JPS61134345A - ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 - Google Patents
ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜Info
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- JPS61134345A JPS61134345A JP59257118A JP25711884A JPS61134345A JP S61134345 A JPS61134345 A JP S61134345A JP 59257118 A JP59257118 A JP 59257118A JP 25711884 A JP25711884 A JP 25711884A JP S61134345 A JPS61134345 A JP S61134345A
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C57/42—Unsaturated compounds having carboxyl groups bound to acyclic carbon atoms containing six-membered aromatic rings having unsaturation outside the rings
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/20—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping substances to be applied floating on a fluid
- B05D1/202—Langmuir Blodgett films (LB films)
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野]
本発明は分子内に親木性お上り親油性の両親媒性構遺を
そなえた新規なりアセチレン化合物およびそれを用いた
膜に関する。 [従来の技術J 従来上り、一般式:R−C=C−C=C−4(式中、R
はカルボキシル基、エステル、スルホン酸エステル、ウ
レタン結合または水酸基を有する有機基)で示される対
称ジアセチレン化合物はすでに知られでいる(米国特許
93501308号、同第4384980号各明細書)
0また米国特許第3501297号明細書には、両端に
カルボキシル基またはエステル結合を有する基を有し、
これらの基がジアセチレンとは少なくとも2個のメチレ
ン基からなる頷でへだてられている化合物が開示されで
いる。 一方、弊対称ノアセチレン化合物としでは、カルボキシ
ル基を含み、ベンゼン環を含む化合物が米国特許第35
01297号明細書に述べられでいる。しかし前記非対
称ジアセチレン化合物においで、ノアセチレン結合とべ
′ンゼン環、カルボニル基とは直接に共役していない。 米国特許第4384980号明細書に開示されている対
称ジアセチレン化合物や、米国特許第3501297号
明細書に1示されているカルボキシル基を含むジアセチ
レン化合物を、クロロホルム、n−ヘキサン、ベンゼン
などの適した溶媒に溶かして水面上に展開しても、遇し
た長さの疎水性分子構造を有しないため、安定な単分子
膜を形成しない、さらにフングミエアープロジェット法
による累積膜(LB膜)を形成することは不可能である
。 直Jilt系y7七千レンカルボン酸を用いて形成した
LB膜に関する報告は多く見られるが(G。 LLsser+ B、 Tieke and
G、 lllegnerw Th1n Soli
dFil−g、 68.77(1980))、ベンゼン
環を含むジアセチレン化合物のLB膜は知られていない
。 直鎖系ジアセチレン化合物は容易に単結晶を作り、紫外
線、γ線、熱などによって固相重合することが知られで
おり、LB膜のような層状薄膜でも同様に光重合が起こ
ることが知られでいる(1; Lies@r* B、T
ieke and G、 @e11ner、τhinS
olicl Fi1ms* iL フン(198
0))。 [!!明が解決しようとする問題J:L]現在、非対称
でカルボキシル基とベンゼン環とを同時に含み、これら
