JPS61134022A - 位置合せ信号検出装置 - Google Patents
位置合せ信号検出装置Info
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- JPS61134022A JPS61134022A JP59255589A JP25558984A JPS61134022A JP S61134022 A JPS61134022 A JP S61134022A JP 59255589 A JP59255589 A JP 59255589A JP 25558984 A JP25558984 A JP 25558984A JP S61134022 A JPS61134022 A JP S61134022A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、例えば半導体焼付装置におけるマスクとウェ
ハのような２物体を整合するために用いられる位置合せ
信号検出装置に関する。
ハのような２物体を整合するために用いられる位置合せ
信号検出装置に関する。
［発明の背景］
半導体焼付装置等に用いられる位置合せ装置においては
、走査面上に７ライメントマークを有するマスク（また
はレチクル）とウェハとを重ねて配置し、これらのアラ
イメントマークをレーザビームにより走査し、各マーク
の位置を検出することによってマスクとウェハとの位１
１関係を検出している。
、走査面上に７ライメントマークを有するマスク（また
はレチクル）とウェハとを重ねて配置し、これらのアラ
イメントマークをレーザビームにより走査し、各マーク
の位置を検出することによってマスクとウェハとの位１
１関係を検出している。
この場合、マスクのアライメントマークＭは、第４図（
ａ）に示すように走査線Ａ上で平行な関係にある第１．
第２のエレメントマークＭ １．Ｍ ２と、これらのマ
ークＭ１ 、Ｍ２とは走査線Ａに対し逆向きに傾けられ
、かつ相互に平行な第３．第４のマークＭ３ 、Ｍ４と
を、走査線Ａに対しそれぞれ角度θとして配置した構成
である。また、ウェハのアライメントマークＷは、同図
（ｂ）に示すように第１．第２のエレメントマークＷ１
．Ｗ２を互いに逆向きに傾けると共に、走査線Ａに対し
それぞれ角度θとした構成であって、アライメントマー
クＭとＷとを同図（Ｃ）に示すように重ね合せてマスク
とウェハとの相対的な位置合せを行なうわけである。
ａ）に示すように走査線Ａ上で平行な関係にある第１．
第２のエレメントマークＭ １．Ｍ ２と、これらのマ
ークＭ１ 、Ｍ２とは走査線Ａに対し逆向きに傾けられ
、かつ相互に平行な第３．第４のマークＭ３ 、Ｍ４と
を、走査線Ａに対しそれぞれ角度θとして配置した構成
である。また、ウェハのアライメントマークＷは、同図
（ｂ）に示すように第１．第２のエレメントマークＷ１
．Ｗ２を互いに逆向きに傾けると共に、走査線Ａに対し
それぞれ角度θとした構成であって、アライメントマー
クＭとＷとを同図（Ｃ）に示すように重ね合せてマスク
とウェハとの相対的な位置合せを行なうわけである。
この状態において、光走査機構を用いてレーザビームで
７ライメントマ一クＭ、Ｗ上を走査線Ａに沿って走査す
ると、レーザビームは各マークＭ。
７ライメントマ一クＭ、Ｗ上を走査線Ａに沿って走査す
ると、レーザビームは各マークＭ。
Ｗにより散乱され、受光部ではその散乱光に基づいて第
４図（ｄ）に示すような各エレメントマークＭ１ 、Ｗ
ｌ 、Ｍ２ 、Ｍ３ 、Ｗ２ 、Ｍ４の位置に相当する
走査位置にパルス信号が得られる。このパルス信号をコ
ンパレータにより適当なスレッシホールド電圧でスライ
スし、同図（ｅ）に示すような矩形波形のパルス列を求
め、このパルス列の時間的な間隔からアライメントマー
クＭ、Ｗ同士の位置関係を算出して各マークｆｖｌ、Ｗ
の相対的な偏位価を判定し、駆動系による位置合せ、す
なわち整合を行なうのである。
４図（ｄ）に示すような各エレメントマークＭ１ 、Ｗ
ｌ 、Ｍ２ 、Ｍ３ 、Ｗ２ 、Ｍ４の位置に相当する
走査位置にパルス信号が得られる。このパルス信号をコ
ンパレータにより適当なスレッシホールド電圧でスライ
スし、同図（ｅ）に示すような矩形波形のパルス列を求
め、このパルス列の時間的な間隔からアライメントマー
クＭ、Ｗ同士の位置関係を算出して各マークｆｖｌ、Ｗ
の相対的な偏位価を判定し、駆動系による位置合せ、す
なわち整合を行なうのである。
しかしながら、この場合、ウェハアライメントマークか
ら得られる散乱光はウェハ上に塗布されたフォトレジス
ト層等の影響をうけ、位置検出精度の低下を招くという
欠点があった。
ら得られる散乱光はウェハ上に塗布されたフォトレジス
ト層等の影響をうけ、位置検出精度の低下を招くという
欠点があった。
フォト−ジス１一層による位置検出精度の低下の主な原
因は、フォトレジスト層のいわゆるプリズム作用による
もので、この欠点を除去する方法として、透光層に覆わ
れた物体上のパターンの凹凸に対応してパターンの縁に
よるそれぞれ一方向のみの散乱（回折）光を検出し、検
出した各信号を合成してパターン検出信号を形成する方
法が本出願人による特願昭５８−１５９６５２号で提案
されている。
因は、フォトレジスト層のいわゆるプリズム作用による
もので、この欠点を除去する方法として、透光層に覆わ
れた物体上のパターンの凹凸に対応してパターンの縁に
よるそれぞれ一方向のみの散乱（回折）光を検出し、検
出した各信号を合成してパターン検出信号を形成する方
法が本出願人による特願昭５８−１５９６５２号で提案
されている。
ところで、従来は、例えば検出すべきマークの傾き方向
を２種類とすれば、第５図に示すように所定方向の４つ
