JP2004259860A - 光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】パッケージの気密性を向上するとともに光ファイバの位置ずれを防止して、光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる光半導体素子収納用パッケージを提供すること。
【解決手段】底板1aの上面の3つの辺部に側壁1bが立設されて残りの1つの辺部側が開放部とされた基体1と、開放部を塞ぐように接合された金属板1cと、金属板1cに形成された貫通孔Bと、内周面に透光性部材18が取着され一端部8bが貫通孔Bに嵌着された光ファイバ固定部材8とを具備しており、金属板1cは、左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部Aが形成されており、突出部Aの内側の厚みが側壁1bの厚みの0.3乃至1倍であり、光ファイバ固定部材8は、一端部8bが残部8aよりも細くなっていてその内周面に透光性部材18が取着されている。
【選択図】 図1
【解決手段】底板1aの上面の3つの辺部に側壁1bが立設されて残りの1つの辺部側が開放部とされた基体1と、開放部を塞ぐように接合された金属板1cと、金属板1cに形成された貫通孔Bと、内周面に透光性部材18が取着され一端部8bが貫通孔Bに嵌着された光ファイバ固定部材8とを具備しており、金属板1cは、左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部Aが形成されており、突出部Aの内側の厚みが側壁1bの厚みの0.3乃至1倍であり、光ファイバ固定部材8は、一端部8bが残部8aよりも細くなっていてその内周面に透光性部材18が取着されている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の光通信分野等で用いられ高い周波数で作動する半導体レーザ(LD),フォトダイオード(PD)等の光半導体素子を気密封止して収容するための光半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)の例を図3,図4に示す。図3は従来のパッケージの斜視図、図4は断面図であり、21は基体、22は蓋体である。主にこの基体21と蓋体22とで内部に光半導体素子23や駆動用集積回路素子24等を収納する容器が構成される。
【0003】
基体21は、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体等のセラミックスから成る四角平板状のセラミックス製底板21aの外周辺のうち3つの辺に沿って同じくAl2O3質焼結等のセラミックスから成るセラミックス製側壁21bを立設するとともに残りの1辺に沿って鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金等の金属から成る金属製側壁21cが立設されている。そして、セラミックス製側壁21bおよび金属製側壁21cで囲まれたセラミックス製底板21a上面が光半導体素子23や駆動用集積回路素子24を搭載するための搭載部を形成しており、この搭載部には光半導体素子23および駆動用集積回路素子24が接着固定される。
【0004】
基体21を構成するセラミックス製底板21aとセラミックス製側壁21bとは、同じ材質のセラミックス材料から成り、互いに焼結一体化している。
【0005】
またセラミックス製底板21aの搭載部上面からセラミックス製側壁21bの外側にかけては、セラミックス製側壁21bを貫通して延びるタングステン(W)やモリブデン(Mo)等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ導体層25が被着されている。
【0006】
このメタライズ導体層25は、光半導体素子23および駆動用集積回路素子24の各電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能し、その搭載部上面部位には光半導体素子23および駆動用集積回路素子24の各電極がボンディングワイヤ26を介して電気的に接続され、セラミックス製側壁21bの外側に導出した部位は図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される。
【0007】
さらに、セラミックス製底板21aの端面およびセラミックス製側壁21bの端面、ならびにセラミックス製側壁21bの上面には、WやMo、Mo−マンガン(Mn)等の金属粉末メタライズから成るメタライズ金属層27が被着形成されている。そしてメタライズ金属層27のセラミックス製底板21a端面およびセラミックス製側壁21b端面部位には金属製側壁21cが銀(Ag)ろう等のろう材を介してろう付けされており、セラミックス製側壁21b上面部位には封止用金属枠体31がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0008】
また、メタライズ金属層27に接合された金属製側壁21cは、その側面に突出部Aを有する四角形の板材であり、突出部Aの端面をセラミックス製底板21aの端面およびセラミックス製側壁21bの端面に被着させたメタライズ金属層27にAgろう等のろう材を介してろう付けすることよってセラミックス製底板21aの残りの1辺に沿って立設されている。
【0009】
突出部Aは、金属製側壁21cの上面側外周辺を除く外周辺に沿って接合面側に0.1〜1mm程度突出している。これにより、金属製側壁21cの熱膨張係数とセラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bとの熱膨張係数との差に起因してこれらの接合部に発生する応力を突出部Aが弾性変形することによって良好に吸収緩和することができ、その結果、これらの接合部に大きな熱応力が内在してしまうことを、より効果的に防止することができる。
【0010】
さらに、金属製側壁21cは、その中央部に貫通孔Bを有しており、この貫通孔Bの外側開口周辺には、Fe−Ni合金等の金属から成るリング状の光ファイバ固定用金属部材28がAgろう等のろう材を介して取着されている。
【0011】
この光ファイバ固定用金属部材28は、パッケージに光ファイバ29を固定するための下地部材として機能し、光ファイバ29に予め取着されているFe−Ni合金等の金属から成る取付金具30を光ファイバ固定用金属部材28にレーザビーム溶接することによって光ファイバ29が光ファイバ固定用金属部材28に固定される。図示しないが、光ファイバ固定用金属部材28の内周面には、光信号を集光するためのレンズ等の透光性部材が接合される場合もある。
【0012】
また、光ファイバ固定用金属部材28は、金属製側壁21cに取着されており、セラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bには直接取着されていないことから、光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29の取付金具30をレーザビーム溶接してもこのレーザビーム溶接による熱衝撃は、光ファイバ固定用金属部材28と金属製側壁21cとの接合部のみに局部的に加わり、セラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bに大きな熱衝撃が加わることを有効に防止できる。従って、光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29を固定する際の熱によりセラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bにクラック等の破損が発生することを防止できる。
【0013】
封止用金属枠体31は、基体21に蓋体22を接合するための下地金属として機能し、セラミックス製底板21aの搭載部に光半導体素子23および制御用集積回路素子24を搭載した後、この封止用金属枠体31の上面に蓋体22をシームウエルド法により溶接することにより、パッケージ内部に光半導体素子23および制御用集積回路素子24が収容される。
【0014】
そして封止用金属枠体31の上面に溶接される蓋体22は、例えばFe−Ni−Co合金等の金属から成り、封止用金属枠体31の上面にシームウエルド法により溶接されることによりパッケージ内部を気密に封止する(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0015】
【特許文献1】
特開2000−147329号公報
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のパッケージによると、金属製側壁21cの厚みによっては、セラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにろう付けする際、または光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29の取付金具30をレーザービーム溶接する際に、セラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにクラック等の破損を生じさせ、パッケージの気密性を低下させるという問題点があった。特に金属製側壁21cの角部が接合される部位においてセラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにクラック等の破損が生じ易かった。その結果、内部に収容する光半導体素子23や駆動用集積回路素子24等を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができなくなってしまうという問題点を有していた。
【0017】
また、金属製側壁21cの厚みによっては、取付金具30をレーザービーム溶接る時に、金属製側壁21cに変形が発生し、光ファイバ29の位置がずれ、光半導体素子23と光ファイバ29との光結合効率が低下して、光信号を正常に伝送させることができなくなり、光半導体素子23の作動性が劣化するという問題点も有していた。
