JPS61144710A - 合金磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
合金磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS61144710A JPS61144710A JP26669284A JP26669284A JPS61144710A JP S61144710 A JPS61144710 A JP S61144710A JP 26669284 A JP26669284 A JP 26669284A JP 26669284 A JP26669284 A JP 26669284A JP S61144710 A JPS61144710 A JP S61144710A
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- JP
- Japan
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- alloy
- gap
- ceramic
- lead
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高密度磁気記録達成のだめの高抗磁力テープ対
応のセンダスト磁気ヘッドの狭ギヤツプ形成方法に関す
るものである。
応のセンダスト磁気ヘッドの狭ギヤツプ形成方法に関す
るものである。
従来の技術
近年、磁気記録密度面上のためメタルテープ等の高抗磁
力テープが用いられようとしているが、これに対応する
磁気ヘッドとしては磁心ギャップ近傍の磁気飽和の生じ
にくい高飽和磁束密度磁心材料が必要とされている。
力テープが用いられようとしているが、これに対応する
磁気ヘッドとしては磁心ギャップ近傍の磁気飽和の生じ
にくい高飽和磁束密度磁心材料が必要とされている。
現在このような高性能磁気ヘッドのコア材としてＦ ｅ
−Ａ ７３−８ ｉ系合金を用いた高精度な狭ギャッ
プを有する磁気ヘッドが最も適したものの一つとされて
おり、その普及が磁気記録の分野で切望されている。
−Ａ ７３−８ ｉ系合金を用いた高精度な狭ギャッ
プを有する磁気ヘッドが最も適したものの一つとされて
おり、その普及が磁気記録の分野で切望されている。
しかしながら、コア材として用いるＦｅ−Ａｌ−５ｉ系
合金の性質上、高精度でかつ機械的強度の高い狭ギャッ
プを形成することが極めて困難であり、これが上述の磁
気ヘッドの普及を阻んでいた。
合金の性質上、高精度でかつ機械的強度の高い狭ギャッ
プを形成することが極めて困難であり、これが上述の磁
気ヘッドの普及を阻んでいた。
フェライトの場合はガラスと極めて強く接合するが、Ｆ
ｅ −Ａ ｌ −Ｓｉ系合金はガラスとの濡れ性が悪
く、はとんどこのような方法での接合は困難であること
からギャップ部分の機械的強度を向上させるため巻線溝
の内側面を接合するなどの方法が行なわれている。（例
えば特公開５６−１３０８１１号公報、特公開５７−６
０５２５号公報）また、２枚のコアを接合後磁気ヘッド
の形状にするため、接合した棒状のロンドの切断及び機
械的な研摩といった行程を経なければならないため、２
枚のコアの接合強度を保っているバックギャップ面の接
合強度が極めて高いことが必要である。このことから通
常はセンダストのバックギャップ形成面に溝を形成し、
この中に銀ろう棒を入れて溶着している。（例えば特公
開５８−１７６３０号公報）発明が解決しようとする問
題点 フロントギャップ面に石英（Ｓ １０２ ）が形成され
ており、これを突合わせてギャップが形成されている場
合（接合していない場合）は、テープ走行によって脱落
した磁性粉や埃等がギャップ間に入り込みギャップの精
度が低下する原因となっていた。
ｅ −Ａ ｌ −Ｓｉ系合金はガラスとの濡れ性が悪
く、はとんどこのような方法での接合は困難であること
からギャップ部分の機械的強度を向上させるため巻線溝
の内側面を接合するなどの方法が行なわれている。（例
えば特公開５６−１３０８１１号公報、特公開５７−６
０５２５号公報）また、２枚のコアを接合後磁気ヘッド
の形状にするため、接合した棒状のロンドの切断及び機
械的な研摩といった行程を経なければならないため、２
枚のコアの接合強度を保っているバックギャップ面の接
合強度が極めて高いことが必要である。このことから通
常はセンダストのバックギャップ形成面に溝を形成し、
この中に銀ろう棒を入れて溶着している。（例えば特公
開５８−１７６３０号公報）発明が解決しようとする問
題点 フロントギャップ面に石英（Ｓ １０２ ）が形成され
ており、これを突合わせてギャップが形成されている場
合（接合していない場合）は、テープ走行によって脱落