のスリット状透光部６１ａ 、 ６１ｂ 。
を２種類とすれば、第５図に示すように所定方向の４つ
のスリット状透光部６１ａ 、 ６１ｂ 。
６１ｃ 、 ６１ｄを設けた空間フィルタ（ストッパ）
をマスクとウェハに対するフーリエ変換面に配置して空
間周波数フィルタリングを行ない、該空間フィルタの各
透光部６’１ａ〜６１ｄを潰過した光すなわち散乱方向
ごとの成分に分離された光を、第６図に示すように受光
面を光学的かつ電気的に４分割した充電検知器でそれぞ
れ独立に検出していた。
をマスクとウェハに対するフーリエ変換面に配置して空
間周波数フィルタリングを行ない、該空間フィルタの各
透光部６’１ａ〜６１ｄを潰過した光すなわち散乱方向
ごとの成分に分離された光を、第６図に示すように受光
面を光学的かつ電気的に４分割した充電検知器でそれぞ
れ独立に検出していた。
このため、空間フィルタや光電検知器の部品としての精
度がｆＩｔｌ密を要し、かつ取付けの位置および角度の
調整が困難であるという不都合があった。
度がｆＩｔｌ密を要し、かつ取付けの位置および角度の
調整が困難であるという不都合があった。
［発明の目的１
本発明は、上述の従来形における問題点に鑑みてなされ
たもので、位置合せマークによる物体の位置合せを高精
度に検出でき、かつ部品精度が緩く調整容易な（を置合
せ信号検出装置を提供することにある。
たもので、位置合せマークによる物体の位置合せを高精
度に検出でき、かつ部品精度が緩く調整容易な（を置合
せ信号検出装置を提供することにある。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は位置合せ信号検出装置の光学系の構成図を示す
。同図において、１はマスク（またはレチクル）、２は
ウェハであって、ウェハ２はウェハステージ３上に載置
されている。４は投影レンズで、内部に不図示の１／４
波長板を備えている。
。同図において、１はマスク（またはレチクル）、２は
ウェハであって、ウェハ２はウェハステージ３上に載置
されている。４は投影レンズで、内部に不図示の１／４
波長板を備えている。
マスク１とウェハ２上には、第４図（ａ）、（ｂ）に示
すアライメントマークＭ、Ｗが描かれており、これらは
、投影レンズ４を介してマークＭをウェハ２上に投影し
、またはマークＷをマスク１上に逆投影したとき、第４
図（Ｃ）に示すように互いに重なり合う状態で配置され
ている。５はこの装置全体の動作を所定のシーケンスに
従って制御する制御部である。
すアライメントマークＭ、Ｗが描かれており、これらは
、投影レンズ４を介してマークＭをウェハ２上に投影し
、またはマークＷをマスク１上に逆投影したとき、第４
図（Ｃ）に示すように互いに重なり合う状態で配置され
ている。５はこの装置全体の動作を所定のシーケンスに
従って制御する制御部である。
１０はレーザ光源であり、所定の偏光例えば偏光面が紙
面に対して水平なＰ偏光を発生する。１１は印加される
電圧に応じて入射光の偏光面を回転させる第１の電気光
学的偏光面回転素子で、１１１１１部５から電圧が印加
されないときはレーザ光源１０からのｐＨａ光をそのま
ま出射し、一方、制御部５から所定の電圧が印加された
ときはレーザ光源１０からのＰ偏光の偏光面を９０°回
転させて偏光面が紙面に垂直なＳ偏光として出射する。
面に対して水平なＰ偏光を発生する。１１は印加される
電圧に応じて入射光の偏光面を回転させる第１の電気光
学的偏光面回転素子で、１１１１１部５から電圧が印加
されないときはレーザ光源１０からのｐＨａ光をそのま
ま出射し、一方、制御部５から所定の電圧が印加された
ときはレーザ光源１０からのＰ偏光の偏光面を９０°回
転させて偏光面が紙面に垂直なＳ偏光として出射する。
すなわち、この偏光面回転素子１１はある電圧（以下、
半波長電圧という）が印加された状態でのみλ／２板と
して機能する。この偏光面回転素子１１としては、例え
ばモトローラ社から９０６５の製品名でシャッタ用とし
て市販されている電気光学セラミックス（ＰＬＺＴ）で
、両面にくし形電極を有するものを使用することができ
る。ＰＬＺＴ９０６５の半波長電圧は、規格値を基に算
出すると５５６．８（Ｖ）である。
半波長電圧という）が印加された状態でのみλ／２板と
して機能する。この偏光面回転素子１１としては、例え
ばモトローラ社から９０６５の製品名でシャッタ用とし
て市販されている電気光学セラミックス（ＰＬＺＴ）で
、両面にくし形電極を有するものを使用することができ
る。ＰＬＺＴ９０６５の半波長電圧は、規格値を基に算
出すると５５６．８（Ｖ）である。
この偏光面回転素子（以下、ＰＬＺＴという）１１から
出射される偏光の進路に沿って、Ｐ偏光を透過しＳ偏光
を反射することにより偏光を２つの光路のいずれかに択
一的に分岐する第１の偏光ビームスプリッタ１２、第１
の偏光ビームスプリッタ１２を透過°７たｐ＋ａ光の光
路を構成する反射ミラー１３および第１のシリンドリカ
ルレンズ１４、第１の偏光ビームスプリッタ１２で反射
されたＳ偏光の光路を構成する反射ミラー１５および第
２のシリンドリカルレンズ１６、ＰＷＡ光を透過しＳ偏
光を反射することにより上記２つの光路を経て入射する
ＰまたはＳ偏光を同一方向に出射する第２の偏光ビーム
スプリッタ１７、その偏光面回転能をＰＬＺＴｌｌと同
期して制御されることにより′入射偏光の偏光面を同一
方向に一致させて出射する第２の電気的偏光面回転素子
（ＰＬＺＴ）１８、結像レンズ１９、ならびに回転多面
鏡２０が配置されている。なお、上述におイテ、ＰＬＺ
Ｔ１８．！＝Ｌ、ＴＧｔＰＬＺＴ１１と同様の上記ＰＬ
ＺＴ９０６５を使用することができる。また、上記第１
のシリンドリカルレンズ１４および第２のシリンドリカ
