JPH0479129B2 - - Google Patents
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- JPH0479129B2 JPH0479129B2 JP59255589A JP25558984A JPH0479129B2 JP H0479129 B2 JPH0479129 B2 JP H0479129B2 JP 59255589 A JP59255589 A JP 59255589A JP 25558984 A JP25558984 A JP 25558984A JP H0479129 B2 JPH0479129 B2 JP H0479129B2
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- light
- mark
- polarized light
- wafer
- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば半導体焼付装置におけるマス
クとウエハのような2物体を整合するために用い
られる位置合せ信号検出装置に関する。
クとウエハのような2物体を整合するために用い
られる位置合せ信号検出装置に関する。
[発明の背景]
半導体焼付装置等に用いられる位置合せ装置に
おいては、走査面上にアライメントマークを有す
るマスク(またはレチクル)とウエハとを重ねて
配置し、これらのアライメントマークをレーザビ
ームにより走査し、各マークの位置を検出するこ
とによつてマスクとウエハとの位置関係を検出し
ている。
おいては、走査面上にアライメントマークを有す
るマスク(またはレチクル)とウエハとを重ねて
配置し、これらのアライメントマークをレーザビ
ームにより走査し、各マークの位置を検出するこ
とによつてマスクとウエハとの位置関係を検出し
ている。
この場合、マスクのアライメントマークMは、
第4図aに示すように走査線A上で平行な関係に
ある第1、第2のエレメントマークM1,M2
と、これらのマークM1,M2とは走査線Aに対
し逆向きに傾けられ、かつ相互に平行な第3、第
4のマークM3,M4とを、走査線Aに対しそれ
ぞれ角度θとして配置した構成である。また、ウ
エハのアライメントマークWは、同図bに示すよ
うに第1、第2のエレメントマークW1,W2を
互いに逆向きに傾けると共に、走査線Aに対しそ
れぞれ角度θとした構成であつて、アライメント
マークMとWとを同図cに示すように重ね合せて
マスクとウエハの相対的な位置合せを行なうわけ
である。
第4図aに示すように走査線A上で平行な関係に
ある第1、第2のエレメントマークM1,M2
と、これらのマークM1,M2とは走査線Aに対
し逆向きに傾けられ、かつ相互に平行な第3、第
4のマークM3,M4とを、走査線Aに対しそれ
ぞれ角度θとして配置した構成である。また、ウ
エハのアライメントマークWは、同図bに示すよ
うに第1、第2のエレメントマークW1,W2を
互いに逆向きに傾けると共に、走査線Aに対しそ
れぞれ角度θとした構成であつて、アライメント
マークMとWとを同図cに示すように重ね合せて
マスクとウエハの相対的な位置合せを行なうわけ
である。
この状態において、光走査機構を用いてレーザ
ビームでアライメントマークM,W上を走査線A
に沿つて走査すると、レーザビームは各マーク
M,Wにより散乱され、受光部ではその散乱光に
基づいて第4図dに示すような各エレメントマー
クM1,W1,M2,M3,W2,M4の位置に
相当する走査位置にパルス信号が得られる。この
パルス信号をコンパレータにより適当なスレツシ
ホールド電圧でスライスし、同図eに示すような
矩形波形のパルス列を求め、このパルス列の時間
的な間隔からアライメントマークM,W同士の位
置関係を算出して各マークM,Wの相対的な偏位
量を判定し、駆動系による位置合せ、すなわち整
合を行なうのである。
ビームでアライメントマークM,W上を走査線A
に沿つて走査すると、レーザビームは各マーク
M,Wにより散乱され、受光部ではその散乱光に
基づいて第4図dに示すような各エレメントマー
クM1,W1,M2,M3,W2,M4の位置に
相当する走査位置にパルス信号が得られる。この
パルス信号をコンパレータにより適当なスレツシ
ホールド電圧でスライスし、同図eに示すような
矩形波形のパルス列を求め、このパルス列の時間
的な間隔からアライメントマークM,W同士の位
置関係を算出して各マークM,Wの相対的な偏位
量を判定し、駆動系による位置合せ、すなわち整
合を行なうのである。
しかしながら、この場合、ウエハアライメント
マークから得られる散乱光はウエハ上に塗布され
たフオトレジスト層等の影響をうけ、位置検出精
度の低下を招くという欠点があつた。
マークから得られる散乱光はウエハ上に塗布され
たフオトレジスト層等の影響をうけ、位置検出精
度の低下を招くという欠点があつた。
フオトレジスト層による位置検出精度の低下の
主な原因は、フオトレジスト層のいわゆるプリズ
ム作用によるもので、この欠点を除去する方法と
して、透光層に覆われた物体上のパターンの凹凸
に対応してパターンの縁によるそれぞれ一方向の
みの散乱(回折)光を検出し、検出した各信号を
合成してパターン検出信号を形成する方法が本出
願人による特願昭58−159652号で提案されてい
る。
主な原因は、フオトレジスト層のいわゆるプリズ
ム作用によるもので、この欠点を除去する方法と
して、透光層に覆われた物体上のパターンの凹凸
に対応してパターンの縁によるそれぞれ一方向の
みの散乱(回折)光を検出し、検出した各信号を
