造している。マイ
クロストリップラインアンテナは、衛星放送電波を受信
するために用いられている。
るにあたって、四7ツ化エチレンを含浸した〃ラス製I
W膜を複数重ねて積層体となし、この積層体の両面に銅
箔を貼り合せ、前記銅箔をエツチングして前記積層体の
一方の面にストリップ導体を形成し、さらに積層体の他
方の面に金属製の地導体を貼合せて製造している。マイ
クロストリップラインアンテナは、衛星放送電波を受信
するために用いられている。
このような先訂技術では、ストリップ導体が形成されて
いる一表面が露出しており、ストリップ導体の破損、腐
食などが時間の経過とともに発生することになる。また
このようにしてマイクロストリップラインアンテナを製
造すると、製造コストが非常に高(なり、アンテナとし
て使用することが困難であるという実用上の問題も生じ
る。
いる一表面が露出しており、ストリップ導体の破損、腐
食などが時間の経過とともに発生することになる。また
このようにしてマイクロストリップラインアンテナを製
造すると、製造コストが非常に高(なり、アンテナとし
て使用することが困難であるという実用上の問題も生じ
る。
目 的
本発明の目的は、比較的低いコストで強度を向上すると
ともに、製造時における寸法安定性の良好なマイクロス
トリップラインアンテナを製造するための製造方法を提
供することである。
ともに、製造時における寸法安定性の良好なマイクロス
トリップラインアンテナを製造するための製造方法を提
供することである。
実施例
W&1図は本発明に従って製造されるマイクロストリッ
プラインアンテナ1の斜視図であり、第2図はその断面
図である0合成樹脂製薄lI2の一表面にクランク状の
ストリップ導体3を形成され、合成樹脂製薄膜2のス)
+7ツプ導体3が形成されている面に臨んでポリエチ
レン製の平板状の誘電体4が11着され、この誘電体4
の一表命には會属誕の地導体5が接着されて積層体を成
し、この積層体を加熱・圧着してマイクロストリップラ
インアンテナ1を製造するものである。
プラインアンテナ1の斜視図であり、第2図はその断面
図である0合成樹脂製薄lI2の一表面にクランク状の
ストリップ導体3を形成され、合成樹脂製薄膜2のス)
+7ツプ導体3が形成されている面に臨んでポリエチ
レン製の平板状の誘電体4が11着され、この誘電体4
の一表命には會属誕の地導体5が接着されて積層体を成
し、この積層体を加熱・圧着してマイクロストリップラ
インアンテナ1を製造するものである。
このようなマイクロストリップラインアンテナ1を製造
する工程を、図面を用いて説明する。
する工程を、図面を用いて説明する。
第3図〜第7図は、マイクロストリップラインアンテナ
1の製造工程を示す図である。第1図お上V第2図に示
したストリップ導体3となる金属管7は、巻き取りリー
ル6に巻回される。金属管7は、塗布ロール8aおよび
案内ロール8b間に内に貯留された接着剤に浸漬する。
1の製造工程を示す図である。第1図お上V第2図に示
したストリップ導体3となる金属管7は、巻き取りリー
ル6に巻回される。金属管7は、塗布ロール8aおよび
案内ロール8b間に内に貯留された接着剤に浸漬する。
したがって、金属M7の一表面には塗布ロール8aによ
って接着剤が塗布される。接着剤が塗布された會RM7
は、その後、乾燥手15110を介して乾燥され、一対
の貼り合せロールlla、fib間に案内される。
って接着剤が塗布される。接着剤が塗布された會RM7
は、その後、乾燥手15110を介して乾燥され、一対
の貼り合せロールlla、fib間に案内される。
このとき貼り合せロール1livllb間には、供給リ
ール13に巻回された合成樹脂製i!膜2が案内され、
金属wi7の接着剤が塗布されている面に合成樹脂製I
IPJ2が貼り合せられる。このようにして合成tMm
製Ii!WIA2と金属管7とによって形成される積層
体12は、巻き取りリール23に巻き取られる。金mt
rt’rはたとえばアルミニウム笛、鉄箔、錫箔または
銅箔なとであってその厚みは10〜40μ−である、ま
た合成樹脂製薄II!I2は、たとえばポリブチレンテ
レ7タレートフイルム、ボリプaピレンフィルムまたは
ポリブチレンテレ7タレートフイルムなどである。
ール13に巻回された合成樹脂製i!膜2が案内され、
金属wi7の接着剤が塗布されている面に合成樹脂製I
IPJ2が貼り合せられる。このようにして合成tMm
製Ii!WIA2と金属管7とによって形成される積層
体12は、巻き取りリール23に巻き取られる。金mt
rt’rはたとえばアルミニウム笛、鉄箔、錫箔または
銅箔なとであってその厚みは10〜40μ−である、ま
た合成樹脂製薄II!I2は、たとえばポリブチレンテ