ルレンズ１６は、その集光能力を持つ軸が紙面に対し４
５度傾くとともに互いに直交している。
出射される偏光の進路に沿って、Ｐ偏光を透過しＳ偏光
を反射することにより偏光を２つの光路のいずれかに択
一的に分岐する第１の偏光ビームスプリッタ１２、第１
の偏光ビームスプリッタ１２を透過°７たｐ＋ａ光の光
路を構成する反射ミラー１３および第１のシリンドリカ
ルレンズ１４、第１の偏光ビームスプリッタ１２で反射
されたＳ偏光の光路を構成する反射ミラー１５および第
２のシリンドリカルレンズ１６、ＰＷＡ光を透過しＳ偏
光を反射することにより上記２つの光路を経て入射する
ＰまたはＳ偏光を同一方向に出射する第２の偏光ビーム
スプリッタ１７、その偏光面回転能をＰＬＺＴｌｌと同
期して制御されることにより′入射偏光の偏光面を同一
方向に一致させて出射する第２の電気的偏光面回転素子
（ＰＬＺＴ）１８、結像レンズ１９、ならびに回転多面
鏡２０が配置されている。なお、上述におイテ、ＰＬＺ
Ｔ１８．！＝Ｌ、ＴＧｔＰＬＺＴ１１と同様の上記ＰＬ
ＺＴ９０６５を使用することができる。また、上記第１
のシリンドリカルレンズ１４および第２のシリンドリカ
ルレンズ１６は、その集光能力を持つ軸が紙面に対し４
５度傾くとともに互いに直交している。
さらに、この回転多面１ｔ２０により偏向走査されたレ
ーザビームＬの光軸に沿って、ｆ−θレンズ２７、フィ
ールドレ′、／女２２、およびレーザビームＬを２つの
方向に分けかつ直交方向に反射させ走査角に従って順次
に偏向するためのダハプリズム２３が構設されている。
ーザビームＬの光軸に沿って、ｆ−θレンズ２７、フィ
ールドレ′、／女２２、およびレーザビームＬを２つの
方向に分けかつ直交方向に反射させ走査角に従って順次
に偏向するためのダハプリズム２３が構設されている。
また、このプリズム２３の両側には対称的に２系列の光
学系が設けられており、偏向されたレーザビームＬの進
行順に沿って、レーザビームしを偏向する反射ミラー２
４ａ 、 ２４ｂ 。
学系が設けられており、偏向されたレーザビームＬの進
行順に沿って、レーザビームしを偏向する反射ミラー２
４ａ 、 ２４ｂ 。
復路の反射光を光電検出光学系に導光するための偏光ビ
ームスプリッタ２５ａ 、 ２５ｂ 、中間レンズ２６
ａ 、 ２６ｂ 、絞り２７ａ 、 ２７ｂ 、対物レ
ンズ２８ａ。
ームスプリッタ２５ａ 、 ２５ｂ 、中間レンズ２６
ａ 、 ２６ｂ 、絞り２７ａ 、 ２７ｂ 、対物レ
ンズ２８ａ。
２８ｂがそれぞれ配置されている。
また、復路において偏光ビームスプリッタ２５ａ。
２５ｂにより分離される透過光の光軸上には、対称的ニ
ソレソレ結像しンス３０ａ 、 ３０ｂ 、 ＰＬＺＴ
ｌｌまたは１Ｂと同様のＰＬＺＴ３１ａ 、 ３１ｂ
、 ｐ偏光とＳ偏光とを分離する偏光ビームスプリッタ
３２ａ。
ソレソレ結像しンス３０ａ 、 ３０ｂ 、 ＰＬＺＴ
ｌｌまたは１Ｂと同様のＰＬＺＴ３１ａ 、 ３１ｂ
、 ｐ偏光とＳ偏光とを分離する偏光ビームスプリッタ
３２ａ。
３２ｂが配置されている。さらに、偏光ビームスプリッ
タ３２ａ 、 ３２ｂで分離されたｐａ光の光路に沿っ
て、第５図に示す透光部６１ａおよび６１ｃのみが設け
られているストッパ３３ａ 、 ３３ｂ 、コンデンサ
レンズ３４ａ 、 ３４ｂ 、光電変換器３５ａ 、
３５ｂ 、 Ｓ偏光の光路に沿って、第５図に示す透光
部６１ｂおよび６１ｄのみが設けられているストッパ３
６ａ 、 ３６ｂ 。
タ３２ａ 、 ３２ｂで分離されたｐａ光の光路に沿っ
て、第５図に示す透光部６１ａおよび６１ｃのみが設け
られているストッパ３３ａ 、 ３３ｂ 、コンデンサ
レンズ３４ａ 、 ３４ｂ 、光電変換器３５ａ 、
３５ｂ 、 Ｓ偏光の光路に沿って、第５図に示す透光
部６１ｂおよび６１ｄのみが設けられているストッパ３
６ａ 、 ３６ｂ 。
コンデンづレンズ３７ａ 、 ３７ｂ 、光電変換器３
８ａ。
８ａ。
３８ｂがそれぞれ配列され、これらにより左右対称の２
系列の光電検出系が形成されている。
系列の光電検出系が形成されている。
第１図における刺一部５は、光電変換＠３５ａ 。
３５ｂ 、 ３８ａ 、 ３８ｂで得られた出力信号を
基に走査面上でレーザビームＬの傾き制御を行なうもの
で、第２図に示すように、波形整形回路５７、計数回路
５２、時限回路５３、演算回路５４、制御回路５５およ
び駆動回路５６を具備している。充電変換器３５ａ ３
５ｂ 。
基に走査面上でレーザビームＬの傾き制御を行なうもの
で、第２図に示すように、波形整形回路５７、計数回路
５２、時限回路５３、演算回路５４、制御回路５５およ
び駆動回路５６を具備している。充電変換器３５ａ ３
５ｂ 。
３８ａ 、 ３８ｂの出力は波形整形回路５１および計
数回路５２を経て制御回路５５に接続されている。制御
回路５５には時限回路５３の出力も接続されており、制
御回路５５の出力は駆動回路５６を経由してＰＬＺＴｌ
ｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂに接続されている。
数回路５２を経て制御回路５５に接続されている。制御
回路５５には時限回路５３の出力も接続されており、制
御回路５５の出力は駆動回路５６を経由してＰＬＺＴｌ
ｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂに接続されている。
また、演算回路５４には波形整形回路５１で得られたパ
ルス信号が出力され、演算回路５４において整合状態が
演算される。
ルス信号が出力され、演算回路５４において整合状態が
演算される。
本発明の実施例は上述の構成を有するので、ＰＬＺＴｌ
ｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂに電圧が印加されて
いなければ、レーザ光源１０から出射したＰ偏光ＬＯは
、ＰＬＺＴＩＩで偏光面を回転されることなくそのまま
Ｐｉｉ光として出射され、偏光ビームスプリッタ１２を
通過し、反射ミラー１３で図上左向きに折り曲げられ、
Ｗｌｌのシリンドリカルレンズ１４によりスリット状の
ビームＬ１とされ、第２の偏光ビームスプリッタ１５に
入射してここを透過し、ざらにＰＬＺＴ１８および結像
レンズ１９を経て多面［Ｉ２Ｇの振れ原点Ｂに入射する
。一方、ＰＬＺＴｌｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂ
に電圧が印加されていれば、レーザ光源１０から出射し
たＰ偏光１ｏは、ＰＬＺＴｌｌで偏光面を９０゛回転さ
れてＳ偏光となるため偏光ビームスプリッタ１２で反射
され、さらに反射ミラー１５で図上下向きに折り曲げら
れる。反射ミラー１５で反射されたＳ偏光のレーザビー
ムは、第２のシリンドリカルレンズ１６により、ビーム
Ｌ１と互いに直交する方向のスリット状ビームＬ２とな
り、第２の偏光ビームスプリッタ１１に入射し、ここで
ビームＬ１と同一の光軸上を同一方向に反射されるが、
今度はＰＬＺＴ１８に電圧が印加されているのでこのＰ
ＬＺＴ１８により偏光面を９０＠回転されてＰ偏光とさ
れた後、ビームし１と同様、結像レンズ１９を経て多面
！ｉ２０の振れ原点Ｂに入射する。
ｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂに電圧が印加されて
いなければ、レーザ光源１０から出射したＰ偏光ＬＯは
、ＰＬＺＴＩＩで偏光面を回転されることなくそのまま
Ｐｉｉ光として出射され、偏光ビームスプリッタ１２を
通過し、反射ミラー１３で図上左向きに折り曲げられ、
Ｗｌｌのシリンドリカルレンズ１４によりスリット状の
ビームＬ１とされ、第２の偏光ビームスプリッタ１５に
入射してここを透過し、ざらにＰＬＺＴ１８および結像
レンズ１９を経て多面［Ｉ２Ｇの振れ原点Ｂに入射する
。一方、ＰＬＺＴｌｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂ
に電圧が印加されていれば、レーザ光源１０から出射し
たＰ偏光１ｏは、ＰＬＺＴｌｌで偏光面を９０゛回転さ
れてＳ偏光となるため偏光ビームスプリッタ１２で反射
され、さらに反射ミラー１５で図上下向きに折り曲げら
れる。反射ミラー１５で反射されたＳ偏光のレーザビー
ムは、第２のシリンドリカルレンズ１６により、ビーム
Ｌ１と互いに直交する方向のスリット状ビームＬ２とな
り、第２の偏光ビームスプリッタ１１に入射し、ここで
ビームＬ１と同一の光軸上を同一方向に反射されるが、
今度はＰＬＺＴ１８に電圧が印加されているのでこのＰ
ＬＺＴ１８により偏光面を９０＠回転されてＰ偏光とさ
れた後、ビームし１と同様、結像レンズ１９を経て多面
！ｉ２０の振れ原点Ｂに入射する。
ＰＬＺＴｌｌ、１８および３１ａ 、 ３１ｂ ｋ：電
圧が印加されていないとき回転多面１ｔ２０により偏向
走査されたレーザビームしすなわちＬｌは、レンズ２１
゜２２を通過した後にプリズム２３の端面２３ａに入射
し、ここで左方向に偏向され、さらに反射ミラー２４ａ
により下方向に偏向される。そして、全光量が偏光ビー
ムスプリッタ２５ａを透過し、中間レンズ２６ａ１絞り
２７ａおよび対物レンズ２８ａを介してマスク１上の一
点に結像し、さらに投影レンズ４によって再びウェハ２
上の一点に結像する。ここで、マスク１上に結像するビ
ームは直線偏光（Ｐｌ！光）であるが、ウェハ２上に結
像するビームは投影レンズ４内の１／４波長板を通過す
る際、円偏光に変換されている。
圧が印加されていないとき回転多面１ｔ２０により偏向
走査されたレーザビームしすなわちＬｌは、レンズ２１
゜２２を通過した後にプリズム２３の端面２３ａに入射
し、ここで左方向に偏向され、さらに反射ミラー２４ａ
により下方向に偏向される。そして、全光量が偏光ビー
ムスプリッタ２５ａを透過し、中間レンズ２６ａ１絞り
２７ａおよび対物レンズ２８ａを介してマスク１上の一
点に結像し、さらに投影レンズ４によって再びウェハ２
上の一点に結像する。ここで、マスク１上に結像するビ
ームは直線偏光（Ｐｌ！光）であるが、ウェハ２上に結
像するビームは投影レンズ４内の１／４波長板を通過す
る際、円偏光に変換されている。
マスク１およびウェハ２上に結像したこれらのビームは
、第３図（ａ）に示すＪのように、アライメントマーク
Ｍｌ 、Ｗｌ 、Ｍ２と平行なスリット光としてマスク
１およびウェハ２の面上の第１の７ライメントマ一ク群
を照射することになる。
、第３図（ａ）に示すＪのように、アライメントマーク
Ｍｌ 、Ｗｌ 、Ｍ２と平行なスリット光としてマスク
１およびウェハ２の面上の第１の７ライメントマ一ク群
を照射することになる。
この状態においてスリット光Ｊが走査線Ａに沿って右方
向に走査されると、先ず、アライメントマークＭ１ 、
Ｗｌ 、Ｍ２に対応する位置で散乱が生じ、充電変換器
３５ａの出力として第３図（ｂ）に示す出力信号Ｓｌ
、３２ 、Ｓ３が得られる。この場合、出力信号Ｓ２は
、ウェハ２上に結像したスリット光（円偏光）Ｊのマー
クＷ１における散乱反射光が、第１図の投影レンズ４内
の１／４波長板を通過する際、直線偏光（Ｓ偏光）に変
換され、対物レンズ２８ａ、絞り２７ａ、中間レンズ２
６ａの復路を戻り、偏光ビームスプリッタ２５ａで反射
され、さらに結像レンズ３０ａ 、 Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ３