の基がジアセチレンと共役した化合物は知られでいない
、したがって、このような化合物を用いた単分子膜ある
いは累積膜は知られていない。 本発明は、単分子膜あるいは累積膜などを形成したばあ
いに、直鎖系ジアセチレン化合物と同様に容易に単結晶
を作り、紫外線、γ線、熱などによって固相重合し、L
B膜のような層状薄膜でも光重合がおこるというような
特徴を有し、光導電性材料、レノスト材料などの電子材
料や、光応答材料、非線型光学材料などの光機能素子の
分野に好適に使用しうろことが期待され、カルボキシル
基、水酸基のような親、水性分子構造部分と、ベンゼン
環と、要すれば適当な数のメチレン基よりなる鎖のよう
な疎水性分子構造部分とを兼ねそなえた特性を有し、さ
らに共役した3重結合の特徴を有する化合物をうるとと
もに、該化合物を用いた罠をうろことを目的とするもの
である。 [問題貞を解決するための手段] 本発明は、一般式(1); (式中、L z、n≧0.8≦l+a+n≦25である
)で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物、および一般式(1)で表わされるベンゼン環
を含んだ両親媒性りアセチレン化合物を用いて作られた
膜に関する。 [51E施例] 本発明のベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合
物は、 一般式〈1〉: (式中、Is Rs if≧0.25≧l+z+n≧8
である)で表わされる新規な化合物である。 該化合物は分子中に親水性のC0OH基と、親油るため
、両親媒性を示す、それゆえ常法により容易に単分子膜
や累積膜が製造される。また分子中に−c=c−c=c
−基を有するため、1,4付加をおこしうる。たとえば
一般式(1)で示される化合物を用いてLB膜を形成し
、光重合法などによりノア七チレンの1.4付加をおこ
すと、X共役を有する強度の大きい膜がえられる。 一般式(1)中の1%I、 nはいずれも0または正の
整数であり、l+z+nが8以上、25以下を満足する
ものである。l中履+nが8未満になると、分子内の親
水性の比率が親油性のそれをまさり、水に一部溶解し、
安定な単分子膜を水面上に形成しな(なり、25をこえ
ると逆に親油性の比率が大きくなりすぎ、8未満と同様
に安定な単分子膜を水面上に形成しなくなる。と(にl
やnが0のばあいには、yアセチレン骨格にベンゼン環
やカルボキシル基が直接結合することになり、これらを
含んだ兵役系が形成される。この上うにに電子系が広が
るばあいには、電子材料やオプトエレクトロニクス材料
への応用が可能となる。 つぎに本発明の一般式(1)で示される化合物の製法に
ついで説明する。 本発明のノアセチレン化合物は、たとえば2個のアセチ
レン化合物のカップリングのような方法によって製造す
ることができる。 どちらか一方のアセチレン化合物を溶媒にとかし、塩化
第一銅を触媒として銅アセチリド溶液をうる。溶媒とし
ては、たとえば水、MeOH。 N−ノチルピロリドンなどがあげられ、これらに限定さ
れるわけではないが、銅7セチリドを溶解するものであ
ることが必要である。 他方のアセチレン化合物は、たとえ1rNaOBr水溶
液を用いて末端のCIIt−CBrLl!え、過当な溶
媒に溶かし、前記銅アセチリド溶液に滴下するなどの方
法に上り反応せしめられる。 反応温度などの反応条件は、使用するfR7セチリド溶
液やBr化したアセチレン化合物の種類などに応じて適
宜選択すればよく、通常、反応温度としては室温、触媒
として塩化第°−銅を原料のアセチレン化合物の1モル
%程度使用する条件が採用され、収率40〜フO%程度
で製造される。 このようにしてえられた一般式(1)で示される化合物
は両親媒性であるため、クロロホルム、ベンゼン、ヘキ
サンなどの水と溶解せず、蒸気圧の高い溶媒に溶解し、
濃度が10”N/4の希釈溶液を調製し、充分に広い清
浄な水面上に静かに滴下し、上記溶媒を蒸発せしめ、本
発明の化合物を71111!L、た有効面積を減少させ
ることにより単分子膜が形成される。 単分子膜を形成し、LB法による工程を(りかえすこと
により、2次元的に規則正しく配列された任意の層数(
好ましくは1〜5.OOJmりを有する累積膜かえられ
る。このようにしてえられる累積膜の厚さは通常20〜
15000人程度のものであり、電子線、紫外線、γ線
