JPS61134345A - ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 - Google Patents
ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜Info
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- JPS61134345A JPS61134345A JP59257118A JP25711884A JPS61134345A JP S61134345 A JPS61134345 A JP S61134345A JP 59257118 A JP59257118 A JP 59257118A JP 25711884 A JP25711884 A JP 25711884A JP S61134345 A JPS61134345 A JP S61134345A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野］
本発明は分子内に親木性お上り親油性の両親媒性構遺を
そなえた新規なりアセチレン化合物およびそれを用いた
膜に関する。 ［従来の技術Ｊ 従来上り、一般式：Ｒ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−４（式中、Ｒ
はカルボキシル基、エステル、スルホン酸エステル、ウ
レタン結合または水酸基を有する有機基）で示される対
称ジアセチレン化合物はすでに知られでいる（米国特許
９３５０１３０８号、同第４３８４９８０号各明細書）
０また米国特許第３５０１２９７号明細書には、両端に
カルボキシル基またはエステル結合を有する基を有し、
これらの基がジアセチレンとは少なくとも２個のメチレ
ン基からなる頷でへだてられている化合物が開示されで
いる。 一方、弊対称ノアセチレン化合物としでは、カルボキシ
ル基を含み、ベンゼン環を含む化合物が米国特許第３５
０１２９７号明細書に述べられでいる。しかし前記非対
称ジアセチレン化合物においで、ノアセチレン結合とべ
′ンゼン環、カルボニル基とは直接に共役していない。 米国特許第４３８４９８０号明細書に開示されている対
称ジアセチレン化合物や、米国特許第３５０１２９７号
明細書に１示されているカルボキシル基を含むジアセチ
レン化合物を、クロロホルム、ｎ−ヘキサン、ベンゼン
などの適した溶媒に溶かして水面上に展開しても、遇し
た長さの疎水性分子構造を有しないため、安定な単分子
膜を形成しない、さらにフングミエアープロジェット法
による累積膜（ＬＢ膜）を形成することは不可能である
。 直Ｊｉｌｔ系ｙ７七千レンカルボン酸を用いて形成した
ＬＢ膜に関する報告は多く見られるが（Ｇ。 ＬＬｓｓｅｒ＋ Ｂ、 Ｔｉｅｋｅ ａｎｄ
Ｇ、 ｌｌｌｅｇｎｅｒｗ Ｔｈ１ｎ Ｓｏｌｉ
ｄＦｉｌ−ｇ、 ６８．７７（１９８０））、ベンゼン
環を含むジアセチレン化合物のＬＢ膜は知られていない
。 直鎖系ジアセチレン化合物は容易に単結晶を作り、紫外
線、γ線、熱などによって固相重合することが知られで
おり、ＬＢ膜のような層状薄膜でも同様に光重合が起こ
ることが知られでいる（１； Ｌｉｅｓ＠ｒ＊ Ｂ、Ｔ
ｉｅｋｅ ａｎｄ Ｇ、 ＠ｅ１１ｎｅｒ、τｈｉｎＳ
ｏｌｉｃｌ Ｆｉ１ｍｓ＊ ｉＬ フン（１９８
０））。 ［！！明が解決しようとする問題Ｊ：Ｌ］現在、非対称
でカルボキシル基とベンゼン環とを同時に含み、これら
の基がジアセチレンと共役した化合物は知られでいない
、したがって、このような化合物を用いた単分子膜ある
いは累積膜は知られていない。 本発明は、単分子膜あるいは累積膜などを形成したばあ
いに、直鎖系ジアセチレン化合物と同様に容易に単結晶
を作り、紫外線、γ線、熱などによって固相重合し、Ｌ
Ｂ膜のような層状薄膜でも光重合がおこるというような
特徴を有し、光導電性材料、レノスト材料などの電子材
料や、光応答材料、非線型光学材料などの光機能素子の
分野に好適に使用しうろことが期待され、カルボキシル
基、水酸基のような親、水性分子構造部分と、ベンゼン
環と、要すれば適当な数のメチレン基よりなる鎖のよう
な疎水性分子構造部分とを兼ねそなえた特性を有し、さ
らに共役した３重結合の特徴を有する化合物をうるとと
もに、該化合物を用いた罠をうろことを目的とするもの
である。 ［問題貞を解決するための手段］ 本発明は、一般式（１）； （式中、Ｌ ｚ、ｎ≧０．８≦ｌ＋ａ＋ｎ≦２５である
）で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物、および一般式（１）で表わされるベンゼン環
を含んだ両親媒性りアセチレン化合物を用いて作られた