１ａを経て、偏光ビームスプリッタ３２ａで反射し、さ
らにストッパ３３ａ、コンデンサレンズ３４ａを経由し
て充電変換器３５ａに入射することにより得られる。
向に走査されると、先ず、アライメントマークＭ１ 、
Ｗｌ 、Ｍ２に対応する位置で散乱が生じ、充電変換器
３５ａの出力として第３図（ｂ）に示す出力信号Ｓｌ
、３２ 、Ｓ３が得られる。この場合、出力信号Ｓ２は
、ウェハ２上に結像したスリット光（円偏光）Ｊのマー
クＷ１における散乱反射光が、第１図の投影レンズ４内
の１／４波長板を通過する際、直線偏光（Ｓ偏光）に変
換され、対物レンズ２８ａ、絞り２７ａ、中間レンズ２
６ａの復路を戻り、偏光ビームスプリッタ２５ａで反射
され、さらに結像レンズ３０ａ 、 Ｐ Ｌ Ｚ Ｔ３
１ａを経て、偏光ビームスプリッタ３２ａで反射し、さ
らにストッパ３３ａ、コンデンサレンズ３４ａを経由し
て充電変換器３５ａに入射することにより得られる。
一方、出力信号８１．８３は、マスク１上に結像したス
リット光（直線偏光）ＪのマークＭ１．Ｍ２における散
乱回折光が、第１図の投影レンズ４内に入り、円偏光に
変換されてウェハ２面上に結像され、ここで反射されて
上述のマークＷの散乱光と同じ復路を辿ることにより得
られる。なお、マスク１１に結像したスリット光（直線
偏光）ｊの７ライメントマ一クＭｌ 、Ｍ２における散
乱光の成分には、上記の散乱回折光の債に、マスク１上
から対物レンズ２８ａないし偏光ビームスプリツタ２５
ａ方面に戻る直接反射光ＭＯがあるが、この直接反射光
ＭＤは、偏光方向が入射したときと同じ状態のまま偏光
ビームスプリッタ２５ａに入射するため、ここを透過し
て光電検出系には侵入しない。
リット光（直線偏光）ＪのマークＭ１．Ｍ２における散
乱回折光が、第１図の投影レンズ４内に入り、円偏光に
変換されてウェハ２面上に結像され、ここで反射されて
上述のマークＷの散乱光と同じ復路を辿ることにより得
られる。なお、マスク１１に結像したスリット光（直線
偏光）ｊの７ライメントマ一クＭｌ 、Ｍ２における散
乱光の成分には、上記の散乱回折光の債に、マスク１上
から対物レンズ２８ａないし偏光ビームスプリツタ２５
ａ方面に戻る直接反射光ＭＯがあるが、この直接反射光
ＭＤは、偏光方向が入射したときと同じ状態のまま偏光
ビームスプリッタ２５ａに入射するため、ここを透過し
て光電検出系には侵入しない。
上述において、スリット光Ｊは、アライメントマークＭ
１ 、Ｗｌ 、Ｍ２にほぼ重なることにより検出するの
で、従来の単なるスポット光よりもその検出感度は高く
検出精度は良好となる。また、マスク１の平滑面を透過
し、ざらにウェハ２の平滑面で反射された非散乱光はス
トッパ３３ａの中央部に結像し、ここで遮光され充電変
換器３５ａに到達することはない。
１ 、Ｗｌ 、Ｍ２にほぼ重なることにより検出するの
で、従来の単なるスポット光よりもその検出感度は高く
検出精度は良好となる。また、マスク１の平滑面を透過
し、ざらにウェハ２の平滑面で反射された非散乱光はス
トッパ３３ａの中央部に結像し、ここで遮光され充電変
換器３５ａに到達することはない。
これらの充電変換器３５ａの出力信号８１ 、 Ｓ２
。
。
Ｓ３は、それぞれ波形整形回路５１に入力し、ここで一
定レベルでカットされたクロスポイント位置をパルス幅
として、第３図（Ｃ）に示すように矩形波状パルスｐｔ
、ｐ２．Ｐ３に整形される。このパルスＰ１ 、Ｐ２
、Ｐ３による出力は、計数回路５２および演算回路５
４に送信され、計数回路５２では所定数のパルスすなわ
ち３個のパルスを計数すると制御回路５５に信号を送信
する。また、この制御回路５５へは時限回路５３から第
３図（ｄ）に示す予め設定された時間における時間幅Ｈ
の出力下が送信される。１ｌｌｔ［１回路５５は第３番
目のパルスＰ３が所定の時間Ｈ内にあることを確認する
と、駆動回路５６に傾き切換信号を発してＰＬＺＴｌｌ
、１８および３１ａ 、 ３１ｂに半波長電圧を印加さ
せる。これにより、ＰＬＺＴｌｌは、レーザ光源１０か
らのＰ偏光の偏光面を９０゛回転してＳ偏光として出射
し、偏光ビームスプリッタ１２は、このＳＷＡ光を反射
することによりレーザビームの光路を切換え、反射ミラ
ー１５を介して第２のシリンドリカルレンズ１６に出射
する。第２のシリンドリカルレンズ１６は、第１のシリ
ンドリカルレンズ１４に対して所定の角度で配置されて
いるので、マスク１およびウェハ２でのスリット光の傾
きは変り、マスク１およびウェハ２の面上では第３図（
ａ）の１′に示すようにアライメントマークＭ３ 、Ｗ
２ 、Ｍ４と平行な傾き方向に切換えられる。また、Ｐ
ＬＺＴ１８にも半波長電圧が印加され、第２のシリンド
リカルレンズ１６を経たＳｆｓ先は、ＰＬＺＴ１８でＰ
偏光に変換され、レーザビームＬの偏光方向は、その傾
き角によらず偏光方向は一定である。
定レベルでカットされたクロスポイント位置をパルス幅
として、第３図（Ｃ）に示すように矩形波状パルスｐｔ
、ｐ２．Ｐ３に整形される。このパルスＰ１ 、Ｐ２
、Ｐ３による出力は、計数回路５２および演算回路５
４に送信され、計数回路５２では所定数のパルスすなわ
ち３個のパルスを計数すると制御回路５５に信号を送信
する。また、この制御回路５５へは時限回路５３から第
３図（ｄ）に示す予め設定された時間における時間幅Ｈ
の出力下が送信される。１ｌｌｔ［１回路５５は第３番
目のパルスＰ３が所定の時間Ｈ内にあることを確認する
と、駆動回路５６に傾き切換信号を発してＰＬＺＴｌｌ
、１８および３１ａ 、 ３１ｂに半波長電圧を印加さ
せる。これにより、ＰＬＺＴｌｌは、レーザ光源１０か
らのＰ偏光の偏光面を９０゛回転してＳ偏光として出射
し、偏光ビームスプリッタ１２は、このＳＷＡ光を反射