した磁性粉や埃等がギャップ間に入り込みギャップの精
度が低下する原因となっていた。
またパックギャップ面に用いられている銀ろう材は、一
般にＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金との結合力を増すために低
融点のＡｇ−Ｃｕ −Ｃｄ−Ｚｎ系のろう棒あるいは箔
が用いられているが、このろう材はその熱膨張係数が大
きく（１７〜１ｓｘ １０−６／Ｃ）しかもギャップ形
成時にＦ ｅ −Ａ ｌ−Ｓｉ系合金との相互拡散が大
きいため銀ろう材が融解後固化する時にＦｅ−Ａｌ−８
ｉ系合金部分にひび割れが生じ、その影響を受けて、ギ
ャップ幅の制御や平行性を得ることが困難であった。さ
らにろう箔を用いた場合はその厚さが２〜３μｍとギャ
ップ長（０，３〜０．５μｍ）に比べて非常に大きいた
め、熱処理による溶着工程において２枚のコアを強く治
具で押えて、余分のろう材を押し出す必要がある。しか
しこの操作によって２枚のコアがろう材の溶融した時に
ずれることからフロントギャップのトラック幅の精度が
低下する原因になっていた。
般にＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金との結合力を増すために低
融点のＡｇ−Ｃｕ −Ｃｄ−Ｚｎ系のろう棒あるいは箔
が用いられているが、このろう材はその熱膨張係数が大
きく（１７〜１ｓｘ １０−６／Ｃ）しかもギャップ形
成時にＦ ｅ −Ａ ｌ−Ｓｉ系合金との相互拡散が大
きいため銀ろう材が融解後固化する時にＦｅ−Ａｌ−８
ｉ系合金部分にひび割れが生じ、その影響を受けて、ギ
ャップ幅の制御や平行性を得ることが困難であった。さ
らにろう箔を用いた場合はその厚さが２〜３μｍとギャ
ップ長（０，３〜０．５μｍ）に比べて非常に大きいた
め、熱処理による溶着工程において２枚のコアを強く治
具で押えて、余分のろう材を押し出す必要がある。しか
しこの操作によって２枚のコアがろう材の溶融した時に
ずれることからフロントギャップのトラック幅の精度が
低下する原因になっていた。
問題点を解決するための手段
本発明は前記問題点を解決するために、合わせれば磁気
ヘッドの形状となる一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チッ
プのテープ走行面となるフロントギャップ形成面に均一
な厚さでセンダスト成分を５〜５０重量％含むセラミッ
ク薄膜を、さらにその上に上記薄膜中のセラミｙり成分
を５〜５０重量％含む鉛含有ガラス薄膜をそれぞれスパ
ッタ法で形成し、次に左右の合金磁心のバックギャップ
形成面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜をスパッタ法で形
成後、合金磁心の同一種のギャップ面同志を合わせた状
態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びＡ ｇ −Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性雰囲気に
おいて熱処理し、左右の合金磁心ブロックを拡散接合す
ることによって、高精度でかつ機械的強度の高い磁気ヘ
ッドの製造方法を提供する。
ヘッドの形状となる一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チッ
プのテープ走行面となるフロントギャップ形成面に均一
な厚さでセンダスト成分を５〜５０重量％含むセラミッ
ク薄膜を、さらにその上に上記薄膜中のセラミｙり成分
を５〜５０重量％含む鉛含有ガラス薄膜をそれぞれスパ
ッタ法で形成し、次に左右の合金磁心のバックギャップ
形成面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄膜をスパッタ法で形
成後、合金磁心の同一種のギャップ面同志を合わせた状
態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びＡ ｇ −Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性雰囲気に
おいて熱処理し、左右の合金磁心ブロックを拡散接合す
ることによって、高精度でかつ機械的強度の高い磁気ヘ
ッドの製造方法を提供する。
作用
本発明は、上記した構成により、２枚のＦｅ−Ａｌ−８
ｉ系合金磁心ブロックを拡散接合することによって得ら
れた。すなわち、フロントギャップ形成面にセンダスト
成分を含むセラミック層を形成することにより、Ｆｅ−
５ｔ−Ａｌ系合金とセラミック薄膜との熱膨張係数が似
かよってくるため熱処理などの工程によるこの界面での
剥離といったことが無くなりこの間の接合強度が高くな
る。また、センダスト成分を含むセラミック薄膜と、そ