レ7タレートフイルム、ボリプaピレンフィルムまたは
ポリブチレンテレ7タレートフイルムなどである。
次に、第4図に示すように、前述した工程で形成された
積層体12は印刷用ロール16aおよび案内ロール16
b間に案内される。印刷用ロール16mは容器14内の
レノストインキ15に浸漬されており、したがって前記
積層体12を印刷用ローラ16a、16b間に案内する
ことによって金属Ml上には印刷配線されるべき部分が
レジストインキ15で印刷される。その後、乾燥手段1
7を介して乾燥されて、金属iI7の表面にレジストイ
ンキ15が印刷された積層体12mは、巻き取りリール
23aに巻き取られる。
積層体12は印刷用ロール16aおよび案内ロール16
b間に案内される。印刷用ロール16mは容器14内の
レノストインキ15に浸漬されており、したがって前記
積層体12を印刷用ローラ16a、16b間に案内する
ことによって金属Ml上には印刷配線されるべき部分が
レジストインキ15で印刷される。その後、乾燥手段1
7を介して乾燥されて、金属iI7の表面にレジストイ
ンキ15が印刷された積層体12mは、巻き取りリール
23aに巻き取られる。
レジストインキ15の印刷方法は何等限定されるもので
なく、通常行なわれているスクリーン、凸版またはグラ
ビヤ写真印刷などであればよいが、量産する場合にはグ
ラビヤ写真印刷が好ましい。
なく、通常行なわれているスクリーン、凸版またはグラ
ビヤ写真印刷などであればよいが、量産する場合にはグ
ラビヤ写真印刷が好ましい。
また前述した金属M7と合成樹脂製Wi膜2との貼り合
せ工程も何等限定されるものでなく、第3図に示したド
ライラミネート法だけでな(、押し出しラミネート法ま
たはその他の方法が用いられてもよい。
せ工程も何等限定されるものでなく、第3図に示したド
ライラミネート法だけでな(、押し出しラミネート法ま
たはその他の方法が用いられてもよい。
金属M7の一表面にレジストインキ15が印刷された積
層体12mは、第5図に示すようにエツチング1ff1
9、中和槽20お上り洗浄槽21をこの順序で案内さ八
、さらに乾燥手段22によって乾燥されて、合成樹脂製
薄@2上にストリップ導体3が印刷配線された状態とな
る。エツチング方法は何等限定されるものでなく、水酸
化ナトリウム水溶液などのアルカリ性溶aおよび酸化第
二鉄水溶液、塩化第二銅水18液などの酸性溶液によっ
て行なわれるようにすればよい、*たストリップ導体3
上に残存するしシストインキ15の除去は、必要に応じ
て行なうようにすればよい。
層体12mは、第5図に示すようにエツチング1ff1
9、中和槽20お上り洗浄槽21をこの順序で案内さ八
、さらに乾燥手段22によって乾燥されて、合成樹脂製
薄@2上にストリップ導体3が印刷配線された状態とな
る。エツチング方法は何等限定されるものでなく、水酸
化ナトリウム水溶液などのアルカリ性溶aおよび酸化第
二鉄水溶液、塩化第二銅水18液などの酸性溶液によっ
て行なわれるようにすればよい、*たストリップ導体3
上に残存するしシストインキ15の除去は、必要に応じ
て行なうようにすればよい。
このようにして合成樹脂製薄li2上にストリップ導体
3を形成した後に、第6図に示すように接着シート24
を介して合成樹脂製11fi2のストリップ導体3が形
成された面に臨んで、平板状の誘電体4が接着される。
3を形成した後に、第6図に示すように接着シート24
を介して合成樹脂製11fi2のストリップ導体3が形
成された面に臨んで、平板状の誘電体4が接着される。
誘電体4は前述したようにポリエチレンから成り、その
メルトインデックス (以下、Mlと略称する)は4
(g/ 10 win)未満−?アル、 1illE体
1)合成樹脂製薄82が接着される面と反対側の面には
、金属製の地導体5が接着シート25を介して接着され
る。このようにして形成される積層体27はさらに複数
積層され、第7図に示すように一対の押圧片28.29
間に挟持され、加熱・圧着される。このときの加熱温度
は、ポリエチレンの融点−pよりも10〜50度高い温
度範囲である。
メルトインデックス (以下、Mlと略称する)は4
(g/ 10 win)未満−?アル、 1illE体
1)合成樹脂製薄82が接着される面と反対側の面には
、金属製の地導体5が接着シート25を介して接着され
る。このようにして形成される積層体27はさらに複数
積層され、第7図に示すように一対の押圧片28.29
間に挟持され、加熱・圧着される。このときの加熱温度
は、ポリエチレンの融点−pよりも10〜50度高い温
度範囲である。
このようにして、第1図および第2図に示したマイクロ
ストリップラインアンテナ1が製造される。