することによりレーザビームの光路を切換え、反射ミラ
ー１５を介して第２のシリンドリカルレンズ１６に出射
する。第２のシリンドリカルレンズ１６は、第１のシリ
ンドリカルレンズ１４に対して所定の角度で配置されて
いるので、マスク１およびウェハ２でのスリット光の傾
きは変り、マスク１およびウェハ２の面上では第３図（
ａ）の１′に示すようにアライメントマークＭ３ 、Ｗ
２ 、Ｍ４と平行な傾き方向に切換えられる。また、Ｐ
ＬＺＴ１８にも半波長電圧が印加され、第２のシリンド
リカルレンズ１６を経たＳｆｓ先は、ＰＬＺＴ１８でＰ
偏光に変換され、レーザビームＬの偏光方向は、その傾
き角によらず偏光方向は一定である。
アライメントマークＭ３ 、Ｗ２ 、Ｍ４はこの傾き切
換後のスリット光Ｊ′で走査される。このスリット光１
′によるウェハ２からの反射光は、上述と同様に投影レ
ンズ４ないし結像レンズ３０ａの復路を通り、Ｓ偏光と
してＰＬＺＴ３１ａに入射するが、今度はＰＬＺＴ３１
ａに半波長電圧が印加されているため、ここで、Ｐ偏光
に変換される。従って、上記反射光は、偏光ビームスプ
リッタ３２ａを透過し、ストッパ３θａおよびコンデン
サレンズ３７ａを経て光電変換器３８ａに入射する。こ
れにより、光電変換器３８ａからは第３図（ｂ）に示す
出力信号８４．８５．８６が得られ、波形整形回路５１
により第３図（ｃ）に示すパルスＰ４ 、 Ｐ５ 。
換後のスリット光Ｊ′で走査される。このスリット光１
′によるウェハ２からの反射光は、上述と同様に投影レ
ンズ４ないし結像レンズ３０ａの復路を通り、Ｓ偏光と
してＰＬＺＴ３１ａに入射するが、今度はＰＬＺＴ３１
ａに半波長電圧が印加されているため、ここで、Ｐ偏光
に変換される。従って、上記反射光は、偏光ビームスプ
リッタ３２ａを透過し、ストッパ３θａおよびコンデン
サレンズ３７ａを経て光電変換器３８ａに入射する。こ
れにより、光電変換器３８ａからは第３図（ｂ）に示す
出力信号８４．８５．８６が得られ、波形整形回路５１
により第３図（ｃ）に示すパルスＰ４ 、 Ｐ５ 。
Ｐ６が求められ、第１のアライメントマーク群の検出が
終了する。そして、ａＳ回？Ｍ５４において先に検出し
たパルスＰ・１ 、Ｐ２ 、Ｐ３とともに必要に応じて
演算処理される。 ・一方、出力Ｔが送信さ
れている状態において、例えば第３番目のパルスＰ３が
検出されなかった場合、すなわちアライメントマークＭ
２が欠落したときには第３番目のパルスＰ３が得られる
べき時間Ｈの経過債に、制御回路５５は傾き切換信号を
駆動回路５６に発し、走査スリット光の傾きを切換えて
前述と同様の検出を行なう。この場合、パルスＰ３は欠
落しているので、整形回路５１がら演算回路５４に送信
されるパルスは第３図（ｅ）に示すようになる。
終了する。そして、ａＳ回？Ｍ５４において先に検出し
たパルスＰ・１ 、Ｐ２ 、Ｐ３とともに必要に応じて
演算処理される。 ・一方、出力Ｔが送信さ
れている状態において、例えば第３番目のパルスＰ３が
検出されなかった場合、すなわちアライメントマークＭ
２が欠落したときには第３番目のパルスＰ３が得られる
べき時間Ｈの経過債に、制御回路５５は傾き切換信号を
駆動回路５６に発し、走査スリット光の傾きを切換えて
前述と同様の検出を行なう。この場合、パルスＰ３は欠
落しているので、整形回路５１がら演算回路５４に送信
されるパルスは第３図（ｅ）に示すようになる。
レーザビームＬがさらに偏向走査されて、プリズム２３
の側面２３ｂに達すると、今度はビームＬがプリズム２
３により右側に偏向され、中間レンズ２６ｂ、絞り２１
ｂ１対物レンズ２８ｂを経てマスク１およびウェハ２の
面上の第２のアライメントマーク群を先の説明と同様に
検出することになる。
の側面２３ｂに達すると、今度はビームＬがプリズム２
３により右側に偏向され、中間レンズ２６ｂ、絞り２１
ｂ１対物レンズ２８ｂを経てマスク１およびウェハ２の
面上の第２のアライメントマーク群を先の説明と同様に
検出することになる。
なお、アライメントマーク検出に先立ってマーク位置を
模索する際は、一方のスリット光例えばＬｌだけで走査
すればよい。
模索する際は、一方のスリット光例えばＬｌだけで走査
すればよい。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によると、散乱光を検出すべ
き位置合せマークの傾き方向に応じて異なる光路に分岐
し、該光路内で散乱光の所望成分のみを空間フィルタリ
ングするようにしているため、従来の１つの空間フィル
タにより全敗乱光成分からそれぞれ所望の一方向の散乱
光成分を分離する場合に比べて空間フィルタのスリット
数が少なくて足り、かつ部品精度や調整精度も緩くてよ
い。また、分離された散乱光成分の光量を検出する光電
検知器も受光面を分割するような特殊かつ寸法精度の厳
しいものは必要でない。さらに、Ｓ’／Ｎ比の向上を図
る等の目的で各マークごとに複数方向の散乱光成分を合
成して検出する場合、従来例においては空間フィルタで
各一方向の散乱光成分を分離した後、電気回路で合成し
ているが、本発明によれば、空間的に各方向の成分に分
離する前に位１合せマークの傾き方向に応じて分割して
いるため、空間フィルタに透光部を適当個数設けるとい
う簡便な構成により、光電検知器から直接上記散乱光の
合成出力を得ることができる。
き位置合せマークの傾き方向に応じて異なる光路に分岐
し、該光路内で散乱光の所望成分のみを空間フィルタリ
ングするようにしているため、従来の１つの空間フィル
タにより全敗乱光成分からそれぞれ所望の一方向の散乱
光成分を分離する場合に比べて空間フィルタのスリット
数が少なくて足り、かつ部品精度や調整精度も緩くてよ