合成してパターン検出信号を形成する方法が本出
願人による特願昭58−159652号で提案されてい
る。
ところで、従来は、例えば検出すべきマークの
傾き方向を2種類とすれば、第5図に示すように
所定方向の4つのスリツト状透光部61a,61
b,61c,61dを設けた空間フイルタ(スト
ツパ)をマスクとウエハに対するフーリエ変換面
に配置して空間周波数フイルタリングを行ない、
該空間フイルタの各透光部61a〜61dを透過
した光すなわち散乱方向ごとの成分に分離された
光を、第6図に示すように受光面を光学的かつ電
気的に4分割した光電検知器でそれぞれ独立に検
出していた。このため、空間フイルタや光電検知
器の部品としての精度が厳密を要し、かつ取付け
の位置および角度の調整が困難であるという不都
合があつた。
傾き方向を2種類とすれば、第5図に示すように
所定方向の4つのスリツト状透光部61a,61
b,61c,61dを設けた空間フイルタ(スト
ツパ)をマスクとウエハに対するフーリエ変換面
に配置して空間周波数フイルタリングを行ない、
該空間フイルタの各透光部61a〜61dを透過
した光すなわち散乱方向ごとの成分に分離された
光を、第6図に示すように受光面を光学的かつ電
気的に4分割した光電検知器でそれぞれ独立に検
出していた。このため、空間フイルタや光電検知
器の部品としての精度が厳密を要し、かつ取付け
の位置および角度の調整が困難であるという不都
合があつた。
[発明の目的]
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、位置合せマークを光ビームの光
量を有効に利用して高精度に検出でき、かつ検出
系の部品精度が緩く、調整容易な位置合せ信号検
出装置を提供することにある。
で、その目的は、位置合せマークを光ビームの光
量を有効に利用して高精度に検出でき、かつ検出
系の部品精度が緩く、調整容易な位置合せ信号検
出装置を提供することにある。
[目的を達成するための手段]
上述の目的を達成するために、本発明の位置合
せ信号検出装置は、それぞれ傾き方向が異なる第
1及び第2マークを前記第1及び第2マークのそ
れぞれの傾きに応じて傾きが切り換えられるスリ
ツト状の光ビームで順に走査する走査手段(偏向
面回転素子、回転多面鏡)と、前記光ビームが前
記第1マークに照射されている際に前記第1マー
クで生じる散乱光を対物光学系(対物レンズ)を
介して受光することにより前記第1マークを光電
検出する第1検出手段(ストツパ、光電変換器)
と、前記光ビームが前記第2マークに照射されて
いる際に前記第2マークで生じる散乱光を前記対
物光学系を介して受光することにより前記第2マ
ークを光電検出する第2検出手段(ストツパ、光
電変換器)と、前記光ビームの傾きの切り換えに
同期して光路の切り換えを行なうことにより、前
記光ビームが前記第1マークに照射されている際
は前記対物光学系を通過した光を前記第1検出手
段に選択的に導き、前記光ビームが前記第2マー
クに照射されている際は前記対物光学系を通過し
た光を前記第2検出手段に選択的に導く光路切換
手段(偏向面回転素子)を有することを特徴とし
ている。
せ信号検出装置は、それぞれ傾き方向が異なる第
1及び第2マークを前記第1及び第2マークのそ
れぞれの傾きに応じて傾きが切り換えられるスリ
ツト状の光ビームで順に走査する走査手段(偏向
面回転素子、回転多面鏡)と、前記光ビームが前
記第1マークに照射されている際に前記第1マー
クで生じる散乱光を対物光学系(対物レンズ)を
介して受光することにより前記第1マークを光電
検出する第1検出手段(ストツパ、光電変換器)
と、前記光ビームが前記第2マークに照射されて
いる際に前記第2マークで生じる散乱光を前記対
物光学系を介して受光することにより前記第2マ
ークを光電検出する第2検出手段(ストツパ、光
電変換器)と、前記光ビームの傾きの切り換えに
同期して光路の切り換えを行なうことにより、前
記光ビームが前記第1マークに照射されている際
は前記対物光学系を通過した光を前記第1検出手
段に選択的に導き、前記光ビームが前記第2マー
クに照射されている際は前記対物光学系を通過し
た光を前記第2検出手段に選択的に導く光路切換
手段(偏向面回転素子)を有することを特徴とし
ている。
[実施例の説明]
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。
る。
第1図は位置合せ信号検出装置の光学系の構成
図を示す。同図において、1はマスク(またはレ
チクル)、2はウエハであつて、ウエハ2はウエ
ハステージ3上に載置されている。4は投影レン
ズで、内部に不図示の1/4波長板を備えている。
マスク1とウエハ2上には、第4図a,bに示す
アライメントマークM,Wが描かれており、これ
らは、投影レンズ4を介してマークMをウエハ2
上に投影し、またはマークWをマスク1上に逆投
影したとき、第4図cに示すように互いに重なり
合う状態で配置されている。5はこの装置全体の
動作を所定のシーケンスに従つて制御する制御部
である。
図を示す。同図において、1はマスク(またはレ
チクル)、2はウエハであつて、ウエハ2はウエ
ハステージ3上に載置されている。4は投影レン
ズで、内部に不図示の1/4波長板を備えている。
マスク1とウエハ2上には、第4図a,bに示す
アライメントマークM,Wが描かれており、これ
らは、投影レンズ4を介してマークMをウエハ2
上に投影し、またはマークWをマスク1上に逆投
影したとき、第4図cに示すように互いに重なり
合う状態で配置されている。5はこの装置全体の
動作を所定のシーケンスに従つて制御する制御部
である。
