JPS61137407A - 周波数変換器 - Google Patents
周波数変換器Info
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- JPS61137407A JPS61137407A JP59259733A JP25973384A JPS61137407A JP S61137407 A JPS61137407 A JP S61137407A JP 59259733 A JP59259733 A JP 59259733A JP 25973384 A JP25973384 A JP 25973384A JP S61137407 A JPS61137407 A JP S61137407A
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- Japan
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- circuit
- band
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
- H03D9/06—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance
- H03D9/0608—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes
- H03D9/0633—Transference of modulation using distributed inductance and capacitance by means of diodes mounted on a stripline circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1852—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
-
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1864—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator
- H03B5/187—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
- H03B5/1876—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a dielectric resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device the semiconductor device being a field-effect device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、テレビ衛星放送受信用の周波数変換器に関す
る。
る。
（従来技術）
この種の周波数変換回路は、一般的に第５図に示すよう
に構成されている。１はアンテナ等に接続される高周波
信号入力端子、２はその入力端子１からの入力信号を所
定レベルまで増幅する低雑音増幅回路、３は予め設定し
た所定の周波数帯域の信号のみを通過させるバンドパス
フィルタ、４は局部発振回路、５はバンドパスフィルタ
３からの周波数信号と局部発振回路４からの周波数信号
とを混合して、画周波数の差の周波数信号（ビート周波
数信号）を取り出すためのミキサ回路である。６はミキ
サ回路５で得られた中間周波信号を次段の増幅回路に送
出するための出力端子である。
に構成されている。１はアンテナ等に接続される高周波
信号入力端子、２はその入力端子１からの入力信号を所
定レベルまで増幅する低雑音増幅回路、３は予め設定し
た所定の周波数帯域の信号のみを通過させるバンドパス
フィルタ、４は局部発振回路、５はバンドパスフィルタ
３からの周波数信号と局部発振回路４からの周波数信号
とを混合して、画周波数の差の周波数信号（ビート周波
数信号）を取り出すためのミキサ回路である。６はミキ
サ回路５で得られた中間周波信号を次段の増幅回路に送
出するための出力端子である。
ところで、従来では、４ＧＨｚ帯の周波数を扱う場合、
上記周波数変換回路の各構成回路を、複数の回路基板で
構成して、その基板間をシールド板でシールドすると共
に、相互の回路接続は金属腹で行っていた。各回路を共
通の基板に構成しなかった理由は、４ＧＩＩｚ帯では１
２Ｇｌ（ｚ帯等に較べると基板上のパターンが大きくな
り、それをコンパクトにまとめるには、各回路相互間の