ストリップラインアンテナ1が製造される。
誘電体4として用いられるポリエチレンの密度は何等限
定されるものではないが、溶融特性はMIで4未満が望
ましい、さらに好ましくは、MIが0.4 未満であ
る。すなわち、加熱・圧着してマイクロストリップライ
ンアンテナ1を製造する際に、MIが4以上の場合には
ポリエチレンが溶融流動し、合成樹脂製薄1i2の形状
よりも大き(広がって、予め定めた厚みを得ることがで
きない“ ためである。ポリエチレンのMIが0.4
未満の場合には、加熱・圧着時に端部が部分的に流出す
るだけである。
定されるものではないが、溶融特性はMIで4未満が望
ましい、さらに好ましくは、MIが0.4 未満であ
る。すなわち、加熱・圧着してマイクロストリップライ
ンアンテナ1を製造する際に、MIが4以上の場合には
ポリエチレンが溶融流動し、合成樹脂製薄1i2の形状
よりも大き(広がって、予め定めた厚みを得ることがで
きない“ ためである。ポリエチレンのMIが0.4
未満の場合には、加熱・圧着時に端部が部分的に流出す
るだけである。
加熱・圧着の条件は、マイクロストリップラインアンテ
ナ1の各積層間の引き剥がし強度Pを高めるために、ポ
リエチレンの融点upよりも10〜50℃商い温度範囲
で加熱される。
ナ1の各積層間の引き剥がし強度Pを高めるために、ポ
リエチレンの融点upよりも10〜50℃商い温度範囲
で加熱される。
マイクロストリップラインアンテナ1は屋外で使用され
るために、引き剥がし強度Pは4kg/c輸幅以上必要
である。そのためには、ポリエチレンの融点mpよりも
少なくとも10℃高い加熱条件が必要である(後述のt
tSB図参照)。温度範囲が融点−pよりも20℃高い
範囲までは、引き剥がし強度Pは直線的に増す。したが
って、さらに好ましくは加熱条件を融点mpよりも20
℃以上高くすることである。また融点−pよりも50℃
高くなると、ポリエチレンが分解してしまうので、加熱
条件の温度範囲の上限は50℃である。
るために、引き剥がし強度Pは4kg/c輸幅以上必要
である。そのためには、ポリエチレンの融点mpよりも
少なくとも10℃高い加熱条件が必要である(後述のt
tSB図参照)。温度範囲が融点−pよりも20℃高い
範囲までは、引き剥がし強度Pは直線的に増す。したが
って、さらに好ましくは加熱条件を融点mpよりも20
℃以上高くすることである。また融点−pよりも50℃
高くなると、ポリエチレンが分解してしまうので、加熱
条件の温度範囲の上限は50℃である。
本発明に従うマイクロストリップラインアンテナ1に用
いられる誘電体4としてのポリエチレンは、その融点m
pはたとえば126℃であり、低密度<V度d = 0
.92 g/ am’)t’ある。加熱−圧11i時の
接着圧力は河等限定されるものでなく、最低限必要な圧
力は積層体27に付加されればよく、好ましくは1 k
g/ am”以上あれば良い。
いられる誘電体4としてのポリエチレンは、その融点m
pはたとえば126℃であり、低密度<V度d = 0
.92 g/ am’)t’ある。加熱−圧11i時の
接着圧力は河等限定されるものでなく、最低限必要な圧
力は積層体27に付加されればよく、好ましくは1 k
g/ am”以上あれば良い。
第6図に示した接着シー)24.25の種類も何等限定
されるものではなく、一般的に用いられている変性ポリ
エチレンフィルム (厚み30〜100μm)、変性エ
チレン酢酸ビニルフィルム (厚み30〜100μ−)
などである、*た接着シート 。
されるものではなく、一般的に用いられている変性ポリ
エチレンフィルム (厚み30〜100μm)、変性エ
チレン酢酸ビニルフィルム (厚み30〜100μ−)
などである、*た接着シート 。
24.25は、誘電体4に予め貼合せられでもよい。
第3図およV@4図に示したltj!工程において、金
属M7と合成樹脂製薄膜2とを貼り合せた後にストリッ
プ導体3となるべき部分をレジストインキ15で印刷す
るようにしたけれども、金属fi7にストリップ導体3
となるべき部分をレノストインキ15で印刷した後に金
属M7と合成樹脂製薄!12とを貼り合せるようにして
もよい、また地導体5は圧着温度で変形しないものであ
ればよく、鉄板またはアルミニュウム板などが好ましい
。
属M7と合成樹脂製薄膜2とを貼り合せた後にストリッ
プ導体3となるべき部分をレジストインキ15で印刷す
るようにしたけれども、金属fi7にストリップ導体3
となるべき部分をレノストインキ15で印刷した後に金
属M7と合成樹脂製薄!12とを貼り合せるようにして
もよい、また地導体5は圧着温度で変形しないものであ
ればよく、鉄板またはアルミニュウム板などが好ましい
。