【0018】
さらには、光ファイバ固定用金属部材28の内周面に透光性部材が接合される場合、取付金具30をレーザービーム溶接する時に、透光性部材の接合部に透光性部材と光ファイバ固定用金属部材28との熱膨張差による熱応力が加わり、透光性部材にクラック等の破損が生じる場合があり、光信号を正常に伝送させることができなくなり、光半導体素子23の作動性が劣化するという問題点も有していた。
【0019】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、パッケージの気密性を向上させるとともに光ファイバの位置ずれを防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる光半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、四角形状の底板の上面の3つの辺部に側壁が立設されて残りの1つの辺部側が開放部とされているとともに前記側壁の内側の上面に光半導体素子が載置される載置部が設けられたセラミックスから成る基体と、前記開放部を塞ぐように前記基体の側面に接合された四角形状の金属板と、該金属板の主面間を貫通して前記側壁の内側に連通するように形成された貫通孔と、内周面に透光性部材が取着されるとともに一端部が前記貫通孔に嵌着された金属から成る筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、前記金属板は、左右側面と下側面との間が面取りされているとともに前記開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、該突出部の内側の厚みが前記側壁の厚みの0.3乃至1倍であり、前記光ファイバ固定部材は、前記一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に前記透光性部材が取着されていることを特徴とする。
【0021】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、金属板の左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、突出部の内側の厚みが側壁の厚みの0.3乃至1倍であることから、金属板を基体の側面ににろう付けする際、または光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、金属板の突出部および金属板の突出部の内側が適度に弾性変形することによって熱応力を吸収することができるとともに、金属板が面取りされているため、熱応力を集中させることなく分散させることができる。その結果、底板や側壁にクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、金属板が過度に変形するのを防止でき、光ファイバが位置ずれすることなく光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好な状態で維持させて光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとする。
【0022】
さらには、光ファイバ固定部材は金属板の貫通孔に嵌着された一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されていることから、光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部に熱が伝わっても金属板に容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材の一端部が細いためその一端部が熱膨張しようとしても金属板に拘束され易くなるとともに一端部の変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。従って、透光性部材を介して光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【0023】
そのような結果、パッケージの気密を完全なものとなし、光ファイバの位置ずれを防止し、透光性部材の破損を防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0024】
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバ固定部材に固定された光ファイバと、該光ファイバに光学的に結合するように前記載置部に載置された光半導体素子と、前記側壁の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【0025】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた光結合効率が高いとともに気密信頼性の高いものとなる。
【0026】
【発明の実施の形態】
次に本発明の光半導体素子収納用パッケージを添付の図面を基に詳細に説明する。図1は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す分解斜視図、図2は図1のパッケージの断面図である。1は基体、2は蓋体である。主にこの基体1と蓋体2とで内部に光半導体素子3や駆動用集積回路素子4等を収納する容器が構成される。
【0027】
基体1は、Al2O3質焼結体,窒化アルミニウム(AlN)質焼結体,ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等のセラミックスから成る四角形状の底板1aの上面に、3つの辺部に同じくAl2O3質焼結体,AlN質焼結体,3Al2O3・2SiO2質焼結体等のセラミックスから成る側壁1bが立設され、残りの1つの辺部側が開放部とされている。そして、底板1aの側壁1bの内側上面光半導体素子3や駆動用集積回路素子4を載置するための載置部が設けられている。
【0028】
基体1を構成する底板1aと側壁1bとは、同じ材質のセラミックスから成り、互いに焼結一体化している。そして例えば底板1aおよび側壁1bがともにAl2O3質焼結体から成る場合であれば、Al2O3粉末およびSiO2粉末・MgO粉末・CaO粉末等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤・可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状となすことによって底板1aおよび側壁1bとなる複数枚のセラミックグリーンシートを得、次にこれらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに上下に積層した後、これに適当な切断加工を施すことにより所定形状の生セラミック成形体を得、最後にこの生セラミック成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【0029】
また底板1aの載置部上面から側壁1bの外側にかけては、側壁1bを貫通して延びるWやMo等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ導体層5が被着されている。
【0030】
このメタライズ導体層5は、光半導体素子3および駆動用集積回路素子4の各電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能し、その搭載部上面部位には光半導体素子3および駆動用集積回路素子4の各電極がボンディングワイヤ6を介して電気的に接続され、側壁1bの外側に導出した部位は図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される。
【0031】
メタライズ導体層5は、例えばW粉末メタライズから成る場合であれば、W粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して得たWペーストを、底板1aとなるセラミックグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって所定パターンに印刷塗布しておくとともにこれを生セラミック成形体と同時に焼成することによって底板1aの載置部上面から側壁1bの外側にかけて側壁1bを貫通して延出するようにして被着形成される。
【0032】
この場合、メタライズ導体層5を、セラミック多層技術により底板1aの内部および表面に複雑なパターンに設けることが可能である。
【0033】
なお、メタライズ導体層5は、その露出表面にNiや金(Au)から成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、メタライズ導体層5の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ導体層5とボンディングワイヤ6や図示しない外部電気回路基板の配線導体との接続性を良好なものとすることができる。
【0034】
さらに、側壁1bの上面および基体1の開放部側の側面、即ち底板1aの端面および側壁1bの端面には、WやMo、Mo−Mn等の金属粉末メタライズから成るメタライズ金属層7が被着形成されている。そしてこれらのメタライズ金属層7の底板1a端面および側壁1b端面部位には金属板1cがAgろう等のろう材を介してろう付けされており、側壁1b上面には封止用金属枠体11がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0035】