10はレーザ光源であり、所定の偏光例えば偏
光面が紙面に対して水平なP偏光を発生する。1
1は印加される電圧に応じて入射光の偏光面を回
転させる第1の電気光学的偏光面回転素子で、制
御部5から電圧が印加されないときはレーザ光源
10からのP偏光をそのまま出射し、一方、制御
部5から所定の電圧が印加されたときはレーザ光
源10からのP偏光の偏光面を90°回転させて偏
光面が紙面に垂直なS偏光として出射する。すな
わち、この偏光面回転素子11はある電圧(以
下、半波長電圧という)が印加された状態のみで
λ/2板として機能する。この偏光面回転素子1
1としては、例えばモトローラ社から9065の製品
名でシヤツタ用として市販されている電気光学セ
ラミツクス(PLZT)で、両面にくし形電極を有
するものを使用することができる。PLZT9065の
半波長電圧は、規格値を基に算出すると556.8
〔v〕である。
光面が紙面に対して水平なP偏光を発生する。1
1は印加される電圧に応じて入射光の偏光面を回
転させる第1の電気光学的偏光面回転素子で、制
御部5から電圧が印加されないときはレーザ光源
10からのP偏光をそのまま出射し、一方、制御
部5から所定の電圧が印加されたときはレーザ光
源10からのP偏光の偏光面を90°回転させて偏
光面が紙面に垂直なS偏光として出射する。すな
わち、この偏光面回転素子11はある電圧(以
下、半波長電圧という)が印加された状態のみで
λ/2板として機能する。この偏光面回転素子1
1としては、例えばモトローラ社から9065の製品
名でシヤツタ用として市販されている電気光学セ
ラミツクス(PLZT)で、両面にくし形電極を有
するものを使用することができる。PLZT9065の
半波長電圧は、規格値を基に算出すると556.8
〔v〕である。
この偏光面回転素子(以下、PLZTという)1
1から出射される偏光の進路に沿つて、P偏光を
透過しS偏光を反射することにより偏光を2つの
光路のいずれかに択一的に分岐する第1の偏光ビ
ームスプリツタ12、第1の偏光ビームスプリツ
タ12を透過したP偏光の光路を構成する反射ミ
ラー13および第1のシリンドリカルレンズ1
4、第1の偏光ビームスプリツタ12で反射され
たS偏光の光路を構成する反射ミラー15および
第2のシリンドリカルレンズ16、P偏光を透過
しS偏光を反射することにより上記2つの光路を
経て入射するPまたはS偏光を同一方向に出射す
る第2の偏光ビームスプリツタ17、その偏光面
回転能をPLZT11と同期して制御されることに
より入射偏光の偏光面を同一方向に一致させて出
射する第2の電気的偏光面回転素子(PLZT)1
8、結像レンズ19、ならびに回転多面鏡20が
配置されている。なお、上述において、PLZT1
8としてはPLZT11と同様の上記PLZT9065を
使用することができる。また、上記第1のシリン
ドリカルレンズ14および第2のシリンドリカル
レンズ16は、その集光能力を持つ軸が紙面に対
し45度傾くとともに互いに直交している。
1から出射される偏光の進路に沿つて、P偏光を
透過しS偏光を反射することにより偏光を2つの
光路のいずれかに択一的に分岐する第1の偏光ビ
ームスプリツタ12、第1の偏光ビームスプリツ
タ12を透過したP偏光の光路を構成する反射ミ
ラー13および第1のシリンドリカルレンズ1
4、第1の偏光ビームスプリツタ12で反射され
たS偏光の光路を構成する反射ミラー15および
第2のシリンドリカルレンズ16、P偏光を透過
しS偏光を反射することにより上記2つの光路を
経て入射するPまたはS偏光を同一方向に出射す
る第2の偏光ビームスプリツタ17、その偏光面
回転能をPLZT11と同期して制御されることに
より入射偏光の偏光面を同一方向に一致させて出
射する第2の電気的偏光面回転素子(PLZT)1
8、結像レンズ19、ならびに回転多面鏡20が
配置されている。なお、上述において、PLZT1
8としてはPLZT11と同様の上記PLZT9065を
使用することができる。また、上記第1のシリン
ドリカルレンズ14および第2のシリンドリカル
レンズ16は、その集光能力を持つ軸が紙面に対
し45度傾くとともに互いに直交している。
さらに、この回転多面鏡20により偏光走査さ
れたレーザビームLの光軸に沿つて、f−θレン
ズ21、フイールドレンズ22、およびレーザビ
ームLを2つの方向に分けかつ直交方向に反射さ
せ走査角に従つて順次に偏向するためのダハプリ
ズム23が構設されている。また、このプリズム
23の両側には対称的に2系列の光学系が設けら
れており、偏向されたレーザビームLの進行順に
沿つて、レーザビームLを偏向する反射ミラー2
4a,24b、復路の反射光を光電検出光学系に
導光するための偏光ビームスプリツタ25a,2
5b、中間レンズ26a,26b、絞り27a,
27b、対物レンズ28a,28bがそれぞれ配
置されている。
れたレーザビームLの光軸に沿つて、f−θレン
ズ21、フイールドレンズ22、およびレーザビ
ームLを2つの方向に分けかつ直交方向に反射さ
せ走査角に従つて順次に偏向するためのダハプリ
ズム23が構設されている。また、このプリズム
23の両側には対称的に2系列の光学系が設けら
れており、偏向されたレーザビームLの進行順に
沿つて、レーザビームLを偏向する反射ミラー2
4a,24b、復路の反射光を光電検出光学系に
導光するための偏光ビームスプリツタ25a,2
5b、中間レンズ26a,26b、絞り27a,
27b、対物レンズ28a,28bがそれぞれ配
置されている。
また、復路において偏光ビームスプリツタ25
a,25bにより分離される透過光の光軸上に
は、対称的にそれぞれ結像レンズ30a,30