膜に関する。 ［５１Ｅ施例］ 本発明のベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合
物は、 一般式〈１〉： （式中、Ｉｓ Ｒｓ ｉｆ≧０．２５≧ｌ＋ｚ＋ｎ≧８
である）で表わされる新規な化合物である。 該化合物は分子中に親水性のＣ０ＯＨ基と、親油るため
、両親媒性を示す、それゆえ常法により容易に単分子膜
や累積膜が製造される。また分子中に−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ
−基を有するため、１，４付加をおこしうる。たとえば
一般式（１）で示される化合物を用いてＬＢ膜を形成し
、光重合法などによりノア七チレンの１．４付加をおこ
すと、Ｘ共役を有する強度の大きい膜がえられる。 一般式（１）中の１％Ｉ、 ｎはいずれも０または正の
整数であり、ｌ＋ｚ＋ｎが８以上、２５以下を満足する
ものである。ｌ中履＋ｎが８未満になると、分子内の親
水性の比率が親油性のそれをまさり、水に一部溶解し、
安定な単分子膜を水面上に形成しな（なり、２５をこえ
ると逆に親油性の比率が大きくなりすぎ、８未満と同様
に安定な単分子膜を水面上に形成しなくなる。と（にｌ
やｎが０のばあいには、ｙアセチレン骨格にベンゼン環
やカルボキシル基が直接結合することになり、これらを
含んだ兵役系が形成される。この上うにに電子系が広が
るばあいには、電子材料やオプトエレクトロニクス材料
への応用が可能となる。 つぎに本発明の一般式（１）で示される化合物の製法に
ついで説明する。 本発明のノアセチレン化合物は、たとえば２個のアセチ
レン化合物のカップリングのような方法によって製造す
ることができる。 どちらか一方のアセチレン化合物を溶媒にとかし、塩化
第一銅を触媒として銅アセチリド溶液をうる。溶媒とし
ては、たとえば水、ＭｅＯＨ。 Ｎ−ノチルピロリドンなどがあげられ、これらに限定さ
れるわけではないが、銅７セチリドを溶解するものであ
ることが必要である。 他方のアセチレン化合物は、たとえ１ｒＮａＯＢｒ水溶
液を用いて末端のＣＩＩｔ−ＣＢｒＬｌ！え、過当な溶
媒に溶かし、前記銅アセチリド溶液に滴下するなどの方
法に上り反応せしめられる。 反応温度などの反応条件は、使用するｆＲ７セチリド溶
液やＢｒ化したアセチレン化合物の種類などに応じて適
宜選択すればよく、通常、反応温度としては室温、触媒
として塩化第°−銅を原料のアセチレン化合物の１モル
％程度使用する条件が採用され、収率４０〜フＯ％程度
で製造される。 このようにしてえられた一般式（１）で示される化合物
は両親媒性であるため、クロロホルム、ベンゼン、ヘキ
サンなどの水と溶解せず、蒸気圧の高い溶媒に溶解し、
濃度が１０”Ｎ／４の希釈溶液を調製し、充分に広い清
浄な水面上に静かに滴下し、上記溶媒を蒸発せしめ、本
発明の化合物を７１１１１！Ｌ、た有効面積を減少させ
ることにより単分子膜が形成される。 単分子膜を形成し、ＬＢ法による工程を（りかえすこと
により、２次元的に規則正しく配列された任意の層数（
好ましくは１〜５．ＯＯＪｍりを有する累積膜かえられ
る。このようにしてえられる累積膜の厚さは通常２０〜
１５０００人程度のものであり、電子線、紫外線、γ線
、熱などによって共役したりアセチレンが重合し、立体
的に極めて規則正しい分子配列を有する高分子ｆｆ１ｌ
ｌｌ膜がえられる。 このようにして高度に規則正しく配列した構造をもつ高
機能性高分子集団が形成される。 えられた単分子膜や累積膜は有機忽薄膜としで、導電性
材料、光導電性材料などの電子材料などに応用されうる
、また、γ線、電子線により重合させうるため、レノス
ト材料にも適用しうる。さらに規則正しく配列した有ｌ
！Ｈ１Ｙ！！Ｉ膜であるため、先導波路への応用が可能
であり、また高い光学非線型性を有するため、光集積回
路への材料としでも使用しうる。 本発明のクアセチレン化合物は単独で層状有ｆｉｆｉ薄
膜を形成してもよいが、たとえばステアリン酸、７ラキ
ン酸などの飽和脂肪酸、ＣＩＩ −Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ
ＣＩｔ Ｃ００ＩＩなどの直ｆＡＪＦ＋１２ｆｆｉ＋
１ ｍ ２ｍノアセチレン化′合物、ω位
に２重結合または３重結合を有する一般式：Ｉｌ、Ｃ＝
ＣｌＩＣ，＋！ ２．Ｃ００ｔｌ（式中、ｋは８〜２５
のｇ敗で島、る）または一般式：ＨＣＥＣＣＨＣ００Ｉ
Ｉ（式中、人は前−記と同じ）で表わ Ｚｋ されるごときカルボン酸と混合して単分子膜や累積膜を
形成することもでき、上記同様、電子材料やオプトエレ
クトロニクス材料に応用しうる。 本発明のりアセチレン化合物と脂肪酸、直鎖系ノ７セチ
レン化合物％ω位に２重結合や３重結合を有するカルボ