の上に上記薄膜中のセラミック成分を含む鉛含有ガラス
薄膜を形成した場合は、この界面において化学反応がよ
り促進され化合物が形成され、これによって強く接合す
ることから、機械的に高い強度をもつギャップを得るこ
とが出来る。これらの反応はセラミックと鉛含有ガラス
薄膜の界面で起きることから、ギャップ幅はこれらの薄
膜の厚さで規定できることになる。
ｉ系合金磁心ブロックを拡散接合することによって得ら
れた。すなわち、フロントギャップ形成面にセンダスト
成分を含むセラミック層を形成することにより、Ｆｅ−
５ｔ−Ａｌ系合金とセラミック薄膜との熱膨張係数が似
かよってくるため熱処理などの工程によるこの界面での
剥離といったことが無くなりこの間の接合強度が高くな
る。また、センダスト成分を含むセラミック薄膜と、そ
の上に上記薄膜中のセラミック成分を含む鉛含有ガラス
薄膜を形成した場合は、この界面において化学反応がよ
り促進され化合物が形成され、これによって強く接合す
ることから、機械的に高い強度をもつギャップを得るこ
とが出来る。これらの反応はセラミックと鉛含有ガラス
薄膜の界面で起きることから、ギャップ幅はこれらの薄
膜の厚さで規定できることになる。
次にパックギャップ面のＡ ｇ −Ｃｕ −Ｉ ｎ系合
金の膜厚は、フロントギャップを形成するセラミックと
鉛含有ガラスを合わせた厚さに制御出来ることから、熱
処理時において、箔を用いた場合のように融解銀ろうの
流出がないので２枚の合金磁心がズレることが無くなっ
た。またＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金は、Ｆｅ−Ａｌ−８ｉ
系合金との接合部分において相互拡散が生じるため強固
でかつ、ひび割れを生じることのないパックギャップの
接合が可能となった。
金の膜厚は、フロントギャップを形成するセラミックと
鉛含有ガラスを合わせた厚さに制御出来ることから、熱
処理時において、箔を用いた場合のように融解銀ろうの
流出がないので２枚の合金磁心がズレることが無くなっ
た。またＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金は、Ｆｅ−Ａｌ−８ｉ
系合金との接合部分において相互拡散が生じるため強固
でかつ、ひび割れを生じることのないパックギャップの
接合が可能となった。
実施例
以下実施例を示す。
（実施例１）
以下に示すような方法で、第１図に示したようなギャッ
プを持つＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金へラドピースを作製し
、検討した。
プを持つＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金へラドピースを作製し
、検討した。
まず第２図ｄのような巾３ ｍｍ 、高さ２ｒｔａｎ、
長さ２０Ｔｒｒ！ｎの棒状のＦ ｅ −Ａ ｌ −３を
合金上にダイヤモンド砥石によって巾０．３５Ｍの巻線
用のミゾ入れを行なった一対の船渠ヘッドピースのチッ
プ１，２を用意し、フロントギャップ面７およびパック
ギャップ面８を鏡面研摩（最大表面荒さＲｍａｘＸｏ
、０１ ｐｒｎ ） した。
長さ２０Ｔｒｒ！ｎの棒状のＦ ｅ −Ａ ｌ −３を
合金上にダイヤモンド砥石によって巾０．３５Ｍの巻線
用のミゾ入れを行なった一対の船渠ヘッドピースのチッ
プ１，２を用意し、フロントギャップ面７およびパック
ギャップ面８を鏡面研摩（最大表面荒さＲｍａｘＸｏ
、０１ ｐｒｎ ） した。
次に第２図すのようにフロントギャップ部分の両方に、
スパッタ法を用いてセンダスト成分を６重量％含む酸化
ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２ ）の薄膜３を形成し、さ
らにその上に同じくスパッタ法でＺｒＯ２を５重量％含
む鉛含有ガラス薄膜４を形成した。（この場合パックギ
ャップ部には、Ｚ ｒ ０２及び鉛含有ガラスが入らな
いようにマスクをほどこした。）ここで上述のセンダス
ト成分を含むＺ ｘ０２薄膜は、厚さが均一に０．１０
μｍであった。一方上述のＺ ｒ Ｏ２を含む鉛含有ガ
ラス薄膜は、厚さが均一に０．０６μｍで、Ｚ ｒ Ｏ
２を除く鉛含有ガラスの組成はＳｉｏ２が４０重量％、
ＰｂＯが５５重量％およびＮ ａ ２０が６重量％から
なるガラス薄膜である。次に同じくスパッタ法にてパッ
クギャップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金薄膜６を形成した。（この場合フロントギャッ
プ部にはＡ ｇ −Ｃｕ −Ｉ ｎ系合金が入らないよ
うにマスクをしておく）ここで上述のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ
薄膜は、厚さが均一に０．１６μｍで、その組成がＡｇ
５ｓ重量％、Ｃｕ３０重量％、Ｉｎ１５重量％なるもの
である。これらのスパッタ法により得られたフロントギ
ャップ側（ＺｒＯ２−鉛含有ガラス層）及びパックギャ
ップ側（Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ層）をそれぞれ互いにつき合
わせ一対のセンダストチップとした状態で真空雰囲気（
１Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）中で９００°Ｃの温度で１時間
処理を行なって、一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チップ
のギャップ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処
理した。
スパッタ法を用いてセンダスト成分を６重量％含む酸化
ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２ ）の薄膜３を形成し、さ
らにその上に同じくスパッタ法でＺｒＯ２を５重量％含
む鉛含有ガラス薄膜４を形成した。（この場合パックギ
ャップ部には、Ｚ ｒ ０２及び鉛含有ガラスが入らな
いようにマスクをほどこした。）ここで上述のセンダス
ト成分を含むＺ ｘ０２薄膜は、厚さが均一に０．１０
μｍであった。一方上述のＺ ｒ Ｏ２を含む鉛含有ガ
ラス薄膜は、厚さが均一に０．０６μｍで、Ｚ ｒ Ｏ
２を除く鉛含有ガラスの組成はＳｉｏ２が４０重量％、
ＰｂＯが５５重量％およびＮ ａ ２０が６重量％から
なるガラス薄膜である。次に同じくスパッタ法にてパッ
クギャップ部のはり合わせ部分の両方にＡｇ−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金薄膜６を形成した。（この場合フロントギャッ
プ部にはＡ ｇ −Ｃｕ −Ｉ ｎ系合金が入らないよ
うにマスクをしておく）ここで上述のＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ
薄膜は、厚さが均一に０．１６μｍで、その組成がＡｇ
５ｓ重量％、Ｃｕ３０重量％、Ｉｎ１５重量％なるもの
である。これらのスパッタ法により得られたフロントギ
ャップ側（ＺｒＯ２−鉛含有ガラス層）及びパックギャ
ップ側（Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ層）をそれぞれ互いにつき合
わせ一対のセンダストチップとした状態で真空雰囲気（
１Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ）中で９００°Ｃの温度で１時間
処理を行なって、一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チップ
のギャップ部のはり合わせ部分の薄膜同志を拡散接合処
理した。
このようにして得られた第３図に示す棒状のロッドを、
切断と機械的研摩によ！７１５Ｑμｍの薄片状に切断し
てＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金へラドピースを得た。
切断と機械的研摩によ！７１５Ｑμｍの薄片状に切断し
てＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金へラドピースを得た。
得られたＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金へラドピースのフロン
トギャップ部およびパックギャップ部を研摩し、ギャッ
プの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。
トギャップ部およびパックギャップ部を研摩し、ギャッ
プの巾を光学顕微鏡を用いて測定した。
その結果フロントギャップの巾もバックギャップの巾も
共に０ 、３０ｔｔｍであり、ギャップ面が平行である
ことが観測された。
共に０ 、３０ｔｔｍであり、ギャップ面が平行である
ことが観測された。
しかも７０／トギヤツプおよびバックギャップともに接
合面のひび割れやカケ等が発生していなかった。
合面のひび割れやカケ等が発生していなかった。
さらに、形成されたギャップの機械的強度を検討するた
めに、ギャップ面の両側のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金材を
１０に９・酎−２の応力で引張り試験したが、ギャップ
接合面ではがれず、機械的強度にもすぐれていることが