相互干渉、及び局部発振回路の安定性に不安があったた
めと思われる。これは、周波数変換回路が超低雑音、高
安定発掘器内蔵という現在のマイクロ波技術のレベルの
集約的要素をもったデバイスであることにも起因してい
る考えられる。
上記周波数変換回路の各構成回路を、複数の回路基板で
構成して、その基板間をシールド板でシールドすると共
に、相互の回路接続は金属腹で行っていた。各回路を共
通の基板に構成しなかった理由は、４ＧＩＩｚ帯では１
２Ｇｌ（ｚ帯等に較べると基板上のパターンが大きくな
り、それをコンパクトにまとめるには、各回路相互間の
相互干渉、及び局部発振回路の安定性に不安があったた
めと思われる。これは、周波数変換回路が超低雑音、高
安定発掘器内蔵という現在のマイクロ波技術のレベルの
集約的要素をもったデバイスであることにも起因してい
る考えられる。
しかし、このような個別・分離的回路構成方法では全体
の構成が複雑となり、量産性、歩留り性、信頼性につい
て充分満足できるものを実現することはできない。
の構成が複雑となり、量産性、歩留り性、信頼性につい
て充分満足できるものを実現することはできない。
（発明の目的）
本発明はかかる点に鑑みて成されたもので、その目的は
、１個の基板上に構成各回路を相互間のシールド等の必
要なしに一体的に組み込むことができるようにし、もっ
て量産性、歩留り性、信頼性を大幅に向上させることが
できるようにした周波数変換回路を提供することである
。
、１個の基板上に構成各回路を相互間のシールド等の必
要なしに一体的に組み込むことができるようにし、もっ
て量産性、歩留り性、信頼性を大幅に向上させることが
できるようにした周波数変換回路を提供することである
。
（発明の構成）
このために本発明の周波数変換器は、４ＧＨｚ帯の周波
数信号を入力する入力端子から順次接続される低雑音増
幅回路、バンドパスフィルタ及びミキサ回路並びに該ミ
キサ回路に接続される局部発振回路の各々を１枚のプリ
ント配線板に形成し、且つその全体をシールドケース内
に収容して構成している。
数信号を入力する入力端子から順次接続される低雑音増
幅回路、バンドパスフィルタ及びミキサ回路並びに該ミ
キサ回路に接続される局部発振回路の各々を１枚のプリ
ント配線板に形成し、且つその全体をシールドケース内
に収容して構成している。
（実施例）
以下、本発明の実施例について説明する。第１図は本実
施例の周波数変換回路の全体回路図であり、入力周波数
が３．７〜４．２ Ｇ Ｈｚ （４Ｇ Ｉｉｚ帯）の周
波数を９４０〜１４４０Ｍ Ｈｚ （１０００Ｍ Ｈｚ
帯）に変換する回路である。第２図はこの回路全体の配
線パターンを構成する１枚のプリント配線板７の表面ａ
１を示すものである。
施例の周波数変換回路の全体回路図であり、入力周波数
が３．７〜４．２ Ｇ Ｈｚ （４Ｇ Ｉｉｚ帯）の周
波数を９４０〜１４４０Ｍ Ｈｚ （１０００Ｍ Ｈｚ
帯）に変換する回路である。第２図はこの回路全体の配
線パターンを構成する１枚のプリント配線板７の表面ａ
１を示すものである。
低雑音増幅回路２は、３個のＦＥＴＱＩ〜Ｑ３により３
段で構成されている。０１〜Ｃ４はカップリングコンデ
ンサ、０５〜Ｃ１ｌは等価コンデンサとしての開放スタ
ブ、ＬＬ−Ｌ６はバイアス用チョーク、Ｐ１〜Ｐ７は伝
送路である。
段で構成されている。０１〜Ｃ４はカップリングコンデ
ンサ、０５〜Ｃ１ｌは等価コンデンサとしての開放スタ
ブ、ＬＬ−Ｌ６はバイアス用チョーク、Ｐ１〜Ｐ７は伝
送路である。
バンドパスフィルタ３は、通過中心周波数３．９５ＧＨ
ｚのＬＣ型のバンドパスフィルタ３ａ、通過中心周波数
３．９５Ｇ Ｈｚのインターデジット型のバンドパスフ
ィルタ３ｂ、除去中心周波数６．３３Ｇ Ｉｉｚのバン
ドリジェクションフィルタ３Ｃを直列接続して構成され
ている。ＣＩ２〜Ｃ１７は開放スタブ、Ｌ７、Ｌ８は短
絡スタブ、Ｐ８〜Ｐ１３は伝送路である。
ｚのＬＣ型のバンドパスフィルタ３ａ、通過中心周波数
３．９５Ｇ Ｈｚのインターデジット型のバンドパスフ
ィルタ３ｂ、除去中心周波数６．３３Ｇ Ｉｉｚのバン
ドリジェクションフィルタ３Ｃを直列接続して構成され
ている。ＣＩ２〜Ｃ１７は開放スタブ、Ｌ７、Ｌ８は短
絡スタブ、Ｐ８〜Ｐ１３は伝送路である。
局部発振回路４は、ＦＥＴＱ４及び誘電体共振！！４ａ
を使用した安定型の発振回路で構成され、通過中心周波
数５．１４Ｇ Ｈｚのインターデジット型のバンドパス
フィルタ４ｂにてミキサ回路５と結合されている。Ｐ１
４〜Ｐ１７は伝送路、０１Ｂは開放スタブ、Ｌ９はバイ
アス用チョーク、Ｃ１９、Ｃ２０はコンデンサ、Ｒ１−
Ｒ３は抵抗である。
を使用した安定型の発振回路で構成され、通過中心周波