い。また、分離された散乱光成分の光量を検出する光電
検知器も受光面を分割するような特殊かつ寸法精度の厳
しいものは必要でない。さらに、Ｓ’／Ｎ比の向上を図
る等の目的で各マークごとに複数方向の散乱光成分を合
成して検出する場合、従来例においては空間フィルタで
各一方向の散乱光成分を分離した後、電気回路で合成し
ているが、本発明によれば、空間的に各方向の成分に分
離する前に位１合せマークの傾き方向に応じて分割して
いるため、空間フィルタに透光部を適当個数設けるとい
う簡便な構成により、光電検知器から直接上記散乱光の
合成出力を得ることができる。
［発明の適用例］
なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実施することができる。例えば、上述の実施例
においては、本発明を縮小投影露光装置に適用した例に
ついて説明したが、本発明はミラープロジェクション方
式のような等培基の露光装置に適用できるのは勿論であ
る。また、プロキシミティ方式やコンタクト方式のマス
クアライナのようにマスクとウェハとの間に投影光学系
が介在しない投影方式の露光装置であっても適用可能で
ある。また、走査ビームはスリット状ビームに限定され
るものではなく、スポット状ビームであってもよい。ま
た、上述においては、マスク１上の７ライメントマ一ク
Ｍｌ 、Ｍ３からの回折光信号３１．３３もウェハ２か
らの反射光ＭＷにより検出している。しかし、この信号
８１．８３としてはマスク１からの直接反射光ＭＤを検
出する方がＳ／Ｎ比は良い。この直接反射光ＭＯは、第
１図に示すように反射率の低いハーフミラ−４１ａ。
変形して実施することができる。例えば、上述の実施例
においては、本発明を縮小投影露光装置に適用した例に
ついて説明したが、本発明はミラープロジェクション方
式のような等培基の露光装置に適用できるのは勿論であ
る。また、プロキシミティ方式やコンタクト方式のマス
クアライナのようにマスクとウェハとの間に投影光学系
が介在しない投影方式の露光装置であっても適用可能で
ある。また、走査ビームはスリット状ビームに限定され
るものではなく、スポット状ビームであってもよい。ま
た、上述においては、マスク１上の７ライメントマ一ク
Ｍｌ 、Ｍ３からの回折光信号３１．３３もウェハ２か
らの反射光ＭＷにより検出している。しかし、この信号
８１．８３としてはマスク１からの直接反射光ＭＤを検
出する方がＳ／Ｎ比は良い。この直接反射光ＭＯは、第
１図に示すように反射率の低いハーフミラ−４１ａ。
４１ｂ、偏光ビームスプリッタ４２ａ 、 ４２ｂ 、
結像レンズ４３ａ 、 ４３ｂ 、部分遮光板４４ａ
、 ４４ｂ 、 ：ｌンデンサレンズ４５ａ 、 ４５
ｂおよび光電変換器４６ａ 、 ４６ｂを配置すること
によりレーザ出力の利用効率を余り低下させることなく
検出することができる。
結像レンズ４３ａ 、 ４３ｂ 、部分遮光板４４ａ
、 ４４ｂ 、 ：ｌンデンサレンズ４５ａ 、 ４５
ｂおよび光電変換器４６ａ 、 ４６ｂを配置すること
によりレーザ出力の利用効率を余り低下させることなく
検出することができる。
さらに、上述においては、光路切換手段として、偏光面
回転素子と偏光ビームスプリッタとを組合せて用いてい
るが、音−光学素子あるいはこれにプリズムを組合せて
用いてもよい。
回転素子と偏光ビームスプリッタとを組合せて用いてい
るが、音−光学素子あるいはこれにプリズムを組合せて
用いてもよい。
さらに、本発明は、マスクアライナ以外の対象物例えば
印刷用原版等の位置合せにも適用可能で 。
印刷用原版等の位置合せにも適用可能で 。
ある。
第１図は本発明の一実施例に係る位置合せ信号検出ａｍ
の光学系構成図、第２図は第１図の装置の制御系のブロ
ック回路図、第３図は作動状態の説明図、第４図は従来
のアライメントマークの検出方法の説明図、第５図は従
来の空間フィルタの平面図、第６図は従来の充電検知器
の平面図である。 １：マスク、２：ウェハ、５：制御部、１０：レーザ光
源、Ｎ、 １８．３１ａ 、 ３１ｂ ：偏光面回転素
子、１２、１７．２５ａ 、 ２５ｂ 、 ３２ａ 、
３２ｂ ：偏光ビームスプリッタ、１４．１６：シリ
ンドリカルレンズ、２０：回転多面鏡、２８ａ 、 ２
８ｂ ：対物レンズ、３５ａ。 ３５ｂ 、 ３８ａ 、 ３８ｂ ：光電変換器。
の光学系構成図、第２図は第１図の装置の制御系のブロ
ック回路図、第３図は作動状態の説明図、第４図は従来
のアライメントマークの検出方法の説明図、第５図は従
来の空間フィルタの平面図、第６図は従来の充電検知器
の平面図である。 １：マスク、２：ウェハ、５：制御部、１０：レーザ光
源、Ｎ、 １８．３１ａ 、 ３１ｂ ：偏光面回転素
子、１２、１７．２５ａ 、 ２５ｂ 、 ３２ａ 、
３２ｂ ：偏光ビームスプリッタ、１４．１６：シリ
ンドリカルレンズ、２０：回転多面鏡、２８ａ 、 ２
８ｂ ：対物レンズ、３５ａ。 ３５ｂ 、 ３８ａ 、 ３８ｂ ：光電変換器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、傾き方向の異なる複数個の細条状位置合せマークを
光走査する際に得られる散乱反射光のうち各マークの傾
き方向に応じて特定の方向に散乱される成分のみを検出
する位置合せ信号検出装置であつて、上記反射光を上記
マークの傾き方向に対応して設けられた複数の光路のい
ずれかに択一的に分岐する光路切換手段と、各光路にお
ける上記反射光の略焦点面に配置され上記光路切換手段
により導入された反射光のうち対応するマークに応じた
上記特定方向の散乱光成分が収束する部分のみを透光部
としたストッパと、各ストッパを透過した光の量を検出
