JPS61148410A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS61148410A JPS61148410A JP27221084A JP27221084A JPS61148410A JP S61148410 A JPS61148410 A JP S61148410A JP 27221084 A JP27221084 A JP 27221084A JP 27221084 A JP27221084 A JP 27221084A JP S61148410 A JPS61148410 A JP S61148410A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical semiconductor
- support plate
- optical
- semiconductor device
- spacer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/421—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical component consisting of a short length of fibre, e.g. fibre stub
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、・譬ツケージの構造を改良した光通信用の
光半導体装置に関する。
光半導体装置に関する。
一般に、光半導体素子を外部光ファイバに効率よく光結
合するために、結合用光ファイバを中心孔に固定した結
合用円筒部材を備えた第４図に示すような光半導体装置
が広く知られている。
合するために、結合用光ファイバを中心孔に固定した結
合用円筒部材を備えた第４図に示すような光半導体装置
が広く知られている。
このような光半導体装置はいわゆるキャンタイプと称す
るプロジェクション溶接を用いる例であシ、結合用円筒
部材２を支持する外囲器３と光半導体素子５をマウント
デンディングしたヘッダ６を、上記光半導体素子５と光
７プイパ４の光軸を合せた後、グロジェクション溶接し
ている・又、このような光半導体装置は、結合用円筒部
材２と精密に嵌合する孔を有する光コネクタリセプタク
ル７に嵌め込み、上記結合用円筒部材２と同径のフェル
ルを有する図示しなり光コネクタによって外部光ファイ
バに結合される。
るプロジェクション溶接を用いる例であシ、結合用円筒
部材２を支持する外囲器３と光半導体素子５をマウント
デンディングしたヘッダ６を、上記光半導体素子５と光
７プイパ４の光軸を合せた後、グロジェクション溶接し
ている・又、このような光半導体装置は、結合用円筒部
材２と精密に嵌合する孔を有する光コネクタリセプタク
ル７に嵌め込み、上記結合用円筒部材２と同径のフェル
ルを有する図示しなり光コネクタによって外部光ファイ
バに結合される。
上述した光半導体装置は光半導体素子５を単独に気密封
止した例であるが、同一外囲器内に光半導体素子と駆動
回路を組込んだ光半導体装置が知られておシ、そのよう
な光半導体装置においても、光半導体素子を光ファイバ
に効率よく光結合するため、結合用円筒部材を備えた構
造にすることが重要である。
止した例であるが、同一外囲器内に光半導体素子と駆動
回路を組込んだ光半導体装置が知られておシ、そのよう
な光半導体装置においても、光半導体素子を光ファイバ
に効率よく光結合するため、結合用円筒部材を備えた構
造にすることが重要である。
そこで、先ず考慮されるのが、第５図に示す光半導体装
置である。この光半導体装置は、第４図におけるヘッダ
６を上面周辺部に金属リング１１を備えたセラミック基
板９に置換え、光半導体素子５の設けられている気密空
間内の上記セラミック基板９に電気回路素子１０．１０
からなる駆動回路を組込んだ構造をしている。
置である。この光半導体装置は、第４図におけるヘッダ
６を上面周辺部に金属リング１１を備えたセラミック基
板９に置換え、光半導体素子５の設けられている気密空
間内の上記セラミック基板９に電気回路素子１０．１０
からなる駆動回路を組込んだ構造をしている。
ここで上記セラミック基板９は、半導体素子及び駆動回
路を高密度で実装できるため、光半導体装置の全体を小
形化できる他、これを用いて外囲器内を気密封止するこ
とが可能であシ、このような光半導体装置を構広する上
で必要不可欠である。
路を高密度で実装できるため、光半導体装置の全体を小
形化できる他、これを用いて外囲器内を気密封止するこ
とが可能であシ、このような光半導体装置を構広する上
で必要不可欠である。
しかし、第５図の構造では、外囲器３の部材厚が７″ロ
ジエクシヨン溶接を行なうため厚くできないので、上方
からの光コネクタフェルルによる圧縮力に対して変形し
、光結合がずれるという問題がある。又、上記外囲器３
０部材厚さを光；ネクタフェルルによる圧縮力に耐える
ように厚くし、上記セラミック基板９に鑞付けする方法
も考えられるが、高温加熱が必要で、温度差による光軸
ずれが発生したシ光半導体素子の寿命が短縮されるとい
う問題がある。
ジエクシヨン溶接を行なうため厚くできないので、上方
からの光コネクタフェルルによる圧縮力に対して変形し
、光結合がずれるという問題がある。又、上記外囲器３
０部材厚さを光；ネクタフェルルによる圧縮力に耐える
ように厚くし、上記セラミック基板９に鑞付けする方法
も考えられるが、高温加熱が必要で、温度差による光軸
ずれが発生したシ光半導体素子の寿命が短縮されるとい
う問題がある。
これに対し光コネクタフェルルによる圧縮力忙耐えるよ
う忙結合用円柱部材の支持部材を厚くすることが可能で