、熱などによって共役したりアセチレンが重合し、立体
的に極めて規則正しい分子配列を有する高分子ff1l
ll膜がえられる。 このようにして高度に規則正しく配列した構造をもつ高
機能性高分子集団が形成される。 えられた単分子膜や累積膜は有機忽薄膜としで、導電性
材料、光導電性材料などの電子材料などに応用されうる
、また、γ線、電子線により重合させうるため、レノス
ト材料にも適用しうる。さらに規則正しく配列した有l
!H1Y!!I膜であるため、先導波路への応用が可能
であり、また高い光学非線型性を有するため、光集積回
路への材料としでも使用しうる。 本発明のクアセチレン化合物は単独で層状有fifi薄
膜を形成してもよいが、たとえばステアリン酸、7ラキ
ン酸などの飽和脂肪酸、CII −C=C−CEC
CIt C00IIなどの直fAJF+12ffi+
1 m 2mノアセチレン化′合物、ω位
に2重結合または3重結合を有する一般式:Il、C=
ClIC,+! 2.C00tl(式中、kは8〜25
のg敗で島、る)または一般式:HCECCHC00I
I(式中、人は前−記と同じ)で表わ Zk されるごときカルボン酸と混合して単分子膜や累積膜を
形成することもでき、上記同様、電子材料やオプトエレ
クトロニクス材料に応用しうる。 本発明のりアセチレン化合物と脂肪酸、直鎖系ノ7セチ
レン化合物%ω位に2重結合や3重結合を有するカルボ
ン酸とを混合して単分子膜や累積膜を形成するばあいに
は、本発明のyアセチレン化合物との混合比は任意であ
るが、・好ましくは本発明のノアセチレン化合41F1
モルに対して0.25〜4モル使用することが、本発明
のノアセチレン化会物の特性を失なわず、光などによる
重合性が損われないなどの息から好ましい、なお混合物
の比率を増しすぎると、光などによる重合性が損われる
。 このとき、一般式(1)で表わされる化合物のnと、一
般式:HIC=CHC,112kCOOHあルイは一般
式二11CミCC,112,C00IIで表わされる化
合物のAとが等しいばあいには、一般式(1)で表ゎさ
技る化合物のクア七チレン基と不飽和結合基との膜中に
おける位置がほぼ同一となり混合物量で重合が起こりや
すくなり好ましい。 つぎに本発明のり7セチレン化合物およびその膜を実施
例にもとづき説明する。 実施例1 [13−フェニル−10,1,2−)リゾカシイン酸1
0属lのN−メチルピロリドンを4つロフラスコに入れ
、1.022(101N)のフェニルアセチレンを溶解
した。2個の滴下漏斗を用意し、一方には塩酸ヒドロキ
シルアミン15(1wyと塩化第一@io。 11−と70%エチルアミン水溶tl 5 yとを入に
、他方には2.6111<1011)の11−プロ毫−
!O−ウンデンイン酸を1os4の10%冑性力性カリ
メタノール溶液解した溶液を入れた。各溶液を入れた滴
下漏斗を4つロフラスコに付け、反応容器内をチッ素で
みたし、反応溶液を15℃に保った。塩化第一銅を溶解
したエチルアミン水溶液を、反応容器内を激しく攪拌し
ながら滴下した。つぎに11−プロモー10−ウンデジ
イン酸を溶解した胃性カリメタノールS*を1時間にわ
たって、20℃で攪拌しながら滴下した。温度を20℃
に保った*血さらに6時間攪拌を続けた0反応容器内を
22℃以下に保ちながら、2N硫酸水#11E1−滴下
し、反応混合物をアルカリ性から酸性に変えた。100
11の水を加え、500s+1のりエチルエーテルで抽
出し、エーテル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ニ
ー・チルを除き、石油エーテルで再結晶し、13−フェ
ニル−10,12−)リゾカッイン酸の結晶(収率48
%)をえた。 えられた13−フェニル−IQ、12−)リゾカッイン
酸は融点82−83℃であり、その構造をIII NM
Rスペクトル分析法および赤外線IJl収スペクトル分
析法によって確認した。結果を第1図および第2図に示
す。 なお、’It NMRスペクトル測定条件は、CDCl
3溶媒中、パルス中20μsec%積算回数1oori
Jであり、第1図中のIsは積分値の表示強度を、vS
はスペクトルピークの表示強度を示す、*た赤外線@収
スペクトル測定条件は、、KBr法により全波**査待
時間6分間測定した。 実施例2
そなえた新規なりアセチレン化合物およびそれを用いた