b、PLZT11または18と同様のPLZT31
a,31b、P偏光とS偏光とを分離する偏光ビ
ームスプリツタ32a,32bが配置されてい
る。さらに、偏光ビームスプリツタ32a,32
bで分離されたP偏光の光路に沿つて、第5図に
示す透光部61aおよび61cのみが設けられて
いるストツパ33a,33b、コンデンサレンズ
34a,34b、光電変換器35a,35b、S
偏光の光路に沿つて、第5図に示す透光部61b
および61dのみが設けられているストツパ36
a,36b、コンデンサレンズ37a,37b、
光電変換器38a,38bがそれぞれ配列され、
これらにより左右対称の2系列の光電検出系が形
成されている。
a,25bにより分離される透過光の光軸上に
は、対称的にそれぞれ結像レンズ30a,30
b、PLZT11または18と同様のPLZT31
a,31b、P偏光とS偏光とを分離する偏光ビ
ームスプリツタ32a,32bが配置されてい
る。さらに、偏光ビームスプリツタ32a,32
bで分離されたP偏光の光路に沿つて、第5図に
示す透光部61aおよび61cのみが設けられて
いるストツパ33a,33b、コンデンサレンズ
34a,34b、光電変換器35a,35b、S
偏光の光路に沿つて、第5図に示す透光部61b
および61dのみが設けられているストツパ36
a,36b、コンデンサレンズ37a,37b、
光電変換器38a,38bがそれぞれ配列され、
これらにより左右対称の2系列の光電検出系が形
成されている。
第1図における制御部5は、光電変換器35
a,35b,38a,38bで得られた出力信号
を基に走査面上でレーザビームLの傾き制御を行
なうもので、第2図に示すように、波形整形回路
51、計数回路52、時限回路53、演算回路5
4、制御回路55および駆動回路56を具備して
いる。光電変換器35a,35b,38a,38
bの出力は波形整形回路51および計数回路52
を経て制御回路55に接続されている。制御回路
55には時限回路53の出力も接続されており、
制御回路55の出力は駆動回路56を経由して
PLZT11,18および31a,31bに接続さ
れている。また、演算回路54には波形整形回路
51で得られたパルス信号が出力され、演算回路
54において整合状態が演算される。
a,35b,38a,38bで得られた出力信号
を基に走査面上でレーザビームLの傾き制御を行
なうもので、第2図に示すように、波形整形回路
51、計数回路52、時限回路53、演算回路5
4、制御回路55および駆動回路56を具備して
いる。光電変換器35a,35b,38a,38
bの出力は波形整形回路51および計数回路52
を経て制御回路55に接続されている。制御回路
55には時限回路53の出力も接続されており、
制御回路55の出力は駆動回路56を経由して
PLZT11,18および31a,31bに接続さ
れている。また、演算回路54には波形整形回路
51で得られたパルス信号が出力され、演算回路
54において整合状態が演算される。
本発明の実施例は上述の構成を有するので、
PLZT11,18および31a,31bに電圧が
印加されていなければ、レーザ光源10から出射
したP偏光L0は、PLZT11で偏光面を回転され
ることなくそのままP偏光として出射され、偏光
ビームスプリツタ12を透過し、反射ミラー13
で図上左向きに折り曲げられ、第1のシリンドリ
カルレンズ14によりスリツト状のビームL1と
され、第2の偏光ビームスプリツタ15に入射し
てここを透過し、さらにPLZT18および結像レ
ンズ19を経て多面鏡20の振れ原点Bに入射す
る。一方、PLZT11,18および31a,31
bに電圧が印加されていれば、レーザ光源10か
ら出射したP偏光L0は、PLZT11で偏光面を
90°回転されてS偏光となるため偏光ビームスプ
リツタ12で反射され、さらに反射ミラー15で
図上下向きに折り曲げられる。反射ミラー15で
反射されたS偏光のレーザビームは、第2のシリ
ンドリカルレンズ16により、ビームL1と互い
に直交する方向のスリツト状ビームL2となり、
第2の偏光ビームスプリツタ17に入射し、ここ
でビームL1と同一の光軸上を同一方向に反射さ
れるが、今度はPLZT18に電圧が印加されてい
るのでこのPLZT18により偏光面90°回転され
てP偏光とされた後、ビームL1と同様、結像レ
ンズ19を経て多面鏡20の振れ原点Bに入射す
る。
PLZT11,18および31a,31bに電圧が
印加されていなければ、レーザ光源10から出射
したP偏光L0は、PLZT11で偏光面を回転され
ることなくそのままP偏光として出射され、偏光
ビームスプリツタ12を透過し、反射ミラー13
で図上左向きに折り曲げられ、第1のシリンドリ
カルレンズ14によりスリツト状のビームL1と
され、第2の偏光ビームスプリツタ15に入射し
てここを透過し、さらにPLZT18および結像レ
ンズ19を経て多面鏡20の振れ原点Bに入射す
る。一方、PLZT11,18および31a,31
bに電圧が印加されていれば、レーザ光源10か
ら出射したP偏光L0は、PLZT11で偏光面を
90°回転されてS偏光となるため偏光ビームスプ
リツタ12で反射され、さらに反射ミラー15で
図上下向きに折り曲げられる。反射ミラー15で
反射されたS偏光のレーザビームは、第2のシリ
ンドリカルレンズ16により、ビームL1と互い
に直交する方向のスリツト状ビームL2となり、
第2の偏光ビームスプリツタ17に入射し、ここ
でビームL1と同一の光軸上を同一方向に反射さ
れるが、今度はPLZT18に電圧が印加されてい
るのでこのPLZT18により偏光面90°回転され