ン酸とを混合して単分子膜や累積膜を形成するばあいに
は、本発明のｙアセチレン化合物との混合比は任意であ
るが、・好ましくは本発明のノアセチレン化合４１Ｆ１
モルに対して０．２５〜４モル使用することが、本発明
のノアセチレン化会物の特性を失なわず、光などによる
重合性が損われないなどの息から好ましい、なお混合物
の比率を増しすぎると、光などによる重合性が損われる
。 このとき、一般式（１）で表わされる化合物のｎと、一
般式：ＨＩＣ＝ＣＨＣ，１１２ｋＣＯＯＨあルイは一般
式二１１ＣミＣＣ，１１２，Ｃ００ＩＩで表わされる化
合物のＡとが等しいばあいには、一般式（１）で表ゎさ
技る化合物のクア七チレン基と不飽和結合基との膜中に
おける位置がほぼ同一となり混合物量で重合が起こりや
すくなり好ましい。 つぎに本発明のり７セチレン化合物およびその膜を実施
例にもとづき説明する。 実施例１ ［１３−フェニル−１０，１，２−）リゾカシイン酸１
０属ｌのＮ−メチルピロリドンを４つロフラスコに入れ
、１．０２２（１０１Ｎ）のフェニルアセチレンを溶解
した。２個の滴下漏斗を用意し、一方には塩酸ヒドロキ
シルアミン１５（１ｗｙと塩化第一＠ｉｏ。 １１−と７０％エチルアミン水溶ｔｌ ５ ｙとを入に
、他方には２．６１１１＜１０１１）の１１−プロ毫−
！Ｏ−ウンデンイン酸を１ｏｓ４の１０％冑性力性カリ
メタノール溶液解した溶液を入れた。各溶液を入れた滴
下漏斗を４つロフラスコに付け、反応容器内をチッ素で
みたし、反応溶液を１５℃に保った。塩化第一銅を溶解
したエチルアミン水溶液を、反応容器内を激しく攪拌し
ながら滴下した。つぎに１１−プロモー１０−ウンデジ
イン酸を溶解した胃性カリメタノールＳ＊を１時間にわ
たって、２０℃で攪拌しながら滴下した。温度を２０℃
に保った＊血さらに６時間攪拌を続けた０反応容器内を
２２℃以下に保ちながら、２Ｎ硫酸水＃１１Ｅ１−滴下
し、反応混合物をアルカリ性から酸性に変えた。１００
１１の水を加え、５００ｓ＋１のりエチルエーテルで抽
出し、エーテル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ニ
ー・チルを除き、石油エーテルで再結晶し、１３−フェ
ニル−１０，１２−）リゾカッイン酸の結晶（収率４８
％）をえた。 えられた１３−フェニル−ＩＱ、１２−）リゾカッイン
酸は融点８２−８３℃であり、その構造をＩＩＩ ＮＭ
Ｒスペクトル分析法および赤外線ＩＪｌ収スペクトル分
析法によって確認した。結果を第１図および第２図に示
す。 なお、’Ｉｔ ＮＭＲスペクトル測定条件は、ＣＤＣｌ
３溶媒中、パルス中２０μｓｅｃ％積算回数１ｏｏｒｉ
Ｊであり、第１図中のＩｓは積分値の表示強度を、ｖＳ
はスペクトルピークの表示強度を示す、＊た赤外線＠収
スペクトル測定条件は、、ＫＢｒ法により全波＊＊査待
時間６分間測定した。 実施例２
そなえた新規なりアセチレン化合物およびそれを用いた
膜に関する。 ［従来の技術Ｊ 従来上り、一般式：Ｒ−Ｃ＝Ｃ−Ｃ＝Ｃ−４（式中、Ｒ
はカルボキシル基、エステル、スルホン酸エステル、ウ
レタン結合または水酸基を有する有機基）で示される対
称ジアセチレン化合物はすでに知られでいる（米国特許
９３５０１３０８号、同第４３８４９８０号各明細書）
０また米国特許第３５０１２９７号明細書には、両端に
カルボキシル基またはエステル結合を有する基を有し、
これらの基がジアセチレンとは少なくとも２個のメチレ
ン基からなる頷でへだてられている化合物が開示されで
いる。 一方、弊対称ノアセチレン化合物としでは、カルボキシ
ル基を含み、ベンゼン環を含む化合物が米国特許第３５
０１２９７号明細書に述べられでいる。しかし前記非対
称ジアセチレン化合物においで、ノアセチレン結合とべ
′ンゼン環、カルボニル基とは直接に共役していない。 米国特許第４３８４９８０号明細書に開示されている対
称ジアセチレン化合物や、米国特許第３５０１２９７号
明細書に１示されているカルボキシル基を含むジアセチ
レン化合物を、クロロホルム、ｎ−ヘキサン、ベンゼン
などの適した溶媒に溶かして水面上に展開しても、遇し
た長さの疎水性分子構造を有しないため、安定な単分子
膜を形成しない、さらにフングミエアープロジェット法
による累積膜（ＬＢ膜）を形成することは不可能である
。 直Ｊｉｌｔ系ｙ７七千レンカルボン酸を用いて形成した
ＬＢ膜に関する報告は多く見られるが（Ｇ。 ＬＬｓｓｅｒ＋ Ｂ、 Ｔｉｅｋｅ ａｎｄ
Ｇ、 ｌｌｌｅｇｎｅｒｗ Ｔｈ１ｎ Ｓｏｌｉ
ｄＦｉｌ−ｇ、 ６８．７７（１９８０））、ベンゼン
環を含むジアセチレン化合物のＬＢ膜は知られていない
。 直鎖系ジアセチレン化合物は容易に単結晶を作り、紫外
線、γ線、熱などによって固相重合することが知られで