膜に関する。 [従来の技術J 従来上り、一般式:R−C=C−C=C−4(式中、R
はカルボキシル基、エステル、スルホン酸エステル、ウ
レタン結合または水酸基を有する有機基)で示される対
称ジアセチレン化合物はすでに知られでいる(米国特許
93501308号、同第4384980号各明細書)
0また米国特許第3501297号明細書には、両端に
カルボキシル基またはエステル結合を有する基を有し、
これらの基がジアセチレンとは少なくとも2個のメチレ
ン基からなる頷でへだてられている化合物が開示されで
いる。 一方、弊対称ノアセチレン化合物としでは、カルボキシ
ル基を含み、ベンゼン環を含む化合物が米国特許第35
01297号明細書に述べられでいる。しかし前記非対
称ジアセチレン化合物においで、ノアセチレン結合とべ
′ンゼン環、カルボニル基とは直接に共役していない。 米国特許第4384980号明細書に開示されている対
称ジアセチレン化合物や、米国特許第3501297号
明細書に1示されているカルボキシル基を含むジアセチ
レン化合物を、クロロホルム、n−ヘキサン、ベンゼン
などの適した溶媒に溶かして水面上に展開しても、遇し
た長さの疎水性分子構造を有しないため、安定な単分子
膜を形成しない、さらにフングミエアープロジェット法
による累積膜(LB膜)を形成することは不可能である
。 直Jilt系y7七千レンカルボン酸を用いて形成した
LB膜に関する報告は多く見られるが(G。 LLsser+ B、 Tieke and
G、 lllegnerw Th1n Soli
dFil−g、 68.77(1980))、ベンゼン
環を含むジアセチレン化合物のLB膜は知られていない
。 直鎖系ジアセチレン化合物は容易に単結晶を作り、紫外
線、γ線、熱などによって固相重合することが知られで
おり、LB膜のような層状薄膜でも同様に光重合が起こ
ることが知られでいる(1; Lies@r* B、T
ieke and G、 @e11ner、τhinS
olicl Fi1ms* iL フン(198
0))。 [!!明が解決しようとする問題J:L]現在、非対称
でカルボキシル基とベンゼン環とを同時に含み、これら
の基がジアセチレンと共役した化合物は知られでいない
、したがって、このような化合物を用いた単分子膜ある
いは累積膜は知られていない。 本発明は、単分子膜あるいは累積膜などを形成したばあ
いに、直鎖系ジアセチレン化合物と同様に容易に単結晶
を作り、紫外線、γ線、熱などによって固相重合し、L
B膜のような層状薄膜でも光重合がおこるというような
特徴を有し、光導電性材料、レノスト材料などの電子材
料や、光応答材料、非線型光学材料などの光機能素子の
分野に好適に使用しうろことが期待され、カルボキシル
基、水酸基のような親、水性分子構造部分と、ベンゼン
環と、要すれば適当な数のメチレン基よりなる鎖のよう
な疎水性分子構造部分とを兼ねそなえた特性を有し、さ
らに共役した3重結合の特徴を有する化合物をうるとと
もに、該化合物を用いた罠をうろことを目的とするもの
である。 [問題貞を解決するための手段] 本発明は、一般式(1); (式中、L z、n≧0.8≦l+a+n≦25である
)で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物、および一般式(1)で表わされるベンゼン環
を含んだ両親媒性りアセチレン化合物を用いて作られた
膜に関する。 [51E施例] 本発明のベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合
物は、 一般式〈1〉: (式中、Is Rs if≧0.25≧l+z+n≧8
である)で表わされる新規な化合物である。 該化合物は分子中に親水性のC0OH基と、親油るため
、両親媒性を示す、それゆえ常法により容易に単分子膜
や累積膜が製造される。また分子中に−c=c−c=c
−基を有するため、1,4付加をおこしうる。たとえば
一般式(1)で示される化合物を用いてLB膜を形成し
、光重合法などによりノア七チレンの1.4付加をおこ
すと、X共役を有する強度の大きい膜がえられる。 一般式(1)中の1%I、 nはいずれも0または正の
整数であり、l+z+nが8以上、25以下を満足する
ものである。l中履+nが8未満になると、分子内の親
水性の比率が親油性のそれをまさり、水に一部溶解し、
安定な単分子膜を水面上に形成しな(なり、25をこえ