得られた積層体27は、端面処理されて製品となり、マ
イクロストリップラインアンテナ1が憂11IS 刺
ス 本発明に従えば、可撓性を有する合成樹脂性薄膜2の一
表面上にストリップ導体3を形成した後に、前記合成樹
脂性薄膜2のストリップ導体3が形成されている面に臨
んで、MIが4未満のポリエチレン製の平板状の誘電体
4を接着するとともに、前記誘電体4に金属製の地導体
5を接着して積層体27を形成し、この積層体27を前
記ポリエチレンの融点りよりも10〜50℃高い温度範
囲で加熱・圧着するようにしたので、寸法安定性の良い
マイクロストリップラインアンテナ1が製造される。
イクロストリップラインアンテナ1が憂11IS 刺
ス 本発明に従えば、可撓性を有する合成樹脂性薄膜2の一
表面上にストリップ導体3を形成した後に、前記合成樹
脂性薄膜2のストリップ導体3が形成されている面に臨
んで、MIが4未満のポリエチレン製の平板状の誘電体
4を接着するとともに、前記誘電体4に金属製の地導体
5を接着して積層体27を形成し、この積層体27を前
記ポリエチレンの融点りよりも10〜50℃高い温度範
囲で加熱・圧着するようにしたので、寸法安定性の良い
マイクロストリップラインアンテナ1が製造される。
以下、実施例1〜4によって本発明を詳述する。
実施例1
第3図〜第7図に示した製造工程に従って、マイクロス
トリップフィンアンテナ1を製造した。
トリップフィンアンテナ1を製造した。
金JKI7として30μ−のアルミニウム笛を用い、合
成樹脂製m膜2として10μ−のポリエステルフィルム
を用いた1合成樹脂製薄ll1I2と金属M7とをドラ
イラミネート法によって貼り合せた後、グラビア印刷に
よってストリップ導体3が形成されるべ!部分を印刷し
、塩化第二鉄Saによってエツチングしてストリップ導
体3を形成した。次ぎに、接着シー)24.25として
の30μm厚のポリエステル変性フィルム (三井石油
化学株式会社製、商品名NE−050)を介して、0゜
Omm厚でMIが1 、2 (g/ 10 win)
、融点mpが126℃に調整された低密度ポリエチレン
シートと、厚さ1.b 商品名MSN60C)とを第6図に示したように積層し
、圧力2kg/cI12にて接着温度146℃(融点m
p+ 20℃)によって加熱・圧着した。このときにお
ける加圧時間は、30秒である。ここでいう加圧時開は
、ポリエチレンの接着界面温度が146℃に達した後の
時間である。このようにして加熱・圧着した後に冷却し
、積層体27の温度が60℃になった後に、製品として
のマイクロストリップラインアンテナ1を取り出した。
成樹脂製m膜2として10μ−のポリエステルフィルム
を用いた1合成樹脂製薄ll1I2と金属M7とをドラ
イラミネート法によって貼り合せた後、グラビア印刷に
よってストリップ導体3が形成されるべ!部分を印刷し
、塩化第二鉄Saによってエツチングしてストリップ導
体3を形成した。次ぎに、接着シー)24.25として
の30μm厚のポリエステル変性フィルム (三井石油
化学株式会社製、商品名NE−050)を介して、0゜
Omm厚でMIが1 、2 (g/ 10 win)
、融点mpが126℃に調整された低密度ポリエチレン
シートと、厚さ1.b 商品名MSN60C)とを第6図に示したように積層し
、圧力2kg/cI12にて接着温度146℃(融点m
p+ 20℃)によって加熱・圧着した。このときにお
ける加圧時間は、30秒である。ここでいう加圧時開は
、ポリエチレンの接着界面温度が146℃に達した後の
時間である。このようにして加熱・圧着した後に冷却し
、積層体27の温度が60℃になった後に、製品として
のマイクロストリップラインアンテナ1を取り出した。
なお加熱・圧着するときの寸法は、500mmX500
mmである。
mmである。
実施例2
実施例1と同様にして、誘電体4としてMIを0.1
に調整した低密度ポリエチレン (厚?!:1゜0+s
m)を実施例1の条件と同様の条件で加熱・圧着した。
に調整した低密度ポリエチレン (厚?!:1゜0+s
m)を実施例1の条件と同様の条件で加熱・圧着した。
実施例3
実施例1と同様にして、誘電体4としてMIを0 、0
5 (g/ 10 win)に調整した高密度ポリエチ
レン (厚さ0.8MIIIFI11点mp=135℃
)を用いて温度160℃、圧力10 kg/ 0m2で
加熱・圧着し、マイクロストリップラインアンテナ1を
製造した。
5 (g/ 10 win)に調整した高密度ポリエチ
レン (厚さ0.8MIIIFI11点mp=135℃
)を用いて温度160℃、圧力10 kg/ 0m2で
加熱・圧着し、マイクロストリップラインアンテナ1を
製造した。
実施例1〜3で得られたマイクロストリップラインアン
