JPS61150343A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61150343A JPS61150343A JP27841184A JP27841184A JPS61150343A JP S61150343 A JPS61150343 A JP S61150343A JP 27841184 A JP27841184 A JP 27841184A JP 27841184 A JP27841184 A JP 27841184A JP S61150343 A JPS61150343 A JP S61150343A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/1815—Shape
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関し、特に
、樹脂封止工程時に樹脂モールド層に形成されたガイド
ピン穴を封止する方法の改良に係る。
、樹脂封止工程時に樹脂モールド層に形成されたガイド
ピン穴を封止する方法の改良に係る。
樹脂封止型半導体装置はリードフレームを用いて製造さ
れ、リードフレームのベッド部上に半導体チップをダイ
ボンディングした後にワイヤボンディングを施し、続い
て樹脂モールド工程により所要箇所を樹脂モールド層で
封止する。次いで各リードをフレームから切り離し、個
々の樹脂封止型半導体装置を分離することにより、例え
ば第２図に示す外観をもった樹脂封止型半導体装置が得
られる。同図において、１は樹脂モールド層である。該
樹脂モールド層からはリード２・・・が外方に延出され
ており、これらのリードは樹脂モールド層の内部に封止
された図示しない半導体チップとワヤボンディングによ
り接続されている。
れ、リードフレームのベッド部上に半導体チップをダイ
ボンディングした後にワイヤボンディングを施し、続い
て樹脂モールド工程により所要箇所を樹脂モールド層で
封止する。次いで各リードをフレームから切り離し、個
々の樹脂封止型半導体装置を分離することにより、例え
ば第２図に示す外観をもった樹脂封止型半導体装置が得
られる。同図において、１は樹脂モールド層である。該
樹脂モールド層からはリード２・・・が外方に延出され
ており、これらのリードは樹脂モールド層の内部に封止
された図示しない半導体チップとワヤボンディングによ
り接続されている。
ところで、第２図の樹脂封止型半導体装置を製造する際
の樹脂封止工程では、ワイヤボンディングを施したリー
ドフレームをモールド型キャビティー内の所定レベルに
固定するため、成形面にガイドピンを設けたモールド型
が用いられる。その結果、形成された樹脂モールド層１
には、図示のようにガイドピン穴３・・・が形成される
ことになる。
の樹脂封止工程では、ワイヤボンディングを施したリー
ドフレームをモールド型キャビティー内の所定レベルに
固定するため、成形面にガイドピンを設けたモールド型
が用いられる。その結果、形成された樹脂モールド層１
には、図示のようにガイドピン穴３・・・が形成される
ことになる。
これらガイドピン穴の底にはフレーム部分が露出してい
るため、放置すれば水分の侵入により装置の信頼性低下
の原因となり、また外観上も好ましくない。
るため、放置すれば水分の侵入により装置の信頼性低下
の原因となり、また外観上も好ましくない。
そこで、第３図に示すように、固形の熱硬化性樹脂から
なるポツティング樹脂５をビンセット６でガイドピン穴
３・・・内に嵌入し、オーブン中で一定の熱処理を加え
ることにより封止する方法が従来行なわれている。なお
、図中４は樹脂モールド層１の内部に封止されたフレー
ム部分である。
なるポツティング樹脂５をビンセット６でガイドピン穴
３・・・内に嵌入し、オーブン中で一定の熱処理を加え
ることにより封止する方法が従来行なわれている。なお
、図中４は樹脂モールド層１の内部に封止されたフレー
ム部分である。
上記ガイドピン穴を封止する従来の方法には次のような
問題があった。
問題があった。
第一の問題は、ガイドピン穴３内にポッティング樹脂５
を嵌入してオーブン中に入れる際、振動等によりポッテ
ィング樹脂５がガイドピン穴３から飛び出すことがあり
、封止されない箇所が発生することである。
を嵌入してオーブン中に入れる際、振動等によりポッテ
ィング樹脂５がガイドピン穴３から飛び出すことがあり
、封止されない箇所が発生することである。
第二の問題は、従来用いられているポッティング樹脂は
キュア温度が高いため高温の熱処理が必要とされ、樹脂
内部の気泡や溶解時における空気の巻込みで気泡等が発
生し易いことである。このような場合には、キュア後に
おけるポッティング樹脂の樹脂モールド層に対する接着
性が悪いため、剥れ等の不良を生じ易い。
キュア温度が高いため高温の熱処理が必要とされ、樹脂