てP偏光とされた後、ビームL1と同様、結像レ
ンズ19を経て多面鏡20の振れ原点Bに入射す
る。
PLZT11,18および31a,31bに電圧
が印加されていないとき回転多面鏡20により偏
向走査されたレーザビームLすなわちL1は、レ
ンズ21,22を通過した後にプリズム23の端
面23aに入射し、ここで左方向に偏向され、さ
らに反射ミラー24aにより下方向に偏向され
る。そして、全光量が偏光ビームスプリツタ25
aを透過し、中間レンズ26a、絞り27aおよ
び対物レンズ28aを介してマスク1上の一点に
結像し、さらに投影レンズ4によつて再びウエハ
2上の一点に結像する。ここで、マスク1上に結
像するビームは直線偏光(P偏光)であるが、ウ
エハ2上に結像するビームは投影レンズ4内の1/
4波長板を通過する際、円偏光に変換されている。
が印加されていないとき回転多面鏡20により偏
向走査されたレーザビームLすなわちL1は、レ
ンズ21,22を通過した後にプリズム23の端
面23aに入射し、ここで左方向に偏向され、さ
らに反射ミラー24aにより下方向に偏向され
る。そして、全光量が偏光ビームスプリツタ25
aを透過し、中間レンズ26a、絞り27aおよ
び対物レンズ28aを介してマスク1上の一点に
結像し、さらに投影レンズ4によつて再びウエハ
2上の一点に結像する。ここで、マスク1上に結
像するビームは直線偏光(P偏光)であるが、ウ
エハ2上に結像するビームは投影レンズ4内の1/
4波長板を通過する際、円偏光に変換されている。
マスク1およびウエハ2上に結像したこれらの
ビームは、第3図aに示すlのように、アライメ
ントマークM1,W1,M2と平行なスリツト光
としてマスク1およびウエハ2の面上の第1のア
ライメントマーク群を照射することになる。
ビームは、第3図aに示すlのように、アライメ
ントマークM1,W1,M2と平行なスリツト光
としてマスク1およびウエハ2の面上の第1のア
ライメントマーク群を照射することになる。
この状態においてスリツト光lが走査線Aに沿
つて右方向に走査されると、先ず、アライメント
マークM1,W1,M2に対応する位置で散乱が
生じ、光電変換器35aの出力として第3図bに
示す出力信号S1,S2,S3が得られる。この
場合、出力信号S2は、ウエハ2上に結像したス
リツト光(円偏光)lのマークW1における散乱
反射光が、第1図の投影レンズ4内の1/4波長板
を通過する際、直線偏光(S偏光)に変換され、
対物レンズ28a、絞り27a、中間レンズ26
aの復路を戻り、偏光ビームスプリツタ25aで
反射され、さらに結像レンズ30a、PLZT31
aを経て、偏光ビームスプリツタ32aで反射
し、さらにストツパ33a、コンデンサレンズ3
4aを経由して光電変換器35aに入射すること
により得られる。一方、出力信号S1,S3は、
マスク1上に結像したスリツト光(直線偏光)l
のマークM1,M2における散乱回折光が、第1
図の投影レンズ4内に入り、円偏光に変換されて
ウエハ2面上に結像され、ここで反射されて上述
のマークWの散乱光と同じ復路を辿ることにより
得られる。なお、マスク1上に結像したスリツト
光(直線偏光)lのアライメントマークM1,M
2における散乱光の成分には、上記の散乱回折光
の他に、マスク1上から対物レンズ28aないし
偏光ビームスプリツタ25a方面に戻る直線反射
光MDがあるが、この直接反射光MDは、偏光方
向が入射したときと同じ状態のまま偏光ビームス
プリツタ25aに入射するため、ここを透過して
光電検出系には侵入しない。
つて右方向に走査されると、先ず、アライメント
マークM1,W1,M2に対応する位置で散乱が
生じ、光電変換器35aの出力として第3図bに
示す出力信号S1,S2,S3が得られる。この
場合、出力信号S2は、ウエハ2上に結像したス
リツト光(円偏光)lのマークW1における散乱
反射光が、第1図の投影レンズ4内の1/4波長板
を通過する際、直線偏光(S偏光)に変換され、
対物レンズ28a、絞り27a、中間レンズ26
aの復路を戻り、偏光ビームスプリツタ25aで
反射され、さらに結像レンズ30a、PLZT31
aを経て、偏光ビームスプリツタ32aで反射
し、さらにストツパ33a、コンデンサレンズ3
4aを経由して光電変換器35aに入射すること
により得られる。一方、出力信号S1,S3は、
マスク1上に結像したスリツト光(直線偏光)l
のマークM1,M2における散乱回折光が、第1
図の投影レンズ4内に入り、円偏光に変換されて
ウエハ2面上に結像され、ここで反射されて上述
のマークWの散乱光と同じ復路を辿ることにより
得られる。なお、マスク1上に結像したスリツト
光(直線偏光)lのアライメントマークM1,M
2における散乱光の成分には、上記の散乱回折光
の他に、マスク1上から対物レンズ28aないし
偏光ビームスプリツタ25a方面に戻る直線反射
光MDがあるが、この直接反射光MDは、偏光方
向が入射したときと同じ状態のまま偏光ビームス
プリツタ25aに入射するため、ここを透過して
光電検出系には侵入しない。
上述において、スリツト光lは、アライメント
マークM1,W1,M2にほぼ重なることにより
検出するので、従来の単なるスポツト光よりもそ
の検出感度は高く検出精度は良好となる。また、
マスク1の平滑面を透過し、さらにウエハ2の平
滑面で反射された非散乱光はストツパ33aの中
央部に結像し、ここで遮光され光電変換器35a
に到達することはない。
マークM1,W1,M2にほぼ重なることにより
検出するので、従来の単なるスポツト光よりもそ
の検出感度は高く検出精度は良好となる。また、
マスク1の平滑面を透過し、さらにウエハ2の平
