JPS61120419A - 位置合せ信号検出装置 - Google Patents

位置合せ信号検出装置

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JPS61120419A
JPS61120419A JP59240421A JP24042184A JPS61120419A JP S61120419 A JPS61120419 A JP S61120419A JP 59240421 A JP59240421 A JP 59240421A JP 24042184 A JP24042184 A JP 24042184A JP S61120419 A JPS61120419 A JP S61120419A
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JP
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polarized light
slit
light
alignment
polarization plane
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JP59240421A
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Hideki Ine
秀樹 稲
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    • GPHYSICS
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70216Mask projection systems
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    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野コ 本発明は、例えば半導体焼付装置におけるマスクとウェ
ハのような2物体を整合するために用いられる位置合せ
信号検出装置に関する。
[発明の背景1 半導体焼付装置等に用いられる位置合せ装置においては
、走査面上にアライメントマークを有するマスクとウェ
ハとを重ねて配置し、これらのアライメントマークをレ
ーザビームにより走査し、各マークの位置を検出するこ
とによってマスクとウェハとの位置関係を検出している
この場合、マスクのアライメントマークMは、第4図(
a)に示すように走査線A上で平行な関係にある第1.
第2の7ライメントマ一クMl。
第2と、これらのマークMl 、第2と走査線Aに対し
逆向きに傾けられ、かつ相互に平行な第3゜第4のマー
クM3 、M4とを、走査線Aに対しそれぞれ角度θと
して配置した構成である。また、ウェハのアライメント
マークWは、同図(b)に示すように第1.第2の7ラ
イメントマークW1 。
W2を互いに逆向きに傾けると共に、走査線Aに対゛し
それぞれ角度θとした構成であって、アライメントマー
クMとWとを同図(C)に示すように重ね合せてマスク
とウェハとの相対的な位置合せを行なうわけである。
この状態において、光走査機構を用いてレーザビームで
7ライメントマ一クM、W上を走査線Aに沿って走査す
ると、レーザビームは各マークM。
Wにより散乱され、受光部ではその散乱光に基づいて第
4図(d)に示すような各アライメントマークM1 、
Wl 、第2 、M3 、W2 、M4の位置に相当す
る走査位置にパルス信号が得られる。このパルス信号を
コンパレータにより適当なスレッシホールド電圧でスラ
イスし、同図(e)に示すような矩形波形のパルス列を
求め、このパルス列の時間的な間隔からアライメントマ
ークM、W同志の位置関係を算出して各マークM、Wの
相対的な偏位量を判定し、駆動系による位置合せ、すな
わち整合・を行なうのである。
従来、このレーザビームの走査は、特開昭53−908
72号に記載されているように、スポット光で行なって
いた。しかし、塵埃や、アライメントマークM、Wを形
成するアルミニウムの粒子が走査線上に点在したり、ア
ライメントマークM、Wの一部が欠落している場合等に
、整合の失敗あるいは整合精度の低下等を招来するとい
う欠点を有していた。