する光電検知器とを具備することを特徴とする位置合せ
信号検出装置。 ２、前記光走査をスポット状ビームで行なう特許請求の
範囲第１項記載の位置合せ信号検出装置。 ３、前記光走査を、傾きが検出すべき前記位置合せマー
クの傾き方向と合致するように切換えられるスリット状
ビームで行なう特許請求の範囲第１項記載の位置合せ信
号検出装置。 ４、前記光路切換手段が、前記スリット状ビームの傾き
切換と同期して前記光路を切換える特許請求の範囲第３
項記載の位置合せ信号検出装置。 ５、前記光路切換を、音響光学素子で行なう特許請求の
範囲第１〜４項のいずれか１つに記載の位置合せ信号検
出装置。 ６、前記走査光の、光方向が一定であり、前記光路切換
手段が、前記反射光の偏光方向を電気光学的に回転させ
る偏光間回転素子と、該偏光面回転素子に与える電気量
を制御して上記反射光の偏光方向を切換え出力させる制
御手段と、該偏光間回転素子から出力される偏光の一方
を透過し他方を反射して別々の光路に導く偏光ビームス
プリッタとを備えている特許請求の範囲第１〜４項のい
ずれか１つに項記載の位置合せ信号検出装置。 ７、前記スリット状ビームを発生する手段が、偏光発生
手段と、該偏光発生手段から出力される偏光の偏光面を
電気光学的に回転させる第２の偏光面回転素子と、該偏
光面回転素子に与える電気量を制御して偏光方向の異な
る２種類の偏光を切換え出力させる第２の制御手段と、
該第２の偏光面回転素子から出力される偏光の一方を透
過し他方を反射して別々の光路に導く第２の偏光ビーム
スプリッタと、各光路に導入された偏光をそれぞれ上記
マークの傾き方向のそれぞれに相当する傾きのスリット
状に集光する集光手段と、各集光手段から出力されるス
リット状の光を偏光方向に応じて一方を透過し他方を反
射することにより同一方向に出力する第３の偏光ビーム
スプリッタと、上記第２の偏光面回転素子と運動して第
３の偏光ビームスプリッタから出射される２種類の偏光
の偏光方向を一致させる第３の偏光面回転素子とを具備
する特許請求の範囲第３〜６項のいずれか１つに記載の
位置合せ信号検出装置。 ８、前記偏光面回転素子が電気光学セラミックスである
特許請求の範囲第６または７項記載の位置合せ信号検出
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255589A JPS61134022A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
| US07/319,820 US4937459A (en) | 1984-11-16 | 1989-03-06 | Alignment signal detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255589A JPS61134022A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134022A true JPS61134022A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0479129B2 JPH0479129B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=17280821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59255589A Granted JPS61134022A (ja) | 1984-11-16 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008007632A1 (fr) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Appareil optique d'éclairage, appareil d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
| US9195069B2 (en) | 2006-04-17 | 2015-11-24 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59255589A patent/JPS61134022A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9195069B2 (en) | 2006-04-17 | 2015-11-24 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
| WO2008007632A1 (fr) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Appareil optique d'éclairage, appareil d'exposition, et procédé de fabrication du dispositif |
| JPWO2008007632A1 (ja) * | 2006-07-12 | 2009-12-10 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
| US8325324B2 (en) | 2006-07-12 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479129B2 (ja) | 1992-12-15 |
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