JPH02191314A - パターン検出装置 - Google Patents
パターン検出装置Info
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- JPH02191314A JPH02191314A JP1234596A JP23459689A JPH02191314A JP H02191314 A JPH02191314 A JP H02191314A JP 1234596 A JP1234596 A JP 1234596A JP 23459689 A JP23459689 A JP 23459689A JP H02191314 A JPH02191314 A JP H02191314A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、マスク、又はウェハ等の物体にレーザ光のス
ポットを照射し、このレーザ光を走査することによって
、物体上に形成されたマーク等の特定パターンを光電的
に検出するパターン検出装置もしくはマーク検出装置に
関するものである。
ポットを照射し、このレーザ光を走査することによって
、物体上に形成されたマーク等の特定パターンを光電的
に検出するパターン検出装置もしくはマーク検出装置に
関するものである。
[従来の技術]
従来、この種のマーク検出装置として、特開昭53−1
11280号公報に示されるように、レーザビームを開
口数の小さな対物レンズで絞ることにより、マスクとク
エへの双方に焦点の合ったスポットを形成し、そのスポ
ットを一次元に走査して、マスクとウェハ上のアライメ
ントマークからの散乱光を検出する装置が知られている
。
11280号公報に示されるように、レーザビームを開
口数の小さな対物レンズで絞ることにより、マスクとク
エへの双方に焦点の合ったスポットを形成し、そのスポ
ットを一次元に走査して、マスクとウェハ上のアライメ
ントマークからの散乱光を検出する装置が知られている
。
また、レーザビームのスポット光を走査して、マスク、
又はウェハ上のマークからの散乱光を光電的に検出する
同様の方式として、特開昭52−132851号公報に
開示されたマーク検出装置も知られている。
又はウェハ上のマークからの散乱光を光電的に検出する
同様の方式として、特開昭52−132851号公報に
開示されたマーク検出装置も知られている。
これら公知のマーク検出装置では、マスク、もしくはウ
ェハ上のマークを観察する対物レンズをテレセントリッ
クとし、リレー系によりてこの対物レンズの瞳の共役面
を作り、その共役面に振れ原点がくるように走査鏡を設
け、レーザビームを瞳共役面の中心で揺動させることに
よって、マークをビームスポットによってテレセン走査
をすることが行なわれている。そしてマークからの反射
光のうち、対物レンズを通って戻ってくる反射光は、対
物レンズの瞳と共役な瞳像面に配置された空間フィルタ
ーによフて、正反射光がカットされ散乱光のみが抽出さ
れる。この散乱光は光電素子によって光電検出され、そ
の光電信号に基づいてマーク位置の検出が行なわれてい
る。
ェハ上のマークを観察する対物レンズをテレセントリッ
クとし、リレー系によりてこの対物レンズの瞳の共役面
を作り、その共役面に振れ原点がくるように走査鏡を設
け、レーザビームを瞳共役面の中心で揺動させることに
よって、マークをビームスポットによってテレセン走査
をすることが行なわれている。そしてマークからの反射
光のうち、対物レンズを通って戻ってくる反射光は、対
物レンズの瞳と共役な瞳像面に配置された空間フィルタ
ーによフて、正反射光がカットされ散乱光のみが抽出さ
れる。この散乱光は光電素子によって光電検出され、そ
の光電信号に基づいてマーク位置の検出が行なわれてい
る。
この従来技術では、レーザビームの振れ原点をテレセン
トリックな対物レンズの瞳中心とすることで、マスク、
又はクエへからの正反射光を元の光路に沿って戻し、空
間フィルター上ではほぼ中心に正反射光を静止させるこ
とができるため、散乱光の抽出が極めて安定するといっ
た利点がある。
トリックな対物レンズの瞳中心とすることで、マスク、
又はクエへからの正反射光を元の光路に沿って戻し、空
間フィルター上ではほぼ中心に正反射光を静止させるこ
とができるため、散乱光の抽出が極めて安定するといっ
た利点がある。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、このようにテレセントリックな対物レンズを
用いてビームをテレセン走査すると、マスク、又はウェ
ハからの正反射光は、対物レンズの瞳中心、リレー系、
及び走査鏡を介してレーザ光源まで戻ってくることにな
る。プロセスによっても異なるが、マスク面、ウニへ面
はアライメント用のレーザ光に対して数十%程度の反射
率を持つとがあり、このような場合、レーザ光源にまで
戻フてくる正反射光は、かなり大ぎなバックトークとな
り、レーザ発振を不安定にさせることがある。
用いてビームをテレセン走査すると、マスク、又はウェ
ハからの正反射光は、対物レンズの瞳中心、リレー系、
及び走査鏡を介してレーザ光源まで戻ってくることにな
る。プロセスによっても異なるが、マスク面、ウニへ面
はアライメント用のレーザ光に対して数十%程度の反射
率を持つとがあり、このような場合、レーザ光源にまで
戻フてくる正反射光は、かなり大ぎなバックトークとな
り、レーザ発振を不安定にさせることがある。
そこで本発明は、上記の如くマーク検出装置において、
レーザ光源へのバックトーンをほとんど無視できる程度
に低減した装置を提供することを目的とする。
レーザ光源へのバックトーンをほとんど無視できる程度
に低減した装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本願発明は、テレセントリックな対物光学系(19)の
瞳面(19a) とほぼ共役な面をリレー系(7゜16
)等で作り、この共役面に一次元の走査部材(6)を配
置し、レーザ光源(1)からのレーザ光を、走査部材(
6)を介して対物光学系(19)の瞳面(19a)のほ
ぼ中央部に通すように構成し、さらに対物光学系(19
)によって物体(20,又は21)上に集光した。
瞳面(19a) とほぼ共役な面をリレー系(7゜16
)等で作り、この共役面に一次元の走査部材(6)を配
置し、レーザ光源(1)からのレーザ光を、走査部材(
6)を介して対物光学系(19)の瞳面(19a)のほ
ぼ中央部に通すように構成し、さらに対物光学系(19
)によって物体(20,又は21)上に集光した。
レーザ光の一次元走査によってパターン(20a。
20b、21a、)から発生した散乱、回折光を光電検
出器(33,又は34) で現出することによりて、パ
ターン(20a、20b、21a)を検出する装置を前
提として成されたものである。
出器(33,又は34) で現出することによりて、パ
ターン(20a、20b、21a)を検出する装置を前
提として成されたものである。
そして特徴となる構成は、走査部材(6)から対物光学
系(19)までの光路中に配置され、対物光学系の瞳面
(19a)を通るレーザ光源(1)からのレーザ光を瞳
面の中心から一次元走査方向(パターン検出方向)と直
交する方向に所定量だけ変位させる変位部材(18)を
設けることにある。
系(19)までの光路中に配置され、対物光学系の瞳面
(19a)を通るレーザ光源(1)からのレーザ光を瞳
面の中心から一次元走査方向(パターン検出方向)と直
交する方向に所定量だけ変位させる変位部材(18)を
設けることにある。
[作 用]
本発明によれば、テレセントリックな対物光学系の特質
、すなわち対物光学系の瞳中心を通って物体面に投射さ
れたレーザ光の正反射光は、元の光路に沿ってそのまま
戻るという特質に起因して生ずるレーザ光源へのバック
トークが防止される。
、すなわち対物光学系の瞳中心を通って物体面に投射さ
れたレーザ光の正反射光は、元の光路に沿ってそのまま
戻るという特質に起因して生ずるレーザ光源へのバック
トークが防止される。
レーザ光を対物光学系の瞳面中心からずらして入射させ
ると、ずらした方向に関しては、物体面に投射されるレ
ーザ光がテレセントリックな条件からはずれて、傾くこ
とになる。このため物体面からの正反射は瞳面を通るレ
ーザ光とは異なる光路に沿って戻ることになり、この結
果正反射光がレーザ光源まで戻ることが防止される。し
かしながら、レーザ光はパターン検出のために物体上で
相対的に一次元走査され、その走査方向においてパター
ンの位置等を計測する構成であるため、走査方向に関し
てテレセントリックな条件をくずすことは問題である。
ると、ずらした方向に関しては、物体面に投射されるレ
ーザ光がテレセントリックな条件からはずれて、傾くこ
とになる。このため物体面からの正反射は瞳面を通るレ
ーザ光とは異なる光路に沿って戻ることになり、この結
果正反射光がレーザ光源まで戻ることが防止される。し
かしながら、レーザ光はパターン検出のために物体上で
相対的に一次元走査され、その走査方向においてパター
ンの位置等を計測する構成であるため、走査方向に関し