テナ1を切断して誘電体4の厚さをi部および中央部で
測定し、各平均値を第1表に示した。また比較例として
、実施例1と同様の条件にテM I ヲ10 (g/
10 win)ニ調整シタ低密度、K リエチレン(厚
さ1.Omm)を加熱・圧着して得たマイクロストリッ
プラインアンテナ1の誘電体4の厚さを第1表に同時に
示す。
テナ1を切断して誘電体4の厚さをi部および中央部で
測定し、各平均値を第1表に示した。また比較例として
、実施例1と同様の条件にテM I ヲ10 (g/
10 win)ニ調整シタ低密度、K リエチレン(厚
さ1.Omm)を加熱・圧着して得たマイクロストリッ
プラインアンテナ1の誘電体4の厚さを第1表に同時に
示す。
(以下余白)
第 1 表
#11表から理解されるように、本発明に従って製iさ
れたマイクロストリップラインアンテナ1のy#誘電体
の中央部と端部とにおける厚みのばらつきが少なく、M
Iが10の低密度ポリエチレンを用いた比較例において
は厚みのばらつきが太き+11゜ このように、本発明に従って製造されたマイクロストリ
ップラインアンテナ1は、寸法安定性が良好なのが理解
される。
れたマイクロストリップラインアンテナ1のy#誘電体
の中央部と端部とにおける厚みのばらつきが少なく、M
Iが10の低密度ポリエチレンを用いた比較例において
は厚みのばらつきが太き+11゜ このように、本発明に従って製造されたマイクロストリ
ップラインアンテナ1は、寸法安定性が良好なのが理解
される。
実施例4
合成樹脂製薄膜2、誘電体4および地導体5を実施例1
と同一の材料を使用し、圧力2 kg/ cm’で圧着
温度を変化させてマイクロストリップラインアンテナ1
を製造した。圧着温度は、第2表に示される7種類の条
件である。それぞれの温度における誘電体4の中央部お
よび端部の厚みを、第2表に示した。また各温度におい
て接着したときの誘電体4と地導体5間の引き剥がし強
度Pを日本工業規格(JISC−6481)に準じて測
定した。その結果を、第8図に示す。
と同一の材料を使用し、圧力2 kg/ cm’で圧着
温度を変化させてマイクロストリップラインアンテナ1
を製造した。圧着温度は、第2表に示される7種類の条
件である。それぞれの温度における誘電体4の中央部お
よび端部の厚みを、第2表に示した。また各温度におい
て接着したときの誘電体4と地導体5間の引き剥がし強
度Pを日本工業規格(JISC−6481)に準じて測
定した。その結果を、第8図に示す。
第2表
効 果
以上のように本発明によれば、比較的低いコストで、寸
法安定性の良いかつ強度を向上したマイクロストリップ
ラインア”ンテナが実現できる。
法安定性の良いかつ強度を向上したマイクロストリップ
ラインア”ンテナが実現できる。
第1図は本発明に従って製造されるマイクロストリップ
ラインアンテナ1の斜視図、第2図はマイクロストリッ
プラインアンテナ1の断面図、第3図は金属M7に合成
樹脂製薄ll5I2を接着する工程を示す図、14図は
金属箔7上にレジストインキ15で印刷する製造工程を
示す図、第5図はエツチング法によって印刷配線する工
程を示す図、第6図は積層体27の分解断面図、第7図
は積層体27を加熱・圧着してマイクロストリップライ
ンアンテナゴを製造する工程を示す図、第8図は一ポリ
エチレンの融点−pよりも高い温度範囲で加熱したとき
の温度範囲と引き剥がし強度Pとの関係を示す図である
。 1・・・マイクロストリップラインアンテナ、2・・・
合成樹脂91薄膜、3・・・ス) +7ツプ導体、4・
・・誘電体、5・・・地導体、7・・・金ati、12
,12a、27・・・積層体 代理人 弁理士 函数 圭一部 第1図 第2図 第3 図 第4図 第6図 第7図 手続補正書 昭和60年 3月22日
ラインアンテナ1の斜視図、第2図はマイクロストリッ
プラインアンテナ1の断面図、第3図は金属M7に合成
樹脂製薄ll5I2を接着する工程を示す図、14図は
金属箔7上にレジストインキ15で印刷する製造工程を
示す図、第5図はエツチング法によって印刷配線する工
程を示す図、第6図は積層体27の分解断面図、第7図
は積層体27を加熱・圧着してマイクロストリップライ
ンアンテナゴを製造する工程を示す図、第8図は一ポリ
エチレンの融点−pよりも高い温度範囲で加熱したとき
の温度範囲と引き剥がし強度Pとの関係を示す図である
。 1・・・マイクロストリップラインアンテナ、2・・・
合成樹脂91薄膜、3・・・ス) +7ツプ導体、4・
・・誘電体、5・・・地導体、7・・・金ati、12