ると逆に親油性の比率が大きくなりすぎ、8未満と同様
に安定な単分子膜を水面上に形成しなくなる。と(にl
やnが0のばあいには、yアセチレン骨格にベンゼン環
やカルボキシル基が直接結合することになり、これらを
含んだ兵役系が形成される。この上うにに電子系が広が
るばあいには、電子材料やオプトエレクトロニクス材料
への応用が可能となる。 つぎに本発明の一般式(1)で示される化合物の製法に
ついで説明する。 本発明のノアセチレン化合物は、たとえば2個のアセチ
レン化合物のカップリングのような方法によって製造す
ることができる。 どちらか一方のアセチレン化合物を溶媒にとかし、塩化
第一銅を触媒として銅アセチリド溶液をうる。溶媒とし
ては、たとえば水、MeOH。 N−ノチルピロリドンなどがあげられ、これらに限定さ
れるわけではないが、銅7セチリドを溶解するものであ
ることが必要である。 他方のアセチレン化合物は、たとえ1rNaOBr水溶
液を用いて末端のCIIt−CBrLl!え、過当な溶
媒に溶かし、前記銅アセチリド溶液に滴下するなどの方
法に上り反応せしめられる。 反応温度などの反応条件は、使用するfR7セチリド溶
液やBr化したアセチレン化合物の種類などに応じて適
宜選択すればよく、通常、反応温度としては室温、触媒
として塩化第°−銅を原料のアセチレン化合物の1モル
%程度使用する条件が採用され、収率40〜フO%程度
で製造される。 このようにしてえられた一般式(1)で示される化合物
は両親媒性であるため、クロロホルム、ベンゼン、ヘキ
サンなどの水と溶解せず、蒸気圧の高い溶媒に溶解し、
濃度が10”N/4の希釈溶液を調製し、充分に広い清
浄な水面上に静かに滴下し、上記溶媒を蒸発せしめ、本
発明の化合物を71111!L、た有効面積を減少させ
ることにより単分子膜が形成される。 単分子膜を形成し、LB法による工程を(りかえすこと
により、2次元的に規則正しく配列された任意の層数(
好ましくは1〜5.OOJmりを有する累積膜かえられ
る。このようにしてえられる累積膜の厚さは通常20〜
15000人程度のものであり、電子線、紫外線、γ線
、熱などによって共役したりアセチレンが重合し、立体
的に極めて規則正しい分子配列を有する高分子ff1l
ll膜がえられる。 このようにして高度に規則正しく配列した構造をもつ高
機能性高分子集団が形成される。 えられた単分子膜や累積膜は有機忽薄膜としで、導電性
材料、光導電性材料などの電子材料などに応用されうる
、また、γ線、電子線により重合させうるため、レノス
ト材料にも適用しうる。さらに規則正しく配列した有l
!H1Y!!I膜であるため、先導波路への応用が可能
であり、また高い光学非線型性を有するため、光集積回
路への材料としでも使用しうる。 本発明のクアセチレン化合物は単独で層状有fifi薄
膜を形成してもよいが、たとえばステアリン酸、7ラキ
ン酸などの飽和脂肪酸、CII −C=C−CEC
CIt C00IIなどの直fAJF+12ffi+
1 m 2mノアセチレン化′合物、ω位
に2重結合または3重結合を有する一般式:Il、C=
ClIC,+! 2.C00tl(式中、kは8〜25
のg敗で島、る)または一般式:HCECCHC00I
I(式中、人は前−記と同じ)で表わ Zk されるごときカルボン酸と混合して単分子膜や累積膜を
形成することもでき、上記同様、電子材料やオプトエレ
クトロニクス材料に応用しうる。 本発明のりアセチレン化合物と脂肪酸、直鎖系ノ7セチ
レン化合物%ω位に2重結合や3重結合を有するカルボ
ン酸とを混合して単分子膜や累積膜を形成するばあいに
は、本発明のyアセチレン化合物との混合比は任意であ
るが、・好ましくは本発明のノアセチレン化合41F1
モルに対して0.25〜4モル使用することが、本発明
のノアセチレン化会物の特性を失なわず、光などによる
重合性が損われないなどの息から好ましい、なお混合物
の比率を増しすぎると、光などによる重合性が損われる
。 このとき、一般式(1)で表わされる化合物のnと、一
般式:HIC=CHC,112kCOOHあルイは一般
式二11CミCC,112,C00IIで表わされる化
合物のAとが等しいばあいには、一般式(1)で表ゎさ
技る化合物のクア七チレン基と不飽和結合基との膜中に
おける位置がほぼ同一となり混合物量で重合が起こりや