おり、ＬＢ膜のような層状薄膜でも同様に光重合が起こ
ることが知られでいる（１； Ｌｉｅｓ＠ｒ＊ Ｂ、Ｔ
ｉｅｋｅ ａｎｄ Ｇ、 ＠ｅ１１ｎｅｒ、τｈｉｎＳ
ｏｌｉｃｌ Ｆｉ１ｍｓ＊ ｉＬ フン（１９８
０））。 ［！！明が解決しようとする問題Ｊ：Ｌ］現在、非対称
でカルボキシル基とベンゼン環とを同時に含み、これら
の基がジアセチレンと共役した化合物は知られでいない
、したがって、このような化合物を用いた単分子膜ある
いは累積膜は知られていない。 本発明は、単分子膜あるいは累積膜などを形成したばあ
いに、直鎖系ジアセチレン化合物と同様に容易に単結晶
を作り、紫外線、γ線、熱などによって固相重合し、Ｌ
Ｂ膜のような層状薄膜でも光重合がおこるというような
特徴を有し、光導電性材料、レノスト材料などの電子材
料や、光応答材料、非線型光学材料などの光機能素子の
分野に好適に使用しうろことが期待され、カルボキシル
基、水酸基のような親、水性分子構造部分と、ベンゼン
環と、要すれば適当な数のメチレン基よりなる鎖のよう
な疎水性分子構造部分とを兼ねそなえた特性を有し、さ
らに共役した３重結合の特徴を有する化合物をうるとと
もに、該化合物を用いた罠をうろことを目的とするもの
である。 ［問題貞を解決するための手段］ 本発明は、一般式（１）； （式中、Ｌ ｚ、ｎ≧０．８≦ｌ＋ａ＋ｎ≦２５である
）で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物、および一般式（１）で表わされるベンゼン環
を含んだ両親媒性りアセチレン化合物を用いて作られた
膜に関する。 ［５１Ｅ施例］ 本発明のベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合
物は、 一般式〈１〉： （式中、Ｉｓ Ｒｓ ｉｆ≧０．２５≧ｌ＋ｚ＋ｎ≧８
である）で表わされる新規な化合物である。 該化合物は分子中に親水性のＣ０ＯＨ基と、親油るため
、両親媒性を示す、それゆえ常法により容易に単分子膜
や累積膜が製造される。また分子中に−ｃ＝ｃ−ｃ＝ｃ
−基を有するため、１，４付加をおこしうる。たとえば
一般式（１）で示される化合物を用いてＬＢ膜を形成し
、光重合法などによりノア七チレンの１．４付加をおこ
すと、Ｘ共役を有する強度の大きい膜がえられる。 一般式（１）中の１％Ｉ、 ｎはいずれも０または正の
整数であり、ｌ＋ｚ＋ｎが８以上、２５以下を満足する
ものである。ｌ中履＋ｎが８未満になると、分子内の親
水性の比率が親油性のそれをまさり、水に一部溶解し、
安定な単分子膜を水面上に形成しな（なり、２５をこえ
ると逆に親油性の比率が大きくなりすぎ、８未満と同様
に安定な単分子膜を水面上に形成しなくなる。と（にｌ
やｎが０のばあいには、ｙアセチレン骨格にベンゼン環
やカルボキシル基が直接結合することになり、これらを
含んだ兵役系が形成される。この上うにに電子系が広が
るばあいには、電子材料やオプトエレクトロニクス材料
への応用が可能となる。 つぎに本発明の一般式（１）で示される化合物の製法に
ついで説明する。 本発明のノアセチレン化合物は、たとえば２個のアセチ
レン化合物のカップリングのような方法によって製造す
ることができる。 どちらか一方のアセチレン化合物を溶媒にとかし、塩化
第一銅を触媒として銅アセチリド溶液をうる。溶媒とし
ては、たとえば水、ＭｅＯＨ。 Ｎ−ノチルピロリドンなどがあげられ、これらに限定さ
れるわけではないが、銅７セチリドを溶解するものであ
ることが必要である。 他方のアセチレン化合物は、たとえ１ｒＮａＯＢｒ水溶
液を用いて末端のＣＩＩｔ−ＣＢｒＬｌ！え、過当な溶
媒に溶かし、前記銅アセチリド溶液に滴下するなどの方
法に上り反応せしめられる。 反応温度などの反応条件は、使用するｆＲ７セチリド溶
液やＢｒ化したアセチレン化合物の種類などに応じて適
宜選択すればよく、通常、反応温度としては室温、触媒
として塩化第°−銅を原料のアセチレン化合物の１モル
％程度使用する条件が採用され、収率４０〜フＯ％程度
で製造される。 このようにしてえられた一般式（１）で示される化合物
は両親媒性であるため、クロロホルム、ベンゼン、ヘキ
サンなどの水と溶解せず、蒸気圧の高い溶媒に溶解し、
濃度が１０”Ｎ／４の希釈溶液を調製し、充分に広い清
浄な水面上に静かに滴下し、上記溶媒を蒸発せしめ、本
発明の化合物を７１１１１！Ｌ、た有効面積を減少させ
ることにより単分子膜が形成される。 単分子膜を形成し、ＬＢ法による工程を（りかえすこと
により、２次元的に規則正しく配列された任意の層数（
好ましくは１〜５．ＯＯＪｍりを有する累積膜かえられ
る。このようにしてえられる累積膜の厚さは通常２０〜
１５０００人程度のものであり、電子線、紫外線、γ線