,12a、27・・・積層体 代理人 弁理士 函数 圭一部 第1図 第2図 第3 図 第4図 第6図 第7図 手続補正書 昭和60年 3月22日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 可撓性を有する合成樹脂製薄膜の一表面上にストリップ
導体を形成した後に、 前記合成樹脂製薄膜のストリップ導体が形成されている
一表面に臨んでメルトインデックスが4未満のポリエチ
レン製の平板状の誘電体を接着するとともに、前記誘電
体に金属製地導体を接着して積層体を形成し、 前記積層体をポリエチレンの融点よりも10〜50℃高
い温度範囲で加熱・圧着することを特徴とするマイクロ
ストリップラインアンテナの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60004500A JPS61163706A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | マイクロストリツプラインアンテナの製造方法 |
US06/784,478 US4728962A (en) | 1984-10-12 | 1985-10-04 | Microwave plane antenna |
CA000492252A CA1242796A (en) | 1984-10-12 | 1985-10-04 | Microwave plane antenna |
FR8514964A FR2571897B1 (fr) | 1984-10-12 | 1985-10-09 | Antenne en nappe pour micro-ondes et son procede de fabrication |
DE3536097A DE3536097C2 (de) | 1984-10-12 | 1985-10-09 | Ebene mikrowellenantenne |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60004500A JPS61163706A (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 | マイクロストリツプラインアンテナの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61163706A true JPS61163706A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11585779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60004500A Pending JPS61163706A (ja) | 1984-10-12 | 1985-01-14 | マイクロストリツプラインアンテナの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61163706A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8289225B2 (en) | 2008-01-17 | 2012-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-resonant antenna having dielectric body |
CN114899586A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-12 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种悬臂安装的微带振子天线 |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP60004500A patent/JPS61163706A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8289225B2 (en) | 2008-01-17 | 2012-10-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-resonant antenna having dielectric body |
CN114899586A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-08-12 | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 | 一种悬臂安装的微带振子天线 |
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