、加熱による問題も解消したのが、第５図に示すレーザ
溶接を用いる例である。この第６図に示す光半導体素子
忙お−ては、上記結合用円柱部材２を備えた上＠１：Ｉ
と外囲器１３がレーザ溶接により接合される。しかし、
レーデ溶接を行なうため、上記上蓋１２と外囲器１３の
素材が限定されるため、上記セラミック基板９を用いる
際には、実用的ではな込という問題がある。
う忙結合用円柱部材の支持部材を厚くすることが可能で
、加熱による問題も解消したのが、第５図に示すレーザ
溶接を用いる例である。この第６図に示す光半導体素子
忙お−ては、上記結合用円柱部材２を備えた上＠１：Ｉ
と外囲器１３がレーザ溶接により接合される。しかし、
レーデ溶接を行なうため、上記上蓋１２と外囲器１３の
素材が限定されるため、上記セラミック基板９を用いる
際には、実用的ではな込という問題がある。
この発明の目的は、上記従来の問題点を解消したもので
、特に光半導体素子とその駆動回路を同一外囲器内に密
封し、尚かつ光半導体素子と外部光ファイバの光結合を
良好にすることが可能な光半導体装置を提供することを
目的とする。
、特に光半導体素子とその駆動回路を同一外囲器内に密
封し、尚かつ光半導体素子と外部光ファイバの光結合を
良好にすることが可能な光半導体装置を提供することを
目的とする。
この発明は、光学的窓部材を保持した支持板を、光半導
体素子を取付けたセラミック基板にスペーサ部材を介し
て気密接合してなる光半導体装置において、前記支持板
に支持板より大きな外形寸法を有する金属薄板を接合し
、前記金属薄板の周辺部を前記スペーサ部材に気密接合
してなる光半導体装置である。
体素子を取付けたセラミック基板にスペーサ部材を介し
て気密接合してなる光半導体装置において、前記支持板
に支持板より大きな外形寸法を有する金属薄板を接合し
、前記金属薄板の周辺部を前記スペーサ部材に気密接合
してなる光半導体装置である。
この発明の光半導体装置は第１図に示すように構成され
、多層配線セラ之ツク基板２１上には、半導体発光素子
のような光半導体素子１７、駆動回路である集積回路１
８、及び抵抗１９がマウントデンディングにより固着さ
れている。
、多層配線セラ之ツク基板２１上には、半導体発光素子
のような光半導体素子１７、駆動回路である集積回路１
８、及び抵抗１９がマウントデンディングにより固着さ
れている。
このような多層配線セラミック基板２１周辺部には、メ
タライズ層（図示せず）を介してセラミックからなるス
ペーサ２０が取付けられ、このスペーサ２０の上端には
コパール材からなるウェルドリング１６が鑞付けＫより
固着されている。このウェルドリング１６にはリング状
金属薄板１５が固着され、このリング状金属薄板１５に
はメタライズ層（図示せず）を介してセラミックからな
る支持板１４が気密に接合されている。この結果、多層
配線セラミック基板２１、スペーサ２０．支持板１４か
らなる゛外囲器により気密空間が形成されている。更に
、上記支持板１４のほぼ中央には、光フアイバ４ｔ″中
心に固定した結合用円柱部材２がメタライズ層（図示せ
ず）を介して気密に接合されている。
タライズ層（図示せず）を介してセラミックからなるス
ペーサ２０が取付けられ、このスペーサ２０の上端には
コパール材からなるウェルドリング１６が鑞付けＫより
固着されている。このウェルドリング１６にはリング状
金属薄板１５が固着され、このリング状金属薄板１５に
はメタライズ層（図示せず）を介してセラミックからな
る支持板１４が気密に接合されている。この結果、多層
配線セラミック基板２１、スペーサ２０．支持板１４か
らなる゛外囲器により気密空間が形成されている。更に
、上記支持板１４のほぼ中央には、光フアイバ４ｔ″中
心に固定した結合用円柱部材２がメタライズ層（図示せ
ず）を介して気密に接合されている。
上記の場合、組立てに当っては、結合用円柱部材２ｔ−
接合した支持板１４の下面周辺部に、メタライズ層（図
示せず）を介して支持板１４より大きな外寸法を有する
リング状金属薄板１５ｆｔ鑞付けし、光ファイバ４と光
半導体素子１７の光軸を合せて、リング状金属薄板１５
とウェルドリング１６とを抵抗溶接することＫより気密
封止している。
接合した支持板１４の下面周辺部に、メタライズ層（図
示せず）を介して支持板１４より大きな外寸法を有する
リング状金属薄板１５ｆｔ鑞付けし、光ファイバ４と光
半導体素子１７の光軸を合せて、リング状金属薄板１５
とウェルドリング１６とを抵抗溶接することＫより気密
封止している。
この発明によれば、支持板１４の気密接合構造を工夫し
たので支持板を厚くでき、コネクタ接続時の圧縮力によ
って支持板が変形することが防止されて光結合のズレの
問題が解消され、良好な光出力の得られる送信用光半導
体装置を提供することができる。又、光半導体素子１７
と駆動回路である駆動集積回路１８が同一気密空間内に
密封されたので、従来よ勺小形化することができた。
・ 〔発明の変形例〕 上記実施例の他、第２図に示すように抵抗溶接用のコパ
ール薄板２２ｔ−支持板１４の上面に設け、段付きのセ
ラミツ久からなるスペーサ２３を用いて装置を構成する
ことも可能である。
たので支持板を厚くでき、コネクタ接続時の圧縮力によ
って支持板が変形することが防止されて光結合のズレの
問題が解消され、良好な光出力の得られる送信用光半導
体装置を提供することができる。又、光半導体素子１７
と駆動回路である駆動集積回路１８が同一気密空間内に
密封されたので、従来よ勺小形化することができた。
・ 〔発明の変形例〕 上記実施例の他、第２図に示すように抵抗溶接用のコパ
ール薄板２２ｔ−支持板１４の上面に設け、段付きのセ
ラミツ久からなるスペーサ２３を用いて装置を構成する
ことも可能である。
又、上記実施例では、光半導体素子１７として半導体発
光素子音用いた送信用光半導体装置につｂて述べたが、
受光素子を用いた送信用光半導体装置も構成可能である
ことは、言うまでもない。
光素子音用いた送信用光半導体装置につｂて述べたが、
受光素子を用いた送信用光半導体装置も構成可能である
ことは、言うまでもない。
更に、上記実施例では、支持板１４にセラミックを用い
たが、金属の支持板を使用することも可能である。尚、
上記結合用円柱部材２と支持板１４ｔ−一体構造とする
ことも可能である。
たが、金属の支持板を使用することも可能である。尚、
上記結合用円柱部材２と支持板１４ｔ−一体構造とする
ことも可能である。
又、上述の実施例では、スペーサ単体としてセラミック
からなるスペーサとウェル、ドリンクを用いたが、金属
製のスペーサ単体としてもよい。
からなるスペーサとウェル、ドリンクを用いたが、金属
製のスペーサ単体としてもよい。
又、第３図に示すように、光学的窓部材としてガラス板
２４を用いてもよい。
２４を用いてもよい。
第１図はこの発明の一実施例に係る光半導体装置を示す
断面図、第２図乃至第３図はこの発明の変形例を示す断
面図、第４図乃至第６図は従来の光半導体装置を示す断
面図である。 ２・・・結合用円柱部材、４・・・光ファイバ、１４・
１・支持板、１７・・・光半導体素子、１８・・・集積
回路、２０・・・スペーサ、２１・・・セラミック基板
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
断面図、第２図乃至第３図はこの発明の変形例を示す断
面図、第４図乃至第６図は従来の光半導体装置を示す断
面図である。 ２・・・結合用円柱部材、４・・・光ファイバ、１４・
１・支持板、１７・・・光半導体素子、１８・・・集積
回路、２０・・・スペーサ、２１・・・セラミック基板
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）光学的窓部材を保持した支持板を、光半導体素子
を取付けたセラミック基板にスペーサ部材を介して気密
接合してなる光半導体装置において、前記支持板に支持
板より大きな外形寸法を有する金属薄板を接合し、前記
金属薄板の周辺部を前記スペーサ部材に気密接合してな
る光半導体装置。 - （２）前記スペーサ部材はセラミックからなるスペーサ
とこのスペーサに接合された金属板とから構成され、前
記金属薄板の周辺部が前記スペーサ部材の金属板に気密
接合されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光半導体装置。 - （３）前記スペーサ部材は金属で構成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。 - （４）前記光学的窓部材は光ファイバからなり、前記支
持板が前記光ファイバを保持する円柱部材を備えること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置
。 - （５）前記光学的窓部材はガラス板からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27221084A JPS61148410A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27221084A JPS61148410A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148410A true JPS61148410A (ja) | 1986-07-07 |
Family
ID=17510639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27221084A Pending JPS61148410A (ja) | 1984-12-24 | 1984-12-24 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148410A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315807A (ja) * | 1989-05-17 | 1991-01-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光学アセンブリーを製造するための方法 |
| FR2661005A1 (fr) * | 1990-04-13 | 1991-10-18 | Thomson Csf | Dispositif d'alignement et de fixation d'une fibre optique devant un laser semiconducteur. |
-
1984
- 1984-12-24 JP JP27221084A patent/JPS61148410A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315807A (ja) * | 1989-05-17 | 1991-01-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 光学アセンブリーを製造するための方法 |
| FR2661005A1 (fr) * | 1990-04-13 | 1991-10-18 | Thomson Csf | Dispositif d'alignement et de fixation d'une fibre optique devant un laser semiconducteur. |
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