すくなり好ましい。 つぎに本発明のり7セチレン化合物およびその膜を実施
例にもとづき説明する。 実施例1 [13−フェニル−10,1,2−)リゾカシイン酸1
0属lのN−メチルピロリドンを4つロフラスコに入れ
、1.022(101N)のフェニルアセチレンを溶解
した。2個の滴下漏斗を用意し、一方には塩酸ヒドロキ
シルアミン15(1wyと塩化第一@io。 11−と70%エチルアミン水溶tl 5 yとを入に
、他方には2.6111<1011)の11−プロ毫−
!O−ウンデンイン酸を1os4の10%冑性力性カリ
メタノール溶液解した溶液を入れた。各溶液を入れた滴
下漏斗を4つロフラスコに付け、反応容器内をチッ素で
みたし、反応溶液を15℃に保った。塩化第一銅を溶解
したエチルアミン水溶液を、反応容器内を激しく攪拌し
ながら滴下した。つぎに11−プロモー10−ウンデジ
イン酸を溶解した胃性カリメタノールS*を1時間にわ
たって、20℃で攪拌しながら滴下した。温度を20℃
に保った*血さらに6時間攪拌を続けた0反応容器内を
22℃以下に保ちながら、2N硫酸水#11E1−滴下
し、反応混合物をアルカリ性から酸性に変えた。100
11の水を加え、500s+1のりエチルエーテルで抽
出し、エーテル層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ニ
ー・チルを除き、石油エーテルで再結晶し、13−フェ
ニル−10,12−)リゾカッイン酸の結晶(収率48
%)をえた。 えられた13−フェニル−IQ、12−)リゾカッイン
酸は融点82−83℃であり、その構造をIII NM
Rスペクトル分析法および赤外線IJl収スペクトル分
析法によって確認した。結果を第1図および第2図に示
す。 なお、’It NMRスペクトル測定条件は、CDCl
3溶媒中、パルス中20μsec%積算回数1oori
Jであり、第1図中のIsは積分値の表示強度を、vS
はスペクトルピークの表示強度を示す、*た赤外線@収
スペクトル測定条件は、、KBr法により全波**査待
時間6分間測定した。 実施例2
【16−ヘプタデシン1!(IC=C(CH,)、、0
00日)と19−フェニル−ILlB−ノナデシン酸 分子膜お上りLBIIl 16−ヘブタデンン酸と1ト7エエルー16.18−7
ナデンン酸とのモル比で4:1の混合物をクロロホルム
に溶かし、濃度1G−3M#の溶液を調製した。 他方、2回蒸留した水にCdCbおよびにBCOsをそ
れぞれ濃度が3×10″−’?4/lおより5×10−
%M/Iになるように加えた8面積562.5c1のそ
の水面上に上記i1*t103.681uZ滴*シ、/
(’J 7を5人2/曽inの一定速度で動かして膜を
圧縮し、表面積および表面圧を測定した。使用した装置
ハ80111 LAUD^であった。 横軸に単分子当りの面積、縦軸に表面圧をとリ、15℃
での測定結果を#13図に示す。 弔3図の結果から、30A!/分子あたりから表面圧の
急激な立ちあがりが生じ、単分子膜が形成されているこ
とがわかる。 15℃で上記混合物vWI液を水面上で滴下して・腋内
し、25clyn/cmの一定圧力をかけて単分子膜に
なるようにし、滴下30分後に7フキン酸カドミニウム
で疎水外環した石英11!を、水面を垂直に撲切るよう
に上下運Illさせて、両面に合トせて28層積層した
。 えられた集積層についでuv吸収スペクトル分析を什な
った。結果を第4図に示す、なおuv吸収スペクトル測
定は、可視光域と紫外光域を走査時間12分間で測定し
た。 ts4図からフェニル基と共役したりアセチレンの吸収
に相当する282nj+、 2フ7n*s Z95nm
の3本のピークがあることがわかる。 【511明の効果】 本発明の一般式(1)で衰h@れる化合物は、ベンゼン
環、ジアセチレン基、適した長さの流水基およ(/II
水基を有しでいるので、クロロホルム、ベンゼンなどの
溶媒に一般式(1)で表わされる化合物を溶かして水面
上に滴下しで展開することによって、安定な単分子膜を
形成することができる。それゆえ、石英や金属などに限
らないが、適当な基板の上下運動によって、層状累積膜
を容易に形成しうる。さらに一般式(1)中の履を11
30となるようジアセチレン基とベンゼン環との結合の
距離を選ぶことによりで、ジアセチレン基と共役したベ
ンゼン環を含むLB膜を形成しうる。 本発明の一般式(1)で示される化合物は前記のごと!