メタライズ金属層7は、底板1aおよび側壁1bに金属板1cを接合させるための下地金属層および側壁1bの上面に封止用金属枠体11を取着させるための下地金属部材として作用する。このようなメタライズ金属層7は、例えばW粉末メタライズから成る場合であれば、W粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して得たWペーストを底板1aおよび側壁1bとなるセラミックグリーンシートを積層して得た生セラミック成形体の上面および端面に従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって所定のパターンに印刷塗布しておくとともにこれを生セラミック成形体と同時に焼成することによって、底板1aの端面および側壁1bの端面、ならびに側壁1bの上面に被着形成される。
【0036】
なお、メタライズ金属層7は、その表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、メタライズ金属層7が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、メタライズ金属層7と金属板1cおよび封止用金枠体11とのAgろう等のろう材を介した接合を強固、かつ容易なものとすることができる。
【0037】
また、メタライズ金属層7に接合された金属板1cは、基体1側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部Aを有する四角形状の板材であり、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る。そしてその突出部Aの基体1側主面を底板1aの端面および側壁1bの端面に被着させたメタライズ金属層7にAgろう等のろう材を介してろう付けすることよって基体1の開放部を塞ぐように基体1の側面に接合されている。
【0038】
金属板1cの突出部Aは基体1側に0.1〜1mm突出させるのがよく、この突出部Aの基体1側取面を底板1aの端面および側壁1bの端面に被着させたメタライズ金属層7にAgろう等のろう材を介してろう付けすれば、金属板1cの熱膨張係数と底板1aおよび側壁1bとの熱膨張係数との差に起因してこれらの接合部に発生する応力を突出部Aが弾性変形することによって良好に吸収緩和することができ、その結果、これらの接合部に大きな熱応力が内在してしまうことを、より効果的に防止することができる。
【0039】
突出する長さが0.1mm未満であると、突出部Aを除く金属板1cと底板1aおよび側壁1bとの間にもろう材が流れ込んで突出部A以外の金属板1cも接合され易くなり、接合面積が大きくなって熱応力が底板1aおよび側壁1bに加わり易くなってクラック等の破損が生じ易くなる。また、突出する長さが1mmを超えると、パッケージが大型化し近時のパッケージの小型化傾向に反するものとなるとともに、突出部Aの変形が過度に大きくなり易く、光ファイバ9と光半導体素子3との光結合効率が低下し易くなる。
【0040】
また、金属板1cは左右側面と下側面との間に面取りされた曲面状の面取部Cが設けられているのがよい。この曲面状の面取部Cにより、金属板1cを底板1aや側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際、従来クラック等の破損が生じやすかった底板1a,側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのを有効に防止できる。
【0041】
面取部Cの曲率半径は0.3〜3mmであるのがよく、側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのをより有効に防止できる。曲率半径が0.3mm未満であると、底板1a,側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのを防止する効果が小さくなり易い。また、曲率半径が3mm以上であると金属板1cの体積が小さくなって応力を緩和する効果が小さくなり易く、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際の熱応力が底板1a,側壁1bに加わり易くなり、クラック等の破損を生じ易くなる。
【0042】
また、突出部Aの内側の金属板1cの厚みは、側壁1bの厚みをWとしたときに0.3W乃至Wである。この構成により、金属板1cを底板1a,側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際に底板1a,側壁1bに加わる金属板1cとの熱膨張差による熱応力を低減することができ、底板1a,側壁1bにクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、取付金具10をレーザビーム溶接する時に、金属板1cが熱応力により過度に変形するのを有効に防止でき、光ファイバ9が位置ずれすることなく光半導体素子3と光ファイバ9との光結合効率を良好な状態で維持させ、光信号を正常に伝送させ、光半導体素子3の作動性を良好なものとすることができる。
【0043】
金属板1cの厚みが0.3W未満であると、金属板1cが薄くなりすぎて、取付金具10をレーザビーム溶接する時に、金属板1cが過度に変形し易くなり、光ファイバ9が位置ずれして光半導体素子3と光ファイバ9との光結合効率が低下し易くなる。金属板1cの厚みがWを超えると、金属板1cの剛性が高くなって応力を緩和する効果が小さくなり、金属板1cを底板1a,側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際に底板1a,側壁1bに加わる金属板1cとの熱膨張差による熱応力が大きくなってしまい、底板1a,側壁1bにクラック等の破損が発生し易くなる。
【0044】
なお、金属板1cは、その露出表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、金属板1cが酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0045】
さらに、金属板1cは、その中央部に貫通孔Bを有しており、この貫通孔Bには、内周面にサファイアやガラス等の透光性部材が取着されたFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属から成る筒状の光ファイバ固定部材8の一端部8bがAgろう,Au−錫(Sn)ろう等のろう材を介して嵌着されている。
【0046】
この光ファイバ固定部材8は、貫通孔Bに嵌着される一端部8bが残部8aよりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されている。
【0047】
これにより、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部8bに熱が伝わっても金属板1cに容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材8の一端部8bが細いためその一端部8bが熱膨張しようとしても金属板1cに拘束され易くなるとともに一端部8bの変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材8との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。さらにこの構成においては、透光性部材18が金属板1cに直接接合していないため、透光性部材18は金属板1cとの熱膨張差による熱応力を直接受けることがない。従って、透光性部材18にクラック等の破損が生じるのを有効に防止できる。
【0048】
取付金具10は予め光ファイバ9に取り付けられており、この取付金具10が光ファイバ固定部材8にレーザビーム溶接されることによって光ファイバ9が光ファイバ固定部材8に固定される。
【0049】
光ファイバ固定部材8と光ファイバ9の取付金具10とは、ともにFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属から成るのがよく、両者をレーザビーム溶接により接合すると、両者が極めて良好に接合され、光ファイバ9に変形や破損を伴うことなく光ファイバ9を光ファイバ固定部材8に強固かつ容易に固定することができる。
【0050】
また、光ファイバ固定部材8は、金属板1cに取着されており、底板1aおよび側壁1bには直接取着されていないことから、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接してもこのレーザビーム溶接による熱衝撃は、光ファイバ固定部材8と金属板1cとの接合部のみに局部的に加わり、底板1aおよび側壁1bに加わることはほとんどない。従って、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9を固定する際の熱により底板1aおよび側壁1bにクラックが発生するのを有効に抑制することができる。
【0051】
このようなことから、パッケージ内部に光半導体素子3等を収容するとともに光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接して固定した後、この光半導体素子3等が作動時に発生する熱等が繰り返し印加されたとしてもパッケージの気密性が損なわれるようなことはなく、内部に収容する光半導体素子3等を長期間にわたり、正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0052】
好ましくは、図2に示すように光ファイバ固定部材8の残部8aの内径は一端部8bの内径よりも大きくなっているのがよい。この構成により、残部8aの内周面と一端部8bの内周面との間に段差ができ、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接しても、残部8aから一端部8bへの熱伝達経路を長くすることができ、一端部8bの透光性部材18との接合部に熱が伝わり難くすることができる。その結果、透光性部材18にクラック等の破損が生じるのをより有効に防止でき、光半導体素子3の作動性をより良好なものとすることができる。
【0053】