わかった。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μｍ
に機械加工し巻線みぞにコイルを２５タ一ン巻いて磁気
ヘッドを作成した。これに磁気テープ（保持力ＨＣ；１
４００エールステッド飽和磁束密度Ｂｒ；３０００ガウ
ス）を相対速度３．４６ｍ／ｓｅＣで走行させた時の６
ＭＨｚ におけるヘッドの再生出力電圧は２４０μＶ（
ピークツーピーク）であった。またこの条件で５００時
間時間後の再生出力電圧は、２４６μＶ（ｐ−ｐ）であ
り出力電圧の低下は認められなかった。この結果を表１
の試料番号２に示す。
めに、ギャップ面の両側のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金材を
１０に９・酎−２の応力で引張り試験したが、ギャップ
接合面ではがれず、機械的強度にもすぐれていることが
わかった。次にフロントヘッドのトラック巾を２５μｍ
に機械加工し巻線みぞにコイルを２５タ一ン巻いて磁気
ヘッドを作成した。これに磁気テープ（保持力ＨＣ；１
４００エールステッド飽和磁束密度Ｂｒ；３０００ガウ
ス）を相対速度３．４６ｍ／ｓｅＣで走行させた時の６
ＭＨｚ におけるヘッドの再生出力電圧は２４０μＶ（
ピークツーピーク）であった。またこの条件で５００時
間時間後の再生出力電圧は、２４６μＶ（ｐ−ｐ）であ
り出力電圧の低下は認められなかった。この結果を表１
の試料番号２に示す。
以下同様の方法でフロントギャップ部分のセラミック薄
膜及びガラス薄膜の組成を変えた試料の試験結果を表１
の試料番号１，３〜１５に示す。
膜及びガラス薄膜の組成を変えた試料の試験結果を表１
の試料番号１，３〜１５に示す。
なお本実施例において、磁気特性に影響をおよぼすＦｅ
−Ａｄ−８ｔ系合金チップの組成については、熱処理の
前後で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いた分析によって確認できた。その結果Ｆｅ−
Ａｌ−３ｔ系合金の飽和磁束密度Ｂ８は８６５０ガウス
、保磁力Ｈａは０．０３１−ルステッド、交流初透磁率
μは６１（ただし２００μｍ厚の場合）であり、熱処理
による磁気特性の変化も認められなかった。またセラミ
ック膜の組成であるＺ ｒ 、Ｍｇ 、Ａｌのイオンは
０．０１μｍ以上深（Ｆ ｅ−Ａｌｌ−Ｓｉ系合金内部
に拡散していないことも確認できた。
−Ａｄ−８ｔ系合金チップの組成については、熱処理の
前後で何ら変化していないことが、Ｘ線マイクロアナラ
イザを用いた分析によって確認できた。その結果Ｆｅ−
Ａｌ−３ｔ系合金の飽和磁束密度Ｂ８は８６５０ガウス
、保磁力Ｈａは０．０３１−ルステッド、交流初透磁率
μは６１（ただし２００μｍ厚の場合）であり、熱処理
による磁気特性の変化も認められなかった。またセラミ
ック膜の組成であるＺ ｒ 、Ｍｇ 、Ａｌのイオンは
０．０１μｍ以上深（Ｆ ｅ−Ａｌｌ−Ｓｉ系合金内部
に拡散していないことも確認できた。
＊ ＊＊
＊ ＊ ＊また比較のた
めに、従来の形成法によるギャップをもつヘッドピース
を作製した。すなわちフロントギャップ部に石英膜を形
成し、パックギャップ及び巻線溝部にＡｇ−Ｃｕ−Ｚｎ
−Ｃｄ系銀ロー棒を用いてヘッドピースを溶着し、第４
図に示すようなＦ ｅ −Ａ ｌ −Ｓ ｉ系合金ヘッ
ドを作製した。このヘッドピースのギャップ部分につい
ても実施例と同様の検査を行なった。その結果、１０に
２・鴫−２の外力による引張り試験でははがれなかった
が、ギャップ面の平行性は著しく劣っていた。フロント
ギャップの幅は０．６０μｍであり、パックギャップの
幅は、０．３５μｍであった。次に実施例と四季にヘッ
ド前部を機械加工した時および磁気テープを走行させた
時に、ギャップ部分に欠けが生じた。またこのヘッドの
巻線みぞにコイルを２５タ一ン巻いた時の６ＭＨ２での
ヘッドの再生出力電圧はｅＯμＶ であった。
＊ ＊ ＊また比較のた
めに、従来の形成法によるギャップをもつヘッドピース
を作製した。すなわちフロントギャップ部に石英膜を形
成し、パックギャップ及び巻線溝部にＡｇ−Ｃｕ−Ｚｎ
−Ｃｄ系銀ロー棒を用いてヘッドピースを溶着し、第４
図に示すようなＦ ｅ −Ａ ｌ −Ｓ ｉ系合金ヘッ
ドを作製した。このヘッドピースのギャップ部分につい
ても実施例と同様の検査を行なった。その結果、１０に
２・鴫−２の外力による引張り試験でははがれなかった
が、ギャップ面の平行性は著しく劣っていた。フロント
ギャップの幅は０．６０μｍであり、パックギャップの
幅は、０．３５μｍであった。次に実施例と四季にヘッ
ド前部を機械加工した時および磁気テープを走行させた
時に、ギャップ部分に欠けが生じた。またこのヘッドの
巻線みぞにコイルを２５タ一ン巻いた時の６ＭＨ２での
ヘッドの再生出力電圧はｅＯμＶ であった。
−ｐ
発明の効果
以上の説明および表１から明らかなように、本発明はＦ
ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金磁気ヘッドにおいて、合わせれば
磁気ヘッドの形状となる一対のＦｓ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
チップのフロントギャップ形成面（磁気テープ走行面）
に高精度の厚みでセンダスト成分を含むセラミック薄膜
を形成し、さらにその上に均一な厚さで上記薄膜中のセ
ラミック成分を含む鉛含有ガラス薄膜を形成し、バック
ギャップ面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系薄膜を形成した後、用
いた鉛含有ガラスの軟化点以上でしかも銀ろうが溶融す
る温度以上の真空雰囲気の条件で処理して接合した場合
のフロントギャップは機械的に高い強度を有するギャッ
プを得ることが出来る。ここで、セラミック薄膜中のセ
ンダスト量及び鉛含有ガラス薄膜中のセラミック量はそ
れぞれ６〜５０ ｗｔ％の時、長時間のテープ走行に対
しても十分な再生出力電圧が得られた。まだパックギャ
ップのＡｇ−−Ｃｕ −Ｉ ｎ薄膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金も強固に接合することから高精度な狭ギャップの
形成が容易になり、その結果高密度磁気記録に適したＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金磁気ヘッドを実現することが可能
となった。
ｅ−Ａｌ−８ｉ系合金磁気ヘッドにおいて、合わせれば
磁気ヘッドの形状となる一対のＦｓ−Ａｌ−Ｓｉ系合金
チップのフロントギャップ形成面（磁気テープ走行面）
に高精度の厚みでセンダスト成分を含むセラミック薄膜
を形成し、さらにその上に均一な厚さで上記薄膜中のセ
ラミック成分を含む鉛含有ガラス薄膜を形成し、バック
ギャップ面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系薄膜を形成した後、用
いた鉛含有ガラスの軟化点以上でしかも銀ろうが溶融す
る温度以上の真空雰囲気の条件で処理して接合した場合
のフロントギャップは機械的に高い強度を有するギャッ
プを得ることが出来る。ここで、セラミック薄膜中のセ
ンダスト量及び鉛含有ガラス薄膜中のセラミック量はそ
れぞれ６〜５０ ｗｔ％の時、長時間のテープ走行に対
しても十分な再生出力電圧が得られた。まだパックギャ
ップのＡｇ−−Ｃｕ −Ｉ ｎ薄膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ
系合金も強固に接合することから高精度な狭ギャップの
形成が容易になり、その結果高密度磁気記録に適したＦ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金磁気ヘッドを実現することが可能
となった。
また実施例において、Ｆｅ−Ａｄ−Ｓｔ系合金溶着の熱
処理雰囲気を真空中で行ったが、別にこれに限るわけで
はなく、非酸化性雰囲気（たとえばＡｒあるいはＮ２雰
囲気等）であれば全て有効であることが確認されている
。
処理雰囲気を真空中で行ったが、別にこれに限るわけで
はなく、非酸化性雰囲気（たとえばＡｒあるいはＮ２雰
囲気等）であれば全て有効であることが確認されている
。
第１図は本発明の一実施例におけるＦｅ−Ａｌ１−Ｓｉ
系合金磁気ヘッドの断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ
）はＦ ｅ −Ａ ｌ−Ｓ ｉ系合金磁気ヘッドのギャ
ップ形成に用いた一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チップ
を示す図、第３図はこれらのＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金チ
ップを用いて作製したベッドピースを示す図、第４図は
従来の磁気ヘッドの断面図である。 １、２− Ｆｅ −Ａｌｌ−Ｓｉ 胎金チップ、３０６
０１．。 センダスト組成物を含むセラミック層、４・川・・セラ
ミック組成物を含む鉛含有ガラス層、５・・・・・・Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ層、６・・・・・・巻線溝、７・・・・
・・フロントギャップ部、８・・・・・・パックギャッ
プ部、９・・印・セラミ’／りと鉛含有ガラスで接合さ
れた非磁性薄膜部、１０・・・・・・Ａｇ−−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金薄膜を用いた溶着部、１１・・・・・・Ｓ １