数５．１４Ｇ Ｈｚのインターデジット型のバンドパス
フィルタ４ｂにてミキサ回路５と結合されている。Ｐ１
４〜Ｐ１７は伝送路、０１Ｂは開放スタブ、Ｌ９はバイ
アス用チョーク、Ｃ１９、Ｃ２０はコンデンサ、Ｒ１−
Ｒ３は抵抗である。
ミキサ回路５は、ショットキバリアダイオードＳＢＤを
ミキシングダイオードして使用している。
ミキシングダイオードして使用している。
Ｐ１８〜Ｐ２３は伝送路、Ｃ２１〜Ｃ２３は開放スタブ
、Ｌｌｏは短絡スタブ、Ｃ２４はコンデンサ、Ｒ４は抵
抗である。
、Ｌｌｏは短絡スタブ、Ｃ２４はコンデンサ、Ｒ４は抵
抗である。
第２図に示したプリント配線板７はその表面ａ１に前記
した伝送路、開放スタブ、短絡スタブその他のプリント
パターンが形成され、その裏面ａ２にはアースとしての
導電箔（図示せず）が−面に形成されている。そして、
その表面ａ１と裏面ａ２との間に接続は、第２図に・印
（黒丸印）で示したスルホールによって行われている。
した伝送路、開放スタブ、短絡スタブその他のプリント
パターンが形成され、その裏面ａ２にはアースとしての
導電箔（図示せず）が−面に形成されている。そして、
その表面ａ１と裏面ａ２との間に接続は、第２図に・印
（黒丸印）で示したスルホールによって行われている。
このプリント配線板７では、低雑音増幅回路２、バンド
パスフィルタ３、局部発振回路４及びミキサ回路５のプ
リントパターン部分が、他の部分に入り込むことなく整
然と信号の流れ方向にそって形成されている。
パスフィルタ３、局部発振回路４及びミキサ回路５のプ
リントパターン部分が、他の部分に入り込むことなく整
然と信号の流れ方向にそって形成されている。
本実施例にいては、回路間の相互干渉防止及び局部発振
回路４の安定化を、特にバンドパスフィルタ３の構成パ
ターンによって行い、それら防止及び安定化を更に強化
するめたに、電波吸収体を後記するこように配置してい
る。
回路４の安定化を、特にバンドパスフィルタ３の構成パ
ターンによって行い、それら防止及び安定化を更に強化
するめたに、電波吸収体を後記するこように配置してい
る。
このバンドパスフィルタ３の構成は、ＬＣ型のバンドパ
スフィルタ３ａとバンドリジェクションフィルタ３Ｃが
対向するよう配置され、はつその両フィルタ３ａと３ｃ
の同一側の片端にインタープジフト型のバンドパスフィ
ルタ３ｂが介在する形状となっている。即ち全体的には
ほぼコ字形状に形成され、ＬＣ型のバンドパスフィルタ
３ａにおける開放スタブＣ１３、Ｃ１４が、バンドリジ
ェクションフィルタ３Ｃの開放スタフ’Ｃ１５、Ｃ１０
と各々対向するよう配置されている。
スフィルタ３ａとバンドリジェクションフィルタ３Ｃが
対向するよう配置され、はつその両フィルタ３ａと３ｃ
の同一側の片端にインタープジフト型のバンドパスフィ
ルタ３ｂが介在する形状となっている。即ち全体的には
ほぼコ字形状に形成され、ＬＣ型のバンドパスフィルタ
３ａにおける開放スタブＣ１３、Ｃ１４が、バンドリジ
ェクションフィルタ３Ｃの開放スタフ’Ｃ１５、Ｃ１０
と各々対向するよう配置されている。
第３図は電波吸収体８の配置方法を示すものである。プ
リント配線板７はシールドケース函体９の底にネジ等に
より固定され、その函体９の上面がシールド蓋１０よっ
て閉じられている。このシールド蓋１０の内面とプリン
ト配線板７の上面ａ。
リント配線板７はシールドケース函体９の底にネジ等に
より固定され、その函体９の上面がシールド蓋１０よっ
て閉じられている。このシールド蓋１０の内面とプリン
ト配線板７の上面ａ。
との間隔はほぼ１１龍である。電波吸収体８は、厚さが
ほぼ９ｍでなり、シールド蓋１０の内面に接着されいる
。この電波吸収体８が上方に位置する回路部分は、第」
図におけるほぼＡの部分、つまり低雑音増幅回路２のほ
ぼＦＥＴＱ２からバントハスフィルタ３のインターデジ
ット型バンドパスフィルタ３ｂの部分の回路部分である
。
ほぼ９ｍでなり、シールド蓋１０の内面に接着されいる
。この電波吸収体８が上方に位置する回路部分は、第」
図におけるほぼＡの部分、つまり低雑音増幅回路２のほ
ぼＦＥＴＱ２からバントハスフィルタ３のインターデジ
ット型バンドパスフィルタ３ｂの部分の回路部分である
。
第４図は局部発振回路４の発振周波数の調整部分を示す
もので、１１は調整ネジで、誘電体共振器４ａの上部分
に配置されいてる。
もので、１１は調整ネジで、誘電体共振器４ａの上部分
に配置されいてる。
（発明の効果）
以上のよう延本発明は、４ＧＨｚ帯の周波数変換器の回
路基板を１枚で構成しているので、構成が簡素化され、
量産性、歩留り性、信頼線を大幅に向上せることができ
る。また、バンドパスフィルタをコ字形状のパターンで
構成することによって、基板の小型化と同時に、その回