なお、光ファイバ固定部材8は、その露出する表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、光ファイバ固定部材8が酸化腐食することを有効に防止することができる。なお、この場合、光ファイバ固定部材8で光ファイバ9の取付金具10がレーザビーム溶接される溶接面にAuから成るめっき金属層を被着させておくと、Auから成るめっき金属層はレーザビームを反射させ易く、このため光ファイバ固定部材8と光ファイバ9の取付金具10とをレーザビーム溶接により溶接することが困難となってしまう。従って光ファイバ固定部材8で光ファイバ9の取付金具10が溶接される溶接面にはAuから成るめっき金属層は被着させないのがよい。
【0054】
また、基体1の側壁1bの上面に被着されたメタライズ金属層7および金属板1cの上面にはFe−Ni−Co合金等の金属から成る封止用金属枠体11がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0055】
封止用金属枠体11は、基体1に蓋体2を接合するための下地金属として機能し、底板1aの載置部に光半導体素子3および制御用集積回路素子4を搭載した後、この封止用金属枠体11の上面に蓋体2をシームウエルド法により溶接することにより、パッケージ内部に光半導体素子3および制御用集積回路素子4が収容される。
【0056】
なお、封止用金属枠体11は、その露出表面にNiや金等から成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、封止用金属枠体11が酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0057】
また、封止用金属枠体11の上面に溶接される蓋体2は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、封止用金属枠体11の上面にシームウエルド法により溶接されることによりパッケージ内部を気密に封止する。
【0058】
なお、蓋体2は、その露出表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、蓋体2が酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0059】
このような本発明のパッケージの載置部上面に光半導体素子3や制御用集積回路素子4を載置するとともにこれら光半導体素子3や制御用集積回路素子4の各電極をボンディングワイヤ6を介してメタライズ導体層5に電気的に接続した後、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定し、しかる後、封止用金属枠体11の上面に蓋体2を取着することにより製品としての光半導体装置となり、光半導体素子3と光ファイバ9との間で光信号を授受させることによって高速光通信等に使用される。
【0060】
【実施例】
本発明の光半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【0061】
図1の本発明のパッケージのサンプルと比較例のサンプルを以下のようにして作製した。底板1aと側壁1bを熱膨張係数8×10−6/℃(0〜800℃)のAl2O3質焼結体で形成し、外形寸法が縦10mm×横10mm×高さ1.5mmの直方体からなる底板1aの上面の3辺の外周部に、厚みが1mm,高さが3mmの側壁1bを形成することにより基体1を作製した。そして、側壁1bが形成されていない側面に、熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる高さ4mm×幅9.5mmで厚みが表1に示す種々の厚みである金属板1cを融点780℃のAgろうにてろう付け接合した。
【0062】
なお、金属板1cは左右の側面と下側面の間に曲率半径1mmの面取部Cが形成され、金属板1cの基体1と接合される主面の上辺部以外の辺部に幅が金属板1cの厚みと同一で突出長さが0.6mmの連続した突出部Aが形成され、金属板1cの横方向の中央で上面から1.5mmの位置を中心として直径3mmの円形の貫通孔Bが形成されている。
【0063】
次に、貫通孔Bに熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる、光ファイバ固定部材8を融点780℃のAgろうにてろう付け接合した。なお、光ファイバ固定部材8は、外形3mm×内径2mm×長さ2mmの一端部8bと、外径5mm×内径2mm×長さ0.5mmの残部8aとからなり、一端部8bの内周面にはサファイアからなる直径1.95mm×厚み0.4mmの円板状の透光性部材18がAgろうにてろう付け接合されている。
【0064】
以上のようにして金属板1cが種々の厚みとされた本発明のパッケージのサンプルを各5個ずつ作製し、ろう付け接合後25℃までパッケージが冷却された後、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部の表面を10倍の光学顕微鏡にて観察し、クラック等の破損が無いかを観察した。
【0065】
そしてさらに、各サンプルの光ファイバ固定部材8に外側から熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる直径2.6mm×厚み0.5mmの取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定し、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部の表面を10倍の光学顕微鏡にて観察し、クラック等の破損が無いかを観察した。クラック等の破損があったものを不良品とした。
【0066】
これらの評価結果を表1に示す。
【0067】
【表1】
【0068】
また、取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定した後、取付金具10を溶接固定前後での各サンプル5個ずつについて貫通孔Bの中心の変位量を測定した。
【0069】
この評価結果を表2に示す。
【0070】
【表2】
【0071】
表1より、金属板1cは側壁1bの厚み以下に薄くすることにより、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部にクラック等の破損を生じさせることが無く、クラック等の破損防止に有効であることが判った。
【0072】
また表2より、金属板1cは側壁1bの厚みの0.3倍以上の厚みにすることにより、変位量を40μm以下の値に低減させることができ、本発明のパッケージが光ファイバ9と光半導体素子3との光軸ずれを抑制するのに有効であることが判った。
【0073】
特に、金属板1cは側壁1bの厚みの0.7倍以上の厚みにすることにより、変位を25μm以下とすることができ、光ファイバ9と光半導体素子3との光軸ずれ防止に非常に有効であることが判った。
【0074】
また、全てのサンプルにおいて透光性部材18が破損することはなかった。
【0075】
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。例えば、メタライズ導体層5は側壁1bを貫通して被着される代わりに、底板1aを貫通して被着されていてもよい。
【0076】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、金属板の左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、突出部の内側の厚みが側壁の厚みの0.3乃至1倍であることから、金属板を基体の側面ににろう付けする際、または光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、金属板の突出部および金属板の突出部の内側が適度に弾性変形することによって熱応力を吸収することができるとともに、金属板が面取りされているため、熱応力を集中させることなく分散させることができる。その結果、底板や側壁にクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、金属板が過度に変形するのを防止でき、光ファイバが位置ずれすることなく光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好な状態で維持させて光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとする。
【0077】
さらには、光ファイバ固定部材は金属板の貫通孔に嵌着された一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されていることから、光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部に熱が伝わっても金属板に容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材の一端部が細いためその一端部が熱膨張しようとしても金属板に拘束され易くなるとともに一端部の変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。従って、透光性部材を介して光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【0078】
そのような結果、パッケージの気密を完全なものとなし、光ファイバの位置ずれを防止し、透光性部材の破損を防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0079】
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、光ファイバ固定部材に固定された光ファイバと、この光ファイバに光学的に結合するように載置部に載置された光半導体素子と、側壁の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた光結合効率が高いとともに気密信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す分解斜視図である。
【図2】図1の光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図3】従来の光半導体素子収納用パッケージを示す斜視図である。
【図4】図3の光半導体素子収納用パッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
1:基体
1a:底板
1b:側壁
1c:金属板
2:蓋体
3:光半導体素子
8:光ファイバ固定部材
8a:残部
8b:一端部
9:光ファイバ
10:取付金具
18:透光性部材
A:突出部
B:貫通孔
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の光通信分野等で用いられ高い周波数で作動する半導体レーザ(LD),フォトダイオード(PD)等の光半導体素子を気密封止して収容するための光半導体素子収納用パッケージ(以下、単にパッケージともいう)の例を図3,図4に示す。図3は従来のパッケージの斜視図、図4は断面図であり、21は基体、22は蓋体である。主にこの基体21と蓋体22とで内部に光半導体素子23や駆動用集積回路素子24等を収納する容器が構成される。
【0003】
基体21は、酸化アルミニウム(Al2O3)質焼結体等のセラミックスから成る四角平板状のセラミックス製底板21aの外周辺のうち3つの辺に沿って同じくAl2O3質焼結等のセラミックスから成るセラミックス製側壁21bを立設するとともに残りの1辺に沿って鉄(Fe)−ニッケル(Ni)−コバルト(Co)合金等の金属から成る金属製側壁21cが立設されている。そして、セラミックス製側壁21bおよび金属製側壁21cで囲まれたセラミックス製底板21a上面が光半導体素子23や駆動用集積回路素子24を搭載するための搭載部を形成しており、この搭載部には光半導体素子23および駆動用集積回路素子24が接着固定される。
【0004】
基体21を構成するセラミックス製底板21aとセラミックス製側壁21bとは、同じ材質のセラミックス材料から成り、互いに焼結一体化している。
【0005】
またセラミックス製底板21aの搭載部上面からセラミックス製側壁21bの外側にかけては、セラミックス製側壁21bを貫通して延びるタングステン(W)やモリブデン(Mo)等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ導体層25が被着されている。
【0006】
このメタライズ導体層25は、光半導体素子23および駆動用集積回路素子24の各電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能し、その搭載部上面部位には光半導体素子23および駆動用集積回路素子24の各電極がボンディングワイヤ26を介して電気的に接続され、セラミックス製側壁21bの外側に導出した部位は図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される。
【0007】
さらに、セラミックス製底板21aの端面およびセラミックス製側壁21bの端面、ならびにセラミックス製側壁21bの上面には、WやMo、Mo−マンガン(Mn)等の金属粉末メタライズから成るメタライズ金属層27が被着形成されている。そしてメタライズ金属層27のセラミックス製底板21a端面およびセラミックス製側壁21b端面部位には金属製側壁21cが銀(Ag)ろう等のろう材を介してろう付けされており、セラミックス製側壁21b上面部位には封止用金属枠体31がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0008】
また、メタライズ金属層27に接合された金属製側壁21cは、その側面に突出部Aを有する四角形の板材であり、突出部Aの端面をセラミックス製底板21aの端面およびセラミックス製側壁21bの端面に被着させたメタライズ金属層27にAgろう等のろう材を介してろう付けすることよってセラミックス製底板21aの残りの1辺に沿って立設されている。
【0009】
突出部Aは、金属製側壁21cの上面側外周辺を除く外周辺に沿って接合面側に0.1〜1mm程度突出している。これにより、金属製側壁21cの熱膨張係数とセラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bとの熱膨張係数との差に起因してこれらの接合部に発生する応力を突出部Aが弾性変形することによって良好に吸収緩和することができ、その結果、これらの接合部に大きな熱応力が内在してしまうことを、より効果的に防止することができる。
【0010】
さらに、金属製側壁21cは、その中央部に貫通孔Bを有しており、この貫通孔Bの外側開口周辺には、Fe−Ni合金等の金属から成るリング状の光ファイバ固定用金属部材28がAgろう等のろう材を介して取着されている。
【0011】
この光ファイバ固定用金属部材28は、パッケージに光ファイバ29を固定するための下地部材として機能し、光ファイバ29に予め取着されているFe−Ni合金等の金属から成る取付金具30を光ファイバ固定用金属部材28にレーザビーム溶接することによって光ファイバ29が光ファイバ固定用金属部材28に固定される。図示しないが、光ファイバ固定用金属部材28の内周面には、光信号を集光するためのレンズ等の透光性部材が接合される場合もある。
【0012】
また、光ファイバ固定用金属部材28は、金属製側壁21cに取着されており、セラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bには直接取着されていないことから、光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29の取付金具30をレーザビーム溶接してもこのレーザビーム溶接による熱衝撃は、光ファイバ固定用金属部材28と金属製側壁21cとの接合部のみに局部的に加わり、セラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bに大きな熱衝撃が加わることを有効に防止できる。従って、光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29を固定する際の熱によりセラミックス製底板21aおよびセラミックス製側壁21bにクラック等の破損が発生することを防止できる。
【0013】
封止用金属枠体31は、基体21に蓋体22を接合するための下地金属として機能し、セラミックス製底板21aの搭載部に光半導体素子23および制御用集積回路素子24を搭載した後、この封止用金属枠体31の上面に蓋体22をシームウエルド法により溶接することにより、パッケージ内部に光半導体素子23および制御用集積回路素子24が収容される。
【0014】
そして封止用金属枠体31の上面に溶接される蓋体22は、例えばFe−Ni−Co合金等の金属から成り、封止用金属枠体31の上面にシームウエルド法により溶接されることによりパッケージ内部を気密に封止する(例えば、下記の特許文献1参照)。
【0015】
【特許文献1】
特開2000−147329号公報
【0016】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来のパッケージによると、金属製側壁21cの厚みによっては、セラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにろう付けする際、または光ファイバ固定用金属部材28に光ファイバ29の取付金具30をレーザービーム溶接する際に、セラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにクラック等の破損を生じさせ、パッケージの気密性を低下させるという問題点があった。特に金属製側壁21cの角部が接合される部位においてセラミックス製底板21a,セラミックス製側壁21bにクラック等の破損が生じ易かった。その結果、内部に収容する光半導体素子23や駆動用集積回路素子24等を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができなくなってしまうという問題点を有していた。
【0017】
また、金属製側壁21cの厚みによっては、取付金具30をレーザービーム溶接る時に、金属製側壁21cに変形が発生し、光ファイバ29の位置がずれ、光半導体素子23と光ファイバ29との光結合効率が低下して、光信号を正常に伝送させることができなくなり、光半導体素子23の作動性が劣化するという問題点も有していた。
【0018】
さらには、光ファイバ固定用金属部材28の内周面に透光性部材が接合される場合、取付金具30をレーザービーム溶接する時に、透光性部材の接合部に透光性部材と光ファイバ固定用金属部材28との熱膨張差による熱応力が加わり、透光性部材にクラック等の破損が生じる場合があり、光信号を正常に伝送させることができなくなり、光半導体素子23の作動性が劣化するという問題点も有していた。
【0019】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、パッケージの気密性を向上させるとともに光ファイバの位置ずれを防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる光半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、四角形状の底板の上面の3つの辺部に側壁が立設されて残りの1つの辺部側が開放部とされているとともに前記側壁の内側の上面に光半導体素子が載置される載置部が設けられたセラミックスから成る基体と、前記開放部を塞ぐように前記基体の側面に接合された四角形状の金属板と、該金属板の主面間を貫通して前記側壁の内側に連通するように形成された貫通孔と、内周面に透光性部材が取着されるとともに一端部が前記貫通孔に嵌着された金属から成る筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、前記金属板は、左右側面と下側面との間が面取りされているとともに前記開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、該突出部の内側の厚みが前記側壁の厚みの0.3乃至1倍であり、前記光ファイバ固定部材は、前記一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に前記透光性部材が取着されていることを特徴とする。
【0021】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、金属板の左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、突出部の内側の厚みが側壁の厚みの0.3乃至1倍であることから、金属板を基体の側面ににろう付けする際、または光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、金属板の突出部および金属板の突出部の内側が適度に弾性変形することによって熱応力を吸収することができるとともに、金属板が面取りされているため、熱応力を集中させることなく分散させることができる。その結果、底板や側壁にクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、金属板が過度に変形するのを防止でき、光ファイバが位置ずれすることなく光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好な状態で維持させて光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとする。
【0022】
さらには、光ファイバ固定部材は金属板の貫通孔に嵌着された一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されていることから、光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部に熱が伝わっても金属板に容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材の一端部が細いためその一端部が熱膨張しようとしても金属板に拘束され易くなるとともに一端部の変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。従って、透光性部材を介して光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【0023】
そのような結果、パッケージの気密を完全なものとなし、光ファイバの位置ずれを防止し、透光性部材の破損を防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0024】
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバ固定部材に固定された光ファイバと、該光ファイバに光学的に結合するように前記載置部に載置された光半導体素子と、前記側壁の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【0025】
本発明の光半導体装置は、上記の構成により、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた光結合効率が高いとともに気密信頼性の高いものとなる。
【0026】
【発明の実施の形態】
次に本発明の光半導体素子収納用パッケージを添付の図面を基に詳細に説明する。図1は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す分解斜視図、図2は図1のパッケージの断面図である。1は基体、2は蓋体である。主にこの基体1と蓋体2とで内部に光半導体素子3や駆動用集積回路素子4等を収納する容器が構成される。
【0027】
基体1は、Al2O3質焼結体,窒化アルミニウム(AlN)質焼結体,ムライト(3Al2O3・2SiO2)質焼結体等のセラミックスから成る四角形状の底板1aの上面に、3つの辺部に同じくAl2O3質焼結体,AlN質焼結体,3Al2O3・2SiO2質焼結体等のセラミックスから成る側壁1bが立設され、残りの1つの辺部側が開放部とされている。そして、底板1aの側壁1bの内側上面光半導体素子3や駆動用集積回路素子4を載置するための載置部が設けられている。
【0028】
基体1を構成する底板1aと側壁1bとは、同じ材質のセラミックスから成り、互いに焼結一体化している。そして例えば底板1aおよび側壁1bがともにAl2O3質焼結体から成る場合であれば、Al2O3粉末およびSiO2粉末・MgO粉末・CaO粉末等の原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤・可塑剤等を添加混合して泥漿状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法を採用してシート状となすことによって底板1aおよび側壁1bとなる複数枚のセラミックグリーンシートを得、次にこれらのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに上下に積層した後、これに適当な切断加工を施すことにより所定形状の生セラミック成形体を得、最後にこの生セラミック成形体を還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【0029】
また底板1aの載置部上面から側壁1bの外側にかけては、側壁1bを貫通して延びるWやMo等の金属粉末メタライズから成る複数のメタライズ導体層5が被着されている。
【0030】
このメタライズ導体層5は、光半導体素子3および駆動用集積回路素子4の各電極を外部に電気的に導出するための導電路として機能し、その搭載部上面部位には光半導体素子3および駆動用集積回路素子4の各電極がボンディングワイヤ6を介して電気的に接続され、側壁1bの外側に導出した部位は図示しない外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される。
【0031】
メタライズ導体層5は、例えばW粉末メタライズから成る場合であれば、W粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して得たWペーストを、底板1aとなるセラミックグリーンシートに従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって所定パターンに印刷塗布しておくとともにこれを生セラミック成形体と同時に焼成することによって底板1aの載置部上面から側壁1bの外側にかけて側壁1bを貫通して延出するようにして被着形成される。
【0032】
この場合、メタライズ導体層5を、セラミック多層技術により底板1aの内部および表面に複雑なパターンに設けることが可能である。
【0033】
なお、メタライズ導体層5は、その露出表面にNiや金(Au)から成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、メタライズ導体層5の酸化腐食を有効に防止することができるとともにメタライズ導体層5とボンディングワイヤ6や図示しない外部電気回路基板の配線導体との接続性を良好なものとすることができる。
【0034】
さらに、側壁1bの上面および基体1の開放部側の側面、即ち底板1aの端面および側壁1bの端面には、WやMo、Mo−Mn等の金属粉末メタライズから成るメタライズ金属層7が被着形成されている。そしてこれらのメタライズ金属層7の底板1a端面および側壁1b端面部位には金属板1cがAgろう等のろう材を介してろう付けされており、側壁1b上面には封止用金属枠体11がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0035】
メタライズ金属層7は、底板1aおよび側壁1bに金属板1cを接合させるための下地金属層および側壁1bの上面に封止用金属枠体11を取着させるための下地金属部材として作用する。このようなメタライズ金属層7は、例えばW粉末メタライズから成る場合であれば、W粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合して得たWペーストを底板1aおよび側壁1bとなるセラミックグリーンシートを積層して得た生セラミック成形体の上面および端面に従来周知のスクリーン印刷法を採用することによって所定のパターンに印刷塗布しておくとともにこれを生セラミック成形体と同時に焼成することによって、底板1aの端面および側壁1bの端面、ならびに側壁1bの上面に被着形成される。
【0036】
なお、メタライズ金属層7は、その表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、メタライズ金属層7が酸化腐食するのを有効に防止することができるとともに、メタライズ金属層7と金属板1cおよび封止用金枠体11とのAgろう等のろう材を介した接合を強固、かつ容易なものとすることができる。
【0037】
また、メタライズ金属層7に接合された金属板1cは、基体1側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部Aを有する四角形状の板材であり、Fe−Ni−Co合金等の金属から成る。そしてその突出部Aの基体1側主面を底板1aの端面および側壁1bの端面に被着させたメタライズ金属層7にAgろう等のろう材を介してろう付けすることよって基体1の開放部を塞ぐように基体1の側面に接合されている。
【0038】
金属板1cの突出部Aは基体1側に0.1〜1mm突出させるのがよく、この突出部Aの基体1側取面を底板1aの端面および側壁1bの端面に被着させたメタライズ金属層7にAgろう等のろう材を介してろう付けすれば、金属板1cの熱膨張係数と底板1aおよび側壁1bとの熱膨張係数との差に起因してこれらの接合部に発生する応力を突出部Aが弾性変形することによって良好に吸収緩和することができ、その結果、これらの接合部に大きな熱応力が内在してしまうことを、より効果的に防止することができる。
