JPS61161761A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61161761A JPS61161761A JP237585A JP237585A JPS61161761A JP S61161761 A JPS61161761 A JP S61161761A JP 237585 A JP237585 A JP 237585A JP 237585 A JP237585 A JP 237585A JP S61161761 A JPS61161761 A JP S61161761A
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- JP
- Japan
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- collector
- region
- emitter
- base
- impurity
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 25
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に高いコレクタ・エミッ
タ間耐圧（ＬＶＣＩＯ）％高い電流増幅率（ｈＦｌ）、
低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧（Ｖｃｍ（ｓａｔ）
）を得る事のできるノ（イボ−２トランジスタに関す
る。
タ間耐圧（ＬＶＣＩＯ）％高い電流増幅率（ｈＦｌ）、
低いコレクタ・エミッタ間飽和電圧（Ｖｃｍ（ｓａｔ）
）を得る事のできるノ（イボ−２トランジスタに関す
る。
第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３図
の八−Ａ′線に沿って切断したところの不純物分布図で
ある。これら図において、ベース不純物す、エミッタ不
純物ａはエピタキシャル成長させたコレクタ基板（領域
１）あるいはベース不純物す、エミッタ不純物ａを拡散
する面とは反対の面からコレクタ不純物Ｃ′ｌｉ−拡散
済であるコレクタ基板に拡散させられる。この製造方法
において、高ＬＶＣＩＩＯ，高ｈＦｌのトランジスタを
得るためには、ベース領域３の不純物すの濃度を高くし
、かつベースｇＷａを狭くする必要があシ、ベース領域
３の不純物として拡散係数が非常く小さいものを用いな
ければならず、その製造は非常に困難であった。
の八−Ａ′線に沿って切断したところの不純物分布図で
ある。これら図において、ベース不純物す、エミッタ不
純物ａはエピタキシャル成長させたコレクタ基板（領域
１）あるいはベース不純物す、エミッタ不純物ａを拡散
する面とは反対の面からコレクタ不純物Ｃ′ｌｉ−拡散
済であるコレクタ基板に拡散させられる。この製造方法
において、高ＬＶＣＩＩＯ，高ｈＦｌのトランジスタを
得るためには、ベース領域３の不純物すの濃度を高くし
、かつベースｇＷａを狭くする必要があシ、ベース領域
３の不純物として拡散係数が非常く小さいものを用いな
ければならず、その製造は非常に困難であった。
本発明の目的は、かかる不都合をなくシ、べ−ス不純物
拡散制御用の高ｍ度コレクタ埋込み層を導入した半導体
装置を提供することにある。
拡散制御用の高ｍ度コレクタ埋込み層を導入した半導体
装置を提供することにある。
本発明の構成は、第１４亀形のコレクタ領域と、この領
域に接触する第２導電形のベース領域と、このベース領
域に接触する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導
体装置において、前記ベース領域と前記コレクタ領域と
の接合形成部にベースΦコレクタ接合の深さを制御する
ための第１導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃
度よりは高ａ度な不純物を有する埋込み層を設けたこと
を特徴とする。
域に接触する第２導電形のベース領域と、このベース領
域に接触する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導
体装置において、前記ベース領域と前記コレクタ領域と
の接合形成部にベースΦコレクタ接合の深さを制御する
ための第１導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃
度よりは高ａ度な不純物を有する埋込み層を設けたこと
を特徴とする。
第１図は本発明の実施例のトランジスタの断面図、第２
に第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図で
ある。これら図において、たとえば、抵抗率１．４Ωｍ
のｎ形シリコンエピタキシャル層成長工程の途中で約５
０ＫｅＶ、約２ Ｘ Ｉ Ｏ’個／ ｃｍ２のアンチモ
ンイオンを注入した後、約５μｍの前記エピタ争シャル
層を追加成長させ、その後ベース・エミッタ不純物を所
望の特性が得られる様に拡散した。ベース不純物すの拡
散に先豆りて導入された高濃度埋込み層２のために、ベ
ース不純物すとして拡散係数が比較的大きなものを用い
ても、前記高＠度埋込み層２の部分でベース不純物すの
拡散が遅くなり、かつ前記高濃度埋込み層２により浅い
ベース曇コレクタ接合ができ、その後のエミッタ不純物
ａの拡散により、エミッタ領域４とコレクタ領域りに挾
まれた高濃度不純物Ｃ′の狭いベース領域３が形成され
る（ベース幅Ｗ ａ ’ ）。また、本実施例の製造方
法によれば、ベースに接するコレクタ部の濃度が高いた
めに、ベース領域３からコレクタ領域ｌへの逆注入が減
少シ、低いＶｃｉ（ｓａｔ）のトランジスタができる。
に第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図で
ある。これら図において、たとえば、抵抗率１．４Ωｍ
のｎ形シリコンエピタキシャル層成長工程の途中で約５
０ＫｅＶ、約２ Ｘ Ｉ Ｏ’個／ ｃｍ２のアンチモ
ンイオンを注入した後、約５μｍの前記エピタ争シャル
層を追加成長させ、その後ベース・エミッタ不純物を所
望の特性が得られる様に拡散した。ベース不純物すの拡
散に先豆りて導入された高濃度埋込み層２のために、ベ
ース不純物すとして拡散係数が比較的大きなものを用い
ても、前記高＠度埋込み層２の部分でベース不純物すの
拡散が遅くなり、かつ前記高濃度埋込み層２により浅い
ベース曇コレクタ接合ができ、その後のエミッタ不純物
ａの拡散により、エミッタ領域４とコレクタ領域りに挾
まれた高濃度不純物Ｃ′の狭いベース領域３が形成され
る（ベース幅Ｗ ａ ’ ）。また、本実施例の製造方
法によれば、ベースに接するコレクタ部の濃度が高いた
めに、ベース領域３からコレクタ領域ｌへの逆注入が減
少シ、低いＶｃｉ（ｓａｔ）のトランジスタができる。
以上説明したように１本発明によれば、コレクタ・エミ
ッタ間耐圧が高く、１！流増幅率が高く。
ッタ間耐圧が高く、１！流増幅率が高く。
コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い半導体装置が得ら
れる。
れる。
第１図は本発明の実施例のトランジスタの断面図、第２
図は第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図
、第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ’線に沿って切断したところの不純物分布図
である。 面図において、ｌ・・・・・・コレクタ領域、２・・・
・・・コレクタ高濃度埋込み層、３・・・・・・ベース
領域、４・・・・・・エミッタ領域、ａ・・・・・・エ
ミッタ不純物、ｂ・・・・・・ベース不純物、Ｃ・・・
・・・コレクタ不純物 Ｃ／・・・・・・コレクタ高濃
度埋込み層不純物分布。
図は第１図のＢ−Ｂ’線に沿ったところの不純物分布図
、第３図は従来のトランジスタの断面図、第４図は第３
図のＡ−Ａ’線に沿って切断したところの不純物分布図
である。 面図において、ｌ・・・・・・コレクタ領域、２・・・
・・・コレクタ高濃度埋込み層、３・・・・・・ベース
領域、４・・・・・・エミッタ領域、ａ・・・・・・エ
ミッタ不純物、ｂ・・・・・・ベース不純物、Ｃ・・・
・・・コレクタ不純物 Ｃ／・・・・・・コレクタ高濃
度埋込み層不純物分布。
Claims (1)
- 第１導電形のコレクタ領域と、このコレクタ領域に接触
する第２導電形のベース領域と、このベース領域に接触
する第１導電形のエミッタ領域とを備えた半導体装置に
於て、前記ベース領域と前記コレクタ領域との接合形成
部にベース・コレクタ接合の深さを制御するための第１
導電形であって、かつ前記コレクタ領域の濃度よりは高
濃度な不純物を有する埋込み層を設けたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP237585A JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP237585A JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161761A true JPS61161761A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11527500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP237585A Pending JPS61161761A (ja) | 1985-01-10 | 1985-01-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161761A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289859A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH01198069A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JP2004502300A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-01-22 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | アンチモニ注入による高周波トランジスタ装置及び製造方法 |
-
1985
- 1985-01-10 JP JP237585A patent/JPS61161761A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63289859A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH01198069A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Toshiba Corp | バイポーラトランジスタの製造方法 |
| JPH02110936A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 高周波半導体装置とその製造方法 |
| JP2004502300A (ja) * | 2000-06-26 | 2004-01-22 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン | アンチモニ注入による高周波トランジスタ装置及び製造方法 |
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