、熱などによって共役したりアセチレンが重合し、立体
的に極めて規則正しい分子配列を有する高分子ｆｆ１ｌ
ｌｌ膜がえられる。 このようにして高度に規則正しく配列した構造をもつ高
機能性高分子集団が形成される。 えられた単分子膜や累積膜は有機忽薄膜としで、導電性
材料、光導電性材料などの電子材料などに応用されうる
、また、γ線、電子線により重合させうるため、レノス
ト材料にも適用しうる。さらに規則正しく配列した有ｌ
！Ｈ１Ｙ！！Ｉ膜であるため、先導波路への応用が可能
であり、また高い光学非線型性を有するため、光集積回
路への材料としでも使用しうる。 本発明のクアセチレン化合物は単独で層状有ｆｉｆｉ薄
膜を形成してもよいが、たとえばステアリン酸、７ラキ
ン酸などの飽和脂肪酸、ＣＩＩ −Ｃ＝Ｃ−ＣＥＣ
ＣＩｔ Ｃ００ＩＩなどの直ｆＡＪＦ＋１２ｆｆｉ＋
１ ｍ ２ｍノアセチレン化′合物、ω位
に２重結合または３重結合を有する一般式：Ｉｌ、Ｃ＝
ＣｌＩＣ，＋！ ２．Ｃ００ｔｌ（式中、ｋは８〜２５
のｇ敗で島、る）または一般式：ＨＣＥＣＣＨＣ００Ｉ
Ｉ（式中、人は前−記と同じ）で表わ Ｚｋ されるごときカルボン酸と混合して単分子膜や累積膜を
形成することもでき、上記同様、電子材料やオプトエレ
クトロニクス材料に応用しうる。 本発明のりアセチレン化合物と脂肪酸、直鎖系ノ７セチ
レン化合物％ω位に２重結合や３重結合を有するカルボ
ン酸とを混合して単分子膜や累積膜を形成するばあいに
は、本発明のｙアセチレン化合物との混合比は任意であ
るが、・好ましくは本発明のノアセチレン化合４１Ｆ１
モルに対して０．２５〜４モル使用することが、本発明
のノアセチレン化会物の特性を失なわず、光などによる
重合性が損われないなどの息から好ましい、なお混合物
の比率を増しすぎると、光などによる重合性が損われる
。 このとき、一般式（１）で表わされる化合物のｎと、一
般式：ＨＩＣ＝ＣＨＣ，１１２ｋＣＯＯＨあルイは一般
式二１１ＣミＣＣ，１１２，Ｃ００ＩＩで表わされる化
合物のＡとが等しいばあいには、一般式（１）で表ゎさ
技る化合物のクア七チレン基と不飽和結合基との膜中に
おける位置がほぼ同一となり混合物量で重合が起こりや
すくなり好ましい。 つぎに本発明のり７セチレン化合物およびその膜を実施
例にもとづき説明する。 実施例１ ［１３−フェニル−１０，１，２−）リゾカシイン酸１
０属ｌのＮ−メチルピロリドンを４つロフラスコに入れ
、１．０２２（１０１Ｎ）のフェニルアセチレンを溶解
した。２個の滴下漏斗を用意し、一方には塩酸ヒドロキ
シルアミン１５（１ｗｙと塩化第一＠ｉｏ。 １１−と７０％エチルアミン水溶ｔｌ ５ ｙとを入に
、他方には２．６１１１＜１０１１）の１１−プロ毫−
！Ｏ−ウンデンイン酸を１ｏｓ４の１０％冑性力性カリ
メタノール溶液解した溶液を入れた。各溶液を入れた滴
下漏斗を４つロフラスコに付け、反応容器内をチッ素で
みたし、反応溶液を１５℃に保った。塩化第一銅を溶解
したエチルアミン水溶液を、反応容器内を激しく攪拌し
ながら滴下した。つぎに１１−プロモー１０−ウンデジ
イン酸を溶解した胃性カリメタノールＳ＊を１時間にわ
たって、２０℃で攪拌しながら滴下した。温度を２０℃
に保った＊血さらに６時間攪拌を続けた０反応容器内を
２２℃以下に保ちながら、２Ｎ硫酸水＃１１Ｅ１−滴下
し、反応混合物をアルカリ性から酸性に変えた。１００
１１の水を加え、５００ｓ＋１のりエチルエーテルで抽
出し、エーテル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ニ
ー・チルを除き、石油エーテルで再結晶し、１３−フェ
ニル−１０，１２−）リゾカッイン酸の結晶（収率４８
％）をえた。 えられた１３−フェニル−ＩＱ、１２−）リゾカッイン
酸は融点８２−８３℃であり、その構造をＩＩＩ ＮＭ
Ｒスペクトル分析法および赤外線ＩＪｌ収スペクトル分
析法によって確認した。結果を第１図および第２図に示
す。 なお、’Ｉｔ ＮＭＲスペクトル測定条件は、ＣＤＣｌ
３溶媒中、パルス中２０μｓｅｃ％積算回数１ｏｏｒｉ
Ｊであり、第１図中のＩｓは積分値の表示強度を、ｖＳ
はスペクトルピークの表示強度を示す、＊た赤外線＠収
スペクトル測定条件は、、ＫＢｒ法により全波＊＊査待
時間６分間測定した。 実施例２
【１６−ヘプタデシン１！（ＩＣ＝Ｃ（ＣＨ，）、、０
００日）と１９−フェニル−ＩＬｌＢ−ノナデシン酸 分子膜お上りＬＢＩＩｌ １６−ヘブタデンン酸と１ト７エエルー１６．１８−７
ナデンン酸とのモル比で４：１の混合物をクロロホルム
に溶かし、濃度１Ｇ−３Ｍ＃の溶液を調製した。 他方、２回蒸留した水にＣｄＣｂおよびにＢＣＯｓをそ
れぞれ濃度が３×１０″−’？４／ｌおより５×１０−
％Ｍ／Ｉになるように加えた８面積５６２．５ｃ１のそ
の水面上に上記ｉ１＊ｔ１０３．６８１ｕＺ滴＊シ、／
（’Ｊ ７を５人２／曽ｉｎの一定速度で動かして膜を
圧縮し、表面積および表面圧を測定した。使用した装置
ハ８０１１１ ＬＡＵＤ＾であった。 横軸に単分子当りの面積、縦軸に表面圧をとリ、１５℃
での測定結果を＃１３図に示す。 弔３図の結果から、３０Ａ！／分子あたりから表面圧の
急激な立ちあがりが生じ、単分子膜が形成されているこ
とがわかる。 １５℃で上記混合物ｖＷＩ液を水面上で滴下して・腋内
し、２５ｃｌｙｎ／ｃｍの一定圧力をかけて単分子膜に
なるようにし、滴下３０分後に７フキン酸カドミニウム
で疎水外環した石英１１！を、水面を垂直に撲切るよう
に上下運Ｉｌｌさせて、両面に合トせて２８層積層した
。 えられた集積層についでｕｖ吸収スペクトル分析を什な
った。結果を第４図に示す、なおｕｖ吸収スペクトル測
定は、可視光域と紫外光域を走査時間１２分間で測定し
た。 ｔｓ４図からフェニル基と共役したりアセチレンの吸収
に相当する２８２ｎｊ＋、 ２フ７ｎ＊ｓ Ｚ９５ｎｍ
の３本のピークがあることがわかる。 【５１１明の効果】 本発明の一般式（１）で衰ｈ＠れる化合物は、ベンゼン
環、ジアセチレン基、適した長さの流水基およ（／ＩＩ
水基を有しでいるので、クロロホルム、ベンゼンなどの
溶媒に一般式（１）で表わされる化合物を溶かして水面
上に滴下しで展開することによって、安定な単分子膜を
形成することができる。それゆえ、石英や金属などに限
らないが、適当な基板の上下運動によって、層状累積膜
を容易に形成しうる。さらに一般式（１）中の履を１１
３０となるようジアセチレン基とベンゼン環との結合の
距離を選ぶことによりで、ジアセチレン基と共役したベ
ンゼン環を含むＬＢ膜を形成しうる。 本発明の一般式（１）で示される化合物は前記のごと！
＆得性を有するものである。
００日）と１９−フェニル−ＩＬｌＢ−ノナデシン酸 分子膜お上りＬＢＩＩｌ １６−ヘブタデンン酸と１ト７エエルー１６．１８−７
ナデンン酸とのモル比で４：１の混合物をクロロホルム
に溶かし、濃度１Ｇ−３Ｍ＃の溶液を調製した。 他方、２回蒸留した水にＣｄＣｂおよびにＢＣＯｓをそ
れぞれ濃度が３×１０″−’？４／ｌおより５×１０−
％Ｍ／Ｉになるように加えた８面積５６２．５ｃ１のそ
の水面上に上記ｉ１＊ｔ１０３．６８１ｕＺ滴＊シ、／
（’Ｊ ７を５人２／曽ｉｎの一定速度で動かして膜を
圧縮し、表面積および表面圧を測定した。使用した装置
ハ８０１１１ ＬＡＵＤ＾であった。 横軸に単分子当りの面積、縦軸に表面圧をとリ、１５℃
での測定結果を＃１３図に示す。 弔３図の結果から、３０Ａ！／分子あたりから表面圧の
急激な立ちあがりが生じ、単分子膜が形成されているこ
とがわかる。 １５℃で上記混合物ｖＷＩ液を水面上で滴下して・腋内
し、２５ｃｌｙｎ／ｃｍの一定圧力をかけて単分子膜に
なるようにし、滴下３０分後に７フキン酸カドミニウム
で疎水外環した石英１１！を、水面を垂直に撲切るよう
に上下運Ｉｌｌさせて、両面に合トせて２８層積層した
。 えられた集積層についでｕｖ吸収スペクトル分析を什な
った。結果を第４図に示す、なおｕｖ吸収スペクトル測
定は、可視光域と紫外光域を走査時間１２分間で測定し
た。 ｔｓ４図からフェニル基と共役したりアセチレンの吸収
に相当する２８２ｎｊ＋、 ２フ７ｎ＊ｓ Ｚ９５ｎｍ
の３本のピークがあることがわかる。 【５１１明の効果】 本発明の一般式（１）で衰ｈ＠れる化合物は、ベンゼン
環、ジアセチレン基、適した長さの流水基およ（／ＩＩ
水基を有しでいるので、クロロホルム、ベンゼンなどの
溶媒に一般式（１）で表わされる化合物を溶かして水面
上に滴下しで展開することによって、安定な単分子膜を
形成することができる。それゆえ、石英や金属などに限
らないが、適当な基板の上下運動によって、層状累積膜
を容易に形成しうる。さらに一般式（１）中の履を１１
３０となるようジアセチレン基とベンゼン環との結合の
距離を選ぶことによりで、ジアセチレン基と共役したベ
ンゼン環を含むＬＢ膜を形成しうる。 本発明の一般式（１）で示される化合物は前記のごと！
＆得性を有するものである。
嬢１図お上Ｖ第２図′はそれぞれ実施例１？えられた１
３−フェニル−１ｏ、１２−）リゾカッイン酸の’ＩＩ
ＮＮＲスペクトル分析およ（／ＩＲスペクトル分析の結
果えられたチャート、第３１！ｌは実施例２でＬらた単
分子当りの面積と表面圧との関係を示すグラフ、第４図
は実施例２でえられた累檜層に関するｔ＋Ｖ＠収スペク
トル分析の結果えちれたチャートである。 層！！ｉ井（×） 第３図 車イト子当すク■へ）−
３−フェニル−１ｏ、１２−）リゾカッイン酸の’ＩＩ
ＮＮＲスペクトル分析およ（／ＩＲスペクトル分析の結
果えられたチャート、第３１！ｌは実施例２でＬらた単
分子当りの面積と表面圧との関係を示すグラフ、第４図
は実施例２でえられた累檜層に関するｔ＋Ｖ＠収スペク
トル分析の結果えちれたチャートである。 層！！ｉ井（×） 第３図 車イト子当すク■へ）−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（１）： ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、ｌ、ｍ、ｎ≧０、８≦ｌ＋ｍ＋ｎ≦２５である
）で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物。 ２ 一般式（１）で表わされる化合物のｎが０またはｎ
が０である特許請求の範囲第１項記載のジアセチレン化
合物。 ３ 一般式（１）： ▲数式、化学式、表等があります▼（１） （式中、ｌ、ｍ、ｎ≧０、８≦ｌ＋ｍ＋ｎ≦２５である
）で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物を用いで作られた膜。 ４ 前記膜が一般式（１）で表わされるジアセチレン化
合物と飽和脂肪酸、直鎖系ジアセチレン化合物、一般式
：Ｈ＿２Ｃ＝ＣＨＣ＿ｋＨ＿２＿ｋＣＯＯＨ（式中、ｋ
は８−２５の整数である）または一般式：ＨＣ≡ＣＣ＿
ｋＨ＿２＿ｋＣＯＯＨ（式中、ｋは前記と同様）で表わ
される化合物との混合物から作られる膜である特許請求
の範囲第３項記載の膜。 ５ 一般式（１）におけるｎと一般式：Ｈ＿２Ｃ＝ＣＨ
Ｃ＿ｋＨ＿２＿ｋＣＯＯＨまたは一般式：ＨＣ≡ＣＣ＿
ｋＨ＿２＿ｋＣＯＯＨにおけるｋとがｎ＝ｋである特許
請求の範囲第４項記載の膜。 ６ 膜が単分子膜または累積膜である特許請求の範囲第
３項、第４項または第５項記載の膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257118A JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
| US06/803,700 US4748273A (en) | 1984-12-05 | 1985-12-02 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
| EP85115341A EP0184193B1 (en) | 1984-12-05 | 1985-12-03 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
| DE8585115341T DE3572652D1 (en) | 1984-12-05 | 1985-12-03 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59257118A JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134345A true JPS61134345A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17301979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59257118A Pending JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4748273A (ja) |
| EP (1) | EP0184193B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61134345A (ja) |
| DE (1) | DE3572652D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101314A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
| JPH01101313A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI77680C (fi) * | 1987-03-25 | 1989-04-10 | K & V Licencing Oy | Foerfarande foer framstaellning av ett membran med monomolekulaer, symmetrisk molekylfoerdelningsstruktur. |
| US4968524A (en) * | 1987-10-16 | 1990-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing a polyacetylene |