このようなスポット光走査による欠点を解消するものと
して、スリット状のビームを用いそのスリットの向きを
アライメントマークM、Wの傾き方向に合せて走査の途
中で切換えるもの(特開昭59−63504号、以下へ
の学力式という)や、アライメントマークM、Wの各傾
きに合致する複数のスリット状のビームを例えば偏光方
向が異なるなど相互に分離可能な光で形成しこれら複数
方向のスリット状ビームを重ね合せて同時に照射するも
の(特開昭59−99721号、以下りOスピーム方式
という)も知られている。
しかし、ハの学力式のものは、各傾き方向のスリット状
光を作成するため、1回の光走査中に複数回という比較
的高速でレーザビームの光路切換を行なっており、この
ための切換素子として用いていた音響光学素子(AO素
子)が高価で装置のコストアップ要因となるという不都
合があった。
また、AO素子は光透過率が80%程度でレーザ出力の
利用効率が悪(、レーザ出力が同一であれば、検出信号
のS/N比が低下し、位置検出精度の低下や誤動作の可
能性が高くなるという不都合もあった。
一方、クロスビーム方式のものは、同時に2方向のスリ
ット状ビームを出力しているにもかかわらず、1つの位
置合せマークの検出に寄与するのは1方向分のビームだ
けであり、レーザ出力の1/2シか計測に使えない。す
なわち、レーザ出力の利用効率は50%以下であり、上
述と同様に、検出信号のS/N比が低下するという不都
合があった。また、マークを高精度で検出するためには
、マークの傾き方向と同一方向のビームによる散乱光の
みを検出する必要があるが、このためのディテクタは、
構造が複雑で調整も手間が掛り、装置のコストアップ要
因となるという不都合があった。
[発明の目的] 本発明は、上述の従来形における問題点に鑑みてなされ
たもので、位置合せマークによる物体の位置合せを高精
度にかつ能率良(検出するとともに、より安価な位置合
せ信号検出装置を提供することにある。
[発明の概要] 上記目的を達成するため本発明では、レーザ等の偏光発
生手段から出射される偏光を、電気的偏光面回転素子を
透過させてその偏光方向を切換制御し、第1の偏光ビー
ムスプリッタにより偏光方向に応じて別々の光路に導き
、それぞれの光路で各位置合せマークの傾き方向の各一
方に相当するスリット状ビームに加工し、これらの傾き
方向の異なるスリット状ビームの出射方向を第2の偏光
ビームスプリッタによって再び一致させて位置合せマー
ク上を走査するようにしている。
し実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は位置合せ信号検出装置の光学系の構成図を示し
、1はマスク、2はウェハであって、ウェハ2はウェハ
ステージ3上に載置されている。
このマスク1とウェハ2上には、第4図(a)。
(b)に示すアライメントマークM、Wが描かれ、これ
らは第4図(C)に示すように重ね合わされている。4
はこの装置全体の動作を所定のシーケンスに従って制御
する制御部である。
10はレーザ光源であり、偏光面が紙面に対して平行な
P偏光を発生する。11は印加される電圧に応じて入射
光の偏光方向を回転させる電気光学的偏光面回転素子で
、制御部4から電圧が印加されないときはレーザ光源1
0からのP偏光をそのまま出射し、一方、制御部4から
所定の電圧が印加されたときはレーザ光源10からのP
偏光の偏光面を90°回転させて偏光面が紙面に垂直な
S偏光として出射する。すなわち、この偏光面回転素子
11はある電圧(g、下、半波長電圧という)が印加さ
れた状態ではλ/2板として機能する。この偏光面回転
素子11としては、例えばモトローラ社から9065の
製品名でシャッタ用として市販されている電気光学セラ
ミックス(PLZT)で、両面にくし形電極を有するも
のを使用することができる。
PLZT9065の半波長電圧は、規格値を基に算出す
ると556.8 (V)である。
この偏光面回転素子(以下、PLZTという)11から
出射されるP−先の進路に沿って、P偏光を透過しS偏
光を反射する第1の偏光ビームスプリッタ12、反射ミ
ラー13、紙面に対し45度傾いた軸を持つ第1のシリ
ンドリカルレンズ14、P偏光を透過しS偏光を反射す
る第2の偏光ビームスプリッタ15、結像レンズ16、
回転多面鏡17が配置されている。また、PLZTll
で偏光面を回転され、S偏光として出射された光は、第
1の偏光ビームスプリッタ12で反射され、反射ミラー
18、先の第1のシリンドリカルレンズ14の軸とその
集光能力を持つ軸が直交する第2のシリンドリカルレン
ズ19を経た後、第2の偏光ビームスプリッタ15で反
射され、上記P偏光と同一光軸で回転多面!i17に入
射するようになっている。
さらに、この回転多面1t17により偏向走査されたレ
ーザビームLの光軸に沿って、中間レンズ21゜22お
よび直角の二方向に走査角に従って順次にレーザビーム
Lを偏向するためのプリズム23が構設されている。ま
た、このプリズム23の両側には対称的に2系列の光学
系が設けられており、偏向されたレーザビームLの進行
順に沿って、レーザビームLを偏向すると共に復路の反
射光を光電検出光学系に導光するためのハーフミラ−2
4a 、 24b 1中[L/ンズ25a 、 25b
 1絞り26a 、 26b、対物レンズ27a 、 
27bがそれぞれ配置されている。また、復路において
ハーフミラ−24a 、 24bにより分離される透過
光の光軸上には、対称的にそれぞれ反射ミラー29a 
、 29b 、結像レンズ30a 、 30b 、中央
部のみを遮光部とした部分遮光板31a 、 316 
コンデンサレンズ32a 、 32b 1光電変換器3
3a。
33bがそれぞれ配列され、これらにより左右対称の2
系列の光電検出系が形成されている。
第1因における制御部4は、光電変換器33a。
33bで得られた出力信号を基に走査面上でレーザビー
ムLの傾き制御を行なうもので、第2図に示すように、
波形整形回路41、計数回路42、時限回路43、演算
回路44、制御回路45および駆動回路46を具備して
いる。光電変換器33a 、 33bの出力は波形整形
回路41および計数回路42を経て制御回路45に接続
されている。制御回路には時限回路43の出力も接続さ
れており、制御回路45の出力は駆動回路46を経由し
て偏光面回転素子11に接続されている。また、演算回
路44には波形整形回路41で得られたパルス信号が出
力され、演算回路44において整合状態が演算される。
本発明の実施例は上述の構成を有するので、PLZTI
Iに電圧が印加されていなければ、レーザ光1ioから
出射したP偏光Loは、PLZTIIで偏光面を回転さ
れることなくそのままP偏光として出射され、偏光ビー
ムスプリッタ12を透過し、反射ミラー13で図上左向
きに折り曲げられ、!!1のシリンドリカルレンズ14
によりスリット状のビームL1とされ、第2の偏光ビー
ムスプリッタ15に入射しここを透過して回転多面鏡1
7の振れ原点Bに入射する。一方、PLZTllに電圧
が印加されていれば、レーザ光源10がら出射したP偏
光Lot、t、P L Z T 11−t’偏光面! 
9G”回転サレrs偏光となるため偏光ビームスプリッ
タ12で反射され、ざらに反射ミラー18で図上下向き
に折り曲げられる。反射ミラー18で反射されたS偏光
のレーザビームは、第2のシリンドリカルレンズ19に
より、ビームL1と互いに直交する方向のスリット状ビ
ームL2となり、第2の偏光ビームスプリッタ15に入
射し、ここでビームL1と同一の光軸上を同一方向に反
射され、ビームL1と同様、回転多面鏡17の撮れ原点
Bに入射する。
回転多面#1117により偏光走査されたレーザビーム
L1は、中間レンズ21.22を通過した後にプリズム
23の端面23aに入射し、ここで左方向に偏向され、
さらにハーフミラ−24aによりさらに下方向に偏向さ
れる。そして、中間レンズ25a1絞り26a1対物レ
ンズ27aを介してマスク1およびウェハ2の面上に結
像する。マスク1およウェハ2に結像したこのビームは
、第3図(a)に示すJのように、アライメントマーク
M1 、 Wl 、 第2と平行なスリット光として、
マスク113よびウェハ2の面上の第1の7ライメント
マ一ク群を照射することになる。
この状態においてスリット光Jが走査mAに沿って右方
向に走査されると、先ずアライメントマークM1 、W
l 、第2に対応する位置で散乱が生ずる。第3図(b
)に示す出力信号S1 、82 。
S3は、スリット光JのアライメントマークM1゜Wl
 、第2における散乱反射光が、第1図の対物レンズ2
7a1絞り26a、中間レンズ25aの復路を戻り、ハ
ーフミラ−24aを透過し、反射ミラー29aで反射し
、ざらに結像レンズ3081部分遮光板31a、コンデ
ンサレンズ32aを経由して光電変換器33aに入射す
ることにより得られる。この場合、スリット光Jは、ア
ライメントマークMl。
Wl 、第2にほぼ重なることにより検出するので、従
来の単なるスポット光よりもその検出感度は高(検出精
度は良好となる。なお、マスク1またはウェハ2の平滑
面で反射された非散乱光は部分遮光板31aの中央部に
結像し、ここで遮光され光電変換器33aに到達するこ
とはない。
これらの光電変換器33aの出力信号S1 、 S2 
$3は、それぞれ波形整形回路41に入力し、ここで一
定レベルでカットされたクロスポイント位置をパルス幅
として、第3図(C)に示すように矩形波状パルスP1
 、P2 、P3に整形される。このパルスPi 、P
2 、P3による出力は、計数回路42および演算回路
44に送信され、計数回路42では所定数のパルスすな
わち3個のパルスを計数すると制御回路45に信号を送
信する。また、この制卸回路45へは時限回路43から
第3図(d)に示す予め設定された時間における時間幅
Hの出力下が送信される。制御回路45は第3番目のパ
ルスP3が所定の時間H内にあることを確認すると、駆
動回路46に傾き切換信号を発してPLZTIIに半波
長電圧を印加させる。これにより、PLZTllは、レ
ーザ光源10からのP偏光の偏光面を90°回転してS
偏光として出射し、偏光ビームスプリッタ12は、この
S偏光を反射することによりレーザビームの光路を切換
え、反射ミラー18を介して第2のシリンドリカルレン
ズ19に出射する。第2のシリ。
ンドリカルレンズ19は、第1のシリンドリカルレンズ
14に対して所定の角度で配置されているので、マスク
1およびウェハ2でのスリット光の傾きは変り、マスク
113よびウェハ2の面上では第3図(a)のJ′に示
すようにアライメントマークM3 、W2 、M4と平
行な傾き方向に切換えられる。
アライメントマークM3 、W2 、M4は、この傾き
切換後のスリット光1′で走査され、充電変換器33a
から第3図(b)に示す出力信号84゜85 、S6が
得られ、波形整形回路41により第3図(C)に示すパ
ルスP4 、P5 、P6が求められ、第1のアライメ
ントマーク群の検出が終了する。そして、演算回路44
において先に検出したパルスP1.P2.P3とともに
必要に応じて演算処理される。
一方、出力Tが送信されている状態において、例えば第
3番目のパルスP3が検出されなかった場合、すなわち
アライメントマーク第2が欠落したときには第3番目の
パルスP3が得られるべき時間Hの経過後に、制御回路
45は傾き切換信号を駆動回路46に発し、走査スリッ
ト光の傾きを切換えて前述と同様の検出を行なう。この
場合、パルスP3は欠落しているので、整形回路41か
ら演算回路44に送信されるパルスは第3図(61)に
示すようになる。
レーザビームLがさらに偏向走査されて、プリズム23
の側面23bに達すると、今度はビームLはプリズム2
3により右側に偏向され、中間レンズ25b、絞り26
b、対物レンズ27bを経てマスク1およびウェハ2の
面上の第2の7ライメントマ一ク群を先の説明と同様に
検出することになる。
なお、アライメントマーク検出に先立ってマーク位置の
模索を行なうときは一方のスリット光例えばLlだけで
走査する。
[発明の適用例] 上述の実施例においては、本発明をプロキシミティ方式
のマスクアライナに適用した例について説明したが、本
発明はマスクとウェハの間に投影光学系が介在する投影
方式のマスクアライナに、も適用できることは勿論であ
り、さらに、マスクアライナ以外の対象物例えば印刷用
原版の位置合せにも適用可能である。
[発明の効果] 以上説明したように本発明に係る位置合せ信号検出装置
は、下記の利点を有する。
■ 照明光を検出すべきマークの傾きに合せたスリット
光としているので、走査面上に存在する塵埃等からの散
乱光による影響を受は難い。
■ 1回の走査でスリット光の傾きを各マークの傾きに
合せて切換えるので、検出のための走査は1回で済む。
すなわち高速度の検出が可能である。
■ 照明光として偏光を用い、この偏光の偏光方向を偏
光面回転素子で切換え、偏光ビームスプリッタで透過方
向と反射方向の2つの光路へ択一的に分岐させ、各光路
ごとに所望の傾き方向のスリット光を作成するようにし
ているので、1つの位置合せマークの検出に用いられる
光は、このスリット光を作成するための光学系の損失分
が減少するのみであり、光量利用効率が高い。偏光面回
転素子として前述のPLZT (透過率は90%以上)
を用いた場合、効率は90%以上にすることが可能であ
る。また、このPLZTは、AO素子より安価であり、
装置のコストダウンを図ることができる。
■ 位置検出マークからの散乱光を検出するディテクタ
は、マークの傾き方向を検知する必要がないため簡略な
構成で足りろ。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る位置合せ信号検出装置
の光学系構成図、第2図は第1図の装置の制御系のブロ
ック回路図、第3図は作動状態の説明図、第4図は従来
のアライメントマークの検出方法の説明図である。 1:マスク、2:ウェハ、4:制御部、10:レーザ光
源、11:偏光面回転素子、12.15:偏光ビームス
プリッタ、14.19ニジリントリカルレンズ、17:
回転多面鏡、2γa 、 27b :対物レンズ、33
a。 33b:光電変換器、41:波形整形回路、42:計数
回路、43:時限回路、44:演算回路、45:制御回
路、46:駆動回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、傾き方向が2種類の複数個の細条状位置合せマーク
    を、その傾きが検出すべきマークの傾き方向と合致する
    ように切換えられるスリット状の光で走査することによ
    り検出する位置合せ信号検出装置において、上記スリッ
    ト状の光を発生する手段が、偏光発生手段と、該偏光発
    生手段から出力される偏光の偏光面を電気光学的に回転
    させる偏光面回転素子と、該偏光面回転素子に与える電
    気量を制御して偏光方向の異なる2種類の偏光を切換え
    出力させる制御手段と、該偏光面回転素子から出力され
    る偏光の一方を透過し他方を反射して各偏光を別々の光
    路に導く第1の偏光ビームスプリッタと、各光路に導入
    された偏光をそれぞれ上記2種類の傾き方向のそれぞれ
    に相当する傾きのスリット状に集光する2個の集光手段
    と、各集光手段から出力されるスリット状の光を偏光方
    向に応じて一方を透過し他方を反射することにより同一
    方向に出力する第2の偏光ビームスプリッタとを具備す
    ることを特徴とする位置合せ信号検出装置。 2、前記偏光面回転素子が、印加される電圧に応じて前
    記偏光発生手段から入力される偏光の偏光面を回転させ
    る電気光学セラミックスである特許請求の範囲第1項記
    載の位置合せ信号検出装置。
JP59240421A 1984-11-16 1984-11-16 位置合せ信号検出装置 Pending JPS61120419A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59240421A JPS61120419A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 位置合せ信号検出装置
US07/319,820 US4937459A (en) 1984-11-16 1989-03-06 Alignment signal detecting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59240421A JPS61120419A (ja) 1984-11-16 1984-11-16 位置合せ信号検出装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6550338B1 (en) 2000-07-07 2003-04-22 Ardishir Rashidi Pressure sensing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6550338B1 (en) 2000-07-07 2003-04-22 Ardishir Rashidi Pressure sensing device

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