０２層、１２・・・・・・Ａｇ−ろう溶着部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ５−−− Ａｆ−ＣｔＬ−１７Ｌ、１ ／、２−−−−Ｆｅ−ＡＩ−５ｉＶ舎金テ、フ。 食ｄ３有汐°ラス１
系合金磁気ヘッドの断面図、第２図（ａ） 、 （ｂ
）はＦ ｅ −Ａ ｌ−Ｓ ｉ系合金磁気ヘッドのギャ
ップ形成に用いた一対のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金チップ
を示す図、第３図はこれらのＦｅ−Ａｌ−５ｉ系合金チ
ップを用いて作製したベッドピースを示す図、第４図は
従来の磁気ヘッドの断面図である。 １、２− Ｆｅ −Ａｌｌ−Ｓｉ 胎金チップ、３０６
０１．。 センダスト組成物を含むセラミック層、４・川・・セラ
ミック組成物を含む鉛含有ガラス層、５・・・・・・Ａ
ｇ−Ｃｕ−Ｉｎ層、６・・・・・・巻線溝、７・・・・
・・フロントギャップ部、８・・・・・・パックギャッ
プ部、９・・印・セラミ’／りと鉛含有ガラスで接合さ
れた非磁性薄膜部、１０・・・・・・Ａｇ−−Ｃｕ−Ｉ
ｎ系合金薄膜を用いた溶着部、１１・・・・・・Ｓ １
０２層、１２・・・・・・Ａｇ−ろう溶着部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名第１
図 ５−−− Ａｆ−ＣｔＬ−１７Ｌ、１ ／、２−−−−Ｆｅ−ＡＩ−５ｉＶ舎金テ、フ。 食ｄ３有汐°ラス１
Claims (2)
- （１）Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金磁心材料（センダスト）
よりなる左右突合せ型磁気ヘッドにおいて、左右の合金
磁心のフロントギャップ形成面に非磁性層として、セン
ダスト成分を５〜５０重量％含むセラミック薄膜を、さ
らにその上に上記薄膜中のセラミック成分を５〜５０重
量％含む鉛含有ガラス薄膜を形成し、次に左右の合金磁
心のバックギャップ形成面にＡｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系合金薄
膜を形成後、合金磁心の同一種のギャップ面同志を合わ
せた状態で、鉛含有ガラスの軟化温度及びＡｇ−Ｃｕ−
Ｉｎ系合金の液相が出現する温度以上の非酸化性雰囲気
において熱処理し、左右の合金磁心ブロックを拡散接合
することによって磁気的なギャップを形成することを特
徴とする合金磁気ヘッドの製造方法。 - （２）非磁性セラミックが酸化ジルコニウム（ＺｒＯ＿
２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、スピネル（ＭｇＯ
・Ａｌ＿２Ｏ＿３）のうちいずれか一種から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の合金磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26669284A JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26669284A JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61144710A true JPS61144710A (ja) | 1986-07-02 |
| JPH0223922B2 JPH0223922B2 (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17434360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26669284A Granted JPS61144710A (ja) | 1984-12-18 | 1984-12-18 | 合金磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61144710A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0483526U (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 |
-
1984
- 1984-12-18 JP JP26669284A patent/JPS61144710A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0223922B2 (ja) | 1990-05-25 |
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