| US4909598A (en) * | 1988-07-30 | 1990-03-20 | Konica Corporation | Non-linear optical device |
| JP2907222B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1999-06-21 | 富士通株式会社 | 有機非線形光学材料 |
| US5050136A (en) * | 1990-10-01 | 1991-09-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Super polyelectrolytic communication links |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3501303A (en) * | 1966-06-06 | 1970-03-17 | Battelle Development Corp | Photosensitive crystalline polyacetylenic system and method of exposure |
| US3999946A (en) * | 1976-02-23 | 1976-12-28 | Allied Chemical Corporation | Time-temperature history indicators |
| US4189399A (en) * | 1977-07-19 | 1980-02-19 | Allied Chemical Corporation | Co-crystallized acetylenic compounds |
| US4209499A (en) * | 1977-10-21 | 1980-06-24 | Mobil Oil Corporation | Crystalline zeolite ZSM-43 synthesis thereof |
| IL60116A (en) * | 1979-06-25 | 1984-04-30 | University Patents Inc | Coating process and articles coated thereby |
| JPS57143308A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-04 | Toshinobu Higashimura | Preparation of propiolic acid polymer |
| US4562141A (en) * | 1982-09-29 | 1985-12-31 | Ciba Geigy Corporation | Polymerisable composition comprising conjugated diacetylenic compounds, material coated therewith and the use thereof |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59257118A patent/JPS61134345A/ja active Pending
-
1985
- 1985-12-02 US US06/803,700 patent/US4748273A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-03 DE DE8585115341T patent/DE3572652D1/de not_active Expired
- 1985-12-03 EP EP85115341A patent/EP0184193B1/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01101314A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
| JPH01101313A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4748273A (en) | 1988-05-31 |
| EP0184193B1 (en) | 1989-08-30 |
| EP0184193A1 (en) | 1986-06-11 |
| DE3572652D1 (en) | 1989-10-05 |
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