【0039】
突出する長さが0.1mm未満であると、突出部Aを除く金属板1cと底板1aおよび側壁1bとの間にもろう材が流れ込んで突出部A以外の金属板1cも接合され易くなり、接合面積が大きくなって熱応力が底板1aおよび側壁1bに加わり易くなってクラック等の破損が生じ易くなる。また、突出する長さが1mmを超えると、パッケージが大型化し近時のパッケージの小型化傾向に反するものとなるとともに、突出部Aの変形が過度に大きくなり易く、光ファイバ9と光半導体素子3との光結合効率が低下し易くなる。
【0040】
また、金属板1cは左右側面と下側面との間に面取りされた曲面状の面取部Cが設けられているのがよい。この曲面状の面取部Cにより、金属板1cを底板1aや側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際、従来クラック等の破損が生じやすかった底板1a,側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのを有効に防止できる。
【0041】
面取部Cの曲率半径は0.3〜3mmであるのがよく、側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのをより有効に防止できる。曲率半径が0.3mm未満であると、底板1a,側壁1bの金属板1cの角部が接合される部位にクラック等の破損が生ずるのを防止する効果が小さくなり易い。また、曲率半径が3mm以上であると金属板1cの体積が小さくなって応力を緩和する効果が小さくなり易く、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際の熱応力が底板1a,側壁1bに加わり易くなり、クラック等の破損を生じ易くなる。
【0042】
また、突出部Aの内側の金属板1cの厚みは、側壁1bの厚みをWとしたときに0.3W乃至Wである。この構成により、金属板1cを底板1a,側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際に底板1a,側壁1bに加わる金属板1cとの熱膨張差による熱応力を低減することができ、底板1a,側壁1bにクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、取付金具10をレーザビーム溶接する時に、金属板1cが熱応力により過度に変形するのを有効に防止でき、光ファイバ9が位置ずれすることなく光半導体素子3と光ファイバ9との光結合効率を良好な状態で維持させ、光信号を正常に伝送させ、光半導体素子3の作動性を良好なものとすることができる。
【0043】
金属板1cの厚みが0.3W未満であると、金属板1cが薄くなりすぎて、取付金具10をレーザビーム溶接する時に、金属板1cが過度に変形し易くなり、光ファイバ9が位置ずれして光半導体素子3と光ファイバ9との光結合効率が低下し易くなる。金属板1cの厚みがWを超えると、金属板1cの剛性が高くなって応力を緩和する効果が小さくなり、金属板1cを底板1a,側壁1bにろう付けする際、または光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際に底板1a,側壁1bに加わる金属板1cとの熱膨張差による熱応力が大きくなってしまい、底板1a,側壁1bにクラック等の破損が発生し易くなる。
【0044】
なお、金属板1cは、その露出表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、金属板1cが酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0045】
さらに、金属板1cは、その中央部に貫通孔Bを有しており、この貫通孔Bには、内周面にサファイアやガラス等の透光性部材が取着されたFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属から成る筒状の光ファイバ固定部材8の一端部8bがAgろう,Au−錫(Sn)ろう等のろう材を介して嵌着されている。
【0046】
この光ファイバ固定部材8は、貫通孔Bに嵌着される一端部8bが残部8aよりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されている。
【0047】
これにより、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部8bに熱が伝わっても金属板1cに容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材8の一端部8bが細いためその一端部8bが熱膨張しようとしても金属板1cに拘束され易くなるとともに一端部8bの変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材8との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。さらにこの構成においては、透光性部材18が金属板1cに直接接合していないため、透光性部材18は金属板1cとの熱膨張差による熱応力を直接受けることがない。従って、透光性部材18にクラック等の破損が生じるのを有効に防止できる。
【0048】
取付金具10は予め光ファイバ9に取り付けられており、この取付金具10が光ファイバ固定部材8にレーザビーム溶接されることによって光ファイバ9が光ファイバ固定部材8に固定される。
【0049】
光ファイバ固定部材8と光ファイバ9の取付金具10とは、ともにFe−Ni−Co合金やFe−Ni合金等の金属から成るのがよく、両者をレーザビーム溶接により接合すると、両者が極めて良好に接合され、光ファイバ9に変形や破損を伴うことなく光ファイバ9を光ファイバ固定部材8に強固かつ容易に固定することができる。
【0050】
また、光ファイバ固定部材8は、金属板1cに取着されており、底板1aおよび側壁1bには直接取着されていないことから、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接してもこのレーザビーム溶接による熱衝撃は、光ファイバ固定部材8と金属板1cとの接合部のみに局部的に加わり、底板1aおよび側壁1bに加わることはほとんどない。従って、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9を固定する際の熱により底板1aおよび側壁1bにクラックが発生するのを有効に抑制することができる。
【0051】
このようなことから、パッケージ内部に光半導体素子3等を収容するとともに光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接して固定した後、この光半導体素子3等が作動時に発生する熱等が繰り返し印加されたとしてもパッケージの気密性が損なわれるようなことはなく、内部に収容する光半導体素子3等を長期間にわたり、正常、かつ安定に作動させることが可能となる。
【0052】
好ましくは、図2に示すように光ファイバ固定部材8の残部8aの内径は一端部8bの内径よりも大きくなっているのがよい。この構成により、残部8aの内周面と一端部8bの内周面との間に段差ができ、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接しても、残部8aから一端部8bへの熱伝達経路を長くすることができ、一端部8bの透光性部材18との接合部に熱が伝わり難くすることができる。その結果、透光性部材18にクラック等の破損が生じるのをより有効に防止でき、光半導体素子3の作動性をより良好なものとすることができる。
【0053】
なお、光ファイバ固定部材8は、その露出する表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、光ファイバ固定部材8が酸化腐食することを有効に防止することができる。なお、この場合、光ファイバ固定部材8で光ファイバ9の取付金具10がレーザビーム溶接される溶接面にAuから成るめっき金属層を被着させておくと、Auから成るめっき金属層はレーザビームを反射させ易く、このため光ファイバ固定部材8と光ファイバ9の取付金具10とをレーザビーム溶接により溶接することが困難となってしまう。従って光ファイバ固定部材8で光ファイバ9の取付金具10が溶接される溶接面にはAuから成るめっき金属層は被着させないのがよい。
【0054】
また、基体1の側壁1bの上面に被着されたメタライズ金属層7および金属板1cの上面にはFe−Ni−Co合金等の金属から成る封止用金属枠体11がAgろう等のろう材を介してろう付けされている。
【0055】
封止用金属枠体11は、基体1に蓋体2を接合するための下地金属として機能し、底板1aの載置部に光半導体素子3および制御用集積回路素子4を搭載した後、この封止用金属枠体11の上面に蓋体2をシームウエルド法により溶接することにより、パッケージ内部に光半導体素子3および制御用集積回路素子4が収容される。
【0056】
なお、封止用金属枠体11は、その露出表面にNiや金等から成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、封止用金属枠体11が酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0057】
また、封止用金属枠体11の上面に溶接される蓋体2は、Fe−Ni−Co合金等の金属から成り、封止用金属枠体11の上面にシームウエルド法により溶接されることによりパッケージ内部を気密に封止する。
【0058】
なお、蓋体2は、その露出表面にNiやAuから成るめっき金属層を1〜20μm程度の厚みに被着させておくのがよい。これにより、蓋体2が酸化腐食するのを有効に防止することができる。
【0059】
