JPS61145864A - サイリスタ - Google Patents
サイリスタInfo
- Publication number
- JPS61145864A JPS61145864A JP26898384A JP26898384A JPS61145864A JP S61145864 A JPS61145864 A JP S61145864A JP 26898384 A JP26898384 A JP 26898384A JP 26898384 A JP26898384 A JP 26898384A JP S61145864 A JPS61145864 A JP S61145864A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- short
- thyristor
- voltage
- turn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0839—Cathode regions of thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はエミンタ短絡構造を有するサイリスタに関する
。
。
エミンタ短絡構造は、通常サイリスクの一方のエミッタ
層を貫通して多数個所で隣接ベース層が一主表面に露出
し、その露出ベース層とエミッタ層に共通に電極が接触
することによって形成される。この構造は本来サイリス
タの臨界オフ電圧上昇率（以下ｄｖ／ｄｔと記す）を改
善するために設けられるが、その他にサイリスタのオフ
時にベース層の短絡部からキャリアが排出されるためタ
ーンオフ時間が短絡されるという利点を有する０反面電
流広がりが短絡部で妨害されるため、オン電圧が高くな
るという欠点がある。従ってターンオフ時間も改善する
ために短絡部の数を多くするとオン電圧が高くなるため
、従来は数百μのターンオフ時間を有するサイリスクで
は通常短絡部はｄＶ／ｄｔの改善の目的にのみ設けられ
ていた。
層を貫通して多数個所で隣接ベース層が一主表面に露出
し、その露出ベース層とエミッタ層に共通に電極が接触
することによって形成される。この構造は本来サイリス
タの臨界オフ電圧上昇率（以下ｄｖ／ｄｔと記す）を改
善するために設けられるが、その他にサイリスタのオフ
時にベース層の短絡部からキャリアが排出されるためタ
ーンオフ時間が短絡されるという利点を有する０反面電
流広がりが短絡部で妨害されるため、オン電圧が高くな
るという欠点がある。従ってターンオフ時間も改善する
ために短絡部の数を多くするとオン電圧が高くなるため
、従来は数百μのターンオフ時間を有するサイリスクで
は通常短絡部はｄＶ／ｄｔの改善の目的にのみ設けられ
ていた。
本発明は、ターンオフ時間１５０．ｎ以下の中速サイリ
スタを得るためのターンオフ時間の短縮をエミッタ短絡
部の数を増加して達成すると共に、オン電圧の上昇を抑
えることのできるサイリスタを提供することを目的とす
る。
スタを得るためのターンオフ時間の短縮をエミッタ短絡
部の数を増加して達成すると共に、オン電圧の上昇を抑
えることのできるサイリスタを提供することを目的とす
る。
本発明は、エミッタ層を貫通してベース層が表面に露出
するエミッタ短絡部の間隔をある程度狭くすれば短絡部
の数を多くしてもオン電圧が上昇しないことに着目した
もので、短絡部の中心の間隔を０．７〜１．３諺とする
ことによって上記の目的を達成する。
するエミッタ短絡部の間隔をある程度狭くすれば短絡部
の数を多くしてもオン電圧が上昇しないことに着目した
もので、短絡部の中心の間隔を０．７〜１．３諺とする
ことによって上記の目的を達成する。
第１図はサイリスタ主表面の部分拡大平面図であり、第
２図はそのＡ−Ａ線断面図である。ｐエミッタ層１．ｎ
ベース層２．ｐベース層３＋ ｎエミッタ層４よりな
るサイリスタのｎエミッタ層１４を貫通するベース層が
エミッタ短絡部５を形成する。今、エミッタ短絡部５の
直径ｄが０．２鶴の場合、短絡部の中心の間隔ｊを変化
させてオン電圧を測定した結果を第３図に示す０間隔が
狭くなると電流の広がりが悪くなってオン電圧が上昇す
るが、第３図からこの上昇は０．７ｆｉで始まり、０．
６諺では著しく高くなることが判った。このことからオ
ン電圧の上昇のために短絡部の中心間隔０．７−未満は
サイリスタに適さない、一方間隔ｌが変化した場合のタ
ーンオフ時間を測定した結果を第４図に示す、第４図に
示すように間隔！を狭めて単位面積あたりのエミッタ短
絡部の数を増せば、上述のようにターンオフ時間が短縮
されるが、狭くなるにつれてその低下の度合が小さくな
り、間隔！が０．７論と０．６ｆｉではその差がほとん
どなし１゜これに対し１．５鶴から１．３ ｍｌへ狭め
た場合はその効果が太き（，１，３−より狭くすること
によってターンオフ時間を１５０ｎ以下に短縮すること
ができる。従ってエミッタ短絡部５の間隔ｉを従来の１
．５〜２ｆｉから０．７〜１．３鶴と狭くすることによ
りオフ電圧が２ｖ前後で１５０μ３以下のターンオフ時
間を有する中速サイリスタが得られる。 【発明の効果］ 本発明によれば、エミッタ短絡部の中心間隔を０．７〜
１．３ ｍとすることにより、従来の１．５〜２■の間
隔の場合よりサイリスタのオフ時におけるキャリアの排
出口が増加する結果ターンオフ時間が短縮され、一方こ
の範囲であれば短絡部が電流法がりを妨害してオン電圧
が上昇することもない。 もちろん、エミッタ短絡部本来の目的であるｄｖ／ｄｔ
が改善されることは言うまでもない。
２図はそのＡ−Ａ線断面図である。ｐエミッタ層１．ｎ
ベース層２．ｐベース層３＋ ｎエミッタ層４よりな
るサイリスタのｎエミッタ層１４を貫通するベース層が
エミッタ短絡部５を形成する。今、エミッタ短絡部５の
直径ｄが０．２鶴の場合、短絡部の中心の間隔ｊを変化
させてオン電圧を測定した結果を第３図に示す０間隔が
狭くなると電流の広がりが悪くなってオン電圧が上昇す
るが、第３図からこの上昇は０．７ｆｉで始まり、０．
６諺では著しく高くなることが判った。このことからオ
ン電圧の上昇のために短絡部の中心間隔０．７−未満は
サイリスタに適さない、一方間隔ｌが変化した場合のタ
ーンオフ時間を測定した結果を第４図に示す、第４図に
示すように間隔！を狭めて単位面積あたりのエミッタ短
絡部の数を増せば、上述のようにターンオフ時間が短縮
されるが、狭くなるにつれてその低下の度合が小さくな
り、間隔！が０．７論と０．６ｆｉではその差がほとん
どなし１゜これに対し１．５鶴から１．３ ｍｌへ狭め
た場合はその効果が太き（，１，３−より狭くすること
によってターンオフ時間を１５０ｎ以下に短縮すること
ができる。従ってエミッタ短絡部５の間隔ｉを従来の１
．５〜２ｆｉから０．７〜１．３鶴と狭くすることによ
りオフ電圧が２ｖ前後で１５０μ３以下のターンオフ時
間を有する中速サイリスタが得られる。 【発明の効果］ 本発明によれば、エミッタ短絡部の中心間隔を０．７〜
１．３ ｍとすることにより、従来の１．５〜２■の間
隔の場合よりサイリスタのオフ時におけるキャリアの排
出口が増加する結果ターンオフ時間が短縮され、一方こ
の範囲であれば短絡部が電流法がりを妨害してオン電圧
が上昇することもない。 もちろん、エミッタ短絡部本来の目的であるｄｖ／ｄｔ
が改善されることは言うまでもない。
第１図はサイリスタ主表面の部分拡大平面図、第２図は
第１図のＡ−Ａ［断面図、第３図はエミッタ短絡部の中
心間隔とオン電圧との関係線図、第４図はエミッタ短絡
部の中心間隔とターンオフ時間との関係線図である。 ３：ｐベース層、４：ｎエミッタ層、５：エミッタ短絡
部。 第１図 第２図
第１図のＡ−Ａ［断面図、第３図はエミッタ短絡部の中
心間隔とオン電圧との関係線図、第４図はエミッタ短絡
部の中心間隔とターンオフ時間との関係線図である。 ３：ｐベース層、４：ｎエミッタ層、５：エミッタ短絡
部。 第１図 第２図
Claims (1)
- １）エミッタ層を貫通して一主表面に露出しエミッタ層
と共通の電極に接触するエミッタ短絡部を有するものに
おいて、エミッタ短絡部の中心の間隔が０．７ないし１
．３ｍｍであることを特徴とするサイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26898384A JPS61145864A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26898384A JPS61145864A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | サイリスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145864A true JPS61145864A (ja) | 1986-07-03 |
Family
ID=17466021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26898384A Pending JPS61145864A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145864A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54124983A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55158671A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS56140661A (en) * | 1980-03-06 | 1981-11-04 | Westinghouse Brake & Signal | Emitter-shorted thyristor unit |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26898384A patent/JPS61145864A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54124983A (en) * | 1978-03-22 | 1979-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS55158671A (en) * | 1979-05-29 | 1980-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JPS56140661A (en) * | 1980-03-06 | 1981-11-04 | Westinghouse Brake & Signal | Emitter-shorted thyristor unit |
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