路間の相互干渉を効果的に防止することができ、局部発
振回路の高安定化が可能となる。
路基板を１枚で構成しているので、構成が簡素化され、
量産性、歩留り性、信頼線を大幅に向上せることができ
る。また、バンドパスフィルタをコ字形状のパターンで
構成することによって、基板の小型化と同時に、その回
路間の相互干渉を効果的に防止することができ、局部発
振回路の高安定化が可能となる。
第１図は本然鴫の周波数変換器の一実施例の回路図、第
２図はプリント配線板の表面を示す図、第３図は電波吸
収体の取付部分の断面図、第４図は局部発振回路におけ
る周波数調整部分の断面図、第５図は一般的な周波数変
換器の回路図である。 ■・・・入力端子、２・・・低雑音増幅回路、３・・・
バンドパスフィルタ、３ａ・・・ＬＣ型バンドパスフィ
ルタ、３ｂ・・・インターデジット型バンドパスフィル
タ、３Ｃ・・・バンドリジェクションフィルタ、４・・
・局部発振回路、５・・・ミキサ回路、６・・・出力端
子、７・・・プリント配線板、８・・・電波吸収体、９
・・・シールド函体、１０・・・シールド蓋、１１・・
・ｊ周整ネジ。 特許出願人 新日本無線株式会社 代 理 人 弁理士 長尾常明 第２０ ２５Ｉ４ 」とワ
２図はプリント配線板の表面を示す図、第３図は電波吸
収体の取付部分の断面図、第４図は局部発振回路におけ
る周波数調整部分の断面図、第５図は一般的な周波数変
換器の回路図である。 ■・・・入力端子、２・・・低雑音増幅回路、３・・・
バンドパスフィルタ、３ａ・・・ＬＣ型バンドパスフィ
ルタ、３ｂ・・・インターデジット型バンドパスフィル
タ、３Ｃ・・・バンドリジェクションフィルタ、４・・
・局部発振回路、５・・・ミキサ回路、６・・・出力端
子、７・・・プリント配線板、８・・・電波吸収体、９
・・・シールド函体、１０・・・シールド蓋、１１・・
・ｊ周整ネジ。 特許出願人 新日本無線株式会社 代 理 人 弁理士 長尾常明 第２０ ２５Ｉ４ 」とワ
Claims (2)
- （１）、４ＧＨｚ帯の周波数信号を入力する入力端子か
ら順次接続される低雑音増幅回路、バンドパスフィルタ
及びミキサ回路並びに該ミキサ回路に接続される局部発
振回路の各々を１枚のプリント配線板に形成し、且つそ
の全体をシールドケース内に収容して成る周波数変換器
。 - （２）、上記バンドパスフィルタを、順次ＬＣ型バンド
パスフィルタ、インターデジット型バンドパスフィルタ
及びバンドリジェクションフィルタの各々を信号の流れ
に沿ってその各々が１辺をなすようにコ字形状に並べた
パターンで形成して成る特許請求の範囲第１項記載の周
波数変換器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259733A JPS61137407A (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 周波数変換器 |
| US06/806,863 US4691376A (en) | 1984-12-08 | 1985-12-09 | Frequency converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59259733A JPS61137407A (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 周波数変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61137407A true JPS61137407A (ja) | 1986-06-25 |
Family
ID=17338186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59259733A Pending JPS61137407A (ja) | 1984-12-08 | 1984-12-08 | 周波数変換器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4691376A (ja) |
| JP (1) | JPS61137407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110511U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-26 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1298619C (en) * | 1987-07-15 | 1992-04-07 | Tomozo Ohta | Microwave converter |