滑面で反射された非散乱光はストツパ33aの中
央部に結像し、ここで遮光され光電変換器35a
に到達することはない。
これらの光電変換器35aの出力信号S1,S
2,S3は、それぞれ波形整形回路51に入力
し、ここで一定レベルでカツトされたクロスポイ
ント位置をパルス幅として、第3図cに示すよう
に矩形波状パルスP1,P2,P3に整形され
る。このパルスP1,P2,P3による出力は、
計数回路52および演算回路54に送信され、計
数回路52では所定数のパルスすなわち3個のパ
ルスを計数すると制御回路55に信号を送信す
る。また、この制御回路55へ時限回路53から
第3図dに示す予め設定された時間における時間
幅Hの出力Tが送信される。制御回路55は第3
番目のパルスP3が所定の時間H内にあることを
確認すると、駆動回路56に傾き切換信号を発し
てPLZT11,18および31a,31bに半波
長電圧を印加させる。これにより、PLZT11
は、レーザ光源10からのP偏光の偏光面を90°
回転してS偏光として出射し、偏光ビームスプリ
ツタ12は、このS偏光を反射することによりレ
ーザビームの光路を切換え、反射ミラー15を介
して第2のシリンドリカルレンズ16に出射す
る。第2のシリンドリカルレンズ16は、第1の
シリンドリカルレンズ14に対して所定の角度で
配置されているので、マスク1およびウエハ2で
のスリツト光の傾きは変り、マスク1およびウエ
ハ2の面上では第3図aのl′に示すようにアライ
メントマークM3,W2,M4と平行な傾き方向
に切換えられる。また、PLZT18にも半波長電
圧が印加され、第2のシリンドリカルレンズ16
を経たS偏光は、PLZT18でP偏光に変換さ
れ、レーザビームLの偏光方向は、その傾き角に
よらず偏光方向は一定である。
2,S3は、それぞれ波形整形回路51に入力
し、ここで一定レベルでカツトされたクロスポイ
ント位置をパルス幅として、第3図cに示すよう
に矩形波状パルスP1,P2,P3に整形され
る。このパルスP1,P2,P3による出力は、
計数回路52および演算回路54に送信され、計
数回路52では所定数のパルスすなわち3個のパ
ルスを計数すると制御回路55に信号を送信す
る。また、この制御回路55へ時限回路53から
第3図dに示す予め設定された時間における時間
幅Hの出力Tが送信される。制御回路55は第3
番目のパルスP3が所定の時間H内にあることを
確認すると、駆動回路56に傾き切換信号を発し
てPLZT11,18および31a,31bに半波
長電圧を印加させる。これにより、PLZT11
は、レーザ光源10からのP偏光の偏光面を90°
回転してS偏光として出射し、偏光ビームスプリ
ツタ12は、このS偏光を反射することによりレ
ーザビームの光路を切換え、反射ミラー15を介
して第2のシリンドリカルレンズ16に出射す
る。第2のシリンドリカルレンズ16は、第1の
シリンドリカルレンズ14に対して所定の角度で
配置されているので、マスク1およびウエハ2で
のスリツト光の傾きは変り、マスク1およびウエ
ハ2の面上では第3図aのl′に示すようにアライ
メントマークM3,W2,M4と平行な傾き方向
に切換えられる。また、PLZT18にも半波長電
圧が印加され、第2のシリンドリカルレンズ16
を経たS偏光は、PLZT18でP偏光に変換さ
れ、レーザビームLの偏光方向は、その傾き角に
よらず偏光方向は一定である。
アライメントマークM3,W2,M4はこの傾
き切換後のスリツト光l′で走査される。このスリ
ツト光l′によるウエハ2からの反射光は、上述と
同様に投影レンズ4ないし結像レンズ30aの復
路を通り、S偏光としてPLZT31aに入射する
が、今度はPLZT31aに半波長電圧が印加され
ているため、ここで、P偏光に変換される。従つ
て、上記反射光は、偏光ビームスプリツタ32a
を透過し、ストツパ36aおよびコンデンサレン
ズ37aを経て光電変換器38aに入射する。こ
れにより、光電変換器38aからは第3図bに示
す出力信号S4,S5,S6が得られ、波形整形
回路51により第3図cに示すパルスP4,P
5,P6が求められ、第1のアライメントマーク
群の検出が終了する。そして、演算回路54にお
いて先に検出したパルスP1,P2,P3ととも
に必要に応じて演算処理される。
き切換後のスリツト光l′で走査される。このスリ
ツト光l′によるウエハ2からの反射光は、上述と
同様に投影レンズ4ないし結像レンズ30aの復
路を通り、S偏光としてPLZT31aに入射する
が、今度はPLZT31aに半波長電圧が印加され
ているため、ここで、P偏光に変換される。従つ
て、上記反射光は、偏光ビームスプリツタ32a
を透過し、ストツパ36aおよびコンデンサレン
ズ37aを経て光電変換器38aに入射する。こ
れにより、光電変換器38aからは第3図bに示
す出力信号S4,S5,S6が得られ、波形整形
回路51により第3図cに示すパルスP4,P
5,P6が求められ、第1のアライメントマーク
群の検出が終了する。そして、演算回路54にお
いて先に検出したパルスP1,P2,P3ととも
に必要に応じて演算処理される。
一方、出力Tが送信されている状態において、
例えば第3番目のパルスP3が検出されなかつた
場合、すなわちアライメントマークM2が欠落し
たときには第3番目のパルスP3が得られるべき
時間Hの経過後に、制御回路55は傾き切換信号
を駆動回路56に発し、走査スリツト光の傾きを
切換えて前述と同様の検出を行なう。この場合、
パルスP3は欠落しているので、整形回路51か
ら演算回路54に送信されるパルスは第3図eに
示すようになる。
例えば第3番目のパルスP3が検出されなかつた
