JPH04339245A - 表面状態検査装置 - Google Patents

表面状態検査装置

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JPH04339245A
JPH04339245A JP7868791A JP7868791A JPH04339245A JP H04339245 A JPH04339245 A JP H04339245A JP 7868791 A JP7868791 A JP 7868791A JP 7868791 A JP7868791 A JP 7868791A JP H04339245 A JPH04339245 A JP H04339245A
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JP
Japan
Prior art keywords
scanning
inspected
optical system
surface condition
beams
Prior art date
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Pending
Application number
JP7868791A
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English (en)
Inventor
Michio Kono
道生 河野
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面状態検査装置に関し
、特に半導体製造装置で使用されるレチクルやフォトマ
スク等の基板上に存在するパターン欠陥やゴミ等の異物
を検出する際に好適な表面状態検査装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】一般にIC製造工程においてはレチクル
またはフォトマスク等の基板上に形成されている露光用
の回路パターンを半導体焼付け装置(ステッパーまたは
マスクアライナ)によりレジストが塗布されたウエハ面
上に転写して製造している。
【0003】この際、基板面上にゴミ等の異物が存在す
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまいIC製
造の歩留りを低下させる原因となってくる。
【0004】特にレチクルを使用し、ステップアンドリ
ピート方法により繰り返してウエハ面上に回路パターン
を焼付ける場合、レチクル面上の1個の異物がウエハ全
面に焼き付けられてしまいIC製造の歩留りを大きく低
下させる原因となっている。そのため、IC製造過程に
おいては基板上の異物の存在を検出することが不可欠と
なっている。
【0005】図3は従来の検査装置の一例である。fθ
レンズ2を通過した入射ビーム3は出し入れ可能なミラ
ー4で反射した後ミラー5で基板1(レチクル)上面側
のブランク面上P点に集光される。fθレンズ2の前に
は不図示の回転素子(ポリゴン)があって、紙面と直交
方向にビームを走査する。この間基板1は紙面内を矢印
(S1 ←S2 )の方向に移動されブランク面全面が
検査される。ここでブランク面上に異物があると、入射
点Pから発した散乱光は受光レンズ6aの作用で視野絞
り7a上に結像される。7aは必要な信号光だけを後続
するファイバ8a、フォトマル9aに導くためのもので
、それ以外の余分なフレアー光を遮断する。レチクルが
左端まで進みブランク面上の検査が完了するとミラー4
が光路から退出し、入射ビームはミラー10を経て基板
下面側のパターン面側に集光する。パターン面の全面検
査もブランク面と同様に、ビーム走査とレチクルの移動
とによって行なわれる。また、散乱光の受光についても
下側受光系31が上側受光系30と同様に行なう。なお
、この間、レチクルは矢印と反対方向(S1 →S2 
)に移動される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
では光路中に出し入れ可能なミラー4を検査の度に動か
すためレチクル近傍での大型ミラー4のような光学部材
の動きが塵埃発生の原因となっていた。またビーム走査
全域をカバーする大型ミラー4の位置再現性が非常に厳
しくこの誤差によって反射ビームの光路が変わり、ひい
てはP点、Q点の位置が変動する。その結果、各受光系
内の視野絞り7a,7bで異物信号が誤検出され検査の
信頼性を低下させていた。
【0007】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、塵埃を発生させることなく確実に基板
の上下両面の異物を検出可能な表面状態検査装置の提供
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は複数の検査面を
もつ基板の表面状態を検査するために基板を第1の方向
に走査させる手段と、該基板面の各々の検査面側からビ
ームを入射させ、かつ前記第1の方向と略直交する第2
の方向に前記ビームを走査させる走査光学系とからなる
検査装置において、前記走査光学系内の偏向手段に対し
て前記ビームの光源側の位置又は出射側の直後の位置に
複数ビーム発生手段とビーム切り換え手段とを持つ検査
装置を提供する。
【0009】
【実施例】図1は本発明第1の実施例である。ここで示
す検査系は被検査レチクルの上下面にビームを切り換え
て走査させ、かつ、これと直交方向に基板を走査させる
ことによってレチクルの表面状態を検査するためのもの
である。そしてポリゴンミラーの面ぶれの影響を回避す
るために倒れ補正系を導入している。
【0010】レーザ光源100から発したビームはビー
ムエキスパンダ101で所定の光束径に広げられて、プ
リズム(ビームスプリッタ)102に入射する。プリズ
ム102はハーフミラー面を持ちその一部の光束をその
まま透過させてシリンドリカルレンズ103に導く一方
、残りの光束を反射させてミラー104を介し、シリン
ドリカルレンズ103′に導く。本発明のビーム切り換
えシャッタ200はこの途中の光路に設けられ、両ビー
ムのいずれか一方を遮る。各レンズ103,103′の
射出光束はβ°の角度をなしてポリゴンミラー105に
入射する。レンズ103と103′は同一部材でもよい
。この場合2つのビーム光路は1つのシリンドリカルレ
ンズに対して偏心して設けられる。ミラー105で反射
された2つのビームはシャッタ200によって遮られな
い場合には走査レンズ(106と107)に入射してい
く。そして各々ミラー109,110,111を介して
レチクルのブランク面上のQ点、あるいはパターン面上
のP点のいずれかに集光する。
【0011】検査域内(例えばQ点)に異物がある場合
には、その散乱光は受光光学系内のレンズ112で集光
され、視野絞り113の開口部に再結像される。しかる
後、ファイバ114でフォトマル115に導かれ、それ
以降の電気処理系で処理を受けて、異物有りの表示信号
を発する。受光光学系はレチクルの上下ビームに関して
各々設けられる。レンズはシリンドリカルレンズ、球面
レンズ、バーレンズ群、セルフォックレンズ(商品名)
アレーなどがある。
【0012】次に検査のフローを説明する。
【0013】レチクル108がS1 →S2 の方向に
移動する間切り換えシャッタ200はT1 ←T2 に
切り換わっていて、ブランク面側から入射するビームB
uだけがレチクルを照射する。
【0014】この間ポリゴンミラー105は紙面と直交
面内で回転していて、ブランク面全面の検査が行なわれ
る。レチクルが充分右端まで進むと今後は切り換えシャ
ッタ200がT1 →T2 へ切り換わり、パターン面
側から入射するビームBlだけがレチクルを照射する。 レチクルはS1 ←S2 の方向に移動し、ポリゴンミ
ラー105の走査と同期してパターン面全面の検査が実
行される。
【0015】なお、以上の説明において、ビーム走査用
光学系としては、ポリゴンミラーを用い倒れ補正系を採
用した光学配置を示したが、本発明はこれに限らない。 例えば振動ミラーを用いて倒れ補正を施さない光学配置
にも適用できる。更に、上記実施例(図1)では上下ビ
ームを走査レンズ光軸に対してほぼ対称に偏心させたが
、これ以外にも、例えば、下ビームBlは走査レンズ光
軸上を通し、上ビームBuだけを偏心させる方法もとり
うる。一般に光学系は軸上で設計した方が収差は補正し
やすくその結果、レチクル上でビームを絞りやすい。 これに対して、回路パターンは通常レチクルの下面にセ
ットされて検査され、この面の方が、ガラス面(上面)
より高い異物検出能力が必要とされている。したがって
、下ビームを走査レンズ軸上を通してより細かなビーム
でパターン面を走査、検査するメリットが得られる。 又、いままで述べてきた検査対象物としては、主として
パターニング有/無のガラス基板であったが、これに防
塵用ペリクル膜を貼り付けたレチクルを検査する光学系
も当然ながら、本発明の適用範囲内である。
【0016】また、特開昭62−188943号公報の
開示にあるように、レチクルを水平面内で光学系に対し
て捩って回路パターンによるノイズを低減する検査法に
対しても本発明は適用できる。
【0017】図2には本発明の別の実施例を示す。
【0018】図1の実施例と異なる点はビーム切り換え
手段の構成にある。つまり、図1ではビームスプリッタ
ー102を用いてビームを予め2分割し、切り換えシャ
ッタ200はこれらのビームのどちらか1方を通過させ
ていた。これに対し本実施例では光路中に出し入れ可能
なミラー201を設ける。レチクルのパターン面を検査
する時はミラー201を光路中に挿入し、下ビームBl
だけを照射する。ブランク面を検査する時はミラー20
1を光路外にはずし、上ビームBuだけを照射する。
【0019】本実施例の長所は、レーザビームの光量を
分割せずに一方の検査面に集中的に投入できる点にある
。これによって異物信号光の強度が高まり検出感度と信
頼性を向上できる。
【0020】図4は本発明の第3の実施例を示す。
【0021】本実施例の特徴とする所は第1にビームエ
キスパンダ101とシリンドリカルレンズ121との間
にλ/4板140と偏光プリズム141とλ/2板14
2とを挿入した点である。そして、第2は走査レンズ(
トーリックレンズ143とf−θレンズ144)を従来
偏心系として用いていたのに対し、本実施例では上下の
ビーム各々のために別々のレンズ系を設けた点にある。 200は本発明の切り換えシャッタである。
【0022】また、被検対象物としては、防塵用ペリク
ル膜を貼り付けたレチクルを図示している。光学素子1
40〜142の作用について説明する。
【0023】レーザ100は直線偏光レーザとする。1
01を経てλ/4板(この光学軸は入射レーザの偏光面
に対して45°方向に設定されている)を通過したレー
ザビームは円偏光になっている。これを受ける偏光プリ
ズム141はウォラストンプリズムやロションプリズム
に代表される複像素子であり、同じ頂角をもった2個の
頂角プリズムを光学軸を直交させて接合したものである
。このプリズムは複屈折結晶から構成されているので円
偏光が入射すると、複屈折現象により射出光束は常光路
と異常光路に2分岐されて出てくる(図中実線と点線)
【0024】121は図1で既に用いているシリンドリ
カルレンズであり、以降の光路は走査レンズ系を共心系
にした外は基本的にいままでの実施例と同じである。
【0025】最後にλ/2板142の作用について述べ
る。
【0026】偏光プリズム141から射出した2つのビ
ームはその偏光面が互いに直交している。図4の例では
実線(Bu)は紙面内に偏光面があり、レチクルに対し
てP偏光で入射する。これに対して点線(Bl)はこれ
と直交していてλ/2板142がなければレチクルに対
してS偏光で入射する。
【0027】いま、ペリクル付レチクルを検査しようと
する時を考える。図4のようにペリクル面に対しビーム
を斜めから傾けて入射させるとP偏光に対しては透過率
が高いので、レチクル面上までビームのエネルギーが失
われずに到達する。これに対し、S偏光の場合は反射率
が高くそのエネルギーの大半をペリクル面上での反射で
失ってしまい、レチクル面上には必要なビームの光量が
到達しない。しかも、ペリクル膜厚が変動すると透過光
量も大きく変動を受けるという欠点があった。そこで、
λ/2板142を光路中に挿入して(挿入する位置とし
ては図4図示以外の位置でもいい。)その光学軸を紙面
に対し45°方向にセットすれば射出ビームはレチクル
に対してP偏光で入射する。
【0028】以上、本実施例で、レーザ100が元々ラ
ンダム偏光の場合はλ/4板140は要らない。また、
ペリクル無し基板を検査する場合や、あえてS偏光で検
査したい場合にはλ/2板142も不要である。
【0029】図5は第4の実施例を示す。
【0030】今迄述べてきた実施例は当然複数個のレー
ザを用いても構成できる。切り換えシャッタ200の位
置はレーザ100の出口でも、ビームエキスパンダ10
1の出口でも良い。また、ポリゴンミラー105とトー
リックレンズ143の中間位置Wでも良い。
【0031】本実施例では倒れ補正系を用いている。即
ち図の紙面内ではポリゴンミラー面と被検査面とが共役
関係にある。この為に紙面内(ビームの走査と直交方向
)ではビームはポリゴンミラー面上で集光している。 かつ、ポリゴンミラー面で反射した直後のビームは紙面
内において空間的に分離されている(図中Wの位置)。
【0032】したがってこの位置に切り換えシャッター
を設けると、ビーム偏向面に近い分だけビーム走査方向
にも光束は小さいので、よってシャッターも小型化でき
るというメリットがある。また集光しているので光束分
離がしやすい。この様にポリゴンミラー面での反射直後
の位置にシャッター等を設けてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
、レチクルから離れた位置に切り換え機構をもっている
ために、装置内発塵によってレチクルが汚染される恐れ
がない。また、シャッタまたは小型のミラーの出し入れ
だけでビームの切り換えが行なえるので、高精度のビー
ム位置再現性がえられる。その結果、検査の信頼性が格
段に上がる。さらに、検査系全体のコンパクト化、コス
トダウン化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1の実施例の構成図である。
【図2】本発明第2の実施例の構成図である。
【図3】従来の検査装置の構成図である。
【図4】本発明第3の実施例の構成図である。
【図5】本発明第4の実施例の構成図である。
【符号の説明】
100  レーザ光源 102  ビームスプリッター 105  ポリゴンミラー 108  レチクル 115  フォトマル 200  シャッタ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  複数の検査面を有する被検査体の各検
    査面を照射するための複数の走査ビーム光路を有し、前
    記走査ビームを前記被検査体に対し走査させるための走
    査光学系を有する表面状態検査装置において、該走査光
    学系は複数の走査ビームの各々を偏向させて各検査面を
    走査する為のビーム偏向手段を有するとともに、前記ビ
    ーム偏向手段の入射側に前記複数の走査ビームのうち1
    つの走査ビームを導光させるためのビーム切換え手段を
    備えたことを特徴とする表面状態検査装置。
  2. 【請求項2】  前記ビーム切換え手段は、選択された
    ビーム以外の光路を覆うシャッタからなることを特徴と
    する請求項1に記載した表面状態検査装置。
  3. 【請求項3】  前記走査光学系は、1つの光源のみを
    有し、該光源からのビーム光路上にビーム分岐手段を設
    けて複数の走査ビーム光路を構成したことを特徴とする
    請求項1に記載した表面状態検査装置。
  4. 【請求項4】  前記走査光学系は、複数の光源を有し
    、該複数の光源により複数の走査ビーム光路を構成した
    ことを特徴とする請求項1に記載した表面状態検査装置
  5. 【請求項5】  複数の検査面を有する被検査体の各検
    査面を照射するための複数の走査ビーム光路を有し、前
    記走査ビームを前記被検査体に対し走査させるための走
    査光学系を有する表面状態検査装置において、該走査光
    学系は複数の走査ビームの各々を偏向させて各検査面を
    走査する為のビーム偏向手段を有すると共に、前記ビー
    ム偏向手段の反射直後の空間に、前記複数の走査ビーム
    のうち1つの走査ビームを導光させるためのビーム切り
    換え手段を備えた事を特徴とする表面状態検査装置。
JP7868791A 1991-02-19 1991-02-19 表面状態検査装置 Pending JPH04339245A (ja)

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JPH04339245A true JPH04339245A (ja) 1992-11-26

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JP (1) JPH04339245A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995017665A1 (fr) * 1993-12-23 1995-06-29 Sollac Dispositif et procede de visualisation de brames
JP2007183416A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Chrovit Japan:Kk 光路切替型光学系、これを用いた多方向観察光学系および多方向電磁波照射光学系
JP2009222625A (ja) * 2008-03-18 2009-10-01 Advanced Mask Inspection Technology Kk パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2010002248A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Sigma Koki Kk 変位計

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