| US5155570A (en) * | 1988-06-21 | 1992-10-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit having a pattern layout applicable to various custom ICs |
| US5050238A (en) * | 1988-07-12 | 1991-09-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Shielded front end receiver circuit with IF amplifier on an IC |
| JPH0435203A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マイクロ波デバイス |
| JP2565808Y2 (ja) * | 1992-09-04 | 1998-03-25 | アルプス電気株式会社 | 衛星放送受信機 |
| JPH0832268A (ja) * | 1994-07-12 | 1996-02-02 | Nec Kansai Ltd | サテライトチャンネルインターフェース |
| GB9504259D0 (en) * | 1995-03-03 | 1995-04-19 | Marconi Gec Ltd | Integrated microwave circuit board for millimetric wavelengths |
| US5903827A (en) * | 1995-07-07 | 1999-05-11 | Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. | Single balanced frequency downconverter for direct broadcast satellite transmissions and hybrid ring signal combiner |
| US5995818A (en) * | 1996-07-30 | 1999-11-30 | Trw Inc. | Low noise block downconverter |
| US6072824A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | Adc Solitra, Inc. | Circuit arrangement for reducing intermodulation in a bandpass filter system |
| US5977835A (en) * | 1998-02-06 | 1999-11-02 | Adc Telecommunications, Inc. | Method and circuit arrangement for reducing passband ripple of a bandpass filter |
| JP3764877B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | レーダ装置 |
| ES2527262B2 (es) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | Universidad De Málaga | Conversor inferior de 120º integrado monoliticamente acromático |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4429418A (en) * | 1980-07-11 | 1984-01-31 | Microdyne Corporation | Frequency agile satellite receiver |
-
1984
- 1984-12-08 JP JP59259733A patent/JPS61137407A/ja active Pending
-
1985
- 1985-12-09 US US06/806,863 patent/US4691376A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01110511U (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4691376A (en) | 1987-09-01 |
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