&得性を有するものである。
00日)と19−フェニル−ILlB−ノナデシン酸 分子膜お上りLBIIl 16−ヘブタデンン酸と1ト7エエルー16.18−7
ナデンン酸とのモル比で4:1の混合物をクロロホルム
に溶かし、濃度1G−3M#の溶液を調製した。 他方、2回蒸留した水にCdCbおよびにBCOsをそ
れぞれ濃度が3×10″−’?4/lおより5×10−
%M/Iになるように加えた8面積562.5c1のそ
の水面上に上記i1*t103.681uZ滴*シ、/
(’J 7を5人2/曽inの一定速度で動かして膜を
圧縮し、表面積および表面圧を測定した。使用した装置
ハ80111 LAUD^であった。 横軸に単分子当りの面積、縦軸に表面圧をとリ、15℃
での測定結果を#13図に示す。 弔3図の結果から、30A!/分子あたりから表面圧の
急激な立ちあがりが生じ、単分子膜が形成されているこ
とがわかる。 15℃で上記混合物vWI液を水面上で滴下して・腋内
し、25clyn/cmの一定圧力をかけて単分子膜に
なるようにし、滴下30分後に7フキン酸カドミニウム
で疎水外環した石英11!を、水面を垂直に撲切るよう
に上下運Illさせて、両面に合トせて28層積層した
。 えられた集積層についでuv吸収スペクトル分析を什な
った。結果を第4図に示す、なおuv吸収スペクトル測
定は、可視光域と紫外光域を走査時間12分間で測定し
た。 ts4図からフェニル基と共役したりアセチレンの吸収
に相当する282nj+、 2フ7n*s Z95nm
の3本のピークがあることがわかる。 【511明の効果】 本発明の一般式(1)で衰h@れる化合物は、ベンゼン
環、ジアセチレン基、適した長さの流水基およ(/II
水基を有しでいるので、クロロホルム、ベンゼンなどの
溶媒に一般式(1)で表わされる化合物を溶かして水面
上に滴下しで展開することによって、安定な単分子膜を
形成することができる。それゆえ、石英や金属などに限
らないが、適当な基板の上下運動によって、層状累積膜
を容易に形成しうる。さらに一般式(1)中の履を11
30となるようジアセチレン基とベンゼン環との結合の
距離を選ぶことによりで、ジアセチレン基と共役したベ
ンゼン環を含むLB膜を形成しうる。 本発明の一般式(1)で示される化合物は前記のごと!
&得性を有するものである。
嬢1図お上V第2図′はそれぞれ実施例1?えられた1
3−フェニル−1o、12−)リゾカッイン酸の’II
NNRスペクトル分析およ(/IRスペクトル分析の結
果えられたチャート、第31!lは実施例2でLらた単
分子当りの面積と表面圧との関係を示すグラフ、第4図
は実施例2でえられた累檜層に関するt+V@収スペク
トル分析の結果えちれたチャートである。 層!!i井(×) 第3図 車イト子当すク■へ)−
3−フェニル−1o、12−)リゾカッイン酸の’II
NNRスペクトル分析およ(/IRスペクトル分析の結
果えられたチャート、第31!lは実施例2でLらた単
分子当りの面積と表面圧との関係を示すグラフ、第4図
は実施例2でえられた累檜層に関するt+V@収スペク
トル分析の結果えちれたチャートである。 層!!i井(×) 第3図 車イト子当すク■へ)−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(1): ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、l、m、n≧0、8≦l+m+n≦25である
)で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物。 2 一般式(1)で表わされる化合物のnが0またはn
が0である特許請求の範囲第1項記載のジアセチレン化
合物。 3 一般式(1): ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、l、m、n≧0、8≦l+m+n≦25である
)で表わされるベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレ
ン化合物を用いで作られた膜。 4 前記膜が一般式(1)で表わされるジアセチレン化
合物と飽和脂肪酸、直鎖系ジアセチレン化合物、一般式
:H_2C=CHC_kH_2_kCOOH(式中、k
は8−25の整数である)または一般式:HC≡CC_
kH_2_kCOOH(式中、kは前記と同様)で表わ
される化合物との混合物から作られる膜である特許請求
の範囲第3項記載の膜。 5 一般式(1)におけるnと一般式:H_2C=CH
C_kH_2_kCOOHまたは一般式:HC≡CC_
kH_2_kCOOHにおけるkとがn=kである特許
請求の範囲第4項記載の膜。 6 膜が単分子膜または累積膜である特許請求の範囲第
3項、第4項または第5項記載の膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59257118A JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
US06/803,700 US4748273A (en) | 1984-12-05 | 1985-12-02 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
DE8585115341T DE3572652D1 (en) | 1984-12-05 | 1985-12-03 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
EP85115341A EP0184193B1 (en) | 1984-12-05 | 1985-12-03 | Amphiphilic diacetylene compound containing benzene ring and film prepared therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59257118A JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61134345A true JPS61134345A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17301979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59257118A Pending JPS61134345A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | ベンゼン環を含んだ両親媒性ジアセチレン化合物およびその膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4748273A (ja) |
EP (1) | EP0184193B1 (ja) |
JP (1) | JPS61134345A (ja) |
DE (1) | DE3572652D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01101314A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
JPH01101313A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI77680C (fi) * | 1987-03-25 | 1989-04-10 | K & V Licencing Oy | Foerfarande foer framstaellning av ett membran med monomolekulaer, symmetrisk molekylfoerdelningsstruktur. |
US4968524A (en) * | 1987-10-16 | 1990-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for producing a polyacetylene |
US4909598A (en) * | 1988-07-30 | 1990-03-20 | Konica Corporation | Non-linear optical device |
JP2907222B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1999-06-21 | 富士通株式会社 | 有機非線形光学材料 |
US5050136A (en) * | 1990-10-01 | 1991-09-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Super polyelectrolytic communication links |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3501303A (en) * | 1966-06-06 | 1970-03-17 | Battelle Development Corp | Photosensitive crystalline polyacetylenic system and method of exposure |
US3999946A (en) * | 1976-02-23 | 1976-12-28 | Allied Chemical Corporation | Time-temperature history indicators |
US4189399A (en) * | 1977-07-19 | 1980-02-19 | Allied Chemical Corporation | Co-crystallized acetylenic compounds |
US4209499A (en) * | 1977-10-21 | 1980-06-24 | Mobil Oil Corporation | Crystalline zeolite ZSM-43 synthesis thereof |
IL60116A (en) * | 1979-06-25 | 1984-04-30 | University Patents Inc | Coating process and articles coated thereby |
JPS57143308A (en) * | 1981-03-02 | 1982-09-04 | Toshinobu Higashimura | Preparation of propiolic acid polymer |
US4562141A (en) * | 1982-09-29 | 1985-12-31 | Ciba Geigy Corporation | Polymerisable composition comprising conjugated diacetylenic compounds, material coated therewith and the use thereof |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59257118A patent/JPS61134345A/ja active Pending
-
1985
- 1985-12-02 US US06/803,700 patent/US4748273A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-12-03 DE DE8585115341T patent/DE3572652D1/de not_active Expired
- 1985-12-03 EP EP85115341A patent/EP0184193B1/en not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01101314A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
JPH01101313A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ポリアセチレンの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0184193B1 (en) | 1989-08-30 |
DE3572652D1 (en) | 1989-10-05 |
US4748273A (en) | 1988-05-31 |
EP0184193A1 (en) | 1986-06-11 |
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