場合、すなわちアライメントマークM2が欠落し
たときには第3番目のパルスP3が得られるべき
時間Hの経過後に、制御回路55は傾き切換信号
を駆動回路56に発し、走査スリツト光の傾きを
切換えて前述と同様の検出を行なう。この場合、
パルスP3は欠落しているので、整形回路51か
ら演算回路54に送信されるパルスは第3図eに
示すようになる。
レーザビームLがさらに偏向走査されて、プリ
ズム23の側面23bに達すると、今度はビーム
Lがプリズム23により右側に偏向され、中間レ
ンズ26b、絞り27b、対物レンズ28bを経
てマスク1およびウエハ2の面上の第2のアライ
メントマーク群を先の説明と同様に検出すること
になる。
ズム23の側面23bに達すると、今度はビーム
Lがプリズム23により右側に偏向され、中間レ
ンズ26b、絞り27b、対物レンズ28bを経
てマスク1およびウエハ2の面上の第2のアライ
メントマーク群を先の説明と同様に検出すること
になる。
なお、アライメントマーク検出に先立つてマー
ク位置を模索する際は、一方のスリツト光例えば
L1だけで走査すればよい。
ク位置を模索する際は、一方のスリツト光例えば
L1だけで走査すればよい。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、位置合
せマークの傾き方向に応じてスリツト状の光ビー
ムの傾きを切り換えると共に、光ビームの傾きの
切り換えに同期して対物光学系からの光路を切り
換え、マークに対応する所望の散乱光のみを光電
検出できるので、光ビームの光量を有効に利用し
たS/N比の高いマーク検出を可能にすると共
に、従来の1つの空間フイルタにより全散乱光成
分からそれぞれ所望の一方向の散乱光成分を分離
する場合に比べて空間フイルタのスリツト数が少
なくて足り、かつ部品精度や調整精度も緩くてよ
い。また、分離された散乱光成分の光量を検出す
る光電検知器も受光面を分割するような特殊かつ
寸法精度の厳しいものは必要でない。さらに、
S/N比の向上を図る等の目的で各マークごとに
複数方向の散乱光成分を合成して検出する場合、
従来例においては空間フイルタで各一方向の散乱
光成分を分離した後、電気回路で合成している
が、本発明によれば、空間的に各方向の成分に分
離する前に位置合せマークの傾き方向に応じて分
割しているため、空間フイルタに透光部を適当個
数設けるという簡便な構成により、光電検知器か
ら直接上記散乱の合成出力を得ることができる。
せマークの傾き方向に応じてスリツト状の光ビー
ムの傾きを切り換えると共に、光ビームの傾きの
切り換えに同期して対物光学系からの光路を切り
換え、マークに対応する所望の散乱光のみを光電
検出できるので、光ビームの光量を有効に利用し
たS/N比の高いマーク検出を可能にすると共
に、従来の1つの空間フイルタにより全散乱光成
分からそれぞれ所望の一方向の散乱光成分を分離
する場合に比べて空間フイルタのスリツト数が少
なくて足り、かつ部品精度や調整精度も緩くてよ
い。また、分離された散乱光成分の光量を検出す
る光電検知器も受光面を分割するような特殊かつ
寸法精度の厳しいものは必要でない。さらに、
S/N比の向上を図る等の目的で各マークごとに
複数方向の散乱光成分を合成して検出する場合、
従来例においては空間フイルタで各一方向の散乱
光成分を分離した後、電気回路で合成している
が、本発明によれば、空間的に各方向の成分に分
離する前に位置合せマークの傾き方向に応じて分
割しているため、空間フイルタに透光部を適当個
数設けるという簡便な構成により、光電検知器か
ら直接上記散乱の合成出力を得ることができる。
[発明の適用例]
なお、本発明は上述の実施例に限定されること
なく適宜変形して実施することができる。例え
ば、上述の実施例においては、本発明を縮小投影
露光装置に適用した例について説明したが、本発
明はミラープロジエクシヨン方式のような等倍系
の露光装置に適用できるのは勿論である。また、
プロキシミテイ方式やコンタクト方式のマスクア
ライナのようなマスクとウエハとの間に投影光学
系が介在しない投影方式の露光装置であつても適
用可能である。また、上述においては、マスク1
上のアライメントマークM1,M3からの回折光
信号S1,S3もウエハ2からの反射光MWによ
り検出している。しかし、この信号S1,S3と
してはマスク1からの直接反射光MDを検出する
方がS/N比は良い。この直接反射光MDは、第
1図に示すように反射率の低いハーフミラー41
a,41b、偏光ビームスプリツタ42a,42
b、結像レンズ43a,43b、部分遮光板44
a,44b、コンデンサレンズ45a,45bお
よび光電変換器46a,46bを配置することに
よりレーザ出力の利用効率を余り低下させること
なく検出することができる。さらに、上述におい
ては、光路切換手段として、偏光面回転素子と偏
光ビームスプリツタとを組合せて用いているが、
音響光学素子あるいはこれにプリズムを組合せて
用いてもよい。
なく適宜変形して実施することができる。例え
ば、上述の実施例においては、本発明を縮小投影
露光装置に適用した例について説明したが、本発
明はミラープロジエクシヨン方式のような等倍系
の露光装置に適用できるのは勿論である。また、
プロキシミテイ方式やコンタクト方式のマスクア
ライナのようなマスクとウエハとの間に投影光学
系が介在しない投影方式の露光装置であつても適
用可能である。また、上述においては、マスク1
上のアライメントマークM1,M3からの回折光
信号S1,S3もウエハ2からの反射光MWによ
り検出している。しかし、この信号S1,S3と
してはマスク1からの直接反射光MDを検出する