このような本発明のパッケージの載置部上面に光半導体素子3や制御用集積回路素子4を載置するとともにこれら光半導体素子3や制御用集積回路素子4の各電極をボンディングワイヤ6を介してメタライズ導体層5に電気的に接続した後、光ファイバ固定部材8に光ファイバ9の取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定し、しかる後、封止用金属枠体11の上面に蓋体2を取着することにより製品としての光半導体装置となり、光半導体素子3と光ファイバ9との間で光信号を授受させることによって高速光通信等に使用される。
【0060】
【実施例】
本発明の光半導体素子収納用パッケージの実施例を以下に説明する。
【0061】
図1の本発明のパッケージのサンプルと比較例のサンプルを以下のようにして作製した。底板1aと側壁1bを熱膨張係数8×10−6/℃(0〜800℃)のAl2O3質焼結体で形成し、外形寸法が縦10mm×横10mm×高さ1.5mmの直方体からなる底板1aの上面の3辺の外周部に、厚みが1mm,高さが3mmの側壁1bを形成することにより基体1を作製した。そして、側壁1bが形成されていない側面に、熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる高さ4mm×幅9.5mmで厚みが表1に示す種々の厚みである金属板1cを融点780℃のAgろうにてろう付け接合した。
【0062】
なお、金属板1cは左右の側面と下側面の間に曲率半径1mmの面取部Cが形成され、金属板1cの基体1と接合される主面の上辺部以外の辺部に幅が金属板1cの厚みと同一で突出長さが0.6mmの連続した突出部Aが形成され、金属板1cの横方向の中央で上面から1.5mmの位置を中心として直径3mmの円形の貫通孔Bが形成されている。
【0063】
次に、貫通孔Bに熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる、光ファイバ固定部材8を融点780℃のAgろうにてろう付け接合した。なお、光ファイバ固定部材8は、外形3mm×内径2mm×長さ2mmの一端部8bと、外径5mm×内径2mm×長さ0.5mmの残部8aとからなり、一端部8bの内周面にはサファイアからなる直径1.95mm×厚み0.4mmの円板状の透光性部材18がAgろうにてろう付け接合されている。
【0064】
以上のようにして金属板1cが種々の厚みとされた本発明のパッケージのサンプルを各5個ずつ作製し、ろう付け接合後25℃までパッケージが冷却された後、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部の表面を10倍の光学顕微鏡にて観察し、クラック等の破損が無いかを観察した。
【0065】
そしてさらに、各サンプルの光ファイバ固定部材8に外側から熱膨張係数が10×10−6/℃(0〜800℃)のFe−Ni−Co合金からなる直径2.6mm×厚み0.5mmの取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定し、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部の表面を10倍の光学顕微鏡にて観察し、クラック等の破損が無いかを観察した。クラック等の破損があったものを不良品とした。
【0066】
これらの評価結果を表1に示す。
【0067】
【表1】
【0068】
また、取付金具10をレーザビーム溶接により溶接して固定した後、取付金具10を溶接固定前後での各サンプル5個ずつについて貫通孔Bの中心の変位量を測定した。
【0069】
この評価結果を表2に示す。
【0070】
【表2】
【0071】
表1より、金属板1cは側壁1bの厚み以下に薄くすることにより、底板1aおよび側壁1bの金属板1cとの接合部にクラック等の破損を生じさせることが無く、クラック等の破損防止に有効であることが判った。
【0072】
また表2より、金属板1cは側壁1bの厚みの0.3倍以上の厚みにすることにより、変位量を40μm以下の値に低減させることができ、本発明のパッケージが光ファイバ9と光半導体素子3との光軸ずれを抑制するのに有効であることが判った。
【0073】
特に、金属板1cは側壁1bの厚みの0.7倍以上の厚みにすることにより、変位を25μm以下とすることができ、光ファイバ9と光半導体素子3との光軸ずれ防止に非常に有効であることが判った。
【0074】
また、全てのサンプルにおいて透光性部材18が破損することはなかった。
【0075】
なお、本発明は以上の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことは何等支障ない。例えば、メタライズ導体層5は側壁1bを貫通して被着される代わりに、底板1aを貫通して被着されていてもよい。
【0076】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージは、金属板の左右側面と下側面との間が面取りされているとともに開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、突出部の内側の厚みが側壁の厚みの0.3乃至1倍であることから、金属板を基体の側面ににろう付けする際、または光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、金属板の突出部および金属板の突出部の内側が適度に弾性変形することによって熱応力を吸収することができるとともに、金属板が面取りされているため、熱応力を集中させることなく分散させることができる。その結果、底板や側壁にクラック等の破損が生じるのを有効に防止することができる。また、金属板が過度に変形するのを防止でき、光ファイバが位置ずれすることなく光半導体素子と光ファイバとの光結合効率を良好な状態で維持させて光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとする。
【0077】
さらには、光ファイバ固定部材は金属板の貫通孔に嵌着された一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に透光性部材が取着されていることから、光ファイバ固定部材に光ファイバの取付金具をレーザビーム溶接する際、透光性部材が取着された細い一端部に熱が伝わっても金属板に容易に放熱することができるため、透光性部材の位置がずれるのを有効に抑制し、光結合効率を高くすることができる。また、光ファイバ固定部材の一端部が細いためその一端部が熱膨張しようとしても金属板に拘束され易くなるとともに一端部の変形が小さくなる結果、透光性部材と光ファイバ固定部材との熱膨張差による熱応力が透光性部材に加わり難くなり、透光性部材にクラック等の破損が生じるのを有効に抑制できる。従って、透光性部材を介して光信号を正常に伝送させることができ、光半導体素子の作動性を良好なものとすることができる。
【0078】
そのような結果、パッケージの気密を完全なものとなし、光ファイバの位置ずれを防止し、透光性部材の破損を防止して、内部に収容する光半導体素子を長期間にわたり正常、かつ安定に作動させることができる。
【0079】
本発明の光半導体装置は、上記構成の光半導体素子収納用パッケージと、光ファイバ固定部材に固定された光ファイバと、この光ファイバに光学的に結合するように載置部に載置された光半導体素子と、側壁の上面に取着された蓋体とを具備していることにより、上記本発明の光半導体素子収納用パッケージを用いた光結合効率が高いとともに気密信頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光半導体素子収納用パッケージについて実施の形態の例を示す分解斜視図である。
【図2】図1の光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図3】従来の光半導体素子収納用パッケージを示す斜視図である。
【図4】図3の光半導体素子収納用パッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
1:基体
1a:底板
1b:側壁
1c:金属板
2:蓋体
3:光半導体素子
8:光ファイバ固定部材
8a:残部
8b:一端部
9:光ファイバ
10:取付金具
18:透光性部材
A:突出部
B:貫通孔
Claims (2)
- 四角形状の底板の上面の3つの辺部に側壁が立設されて残りの1つの辺部側が開放部とされているとともに前記側壁の内側の上面に光半導体素子が載置される載置部が設けられたセラミックスから成る基体と、前記開放部を塞ぐように前記基体の側面に接合された四角形状の金属板と、該金属板の主面間を貫通して前記側壁の内側に連通するように形成された貫通孔と、内周面に透光性部材が取着されるとともに一端部が前記貫通孔に嵌着された金属から成る筒状の光ファイバ固定部材とを具備しており、前記金属板は、左右側面と下側面との間が面取りされているとともに前記開放部側の主面の上辺部以外の辺部に連続した突出部が形成されており、該突出部の内側の厚みが前記側壁の厚みの0.3乃至1倍であり、前記光ファイバ固定部材は、前記一端部が残部よりも細くなっていてその内周面に前記透光性部材が取着されていることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
- 請求項1記載の光半導体素子収納用パッケージと、前記光ファイバ固定部材に固定された光ファイバと、該光ファイバに光学的に結合するように前記載置部に載置された光半導体素子と、前記側壁の上面に取着された蓋体とを具備していることを特徴とする光半導体装置。
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050712 |
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A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20061120 |