内部の気泡や溶解時における空気の巻込みで気泡等が発
生し易いことである。このような場合には、キュア後に
おけるポッティング樹脂の樹脂モールド層に対する接着
性が悪いため、剥れ等の不良を生じ易い。
第三の問題は、固形熱硬化性樹脂からなるポッティング
樹脂を用いた従来の方法はコストが高いことである。
樹脂を用いた従来の方法はコストが高いことである。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、樹脂封止型
半導体装置を製造する場合に、樹脂封止工程で樹脂モー
ルド層に形成されたガイドピン穴をポッティング樹脂で
封止するに際し、ポッティング樹脂中に発生する気泡を
極力抑制すると共に、ガイドピン穴に投入したポッティ
ング樹脂の飛び出しを防止し、且つポッティング樹脂に
よる封止コストを低減することを目的としてなされたも
のである。
半導体装置を製造する場合に、樹脂封止工程で樹脂モー
ルド層に形成されたガイドピン穴をポッティング樹脂で
封止するに際し、ポッティング樹脂中に発生する気泡を
極力抑制すると共に、ガイドピン穴に投入したポッティ
ング樹脂の飛び出しを防止し、且つポッティング樹脂に
よる封止コストを低減することを目的としてなされたも
のである。
本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導
体チップのダイポンディング及びワイヤボンディングを
施したリードフレームをモールド型の成形面に設けたガ
イドピンによりキャビティ内の所定位置に設置し、その
所要領域を封止する樹脂モールド層を形成した後、前記
ガイドピンにより樹脂モールド層に形成されたガイドピ
ン穴をポッティング樹脂で封止する工程を具備し、該ポ
ッティング樹脂として粘凋な液状の熱硬化性樹脂を用い
ることを特徴とするものである。
体チップのダイポンディング及びワイヤボンディングを
施したリードフレームをモールド型の成形面に設けたガ
イドピンによりキャビティ内の所定位置に設置し、その
所要領域を封止する樹脂モールド層を形成した後、前記
ガイドピンにより樹脂モールド層に形成されたガイドピ
ン穴をポッティング樹脂で封止する工程を具備し、該ポ
ッティング樹脂として粘凋な液状の熱硬化性樹脂を用い
ることを特徴とするものである。
上記のように、本発明は従来の固形熱硬化性樹脂の代り
に、粘凋な液状の熱硬化性樹脂をポッティング樹脂とし
て用いたものである。ガイドピン穴に注入されたポツテ
ィング樹脂はその粘性によって樹脂モールド層に粘着し
、オーブン中に導入する際の振動等で外に飛び出すこと
はない。また、気泡の発生も少ないため、樹脂モールド
層に対する良好な接着性を得ることができる。更に固形
熱硬化性樹脂よりも安価であるため、コストの低減を図
ることができる。
に、粘凋な液状の熱硬化性樹脂をポッティング樹脂とし
て用いたものである。ガイドピン穴に注入されたポツテ
ィング樹脂はその粘性によって樹脂モールド層に粘着し
、オーブン中に導入する際の振動等で外に飛び出すこと
はない。また、気泡の発生も少ないため、樹脂モールド
層に対する良好な接着性を得ることができる。更に固形
熱硬化性樹脂よりも安価であるため、コストの低減を図
ることができる。
以下、第１図を参照して本発明の一実施例を説明する。
まず従来の製造方法と同様、通常の樹脂封止型半導体装
置の製造工程を実施することにより第２図に示した状態
を得た。この場合、樹脂モールド層１に形成されたガイ
ドピン穴の大きさは、表面側Ａに形成された穴３が２．
３φ、裏面側Ｂに形成された穴３′が３．０φであった
。
置の製造工程を実施することにより第２図に示した状態
を得た。この場合、樹脂モールド層１に形成されたガイ
ドピン穴の大きさは、表面側Ａに形成された穴３が２．
３φ、裏面側Ｂに形成された穴３′が３．０φであった
。
次に、第１図に示すようにナイロン製の注入器７から粘
凋な液状の熱硬化製樹脂（製品名ＸＮ１１８４（主剤）
と製品名Ｘ Ｎ １１８５ （効果剤）との混合物）５
′をポッティング樹脂としてガイドピン穴３．３′に滴
下注入した。滴下量は５０ＩＩｔｇとした。
凋な液状の熱硬化製樹脂（製品名ＸＮ１１８４（主剤）
と製品名Ｘ Ｎ １１８５ （効果剤）との混合物）５
′をポッティング樹脂としてガイドピン穴３．３′に滴
下注入した。滴下量は５０ＩＩｔｇとした。
続いて９０℃で２時間のプレキュアした後、１６０℃で
１０時間の本キュアを施して封止を完了した。
１０時間の本キュアを施して封止を完了した。
上記の実施例とは別に、比較例として従来の方法による
ガイドピン穴３．３′の封止を行なった。
ガイドピン穴３．３′の封止を行なった。
この場合、穴３には１．５φＸ １，４５ａｍの固形熱
硬化性樹脂タブレット５を投入し、穴３′には２．０φ
Ｘ２，３３ｍの固形熱硬化性樹脂タブレット５を投入し
て封止工程を行なった。
硬化性樹脂タブレット５を投入し、穴３′には２．０φ
Ｘ２，３３ｍの固形熱硬化性樹脂タブレット５を投入し
て封止工程を行なった。
上記実施例および比較例の夫々の場合における外観不良
の発生率、並びにコストを比較した結果を下記第１表に
示す。
の発生率、並びにコストを比較した結果を下記第１表に
示す。
第 １ 表
この結果から明らかなように、上記実施例の方法でガイ
ドピン穴の封止を行なえば、従来の方法に比較して外観
不良の発生を著しく抑制することができ、且つコストの
低減をも同時に達成することができる。
ドピン穴の封止を行なえば、従来の方法に比較して外観
不良の発生を著しく抑制することができ、且つコストの
低減をも同時に達成することができる。
なお、本発明に使用し得るポッティング樹脂は上記実施
例で用いた製品名Ｘ Ｎ １１８４ （主剤）と製品名
Ｘ Ｎ １１８５ （効果剤）との混合物に限定されず
、粘凋な液状の熱硬化性樹脂であればどのような樹脂を
用いてもよい。
例で用いた製品名Ｘ Ｎ １１８４ （主剤）と製品名
Ｘ Ｎ １１８５ （効果剤）との混合物に限定されず
、粘凋な液状の熱硬化性樹脂であればどのような樹脂を
用いてもよい。
以上詳述したように、本発明による樹脂封止を半導体装
置の製造方法は、樹脂封止工程で樹脂モールド層に形成
されたガイドピン穴をポッティング樹脂で封止するに際
し、ポツティング樹脂中に発生する気泡を極力抑制する
と共に、ガイドピン穴に投入したポッティング樹脂の飛
び出しを防止し、且つポツティング樹脂による封止コス
トを低減できる等、顕著な効果を奏するものである。
置の製造方法は、樹脂封止工程で樹脂モールド層に形成
されたガイドピン穴をポッティング樹脂で封止するに際
し、ポツティング樹脂中に発生する気泡を極力抑制する
と共に、ガイドピン穴に投入したポッティング樹脂の飛
び出しを防止し、且つポツティング樹脂による封止コス
トを低減できる等、顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例におけるガイドピン穴封止工
程を示す説明図、第２図は樹脂モールド層にガイドピン
穴が形成された樹脂封止型半導体装置の一例を示す斜視
図、第３図は樹脂モールド層に形成されたガイドピン穴
を封止するために従来性なわれている方法を示す説明図
である。 １・・・樹脂モールド層、２・・・リード、３．３′・
・・ガイドピン穴、４・・・フレーム残部、５・・・固
形熱硬化性樹脂タブレット、５′・・・粘凋な液状の熱
効果性樹脂によるポツティング樹脂、６・・・ビンセッ
ト、７・・・注入器。
程を示す説明図、第２図は樹脂モールド層にガイドピン
穴が形成された樹脂封止型半導体装置の一例を示す斜視
図、第３図は樹脂モールド層に形成されたガイドピン穴
を封止するために従来性なわれている方法を示す説明図
である。 １・・・樹脂モールド層、２・・・リード、３．３′・
・・ガイドピン穴、４・・・フレーム残部、５・・・固
形熱硬化性樹脂タブレット、５′・・・粘凋な液状の熱
効果性樹脂によるポツティング樹脂、６・・・ビンセッ
ト、７・・・注入器。
Claims (1)
- 半導体チップのダイボンディング及びワイヤボンディン
グを施したリードフレームをモールド型の成形面に設け
たガイドピンによりキャビティ内の所定位置に設置し、
その所要領域を封止する樹脂モールド層を形成した後、
前記ガイドピンにより樹脂モールド層に形成されたガイ
ドピン穴をポッティング樹脂で封止する工程を具備し、
該ポッティング樹脂として粘凋な液状の熱硬化性樹脂を
用いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841184A JPS61150343A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27841184A JPS61150343A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150343A true JPS61150343A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17596967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27841184A Pending JPS61150343A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61150343A (ja) |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27841184A patent/JPS61150343A/ja active Pending
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