方がS/N比は良い。この直接反射光MDは、第
1図に示すように反射率の低いハーフミラー41
a,41b、偏光ビームスプリツタ42a,42
b、結像レンズ43a,43b、部分遮光板44
a,44b、コンデンサレンズ45a,45bお
よび光電変換器46a,46bを配置することに
よりレーザ出力の利用効率を余り低下させること
なく検出することができる。さらに、上述におい
ては、光路切換手段として、偏光面回転素子と偏
光ビームスプリツタとを組合せて用いているが、
音響光学素子あるいはこれにプリズムを組合せて
用いてもよい。
さらに、本発明は、マスクアライナ以外の対象
物例えば印刷用原版等の位置合せにも適用可能で
ある。
物例えば印刷用原版等の位置合せにも適用可能で
ある。
第1図は本発明の一実施例に係る位置合せ信号
検出装置の光学系構成図、第2図は第1図の装置
の制御系のブロツク回路図、第3図は作動状態の
説明図、第4図は従来のアライメントマークの検
出方法の説明図、第5図は従来の空間フイルタの
平面図、第6図は従来の光電検知器の平面図であ
る。 1:マスク、2:ウエハ、5:制御部、10:
レーザ光源、11,18,31a,31b:偏光
面回転素子、12,17,25a,25b,32
a,32b:偏光ビームスプリツタ、14,1
6:シリンドリカルレンズ、20:回転多面鏡、
28a,28b:対物レンズ、35a,35b,
38a,38b:光電変換器。
検出装置の光学系構成図、第2図は第1図の装置
の制御系のブロツク回路図、第3図は作動状態の
説明図、第4図は従来のアライメントマークの検
出方法の説明図、第5図は従来の空間フイルタの
平面図、第6図は従来の光電検知器の平面図であ
る。 1:マスク、2:ウエハ、5:制御部、10:
レーザ光源、11,18,31a,31b:偏光
面回転素子、12,17,25a,25b,32
a,32b:偏光ビームスプリツタ、14,1
6:シリンドリカルレンズ、20:回転多面鏡、
28a,28b:対物レンズ、35a,35b,
38a,38b:光電変換器。
Claims (1)
- 1 それぞれ傾き方向が異なる第1及び第2マー
クを前記第1及び第2マークのそれぞれの傾きに
応じて傾きが切り換えられるスリツト状の光ビー
ムで順に走査する走査手段と、前記光ビームが前
記第マークに照射されている際に前記第1マーク
で生じる散乱光を対物光学系を介して受光するこ
とにより前記第1マークを光電検出する第1検出
手段と、前記光ビームが前記第2マークに照射さ
れている際に前記第2マークで生じる散乱光を前
記対物光学系を介して受光することにより前記第
2マークを光電検出する第2検出手段と、前記光
ビームの傾きの切り換えに同期して光路の切り換
えを行なうことにより、前記光ビームが前記第1
マークに照射されている際は前記対物光学系を通
過した光を前記第1検出手段に選択的に導き、前
記光ビームが前記第2マークに照射されている際
は前記対物光学系を通過した光を前記第2検出手
段に選択的に導く光路切換手段を有することを特
徴とする位置合せ信号検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255589A JPS61134022A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
| US07/319,820 US4937459A (en) | 1984-11-16 | 1989-03-06 | Alignment signal detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59255589A JPS61134022A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134022A JPS61134022A (ja) | 1986-06-21 |
| JPH0479129B2 true JPH0479129B2 (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=17280821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59255589A Granted JPS61134022A (ja) | 1984-11-16 | 1984-12-05 | 位置合せ信号検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134022A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101486589B1 (ko) | 2006-04-17 | 2015-01-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| WO2008007632A1 (en) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Nikon Corporation | Illuminating optical apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP59255589A patent/JPS61134022A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61134022A (ja) | 1986-06-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |