JPH0832059A - 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ - Google Patents
横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタInfo
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- JPH0832059A JPH0832059A JP15971994A JP15971994A JPH0832059A JP H0832059 A JPH0832059 A JP H0832059A JP 15971994 A JP15971994 A JP 15971994A JP 15971994 A JP15971994 A JP 15971994A JP H0832059 A JPH0832059 A JP H0832059A
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Abstract
ップ耐量の向上。 【構成】いずれもストライプ状部分をもつ、内部に第一
導電型エミッタ領域4を含む第二導電型ベース領域2
と、第二導電型コレクタ領域とが半導体基板の同一表面
上に形成された横型IGBTにおいて、隣接する二つの
第二導電型コレクタ領域の間に、複数の第二導電型ベー
ス領域を挟む。第二導電型コレクタ領域10のコーナー
部20を削除して、第一導電型拡散領域16を設け、ま
た、第二導電型コレクタ領域10に隣接する第二導電型
ベース領域2では遠い側の第一導電型エミッタ領域4の
みを設ける。さらに、第二導電型ベース領域2を長手方
向に分割し、10〜30μm幅の欠如領域を設ける。第
二導電型支持基板上や、絶縁膜22を介して半導体支持
基板23上に形成された半導体基板1に形成する。
Description
ポーラトランジスタ(以下IGBTと記す)に関する。
を利用したMOSFETであるIGBTが注目されてい
る。IGBTはMOSFETと同様に入力インピーダン
スが高く、しかもバイポーラトランジスタと同様にオン
電圧を低くできるという特長を持つ。IGBTは当初、
半導体基板の主表面に対して電流が直角方向に流れる縦
型素子として開発が進められてきたが、パワーデバイス
のインテリジェント化の動向に伴い、横型IGBTの開
発も最近活発化してきている。これは、縦型IGBTが
半導体基板の両面を使用するのに対して、横型IGBT
では、両主電極およびゲート電極が半導体基板の一方の
面のみに形成されるため、制御回路などと同一の半導体
基板に作り込むことが容易であることによる。
に示す。ここではnチャネル型の横型IGBTについて
説明を進める。なお、pチャネル型のIGBTに関して
は、以下の導電型を反転することにより説明できる。図
において、n型半導体基板1の表面層に選択的にpベー
ス領域2が形成され、そのpベース領域2の表面層の一
部に二つのnエミッタ領域4が形成され、その二つのn
エミッタ領域4の間に一部nエミッタ領域4と重複する
ようにpコンタクト領域3が形成されている。pベース
領域2の形成されていないn型基板1の表面露出部に選
択的にnバッファ領域9が形成され、そのnバッファ領
域9の表面層にpコレクタ領域10が形成されている。
そして、n型基板1の表面露出部とnエミッタ領域4に
挟まれたpベース領域2の表面層のチャネル領域14の
表面上にゲート酸化膜5を介してG端子に接続されるゲ
ート電極6が設けられている。また、nエミッタ領域4
とpコンタクト領域3の表面に共通に接触するエミッタ
電極7が、pコレクタ領域10の表面上にはコレクタ電
極11が設けられ、それぞれE端子、C端子に接続され
る。図において、pベース領域2とその上の構造が設け
られた領域をエミッタ・ゲート領域8、nバッファ領域
とその上の構造が設けられた領域をコレクタ領域12と
呼ぶことにする。一般的な横型IGBTにおいては、図
12のように、コレクタ領域12とエミッタ・ゲート領
域8が交互に配置される。
平面図を示す。エミッタ・ゲート領域8とコレクタ領域
12とは、互いに対向する部分が長くなるようにストラ
イプ状に形成され、一方の端で連結された櫛形に形成さ
れるのが普通である。時にはどちらか一方が、多数の独
立したストライプ状で、後にワイヤボンディングされた
り、或いは、それらを変形した形の場合もある。
経路を示す。nチャネル型の横型IGBTの場合、多数
キャリアの流れ18による電流は電子電流であり、少数
キャリアの流れ19による電流は正孔電流となる。以下
に素子動作について説明する。エミッタ電極7に対して
コレクタ電極11に正の電圧を印加した状態で、ゲート
電極6に、しきい値以上の正の電圧を印加すると、ゲー
ト電極6の直下のpベース領域2の表面層に反転層が形
成される。このチャネル領域14に形成された反転層を
通して、nエミッタ領域4から半導体基板1に多数キャ
リアである電子が注入される。この電子の流れ18によ
って、pコレクタ領域10、nバッファ領域9、n型基
板1およびpベース領域2からなるバイポーラトランジ
スタがオンし、pコレクタ層10から少数キャリアであ
る正孔の流れ19がn型基板層1に注入されて、伝導度
変調が起こる。こうしてIGBTがオン状態になる。
エミッタ電極7と同電位にして、チャネルの形成を阻止
し、nエミッタ領域4からの電子の注入を停止させるこ
とによって達成できる。IGBTは高耐圧の素子でも伝
導度変調により、低いオン電圧が実現できるという利点
がある一方、オフ状態に移行するためには、オン状態の
時nバッフア領域9とpベース領域2との間のドリフト
領域13に充満していた多数キャリアと少数キャリアを
取り除いてしまわなければならない。このため、どうし
てもスイッチング速度が遅くなるという欠点がある。こ
の欠点を克服するために、ライフタイムキラーの導入に
よるライフタイム制御や、コレクタショート構造の採用
が行われている。
GBTではエミッタ・ゲート領域8およびコレクタ領域
12が同一平面上に形成されるために、実質的に通電で
きる面積が減少し、素子面積当たりの電流容量が小さく
なる。また、横型IGBTでは、素子の横方向の電流成
分が大きいため、ラッチアップが発生し易く、素子の安
全動作領域が狭いという問題がある。
面積当たりの電流容量を増大させ、かつ安全動作領域の
広い横型IGBTを提供することにある。
発明は、第一導電型の半導体基板の一方の主表面の表面
層に選択的に形成されストライプ状の部分をもつ内部に
第一導電型エミッタ領域を含む第二導電型ベース領域
と、第一導電型半導体基板と第一導電型エミッタ領域と
の間の第二導電型ベース領域上に絶縁膜を介して形成さ
れたゲート電極と、ストライプ状の部分をもつ第二導電
型コレクタ領域とを有するものにおいて、隣接する二つ
の第二導電型コレクタ領域のストライプ間に複数の第二
導電型ベース領域のストライプが挟まれているものとす
る。
ーンのコーナー部において第二導電型コレクタ領域を設
けず第一導電型の拡散層を設けることが有効である。更
に、第二導電型コレクタ領域に隣接する第二導電型ベー
ス領域内の第二導電型コレクタから遠い側の第一導電型
エミッタ領域のみを形成してもよい。特に、第二導電型
コレクタ領域に隣接する第二導電型ベース領域のストラ
イプ状を長さ方向に分割し、その間隔を10〜30μm
とすると良い。
上や絶縁膜を介して単結晶半導体支持基板上に形成した
第一導電型の半導体基板に形成することもできる。
コレクタ領域の間に複数の第二導電型ベース領域を挟む
ことにより、素子面積の増加を伴わずにチャネル領域を
増大させることができる。また、前記第二導電型コレク
タ領域のコーナー部において第二導電型コレクタ領域を
設けず第一導電型の拡散層を設けて、少数キャリアの集
中を引き起こすコレクタ領域のコーナー部をMOSFE
T構造にすることにより、エミッタ・ゲート領域におけ
る少数キャリアの集中が回避できる。これによって、素
子のラッチアップ耐量の向上を達成できる。
第二導電型ベース領域内の第二導電型コレクタから遠い
側にのみ第一導電型エミッタ領域を形成することによ
り、高濃度の第二導電型のコンタクト領域をチャネル領
域よりもコレクタ領域に近づけることになり、少数キャ
リアを高濃度のコンタクト領域で引き抜くことができ
る。これにより、第一導電型エミッタ領域の直下を経路
とする電流成分を減少させることが可能となる。
第二導電型ベース領域のストライプ部分の長さを分割す
ることにより、その間に多数キャリアのための通路がで
き、ラッチアップが起きにくくなり、また少数キャリア
の通路となって、電流分布が均一になる。さらにまた、
第二導電型の半導体支持基板上や絶縁膜を介して単結晶
半導体支持基板上に形成した第一導電型の半導体基板に
形成すればpn接合や誘電体層で分離した多数の素子を
集積できる。特に誘電体分離法では、寄生効果が抑制さ
れ、他の素子との分離効果が高められる。
いて説明する。図1は本発明の実施例の横型IGBTの
部分断面図を示す。この構造は、図11に示した従来構
造の横型IGBTの素子中央におけるコレクタ領域12
をエミッタ・ゲート領域8で置き換えた構成になってい
る。エミッタ・ゲート領域8、コレクタ領域12の構造
は、図12のものと同じである。すなわち、エミッタ・
ゲート領域8にはn型基板1の表面層にpベース領域
2、その内部に二つのnエミッタ領域4とpコンタクト
領域3、その上部にゲート酸化膜5とゲート電極6およ
びエミッタ電極7がある。コレクタ領域12には、nバ
ッファ領域9とpコレクタ領域10、その上にコレクタ
電極11が設けられている。図1の両端のコレクタ領域
12が図11のそれと同じであるとすると、この構成
は、チャネル領域14が図12の従来構造より二つだけ
多く、pコンタクト領域3が一つ多い。このため、素子
面積を拡大することなく電流容量を増大させることが可
能となり、また、オン電圧が低減できる。
域12間のエミッタ・ゲート領域8の数を増やすことに
より、入力電流の増大を達成できるが、無限に増やせる
わけではなく、多数キャリアの電流18に対する電圧降
下が増大するため、隣接する二つのコレクタ領域12間
のエミッタ・ゲート領域8の数は四つまでが限度であ
る。そして、例えば図1において、横方向の素子面積が
さらに大きくなれば、エミッタ・ゲート領域8の数が、
二つ、三つまたは四つのパターンを対称的に繰り返し
て、増加させて行けばよい。
の平面図を示す。素子中央部においては、素子の各領域
は、ストライプ状に形成されている。一方、素子の周辺
部においては、コレクタ領域12に最接近するエミッタ
・ゲート領域8が図2のように凸状にカーブし、その形
状に合わせてコレクタ領域12が周辺部を形成してい
る。なお、周辺部はパターンが変化しているだけであ
り、断面構造は中央部となんら変化はない。図2(b)
は図2(a)のA−A’線に沿った矢視方向からの断面
図を示す。
状態での多数キャリアである電子の流れ18と少数キャ
リアである正孔の流れ19の経路を表す。なお、図3で
は図1の素子の左半分のみを描いている。コレクタ領域
12に最近接するチャネル領域14からの電子の流れ1
8は、直接コレクタ領域12に流れ込むが、それ以外の
チャネル領域14からの電子の流れ18はコレクタ領域
12に隣接するエミッタ・ゲート領域8の直下を経由し
て、コレクタ領域12に達する。
たところ、同一面積内で大きな定常オン電流が流せ、ま
た可制御電流も大きくなった。本パターンの一設計例を
示すと、例えばドリフト長13を30μmと一定にした
場合、コレクタ領域12に接するエミッタ・ゲート領域
8の幅は17μm、中央部のエミッタ・ゲート領域8の
幅は12μmであり、隣接するエミッタ・ゲート領域8
間の距離は14μmである。そのIGBTでは電流容量
が従来の約2倍であった。
明第二の実施例の横型IGBTの部分平面図と断面図で
ある。図4(a)において、コレクタ領域12のコーナ
ー部20をコレクタショート構造としたものである。図
4(b)は図4(a)のB−B’線に沿った矢視方向か
らの断面図を示す。図において、コレクタ領域12のp
コレクタ領域10がnエミッタ領域4と同じ条件のn拡
散領域24に置き変わっている。この置換は、マスクパ
ターンを変更するだけで実施できる。この構造により、
コレクタ領域12のコーナー部20から注入される少数
キャリアの流れ19が、その領域に対向するエミッタ・
ゲート領域8に集中することを回避でき、これにより、
素子のラッチアップ耐量が向上する。
Tの部分断面図である。コレクタ領域12に最近接する
エミッタ・ゲート領域8’のコレクタ領域12に近い側
のpベース領域2、nエミッタ領域4およびゲート電極
6を取り除き、その部分にpコンタクト領域3を拡散さ
せ、そしてエミッタ電極7を配置した構造である。図6
にこの構造における素子内部の電流経路を示す。図のよ
うにコレクタ領域12から注入された少数キャリアの流
れ19による電流は最近接のエミッタ・ゲート領域8’
に引き込まれる。ラッチアップを誘発する少数キャリア
が引き抜かれるので、素子のラッチアップ耐量を向上で
きる。特にこの構造では、スイッチング時のダイナミッ
クラッチアップ耐量の向上に効果がある。
四の実施例の横型IGBTの部分平面図と断面図であ
る。図7(a)において、エミッタ・ゲート領域8を部
分的に削除した短冊状のパターンを示している。削除し
たのは、pベース領域2、pコンタクト領域3、nエミ
ッタ領域4であり、代わりにゲート酸化膜5とゲート電
極6が設けられている。更に絶縁膜を介してエミッタ電
極7を形成してもよい。図7(b)は図7(a)のC−
C’線に沿った矢視方向からの断面図を示す。この構造
における目的は二つある。第一の目的は、コレクタ領域
12から離れたエミッタ・ゲート領域8からの多数キャ
リアの流れ18が、J−FETの効果によりコレクタ領
域12へ到達出来なくなるのを防ぐためである。図1の
素子構造を5μm以下のエピタキシャル層をもった半導
体基板或いは後述のSOI基板上に形成した場合などに
使用するとよい。第二の目的は少数キャリアの流れ19
を素子中央部へより拡散させるためである。これによ
り、少数キャリアの集中によるラッチアップの発生を抑
制できる。また、伝導度変調を素子内部へより深く起こ
させることができる。短冊状に配置したエミッタ・ゲー
ト領域を削除した領域21の幅は10〜30μm、望ま
しくは15〜20μmである。削除した領域21が狭す
ぎると、多数キャリアの流れ18に対する抵抗が大き
く、削除した領域21が広すぎるとエミッタ・ゲート領
域8として、無駄になること、および電圧印加時に空乏
層が繋がらず、耐圧劣化を引き起こす可能性があること
による。削除した領域21によって、エミッタ・ゲート
領域8が分割され、分離されることになるが、絶縁膜を
介したエミッタ電極7により連結させることができる。
流経路を上面から観察した場合を示している。エミッタ
・ゲート領域を部分的に削除した領域21を、コレクタ
領域12から離れたエミッタ・ゲート領域8からの多数
キャリアの流れ18およびコレクタ領域からの少数キャ
リアの流れ19がともに流れる。図9は、本発明第五の
実施例の横型IGBTの部分断面図であり、図1に示し
た第一の実施例の横型IGBTを半導体基板1を酸化膜
22を介して半導体支持基板23に張り合わせたいわゆ
るSOI基板上に形成したものである。SOI基板上に
形成する場合は、半導体基板1の厚さは5μm以上あれ
ばよい。SOI基板を使用し、他の素子との集積を行う
際に誘電体分離で行えば、寄生効果が防止できること、
多段の構成が可能になることなどの利点が得られる。
BTの部分断面図であり、図5に示した第三の実施例の
横型IGBTを、半導体基板1を酸化膜22を介して半
導体支持基板23に張り合わせたいわゆるSOI基板上
に形成したものである。SOI基板使用の利点に加え
て、前述のように、ラッチアップ耐量の大きい横型IG
BTが実現できる。
I基板の他に、エピタキシャル成長した基板を用いるこ
ともでき、接合分離構造をとることによって多数の素子
を集積することができる。
ターンを従来のコレクタ領域とエミッタ・ゲート領域と
の繰り返し構造から、二本のコレクタ領域ストライプ間
に複数本のエミッタ・ゲート領域のストライプを挟むよ
うな配置に変えることによって素子面積を変化させるこ
となく、素子の電流容量の向上およびオン電圧の低減を
達成できる。また、ラッチアップがもっとも発生し易い
コレクタ領域のコーナー部をアノードショート構造とす
ることや、コレクタ領域に最近接するエミッタ・ゲート
領域のチャネル領域を第二導電型コンタクト領域および
エミッタ電極に置換することも、素子のラッチアップ耐
量の向上に有効である。そして、この構造では、エミッ
タ・ゲート領域のストライプを短冊状に分割することに
より、J−FET効果による電流経路の抵抗増加を抑制
し、ラッチアップ耐量を増大することができる。
面図
図、(b)は(a)のA−A’線に沿った矢視断面図
の電流経路図
コレクタ領域のコーナー部分の平面図、(b)は(a)
のB−B’線に沿った矢視断面図
図
電流経路図
部分断面図、(b)は(a)のC−C’線に沿った矢視
断面図
図
面図
での電流経路図
ョート構造適用部) 21 エミッタ・ゲート領域を削除した領域 22 SOI基板の酸化膜 23 SOI基板の支持基板
Claims (7)
- 【請求項1】第一導電型の半導体基板の一方の主表面の
表面層に選択的に形成されストライプ状の部分をもつ内
部に第一導電型エミッタ領域を含む第二導電型ベース領
域と、第一導電型半導体基板と第一導電型エミッタ領域
との間の第二導電型ベース領域上に絶縁膜を介して形成
されたゲート電極と、ストライプ状の部分をもつ第二導
電型コレクタ領域とを有するものにおいて、隣接する二
つの第二導電型コレクタ領域のストライプ状の部分間に
複数の第二導電型ベース領域のストライプ状の部分が挟
まれていることを特徴とする横型絶縁ゲートバイポーラ
トランジスタ。 - 【請求項2】前記第二導電型コレクタ領域のコーナー部
に第一導電型の拡散層を設けたことを特徴とする請求項
1に記載の横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 【請求項3】第二導電型コレクタ領域に隣接する第二導
電型ベース領域内の第二導電型コレクタから遠い側にの
み第一導電型エミッタ領域を形成することを特徴とする
請求項1または2に記載の横型絶縁ゲートバイポーラト
ランジスタ。 - 【請求項4】第二導電型コレクタ領域に隣接する第二導
電型ベース領域のストライプを長さ方向に分割したこと
を特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の横型
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。 - 【請求項5】分割された第二導電型ベース領域のストラ
イプの長さ方向の間隔が10〜30μmであることを特
徴とする請求項4に記載の横型絶縁ゲートバイポーラト
ランジスタ。 - 【請求項6】前記半導体基板が、第二導電型の半導体支
持基板上に形成されたことを特徴とする請求項1ないし
5のいずれかに記載の横型絶縁ゲートバイポーラトラン
ジスタ。 - 【請求項7】前記半導体基板が、絶縁膜を介して半導体
支持基板に張り合わされたことを特徴とする請求項1な
いし5のいずれかに記載の横型絶縁ゲートバイポーラト
ランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15971994A JP3277701B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15971994A JP3277701B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0832059A true JPH0832059A (ja) | 1996-02-02 |
JP3277701B2 JP3277701B2 (ja) | 2002-04-22 |
Family
ID=15699789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15971994A Expired - Fee Related JP3277701B2 (ja) | 1994-07-12 | 1994-07-12 | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3277701B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1168106A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-03-09 | Robert Bosch Gmbh | トランジスタ構成素子とその製造方法 |
JP2006093488A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Ltd | パワーmosfet |
JP2010010401A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Hitachi Ltd | 横型igbtとそれを用いたモータ制御装置 |
JP2013140890A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-07-12 JP JP15971994A patent/JP3277701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1168106A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-03-09 | Robert Bosch Gmbh | トランジスタ構成素子とその製造方法 |
JP2006093488A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Hitachi Ltd | パワーmosfet |
JP4626245B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2011-02-02 | 株式会社日立製作所 | パワーmosfet |
JP2010010401A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Hitachi Ltd | 横型igbtとそれを用いたモータ制御装置 |
JP2013140890A (ja) * | 2012-01-05 | 2013-07-18 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
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