てテレセントリックな条件をくずすことは問題である。
そこで本発明では、テレセントリックな条件をくずす方
向を、レーザ光の物体上での一次元走査方向と直交する
方向に定めたのである。
向を、レーザ光の物体上での一次元走査方向と直交する
方向に定めたのである。
これによって、従来と何ら変わらないパターン検出が可
能であると共に、レーザ光源へのバックトークが極めて
有効に防止されることになる。
能であると共に、レーザ光源へのバックトークが極めて
有効に防止されることになる。
[実施例]
第1図乃至第5図は本発明の実施例によるマーク検出装
置を、プロキシミティ露光装置のアライメント系として
構成したときの光学系を示す光路図である。
置を、プロキシミティ露光装置のアライメント系として
構成したときの光学系を示す光路図である。
第1図において、レーザ光源から1から射出したレーザ
光はビームエクスパンダ2、偏光板3及び1/4波長板
4を介して平行光束となり、円柱レンズ(シリンドリカ
ルレンズ)5に入射する。このとき偏光板3と174波
長板4によりてレーザ光は円偏光となる。円柱レンズ5
によフて、その焦点位置では断面が細長い帯状光束にな
るように変換された光束は、振動ミラー6に達する。尚
、円柱レンズ5の焦点位置は振動ミラー6の揺動中心と
ほぼ一致している6円柱レンズ5を射出したレーザ光束
は振動ミラー6の反射面上では紙面内に収束された帯状
スポット光となる。すなわち、円柱レンズSは第1図の
紙面内ではパワーをもたず、紙面と垂直な方向にパワー
を有する。従って振動ミラー6で反射された光束は第1
図中、紙面と垂直な方向に関しては発散光となり、振動
ミラー6の揺動中心に焦点が一致するレンズ7を通り、
光束を紙面内でシフトする平行平板ガラスHGを通フて
ビームスプリッタ8に達する。尚、振動ミラー6は第1
図の紙面と垂直に振動回転の回転軸Caを有し、レンズ
7に達する光束を紙面内で上下に微小振動させる。また
第2図は第1図中のAA矢視部分の光路図であり、振動
ミラー6は全面が反射部ではなく、帯状スポット光の断
面形状に合わせた細長い反射部6aと、透明部6bとか
ら構成されている。このように反射部6aを細長くした
のは、レーザ光源1に戻り光が逆入射(バックトーク)
しないようにするためであり、このことについては後で
詳述する。本実施例の場合、このバックトーク防止は偏
光板3と174波長板4によっても行なわれる。
光はビームエクスパンダ2、偏光板3及び1/4波長板
4を介して平行光束となり、円柱レンズ(シリンドリカ
ルレンズ)5に入射する。このとき偏光板3と174波
長板4によりてレーザ光は円偏光となる。円柱レンズ5
によフて、その焦点位置では断面が細長い帯状光束にな
るように変換された光束は、振動ミラー6に達する。尚
、円柱レンズ5の焦点位置は振動ミラー6の揺動中心と
ほぼ一致している6円柱レンズ5を射出したレーザ光束
は振動ミラー6の反射面上では紙面内に収束された帯状
スポット光となる。すなわち、円柱レンズSは第1図の
紙面内ではパワーをもたず、紙面と垂直な方向にパワー
を有する。従って振動ミラー6で反射された光束は第1
図中、紙面と垂直な方向に関しては発散光となり、振動
ミラー6の揺動中心に焦点が一致するレンズ7を通り、
光束を紙面内でシフトする平行平板ガラスHGを通フて
ビームスプリッタ8に達する。尚、振動ミラー6は第1
図の紙面と垂直に振動回転の回転軸Caを有し、レンズ
7に達する光束を紙面内で上下に微小振動させる。また
第2図は第1図中のAA矢視部分の光路図であり、振動
ミラー6は全面が反射部ではなく、帯状スポット光の断
面形状に合わせた細長い反射部6aと、透明部6bとか
ら構成されている。このように反射部6aを細長くした
のは、レーザ光源1に戻り光が逆入射(バックトーク)
しないようにするためであり、このことについては後で
詳述する。本実施例の場合、このバックトーク防止は偏
光板3と174波長板4によっても行なわれる。
ここで、円柱レンズ51振動ミラー6、及びレンズ7に
よって形成される各光束の状態について詳述すると、第
8図のようになる。第8図において円柱レンズ5を射出
した光束は、振動ミラー60反射面上で細長い帯状のス
ポット光spに収束される。その後、スポット光SPは
、その長手方向と直交する方向に関して一定の角度で発
散し、レンズ7に入射するときには、同図中、斜線部の
ようにスポット光SPの長手方向と直交する方向に延び
た帯状分布の光束SP′となる。従って、光束sp″が
矢印a(光束sp’の短手方向)のように微小振動する
ためには、スポット光SPの長平方向と直交する振動ミ
ラー6の回転軸CfLを中心としてスポット光SPを動
揺させればよい。
よって形成される各光束の状態について詳述すると、第
8図のようになる。第8図において円柱レンズ5を射出
した光束は、振動ミラー60反射面上で細長い帯状のス
ポット光spに収束される。その後、スポット光SPは
、その長手方向と直交する方向に関して一定の角度で発
散し、レンズ7に入射するときには、同図中、斜線部の
ようにスポット光SPの長手方向と直交する方向に延び
た帯状分布の光束SP′となる。従って、光束sp″が
矢印a(光束sp’の短手方向)のように微小振動する
ためには、スポット光SPの長平方向と直交する振動ミ
ラー6の回転軸CfLを中心としてスポット光SPを動
揺させればよい。
さて、第1図の説明に戻って、ビームスプリッタ8に入
射した帯状光束は2つに分割されて、方のレンズ光束は
ウェハ照射用の光束BWとして172波長板9を通りミ
ラー10で反射されて、光路長補正プリズム】1を通っ
てビームスプリッタ12に達する。またビームスブリ9
夕8で分割された他方のレーザ光束は、マスク照射用の
光束BMとして、172波長板13と、光束シフトを行
なうために傾斜可能な平行平板ガラス14(以下、バー
ピングガラス14とする)とを通り、ミラー15で反射
されてビームスプリッタ2に達する。尚、本実施例では
、ビームスプリッタ8゜12として、光電信号のS/N
を向上させるために、光束を偏光によって分離する偏光
ハーフプリズムを用いるものとする。そして、この分離
のためにI/2波長板9.13の後に、偏光方向が互い
に直交した偏光板9’、13’ を設ける。
射した帯状光束は2つに分割されて、方のレンズ光束は
ウェハ照射用の光束BWとして172波長板9を通りミ
ラー10で反射されて、光路長補正プリズム】1を通っ
てビームスプリッタ12に達する。またビームスブリ9
夕8で分割された他方のレーザ光束は、マスク照射用の
光束BMとして、172波長板13と、光束シフトを行
なうために傾斜可能な平行平板ガラス14(以下、バー
ピングガラス14とする)とを通り、ミラー15で反射
されてビームスプリッタ2に達する。尚、本実施例では
、ビームスプリッタ8゜12として、光電信号のS/N
を向上させるために、光束を偏光によって分離する偏光
ハーフプリズムを用いるものとする。そして、この分離
のためにI/2波長板9.13の後に、偏光方向が互い
に直交した偏光板9’、13’ を設ける。
さて、ビームスプリッタ12に入射した光束BWとBM
は再び1つの光束に合成され、合成された光束はレンズ
16、ハーフミラ−17を介してミラー18に達する。
は再び1つの光束に合成され、合成された光束はレンズ
16、ハーフミラ−17を介してミラー18に達する。
ミラー18はハーフミラ−17からの光束を紙面と垂直
な下方へ反射するように45°傾いて設けられている。
な下方へ反射するように45°傾いて設けられている。
このミラー18は、本実施例では発明の変位部材として
も機能する。また、ミラー15は、ビームスプリッタ1
2で合成された光束BMの光束中心が、ウェハ土のアラ
イメントマークとマスク上のアライメントマークとの所
定のずれ量に対応して、光束BWの光束中心に対して偏
芯するように設定されている。
も機能する。また、ミラー15は、ビームスプリッタ1
2で合成された光束BMの光束中心が、ウェハ土のアラ
イメントマークとマスク上のアライメントマークとの所
定のずれ量に対応して、光束BWの光束中心に対して偏
芯するように設定されている。
さて、第3図はミラー18をB方向から見た図、第4図
はミラー18をC方向から見た図であり、対物レンズ1
9は合成された光束BM、BWを各々マスク20のパタ
ーン面とウェハ21の表面とに収束させ、各面上に細長
い帯状のスポット光を結像する。マスク20とウェハ2
1との間隙(いわゆるプロキシミティ・ギャップ)をg
とすると、対物レンズ19の焦点深度が、このギャップ
gよりも十分小さくなるように、その開口数が大きく定
められている。また、ギャップgは露光装置によって最
適に定められる固有値である。そこで光束BM、BWが
各々ギャップgだけ対物レンズI9の光軸方向に離れた
位置で、帯状スポット光に結像されるように、光路長補
正プリズム11の2つの台形プリズムla、llbを光
軸に対して垂直方向(第1図中、紙面内の上下方向)に
相対移動させて調整する。尚プリズム118゜11bを
通る光束は円柱5の作用で、紙面内では収束光となり、
紙面と垂直な方向では平行光束となる。また、レンズ7
とレンズ16はアフォーカル系(リレー系)を構成する
が、レンズ7の焦点位置には振動ミラー6の揺動中心が
一致し、レンズ16の焦点位置には対物レンズ19の瞳
19aが一致するように定められている。このため、光
路長補正プリズム11の有無にかかわらず、振動ミラー
6と対物レンズ19の瞳19aとは光学的に共役となり
、テレセントリックな照射光学系が形成される。
はミラー18をC方向から見た図であり、対物レンズ1
9は合成された光束BM、BWを各々マスク20のパタ
ーン面とウェハ21の表面とに収束させ、各面上に細長
い帯状のスポット光を結像する。マスク20とウェハ2
1との間隙(いわゆるプロキシミティ・ギャップ)をg
とすると、対物レンズ19の焦点深度が、このギャップ
gよりも十分小さくなるように、その開口数が大きく定
められている。また、ギャップgは露光装置によって最
適に定められる固有値である。そこで光束BM、BWが
各々ギャップgだけ対物レンズI9の光軸方向に離れた
位置で、帯状スポット光に結像されるように、光路長補
正プリズム11の2つの台形プリズムla、llbを光
軸に対して垂直方向(第1図中、紙面内の上下方向)に
相対移動させて調整する。尚プリズム118゜11bを
通る光束は円柱5の作用で、紙面内では収束光となり、
紙面と垂直な方向では平行光束となる。また、レンズ7
とレンズ16はアフォーカル系(リレー系)を構成する
が、レンズ7の焦点位置には振動ミラー6の揺動中心が
一致し、レンズ16の焦点位置には対物レンズ19の瞳
19aが一致するように定められている。このため、光
路長補正プリズム11の有無にかかわらず、振動ミラー
6と対物レンズ19の瞳19aとは光学的に共役となり
、テレセントリックな照射光学系が形成される。
このように構成された光束射出手段によってマスク20
、ウェハ21上に結像された帯状のスポット光が、各々
マスク20上のアライメントマークとウェハ21上のア
ライメントマークとを照射すると、各マークからは光情
報として正反射光を含む散乱、回折光が生じる。また、
マスク20とウェハ21上でマークのない平坦面であっ
ても、正反射光が生じる。この光情報は対物レンズ19
に逆入射し、ミラー18.ハーフミラ−17及びミラー
22で反射されて、レンズ23に達する。レンズ23を
通った光情報の一部は、ハーフミラ−24を透過してレ
ンズ25に達する。尚、レンズ23の焦点位置は対物レ
ンズ19の@19aと一致するように定められている。
、ウェハ21上に結像された帯状のスポット光が、各々
マスク20上のアライメントマークとウェハ21上のア
ライメントマークとを照射すると、各マークからは光情
報として正反射光を含む散乱、回折光が生じる。また、
マスク20とウェハ21上でマークのない平坦面であっ
ても、正反射光が生じる。この光情報は対物レンズ19
に逆入射し、ミラー18.ハーフミラ−17及びミラー
22で反射されて、レンズ23に達する。レンズ23を
通った光情報の一部は、ハーフミラ−24を透過してレ
ンズ25に達する。尚、レンズ23の焦点位置は対物レ
ンズ19の@19aと一致するように定められている。
そしてレンズ23とレンズ25とによってアフォーカル
系([リレー系)が形成され、その平行な瞳リレー光路
中にハーフミラ−24が配置される。
系([リレー系)が形成され、その平行な瞳リレー光路
中にハーフミラ−24が配置される。
尚、レンズ23に達する逆入射光束は第1図の紙面内で
はほぼ平行であり、紙面と垂直な方向では@19aから
の発散光となる。従って、レンズ23と25の間の光束
は紙面と垂直な方向では平行光束となついる。ハーフミ
ラ−24で反射された光情報は、ハーフプリズム8,1
2と同様の偏光ハーフプリズム26入射する。偏光ハー
フプリズム26はマスク20からの0次光(正反射光)
DMoとウェハ21からの0次光(正反射光)DWoと
を偏光によって2つに分離して、各々CCD等の一次元
イメージセンサー27と28の受光面に導びく、一次元
イメージセンサ−27゜28は、マスク20上のスポッ
ト光とウェハ21上のスポット光の大きさを検出するた
めの光電変換器である。この一次元イメージセンサ−2
7゜28によるスポットサイズの検出によって、対物レ
ンズ19の焦点位置に対するマスク20とウェハ21と
の各位置ずれを検出し、そのずれ量に基づいてマスク2
0とウェハ21とを対物レンズ19の光軸方向(以下、
Z方向とする)に相対的に移動せざることによって、ス
ポット光をマスク20とウェハ21上の各々に正確に合
焦させることができる。これはさらにギャップgの自動
設定にも利用することができる。
はほぼ平行であり、紙面と垂直な方向では@19aから
の発散光となる。従って、レンズ23と25の間の光束
は紙面と垂直な方向では平行光束となついる。ハーフミ
ラ−24で反射された光情報は、ハーフプリズム8,1
2と同様の偏光ハーフプリズム26入射する。偏光ハー
フプリズム26はマスク20からの0次光(正反射光)
DMoとウェハ21からの0次光(正反射光)DWoと
を偏光によって2つに分離して、各々CCD等の一次元
イメージセンサー27と28の受光面に導びく、一次元
イメージセンサ−27゜28は、マスク20上のスポッ
ト光とウェハ21上のスポット光の大きさを検出するた
めの光電変換器である。この一次元イメージセンサ−2
7゜28によるスポットサイズの検出によって、対物レ
ンズ19の焦点位置に対するマスク20とウェハ21と
の各位置ずれを検出し、そのずれ量に基づいてマスク2
0とウェハ21とを対物レンズ19の光軸方向(以下、
Z方向とする)に相対的に移動せざることによって、ス
ポット光をマスク20とウェハ21上の各々に正確に合
焦させることができる。これはさらにギャップgの自動
設定にも利用することができる。
さて、レンズ25を通ったマスク20とウェハ21とか
らの光情報はミラー29で反射されて、0次光DMo、
DWoをカットし、その他の散乱、回折光を透過する空
間フィルター30に達する6空間フィルター30を通っ
た1次以上の回折光は集光レンズ31によって集光され
て、偏光ハーフプリズム32に入射する。偏光ハーフプ
リズム32はその回折光をマスク20からの回折光DM
とウェハ21からの回折光DWとに偏光により分離して
、各々光電検出器33と34に導びく。
らの光情報はミラー29で反射されて、0次光DMo、
DWoをカットし、その他の散乱、回折光を透過する空
間フィルター30に達する6空間フィルター30を通っ
た1次以上の回折光は集光レンズ31によって集光され
て、偏光ハーフプリズム32に入射する。偏光ハーフプ
リズム32はその回折光をマスク20からの回折光DM
とウェハ21からの回折光DWとに偏光により分離して
、各々光電検出器33と34に導びく。
第5図は空間フィルター30、集光レンズ31及び光電
検出器34の配置と、0次光DWoと回折光DWとの関
係を示す図である。ここで空間フィルター30はレンズ
25の焦点位置に配置される。このため対物レンズ19
の@19aと空間フィルター30とは共役になり、空間
フィルター30上には対物レンズ19の瞳像が結像する
。
検出器34の配置と、0次光DWoと回折光DWとの関
係を示す図である。ここで空間フィルター30はレンズ
25の焦点位置に配置される。このため対物レンズ19
の@19aと空間フィルター30とは共役になり、空間
フィルター30上には対物レンズ19の瞳像が結像する
。
尚、空間フィルター30としては、対物レンズ19に逆
入射した光の@19a上での分布形状に合わせて0次光
カットのための細長い遮光部を設けた透明板でよい。第
1図の光学系の場合、ビームスプリッタ8に入射したレ
ーザ光束のうち、偏光方向のP成分はビームスプリッタ
8を透過し、S成分は反射する。もし、172波長板9
.13がないと、光束BMはS成分となり、ミラー15
で反射された後、ビームスプリッタ12で反射されずに
透過してしまう、一方、光束BWはP成分となり、ミラ
ーlOで反射された後、ビームスプリッタ12で透過せ
ずに反射してしまう。そこで1/2波長板9.13を入
れて光束BM、BWの偏光方向をそれぞれ90°回転さ
せ、第1図のようにビームスプリッタ12から図中左側
に光束BM、BWを合成して射出するようにしである。
入射した光の@19a上での分布形状に合わせて0次光
カットのための細長い遮光部を設けた透明板でよい。第
1図の光学系の場合、ビームスプリッタ8に入射したレ
ーザ光束のうち、偏光方向のP成分はビームスプリッタ
8を透過し、S成分は反射する。もし、172波長板9
.13がないと、光束BMはS成分となり、ミラー15
で反射された後、ビームスプリッタ12で反射されずに
透過してしまう、一方、光束BWはP成分となり、ミラ
ーlOで反射された後、ビームスプリッタ12で透過せ
ずに反射してしまう。そこで1/2波長板9.13を入
れて光束BM、BWの偏光方向をそれぞれ90°回転さ
せ、第1図のようにビームスプリッタ12から図中左側
に光束BM、BWを合成して射出するようにしである。
尚、ビームスプリッタ12から図中下方に光束BM、B
Wを合成して射出する場合には、上記1/2波長板9.
13は不要となる。
Wを合成して射出する場合には、上記1/2波長板9.
13は不要となる。
次に、対物レンズ19によって結像されたスポット光と
マスク20、ウェハ21の各マークとの関係について、
第6図、第7図に基づ咎説明する。第6図(a)は第4
図の拡大図であり、第6図(b)は第3図の拡大図であ
る。第7図は対物レンズ19の視野19b内でのスポッ
ト光と各マークの配置を示す。
マスク20、ウェハ21の各マークとの関係について、
第6図、第7図に基づ咎説明する。第6図(a)は第4
図の拡大図であり、第6図(b)は第3図の拡大図であ
る。第7図は対物レンズ19の視野19b内でのスポッ
ト光と各マークの配置を示す。
さて、光束BWはその中心が対物レンズ19の光軸と一
致するように対物レンズ19に入射する。光束BWによ
るスリット状のスポット光WSは、マスク20の透明部
分を通ってウェハ21上に形成された幅5μm、長さ1
00μ■程度の回折格子状パターンのマーク21aに結
像される。
致するように対物レンズ19に入射する。光束BWによ
るスリット状のスポット光WSは、マスク20の透明部
分を通ってウェハ21上に形成された幅5μm、長さ1
00μ■程度の回折格子状パターンのマーク21aに結
像される。
一方、光束BMによるスリット状のスポット光MSは、
対物レンズ19の光軸から水平方向に距r!Iidだけ
偏芯した位置に結像し、マスク20に形成された幅5μ
m、長さ100μ■程度の格子状パターンのマーク20
aに結像される。また、スポット光WSとMSの長手方
向は互いに平行となるように定められ、その長手方向は
マーク20a、21aの格子の配列方向とも一致してい
る。さらにスポット光WS、MSの幅はマーク20a、
21aの幅とほぼ等しく定められている。そして、スポ
ット光WS、MSは振動ミラー6によってその長手方向
と直交する方向に同時に振動する。尚、本実施例では、
この振動の振幅は、マーク20a、21aの幅と略等し
く定められている。従って本実施例ではマーク20a。
対物レンズ19の光軸から水平方向に距r!Iidだけ
偏芯した位置に結像し、マスク20に形成された幅5μ
m、長さ100μ■程度の格子状パターンのマーク20
aに結像される。また、スポット光WSとMSの長手方
向は互いに平行となるように定められ、その長手方向は
マーク20a、21aの格子の配列方向とも一致してい
る。さらにスポット光WS、MSの幅はマーク20a、
21aの幅とほぼ等しく定められている。そして、スポ
ット光WS、MSは振動ミラー6によってその長手方向
と直交する方向に同時に振動する。尚、本実施例では、
この振動の振幅は、マーク20a、21aの幅と略等し
く定められている。従って本実施例ではマーク20a。
21aからの回折光DM、DWは第6図(b)のように
、スポット光MS、WSの長手方向に広がるような角度
で対物レンズ19に逆入射する。尚、スポット光MS、
WSの幅に対する長さhを大ぎくすることによって、マ
ーク20aとマーク21aの位置検出精度が向上する。
、スポット光MS、WSの長手方向に広がるような角度
で対物レンズ19に逆入射する。尚、スポット光MS、
WSの幅に対する長さhを大ぎくすることによって、マ
ーク20aとマーク21aの位置検出精度が向上する。
これは長さhが大きいと、回折光が多く生じることにな
り、検出信号のS/Nが向上するからである。また、マ
スク20にはマーク20aと平行に同様のマーク20b
が形成されている。このマーク20aと20bの間隔は
、対物レンズ19の開口数とギャップgとによって決ま
る光束BWの光路を遮へいしないように定められている
。またマーク20bは実際には光電的なマーク検出に寄
与しない、しかしながら、マーク20aと20bとの間
隔が2dとなるようにマーク20bを設けておけば、目
視で位置合わせする際極めて都合がよい。
り、検出信号のS/Nが向上するからである。また、マ
スク20にはマーク20aと平行に同様のマーク20b
が形成されている。このマーク20aと20bの間隔は
、対物レンズ19の開口数とギャップgとによって決ま
る光束BWの光路を遮へいしないように定められている
。またマーク20bは実際には光電的なマーク検出に寄
与しない、しかしながら、マーク20aと20bとの間
隔が2dとなるようにマーク20bを設けておけば、目
視で位置合わせする際極めて都合がよい。
また、第1図、第2図において、対物レンズ19に逆入
射した0次の光束(正反射光)DMo。
射した0次の光束(正反射光)DMo。
DWo及び回折光DM、DWのうち、正反射光DMo、
DWoはミラー18、ハーフミ17、ビームスプリッタ
12.8を通って振動ミラー6の反射部6aに達し、レ
ーザ光源1にバックトークとなって入射してしまう。こ
れは対物レンズ19がテレセントリック系として使われ
るからである。
DWoはミラー18、ハーフミ17、ビームスプリッタ
12.8を通って振動ミラー6の反射部6aに達し、レ
ーザ光源1にバックトークとなって入射してしまう。こ
れは対物レンズ19がテレセントリック系として使われ
るからである。
そこで本実施例では第9図に示すように、正反射光DM
o、DWoが振動ミラー6の透明部6bを通るように、
レーザ光源1から帯状光束BM、BWと正反射光DMo
、DWoとの光路をわずかにずらせる。このために本実
施例では第1.3.4図に示したミラー18を45°か
られずかに傾ける。
o、DWoが振動ミラー6の透明部6bを通るように、
レーザ光源1から帯状光束BM、BWと正反射光DMo
、DWoとの光路をわずかにずらせる。このために本実
施例では第1.3.4図に示したミラー18を45°か
られずかに傾ける。
具体的には、第3図に示したミラー18の位置を紙面内
でわずかに回転させるようにする。このようにすると、
対物レンズ19の瞳19aの中心を通っていた光束BM
、WMが第6図(b)の状態から紙面内左右方向にずれ
ると共に、第7図のスポット光MS、WSが共に視野1
9b内で若干長手方向にシフトする。しかしながらこの
シフトはスポット光MS、WSの間隔dを変えるもので
はないので、マーク20a、21aの検出において何ら
誤差要因とはならず、精度を低下させることはない。本
実施例では、このミラー18が本発明の変位部材として
機能する。
でわずかに回転させるようにする。このようにすると、
対物レンズ19の瞳19aの中心を通っていた光束BM
、WMが第6図(b)の状態から紙面内左右方向にずれ
ると共に、第7図のスポット光MS、WSが共に視野1
9b内で若干長手方向にシフトする。しかしながらこの
シフトはスポット光MS、WSの間隔dを変えるもので
はないので、マーク20a、21aの検出において何ら
誤差要因とはならず、精度を低下させることはない。本
実施例では、このミラー18が本発明の変位部材として
機能する。
さらに第6図(a) 、 (b)を参照して詳述すると
、対物レンズ19の瞳19aには振動ミラー6上にでき
るスポット光SP(第8図参照)が再結像される。振動
ミラー6の揺動方向とスポット光SPの長手方向との関
係から明らかなように、対物レンズ19の瞳19aにお
いて光束BM、BWは揺動方向(走査方向)に延びた帯
状分布になる。また瞳19a上での光束BM、BWの帯
状分布方向とマスク20又はウェハ21上のスリット状
スポット光MS、又はWSの長手方向とが直交すること
は、上述の各光学レンズの配置条件から幾何光学上、明
らかである。
、対物レンズ19の瞳19aには振動ミラー6上にでき
るスポット光SP(第8図参照)が再結像される。振動
ミラー6の揺動方向とスポット光SPの長手方向との関
係から明らかなように、対物レンズ19の瞳19aにお
いて光束BM、BWは揺動方向(走査方向)に延びた帯
状分布になる。また瞳19a上での光束BM、BWの帯
状分布方向とマスク20又はウェハ21上のスリット状
スポット光MS、又はWSの長手方向とが直交すること
は、上述の各光学レンズの配置条件から幾何光学上、明
らかである。
ところで、従来技術と同様に、本実施例でも対物レンズ
19を用いたレーザ振動走査は、テレセントリックな条
件のもとで行なうことを前提とするが、第3図の状態で
ミラー18を45°からずらすと、光束BM、BWのテ
レセントリックな条件は、第6図(b)の方向について
はくずされるが、第6図(a)の方向については保たれ
る。すなわちマーク20a、21aの計測方向(スポッ
ト光MS、WSの短手方向)についてはテレセントリッ
クな条件が保たれ、それと直交する方向についてはテレ
セントリックな条件が故意にくずされることになる。従
って、その条件がくずれている方向(スポット光MS、
WSの長手方向)に関しては、第9図に示すように、マ
スク20又はウェハ21からの正反射光DMo、BWo
が、光束BM、BWの光路からずれて振動ミラー6へ戻
ってくることになる。
19を用いたレーザ振動走査は、テレセントリックな条
件のもとで行なうことを前提とするが、第3図の状態で
ミラー18を45°からずらすと、光束BM、BWのテ
レセントリックな条件は、第6図(b)の方向について
はくずされるが、第6図(a)の方向については保たれ
る。すなわちマーク20a、21aの計測方向(スポッ
ト光MS、WSの短手方向)についてはテレセントリッ
クな条件が保たれ、それと直交する方向についてはテレ
セントリックな条件が故意にくずされることになる。従
って、その条件がくずれている方向(スポット光MS、
WSの長手方向)に関しては、第9図に示すように、マ
スク20又はウェハ21からの正反射光DMo、BWo
が、光束BM、BWの光路からずれて振動ミラー6へ戻
ってくることになる。
次に、本実施例によるマーク検出装置(以下、アライメ
ント系と呼ぶ)を備えたマスクとウェハの位置合わせ装
置について、第10図を参照して説明する。第10図は
位置合わせ装置の構成を一部ブロック図の形式で示した
模式図である。第10図において、ベース50上にはウ
ェハ21を2次元移動するためのステージ51が配置さ
れ、ステージ51は2次元駆動手段52(以下、ACT
52とする)によってベース50上をxy平面(図中X
方向と、これと垂直な方向(紙面表裏方向)によってで
きる面)に沿って移動可能されている。このステージ5
1の座標位置はレーザ干渉計53によって検出されてい
る。まずステージ51上にはウェハ21を載置するとと
もに、ウェハ21をステージ51に対して微小回転させ
たり、傾けたり、あるいはxy平面と垂直なZ軸方向に
上下動させたりするためのウェハホルダ54が設けられ
ている。これらウェハホルダ54の各運動はステージ5
1に設けらた駆動部55によって行なわれる。またウェ
ハホルダ54上には、第1図〜第9図に示したアライメ
ント系の校正やマスク20とウェハ21のギャップgを
検定するために、マーク20a、21aと同様の回折格
子状の基準マーク56(以下FM56とする)が設けら
れている。
ント系と呼ぶ)を備えたマスクとウェハの位置合わせ装
置について、第10図を参照して説明する。第10図は
位置合わせ装置の構成を一部ブロック図の形式で示した
模式図である。第10図において、ベース50上にはウ
ェハ21を2次元移動するためのステージ51が配置さ
れ、ステージ51は2次元駆動手段52(以下、ACT
52とする)によってベース50上をxy平面(図中X
方向と、これと垂直な方向(紙面表裏方向)によってで
きる面)に沿って移動可能されている。このステージ5
1の座標位置はレーザ干渉計53によって検出されてい
る。まずステージ51上にはウェハ21を載置するとと
もに、ウェハ21をステージ51に対して微小回転させ
たり、傾けたり、あるいはxy平面と垂直なZ軸方向に
上下動させたりするためのウェハホルダ54が設けられ
ている。これらウェハホルダ54の各運動はステージ5
1に設けらた駆動部55によって行なわれる。またウェ
ハホルダ54上には、第1図〜第9図に示したアライメ
ント系の校正やマスク20とウェハ21のギャップgを
検定するために、マーク20a、21aと同様の回折格
子状の基準マーク56(以下FM56とする)が設けら
れている。
一方、ベース50から延びたコラム57の先端にはマス
ク20の位置を調整するための駆動部58が設けられて
いる。この駆動部58はマスク50を保持するマスクホ
ルダ59を回転させたり、2方向に上下動させたり、あ
るいは、傾かせたりするように動作する。またマスク2
0の上方には前述の対物レンズ19が位置するように、
アライメント系60が配置される。アライメント系60
はマスク20の上方に出し入れできるように駆動部61
によって矢印のように移動する。また駆動部61はその
出し入れの量も検出する。尚、アライメント系60は第
1図〜第9図全体の構成を含むものとするが、出し入れ
のために対物レンズ19.ミラー18.ハーフミラ−1
7,レンズ16、ミラー22.及びレンズ23のみを一
体として移動させるようにしてもよい、検出装置62は
、アライメント系60の内、すなわち第1図の校正で一
次元イメージセンサー27,28、光電検出器33.3
4の各光電信号を入力として受けとって、マークの位置
検出や焦点検出を行なう。
ク20の位置を調整するための駆動部58が設けられて
いる。この駆動部58はマスク50を保持するマスクホ
ルダ59を回転させたり、2方向に上下動させたり、あ
るいは、傾かせたりするように動作する。またマスク2
0の上方には前述の対物レンズ19が位置するように、
アライメント系60が配置される。アライメント系60
はマスク20の上方に出し入れできるように駆動部61
によって矢印のように移動する。また駆動部61はその
出し入れの量も検出する。尚、アライメント系60は第
1図〜第9図全体の構成を含むものとするが、出し入れ
のために対物レンズ19.ミラー18.ハーフミラ−1
7,レンズ16、ミラー22.及びレンズ23のみを一
体として移動させるようにしてもよい、検出装置62は
、アライメント系60の内、すなわち第1図の校正で一
次元イメージセンサー27,28、光電検出器33.3
4の各光電信号を入力として受けとって、マークの位置
検出や焦点検出を行なう。
また検出装置62は第1図に示した平行平板ガラスHG
の傾きも制御する。さらにACT52゜レーザ干渉計5
3駆動部55,58.61及び検出装置62は全体を統
括制御するマイクロ・コンピュータ等の制御手段63に
よって制御される。
の傾きも制御する。さらにACT52゜レーザ干渉計5
3駆動部55,58.61及び検出装置62は全体を統
括制御するマイクロ・コンピュータ等の制御手段63に
よって制御される。
尚、第10図にはアライメント系が1つしか表わされて
いないが、実際には第11図のように3つのアライメン
ト系60x、60y、60θがマスク20のまわりに配
置される。第11図で丸印で示されたアライメント系B
ox、60y、60θは各々対物レンズ19の視野を表
わすものとし、各対物レンズ19は矢印のようにマスク
20上に出し入れされる。またこの場合、マスク20と
しては図中斜線部のようにストリートラインSLで区切
られた4つの回路パターン領域CP(以下チップCPと
する)が形成されたもの、いわゆるマルチ・ダイのもの
が使用できる。そして、ストリートラインSL上のマス
ク20の周辺部には、第7図で示したマーク20a、2
0bがアライメント系Box、60y、60θの位置に
対応して3ケ所に設けられている。また、マスク20上
のマーク20a、20bはマスク2oの中心から放射方
向に延びるように定められている。
いないが、実際には第11図のように3つのアライメン
ト系60x、60y、60θがマスク20のまわりに配
置される。第11図で丸印で示されたアライメント系B
ox、60y、60θは各々対物レンズ19の視野を表
わすものとし、各対物レンズ19は矢印のようにマスク
20上に出し入れされる。またこの場合、マスク20と
しては図中斜線部のようにストリートラインSLで区切
られた4つの回路パターン領域CP(以下チップCPと
する)が形成されたもの、いわゆるマルチ・ダイのもの
が使用できる。そして、ストリートラインSL上のマス
ク20の周辺部には、第7図で示したマーク20a、2
0bがアライメント系Box、60y、60θの位置に
対応して3ケ所に設けられている。また、マスク20上
のマーク20a、20bはマスク2oの中心から放射方
向に延びるように定められている。
そして、3ケ所のマーク20a、20bは同時に観察さ
れ、アライメント系60xはマスク2oとウェハ21の
X方向の位置を検出し、アライメント系soyは同様に
X方向の位置を検出し、アライメント系60θは60y
と共にマスク20及びウェハ21の回転を検出する。
れ、アライメント系60xはマスク2oとウェハ21の
X方向の位置を検出し、アライメント系soyは同様に
X方向の位置を検出し、アライメント系60θは60y
と共にマスク20及びウェハ21の回転を検出する。
第12図は、第10図中の検出装置62内に組み込まれ
、マスク20のマーク20aを検出する回路のブロック
図である。尚、ウェハ21のマーク21aの検出もほぼ
同じ構成の回路で行なわれるので説明を省略する。
、マスク20のマーク20aを検出する回路のブロック
図である。尚、ウェハ21のマーク21aの検出もほぼ
同じ構成の回路で行なわれるので説明を省略する。
第12図において、マーク20aからの回折光DMを受
光する光電検出器33の出力信号はブリアンプ100に
入力され、DMの光量に応じた電圧信号として出力され
る。プリアンプ100の出力信号は位相検波回路(PS
D)101に入力される一方、コンパレータ103にも
入力されて基準電圧102と比較される。PSDIOI
の出力信号はローパスフィルタ(LPF)104に入力
され、LPF104からマーク20aとスポット光MS
との位置ずれに対応した直流レベル信号として出力され
る。
光する光電検出器33の出力信号はブリアンプ100に
入力され、DMの光量に応じた電圧信号として出力され
る。プリアンプ100の出力信号は位相検波回路(PS
D)101に入力される一方、コンパレータ103にも
入力されて基準電圧102と比較される。PSDIOI
の出力信号はローパスフィルタ(LPF)104に入力
され、LPF104からマーク20aとスポット光MS
との位置ずれに対応した直流レベル信号として出力され
る。
発振器(O3C)105は同一周波数の矩形波信号S、
と正弦波信号S2とを出力し、矩形波信号SlはPSD
IOIに基準信号として人力されてプリアンプ100の
出力信号との位相差の検出に用いられ、正弦波信号S2
はパワーアンプ106で電力増幅されて第1図の振動ミ
ラー6の駆動信号に用いられる。前記PSDIOIは一
般的には乗算器などで構成することができ、その出力信
号にはリップル(高周波成分)が含まれるためLPF1
04で直流レベル信号のみとり出すようにするのは前述
の通りである。
と正弦波信号S2とを出力し、矩形波信号SlはPSD
IOIに基準信号として人力されてプリアンプ100の
出力信号との位相差の検出に用いられ、正弦波信号S2
はパワーアンプ106で電力増幅されて第1図の振動ミ
ラー6の駆動信号に用いられる。前記PSDIOIは一
般的には乗算器などで構成することができ、その出力信
号にはリップル(高周波成分)が含まれるためLPF1
04で直流レベル信号のみとり出すようにするのは前述
の通りである。
コンパレータ103はプリアンプ100の出力信号と基
準電圧102とを比較してスポット光MSとマーク20
aが概ね重なったかどうかを判定するものであり、この
結果をもって粗位置合わせに利用可能である。即ち第1
3図(a)に示すように、振動ミラー6の振動を止めて
おき、マーク20aを駆動部58等でスポット光MSに
対して走査すると第13図(b)に示すようにスポット
光MSがマーク20aと一致したときに最大の回折光が
発生してプリアンプ100の出力信号の時間的変化にピ
ークが現れる。これを基準電圧102と比較することに
よりコンパレータ103は第13図(C)に示す様なパ
ルス信号を出力する。
準電圧102とを比較してスポット光MSとマーク20
aが概ね重なったかどうかを判定するものであり、この
結果をもって粗位置合わせに利用可能である。即ち第1
3図(a)に示すように、振動ミラー6の振動を止めて
おき、マーク20aを駆動部58等でスポット光MSに
対して走査すると第13図(b)に示すようにスポット
光MSがマーク20aと一致したときに最大の回折光が
発生してプリアンプ100の出力信号の時間的変化にピ
ークが現れる。これを基準電圧102と比較することに
よりコンパレータ103は第13図(C)に示す様なパ
ルス信号を出力する。
このパルス信号は「H」レベルである間はスポット光M
Sとマーク20aとが概ね重なっていることを示してお
り、これによりラフな位置検出が可能である。尚、プリ
アンプ100の出力信号をローパスフィルタを介してコ
ンパレータ103に入力すれば、振動ミラー6を振動さ
せたままでも同様のラフな位置合わせが果されよう。
Sとマーク20aとが概ね重なっていることを示してお
り、これによりラフな位置検出が可能である。尚、プリ
アンプ100の出力信号をローパスフィルタを介してコ
ンパレータ103に入力すれば、振動ミラー6を振動さ
せたままでも同様のラフな位置合わせが果されよう。
次に高精度の位置合わせを行なうためには、振動ミラー
6を振動させたままスポット光MSをマーク20aに対
して走査する。このとき振動ミラー6によってスポット
光MSはマーク面において微小振動するが、その振幅は
ほぼマーク20aの幅に定められている。この場合のマ
ーク20aとスポット光MSの様子および得られる信号
波形を第14図(a)および(b)に示す。すなわち第
14図(a)のようにスポット光MSが微小振動しなが
らマーク20aを走査すると、LPF104の出力信号
は第14図(b)のようにSカーブ信号となる。つまり
スポット光MSの中心とマーク20aの中心が完全に一
致したときにはプリアンプ100の出力信号と03C1
05の矩形波信号との位相差が零となる。尚、厳密には
このとぎのプリアンプ100の出力信号の周波数成分は
0SC105の発振周波数に対しては零となり、osC
105の発振周波数の倍の周波数成分だけとなる。さら
にこの場合、マーク20aの中心0に対して両側で位相
が反転した波形が得られ、従ってマーク20aの中心と
スポット光MSの中心が完全に一致した状態ではLPF
104の出力は茎となり、ずれているときはその方向に
応じてLPF104の出力に正または負の信号が現われ
、この;点合わせを行なうことで極めて正確な位置合わ
せが達成される。
6を振動させたままスポット光MSをマーク20aに対
して走査する。このとき振動ミラー6によってスポット
光MSはマーク面において微小振動するが、その振幅は
ほぼマーク20aの幅に定められている。この場合のマ
ーク20aとスポット光MSの様子および得られる信号
波形を第14図(a)および(b)に示す。すなわち第
14図(a)のようにスポット光MSが微小振動しなが
らマーク20aを走査すると、LPF104の出力信号
は第14図(b)のようにSカーブ信号となる。つまり
スポット光MSの中心とマーク20aの中心が完全に一
致したときにはプリアンプ100の出力信号と03C1
05の矩形波信号との位相差が零となる。尚、厳密には
このとぎのプリアンプ100の出力信号の周波数成分は
0SC105の発振周波数に対しては零となり、osC
105の発振周波数の倍の周波数成分だけとなる。さら
にこの場合、マーク20aの中心0に対して両側で位相
が反転した波形が得られ、従ってマーク20aの中心と
スポット光MSの中心が完全に一致した状態ではLPF
104の出力は茎となり、ずれているときはその方向に
応じてLPF104の出力に正または負の信号が現われ
、この;点合わせを行なうことで極めて正確な位置合わ
せが達成される。
尚、ウェハ21上のマーク21aもスポット光WSによ
る光電検出器34の出力を全く同様の検出回路で信号処
理することで検出される。
る光電検出器34の出力を全く同様の検出回路で信号処
理することで検出される。
また検出装置62として第15図の回路を採用してもよ
い。
い。
第15図は第12図の回路を変形したものであり、第1
2図と同様の作用、効果を有するブロックには同一の番
号をつけである。ただし、第15図の回路はウェハ21
からの回折光DWを検出するのに適した実施例である。
2図と同様の作用、効果を有するブロックには同一の番
号をつけである。ただし、第15図の回路はウェハ21
からの回折光DWを検出するのに適した実施例である。
さて、第15図の回路で第12図と異なる点は、プリア
ンプ100の出力信号がローパスフィルタ(LPF)2
00に入力された後、コンパレータ103に印加される
点である。コンパレータ201にはLPF104の出力
信号を入力して、PSDI O1からのSカーブ信号の
零クロス点を検出する。アンドゲート202はコンパレ
ータ103とコンパレータ201の出力信号を入力して
、ウェハ21上のマーク21aの中心とスポット光WS
の振動中心とが一致したときに検出パルス信号を出力す
る。カウンタ204は第10図の制御手段63中に設け
られ、レーザ干渉計53から得られる干渉縞を計数する
とともに、アンドゲート202からの検出パルス信号の
立上りでの計数値をラッチして出力する。
ンプ100の出力信号がローパスフィルタ(LPF)2
00に入力された後、コンパレータ103に印加される
点である。コンパレータ201にはLPF104の出力
信号を入力して、PSDI O1からのSカーブ信号の
零クロス点を検出する。アンドゲート202はコンパレ
ータ103とコンパレータ201の出力信号を入力して
、ウェハ21上のマーク21aの中心とスポット光WS
の振動中心とが一致したときに検出パルス信号を出力す
る。カウンタ204は第10図の制御手段63中に設け
られ、レーザ干渉計53から得られる干渉縞を計数する
とともに、アンドゲート202からの検出パルス信号の
立上りでの計数値をラッチして出力する。
さて、このような構成で微小振動するスポット光WSに
対してステージ51を移動させ、第16図(a)のよう
に、マーク21aを矢印のように走査すると、LPF1
04は第16図(b)のようにSカーブ信号を出力する
。一方LPF200は第16図(C)のようなピーク信
号を出力し、コンパレータ103の出力信号は基準レベ
ル102と比較されて、第16図(d)のようなパルス
信号となる。またコンパレータ201は第16図(e)
のようにSカーブ信号の正極性のみハイ・レベルとなる
パルス信号を出力する。従ってアンド・ゲート202は
第16図(f)のようなパルス信号を出力し、その立上
りはSカーブ信号の零クロス点あるいは、LPF200
のピーク信号の最大点に一致している。このように、ア
ンド・ゲート202の検出パルス信号の立上りでカウン
タ204の計数値をラッチすると、スポット光WSの振
動中心とマーク21aの中心とが一致したときのステー
ジ51の位置、すなわちマーク21aの位置が求められ
る。その後、ラッチした計数値になるようにステージ5
1を戻せば、正確なアライメントが達成される。この検
出回路によればスポット光WSに対してマーク21aを
ステージ51の走査によって一度通過させるだけで、後
はレーザ干渉計53の計測値によって位置合わせができ
るから、高速のアライメントが可能となる。この場合、
ステージ51が本発明の走査手段に相当する。さらに、
PSDIOIのSカーブ信号の7クロス点のパルス信号
と、回折光DWの光強度に対応したパルス信号とのアン
ドによって、マーク21aの中心の位置を検出している
ため、ステージ51を走査するとき、ことさら等速度に
移動させなくても正確な位置検出ができる。
対してステージ51を移動させ、第16図(a)のよう
に、マーク21aを矢印のように走査すると、LPF1
04は第16図(b)のようにSカーブ信号を出力する
。一方LPF200は第16図(C)のようなピーク信
号を出力し、コンパレータ103の出力信号は基準レベ
ル102と比較されて、第16図(d)のようなパルス
信号となる。またコンパレータ201は第16図(e)
のようにSカーブ信号の正極性のみハイ・レベルとなる
パルス信号を出力する。従ってアンド・ゲート202は
第16図(f)のようなパルス信号を出力し、その立上
りはSカーブ信号の零クロス点あるいは、LPF200
のピーク信号の最大点に一致している。このように、ア
ンド・ゲート202の検出パルス信号の立上りでカウン
タ204の計数値をラッチすると、スポット光WSの振
動中心とマーク21aの中心とが一致したときのステー
ジ51の位置、すなわちマーク21aの位置が求められ
る。その後、ラッチした計数値になるようにステージ5
1を戻せば、正確なアライメントが達成される。この検
出回路によればスポット光WSに対してマーク21aを
ステージ51の走査によって一度通過させるだけで、後
はレーザ干渉計53の計測値によって位置合わせができ
るから、高速のアライメントが可能となる。この場合、
ステージ51が本発明の走査手段に相当する。さらに、
PSDIOIのSカーブ信号の7クロス点のパルス信号
と、回折光DWの光強度に対応したパルス信号とのアン
ドによって、マーク21aの中心の位置を検出している
ため、ステージ51を走査するとき、ことさら等速度に
移動させなくても正確な位置検出ができる。
もちろん、この方式はウェハ21上のマーク21aの検
出のみに有効なのではなく%FM56を用いた2つのス
ポット光MS、WSの調整の際にも極めて有効である。
出のみに有効なのではなく%FM56を用いた2つのス
ポット光MS、WSの調整の際にも極めて有効である。
尚、本発明の実施例では、第7図のように2つのスポッ
ト光MS、WSが対物レンズの視野19b内で平行に並
ぶように位置させた場合を述べている。しかしながら、
マスク20とウェハ21との一方向の位置決めのために
は2つのスポット光MS、WSは単に長手方向が一致し
さえすればよいから、例えば第17図(a)のように、
2つのスポット光MS、WSの中心が一直線上になるよ
うにしてもよく、また第17図(b)のように−直線上
の位置から左右(長手方向と直交する方向)にずらして
もよい。もちろん、アライメント用の各マークは、この
スポット光MS、WSの位置に合わせて、マスク20上
やウェハ21上に設けておけばよい、このような場合で
もレーザ光源に対するバックトーク防止は、先の説明と
同じ考え方で実現される。
ト光MS、WSが対物レンズの視野19b内で平行に並
ぶように位置させた場合を述べている。しかしながら、
マスク20とウェハ21との一方向の位置決めのために
は2つのスポット光MS、WSは単に長手方向が一致し
さえすればよいから、例えば第17図(a)のように、
2つのスポット光MS、WSの中心が一直線上になるよ
うにしてもよく、また第17図(b)のように−直線上
の位置から左右(長手方向と直交する方向)にずらして
もよい。もちろん、アライメント用の各マークは、この
スポット光MS、WSの位置に合わせて、マスク20上
やウェハ21上に設けておけばよい、このような場合で
もレーザ光源に対するバックトーク防止は、先の説明と
同じ考え方で実現される。
さらにマスク上、又はウェハ上に形成されるスポット光
はスリット状に限らず円形であってもよいことは述べる
までもない。
はスリット状に限らず円形であってもよいことは述べる
までもない。
[発明の効果]
以上、本発明によればテレセントリックな条件で対物光
学系を介して物体上にレーザ光を照射し、物体上のマー
ク等のパターンを検出する際、レーザ光の物体からの正
反射光がレーザ光源まで戻ってバックトークになること
が防止される。このため、レーザ光源の発振が安定し、
物体上を照射するレーザ光強度が一定に保たれ、従って
パターンからの散乱、回折光の光電検出信号も安定する
といった効果が得られる。
学系を介して物体上にレーザ光を照射し、物体上のマー
ク等のパターンを検出する際、レーザ光の物体からの正
反射光がレーザ光源まで戻ってバックトークになること
が防止される。このため、レーザ光源の発振が安定し、
物体上を照射するレーザ光強度が一定に保たれ、従って
パターンからの散乱、回折光の光電検出信号も安定する
といった効果が得られる。
第1図は本発明の実施例に係るマークパターン検出装置
の光学系を示す光路図、第2図、第3図、第4図、およ
び第5図はそれぞれ第1図中の要部の部分光路図、第6
図(a)は第4図を拡大して示した光路図、第6図(b
)は第3図を拡大して示した光路図、第7図は対物レン
ズの視野内でのスポット光とマークの位置関係を示す説
明図、第8図は振動ミラ一部分での光束の様子を示す模
式説明図、第9図はレーザ光源へのパックトーク防止の
ための振動ミラーの工夫を示す模式説明図、第10図は
マーク検出装置を組み込んだ露光装置構成の一例を一部
ブロック図の形式で示す模式図、第11図はアライメン
ト光学系のマスク、ウェハに対する配置例を示す模式平
面図、第12図は検出回路の一例を示すブロック図、第
13図(a)は振動ミラーを振動させないで位置合わせ
する際のマークとスポット光との様子を示す模式図、第
13図(b) (e)は前図の場合の検出信号を示す波
形図、第14図(a)は振動ミラーを振動させて位置合
わせする際のマークとスポット光との様子を示す模式図
、第14図(b)は前図の場合の検出信号を示す波形図
、第15図は別の実施例に係る検出回路のブロック図、
第16図(a)は前図の例による場合の位置合わせにお
けるマークとスポット光との様子を示す模式図、第16
図(b) (c)(d) (e) (f)は前図の場合
の検出信号を示す波形図、第17図(a) (b)は対
物レンズ視野内での2つのスポット光の配列のそれぞれ
別の例を示す説明図である。 1:レーザ光源、6:振動ミラー 8,12:ビームス
プリッタ、11:光路長補正プリズム、18:バックト
ーク防止用のミラー 19:対物レンズ、19 a :
fil、20−マスク、21;ウェハ、20a、21
a:マーク、27.28ニ一次元イメージセンサ、30
:空間フィルター33.34:光電検出器、51:ステ
ージ、52.53:ステージ駆動部、54:ウェハホル
ダ、55:ウェハ駆動部、58:マスク駆動部、59:
マスクホルダ、60.60x、 6oy。 60θ:アライメント系、62;検出装置、63:制御
装置、100:ブリアンプ、101:位相検波器、10
3.201:コンパレータ、104.200:ローパス
フィルタ、105:発振器、106:パワーアンプ、2
02:アンドゲート、204:カウンタ。 /16囚 (の (−fl) 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 オフ図 、!3図 、fq図 矛10図 し− 第11図 C\
の光学系を示す光路図、第2図、第3図、第4図、およ
び第5図はそれぞれ第1図中の要部の部分光路図、第6
図(a)は第4図を拡大して示した光路図、第6図(b
)は第3図を拡大して示した光路図、第7図は対物レン
ズの視野内でのスポット光とマークの位置関係を示す説
明図、第8図は振動ミラ一部分での光束の様子を示す模
式説明図、第9図はレーザ光源へのパックトーク防止の
ための振動ミラーの工夫を示す模式説明図、第10図は
マーク検出装置を組み込んだ露光装置構成の一例を一部
ブロック図の形式で示す模式図、第11図はアライメン
ト光学系のマスク、ウェハに対する配置例を示す模式平
面図、第12図は検出回路の一例を示すブロック図、第
13図(a)は振動ミラーを振動させないで位置合わせ
する際のマークとスポット光との様子を示す模式図、第
13図(b) (e)は前図の場合の検出信号を示す波
形図、第14図(a)は振動ミラーを振動させて位置合
わせする際のマークとスポット光との様子を示す模式図
、第14図(b)は前図の場合の検出信号を示す波形図
、第15図は別の実施例に係る検出回路のブロック図、
第16図(a)は前図の例による場合の位置合わせにお
けるマークとスポット光との様子を示す模式図、第16
図(b) (c)(d) (e) (f)は前図の場合
の検出信号を示す波形図、第17図(a) (b)は対
物レンズ視野内での2つのスポット光の配列のそれぞれ
別の例を示す説明図である。 1:レーザ光源、6:振動ミラー 8,12:ビームス
プリッタ、11:光路長補正プリズム、18:バックト
ーク防止用のミラー 19:対物レンズ、19 a :
fil、20−マスク、21;ウェハ、20a、21
a:マーク、27.28ニ一次元イメージセンサ、30
:空間フィルター33.34:光電検出器、51:ステ
ージ、52.53:ステージ駆動部、54:ウェハホル
ダ、55:ウェハ駆動部、58:マスク駆動部、59:
マスクホルダ、60.60x、 6oy。 60θ:アライメント系、62;検出装置、63:制御
装置、100:ブリアンプ、101:位相検波器、10
3.201:コンパレータ、104.200:ローパス
フィルタ、105:発振器、106:パワーアンプ、2
02:アンドゲート、204:カウンタ。 /16囚 (の (−fl) 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 オフ図 、!3図 、fq図 矛10図 し− 第11図 C\
Claims (3)
- (1)テレセントリック系を成す対物光学系の瞳面とほ
ぼ共役な面内に振れ原点を配した一次元の走査部材と、
該走査部材を介して前記対物光学系の瞳面のほぼ中央に
レーザ光を入射するレーザ光源と、前記対物光学系を通
って物体上に集光されたレーザ光が前記走査部材によっ
て前記物体上のパターンを一次元走査したとき、該パタ
ーンから生じる散乱、回折光を受光する光電検出器とを
備えたパターン検出装置において、 前記走査部材から前記対物光学系までの光路中に配置さ
れ、前記対物光学系の瞳面を通るレーザ光を、前記瞳の
中心から前記一次元走査の方向と直交する方向に所定量
だけ変位させる変位部材を設け、前記物体で反射したレ
ーザ光のうち正反射光が前記対物光学系、前記変位部材
、及び前記走査部材を介して前記レーザ光源まで戻るこ
とを防止したことを特徴とするパターン検出装置。 - (2)前記走査部材は、前記一次元走査の方向と直交す
る方向に伸びた軸の回りに回動する透明板の一部に反射
面を形成した走査鏡で構成され、該反射面には前記レー
ザ光源からのレーザ光が入射され、前記走査鏡に戻って
くる前記物体からの正反射光が前記走査鏡の反射面から
ずれた透明部に入射するように、前記変位部材を配置し
たことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の装置
。 - (3)所定のパターンが形成された物体の表面に対して
光軸が垂直になるように配置されたテレセントリックな
対物光学系と、レーザ光源からのレーザ光の断面形状を
第1方向に延びた帯状分布に整形すると共に、前記対物
光学系の瞳面のほぼ中央に該帯状分布から位置するよう
に前記レーザ光を前記対物光学系に入射させる照射光学
系とを備え、前記対物光学系によって前記物体上に照射
された前記レーザ光の断面形状は、前記第1方向とほぼ
直交した第2方向に伸びるスリット状に成形され、さら
に 該スリット状レーザ光と前記物体とを前記第1方向に相
対的に走査する走査手段と、該走査によつて前記パター
ンから生ずる散乱、回折光を受光する光電検出器とを備
えたパターン検出装置において、 前記照射光学系内に配置され、前記対物光学系の瞳面を
通るレーザ光を、前記瞳の中心から前記第2方向に所定
量だけ変位させる変位部材を設け、前記物体で反射した
レーザ光のうち正反射光が前記対物光学系、前記変位部
材、及び前記照射光学系を介して前記レーザ光源まで戻
ることを防止したことを特徴とするパターン検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234596A JPH02191314A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | パターン検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234596A JPH02191314A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | パターン検出装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58005184A Division JPS59132126A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-18 | 位置合わせ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02191314A true JPH02191314A (ja) | 1990-07-27 |
JPH0429213B2 JPH0429213B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=16973512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1234596A Granted JPH02191314A (ja) | 1989-09-12 | 1989-09-12 | パターン検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02191314A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004520105A (ja) * | 2000-12-19 | 2004-07-08 | ハイシャン ゼン、 | 蛍光及び反射率撮像と分光のための方法及び装置並びに多数の測定装置による電磁放射線の同時測定のための方法及び装置 |
JP2009288301A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
JP2012243863A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Canon Inc | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
JP2015062233A (ja) * | 2014-10-23 | 2015-04-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
JP2016015506A (ja) * | 2015-08-27 | 2016-01-28 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびデバイス製造方法 |
-
1989
- 1989-09-12 JP JP1234596A patent/JPH02191314A/ja active Granted
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004520105A (ja) * | 2000-12-19 | 2004-07-08 | ハイシャン ゼン、 | 蛍光及び反射率撮像と分光のための方法及び装置並びに多数の測定装置による電磁放射線の同時測定のための方法及び装置 |
JP2009288301A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | V Technology Co Ltd | 近接露光装置 |
JP2012243863A (ja) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Canon Inc | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
KR20150018866A (ko) * | 2011-05-17 | 2015-02-24 | 캐논 가부시끼가이샤 | 임프린트 장치 |
US9188855B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method |
US9645514B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method |
JP2015062233A (ja) * | 2014-10-23 | 2015-04-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法およびデバイス製造方法 |
JP2016015506A (ja) * | 2015-08-27 | 2016-01-28 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0429213B2 (ja) | 1992-05-18 |
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