JPS61134012A - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPS61134012A JPS61134012A JP25680084A JP25680084A JPS61134012A JP S61134012 A JPS61134012 A JP S61134012A JP 25680084 A JP25680084 A JP 25680084A JP 25680084 A JP25680084 A JP 25680084A JP S61134012 A JPS61134012 A JP S61134012A
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- JP
- Japan
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- substrate
- vapor
- voltage
- electrode
- evaporation
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空中で薄膜を蒸着させる蒸着装置に関す
るものである。
るものである。
第２図は特公昭５４−９５９２号に示された従来の蒸着
装置を示す構造図であり、図において、１は真空槽、２
，３は真空槽１の上、下ベース、４は排気孔、５は物質
蒸気発生炉、７は物質蒸気発生炉支持台、１２は物質蒸
気噴出用小孔、１４はイオン化し付着させる物質、１５
は物質蒸気発生炉加熱ヒータ、１６は物質蒸気発生炉加
熱用ヒータ電源、１７は物質蒸気、９は直流高圧電源、
１０は電子放射用フィラメント、１１は電子ビーム、１
３は電子放射用フィラメント加熱電源、１８は基板取付
台、１９は基板、２０はイオン化したクラスタビーム、
６はクラスタイオンを加速する加速電極、２１はシャッ
タ、２２は電流針である。
装置を示す構造図であり、図において、１は真空槽、２
，３は真空槽１の上、下ベース、４は排気孔、５は物質
蒸気発生炉、７は物質蒸気発生炉支持台、１２は物質蒸
気噴出用小孔、１４はイオン化し付着させる物質、１５
は物質蒸気発生炉加熱ヒータ、１６は物質蒸気発生炉加
熱用ヒータ電源、１７は物質蒸気、９は直流高圧電源、
１０は電子放射用フィラメント、１１は電子ビーム、１
３は電子放射用フィラメント加熱電源、１８は基板取付
台、１９は基板、２０はイオン化したクラスタビーム、
６はクラスタイオンを加速する加速電極、２１はシャッ
タ、２２は電流針である。
また第３図は第２図の装置の直流高圧電源の詳細を示す
電気回路図であり、３０は商用交流電源、３１はスライ
ダックトランス、３２は昇圧トランス、３３はダイオー
ド整流器、３４は平滑用コンデンサ、３５．３６は出力
端子である。
電気回路図であり、３０は商用交流電源、３１はスライ
ダックトランス、３２は昇圧トランス、３３はダイオー
ド整流器、３４は平滑用コンデンサ、３５．３６は出力
端子である。
次に動作について説明する。第２図において、物質１４
を物質蒸気発生炉５に入れ、ヒータ１５に電源１６より
電流を流すことにより加熱する。
を物質蒸気発生炉５に入れ、ヒータ１５に電源１６より
電流を流すことにより加熱する。
物質１４は溶融して蒸気１７を発生し、発生炉５内の圧
力が高くなることにより蒸気１７は小孔１２より噴出し
、上部に飛び出す。飛び出した蒸気１７は、フィラメン
ト１０の近傍を通過するときに、フィラメント１０より
生成された電子ビーム１１と衝突し、蒸気原子の電子が
飛ばされてイオン化する。イオン化した蒸気、即ちクラ
スタイオン２０は加速電極６と基板取付台１８間に直流
高圧電源９で与えられた電位により加速され、基板１９
に衝突する。衝突した蒸気２０は基板１９に堆積して薄
膜を形成する。
力が高くなることにより蒸気１７は小孔１２より噴出し
、上部に飛び出す。飛び出した蒸気１７は、フィラメン
ト１０の近傍を通過するときに、フィラメント１０より
生成された電子ビーム１１と衝突し、蒸気原子の電子が
飛ばされてイオン化する。イオン化した蒸気、即ちクラ
スタイオン２０は加速電極６と基板取付台１８間に直流
高圧電源９で与えられた電位により加速され、基板１９
に衝突する。衝突した蒸気２０は基板１９に堆積して薄
膜を形成する。
また第４図において、商用交流電源３０からの電圧はス
ライダックトランス３１により電圧調整され、昇圧トラ
ンス３２に該電圧が印加される。
ライダックトランス３１により電圧調整され、昇圧トラ
ンス３２に該電圧が印加される。
昇圧トランス３２により昇圧された高電圧交流は整流器
３３により整流され、コンデンサ３４によって平滑され
て直流電圧となり、端子３５にプラス、端子３６にマイ
ナスの直流電圧が発生する。
３３により整流され、コンデンサ３４によって平滑され
て直流電圧となり、端子３５にプラス、端子３６にマイ
ナスの直流電圧が発生する。
従来の蒸着装置は第２図のように構成されているため、
蒸着途中で蒸着力調整を行なうために加速電圧を零ボル
トにしようとしてスライダックトランス３１の出力電圧
を零ボルトにしても、イオン化された蒸気２０は蒸気発
生炉５より噴出した速度で基板１９に到達するので、イ
オン流に応じた直流電圧が基板１９と電極６の間に発生
し、この直流電圧はダイオード３３によりブロックされ
る損性であるので、完全に基板１９と電極６の間の加速
電圧を零にできず、十分な蒸着力の抑制を行なうことが
できなかった。
蒸着途中で蒸着力調整を行なうために加速電圧を零ボル
トにしようとしてスライダックトランス３１の出力電圧
を零ボルトにしても、イオン化された蒸気２０は蒸気発
生炉５より噴出した速度で基板１９に到達するので、イ
オン流に応じた直流電圧が基板１９と電極６の間に発生
し、この直流電圧はダイオード３３によりブロックされ
る損性であるので、完全に基板１９と電極６の間の加速
電圧を零にできず、十分な蒸着力の抑制を行なうことが
できなかった。
本発明は上記のような従来の問題を解消するためになさ
れたもので、蒸着途中でも蒸着力の十分な抑制を行なう
ことのできる蒸着装置を提供することを目的としている
。
れたもので、蒸着途中でも蒸着力の十分な抑制を行なう
ことのできる蒸着装置を提供することを目的としている
。
この発明に係る蒸着装置は、蒸着される基板と加速電極
との間を電気的に短絡する短絡器を設けたものである。
との間を電気的に短絡する短絡器を設けたものである。
この発明においては、蒸着される基板と加速電極との間
を、短絡器により蒸着途中に短絡することにより、蒸着
中でもイオン化された蒸気の加速電圧を零とすることが
でき、蒸着物質の蒸着力の十分な抑制ができる。
を、短絡器により蒸着途中に短絡することにより、蒸着
中でもイオン化された蒸気の加速電圧を零とすることが
でき、蒸着物質の蒸着力の十分な抑制ができる。
以下、この発明の一実施例を説明する。
第１図において、１は真空槽、２は真空槽上部ベース、
３は真空槽下部ベース、４は排気孔、５は物質蒸気を発
生するための物質蒸気発生炉、７は物質蒸気発生炉支持
台、１２は物質蒸気噴射用小孔、１４はイオン化し付着
させる物質、１５は物質蒸気発生炉加熱ヒータ、１６は
物質蒸気発生炉加熱用ヒータ電源、１７は物質蒸気、１
０は物質蒸気をイオン化するための電子を放射する電子
放射用フィラメント、１１は該フィラメント１゜から放
射される電子ビーム、５１は電子放射用フィラメント加
熱電源、１８は基板取付台、１９は基板、２０はイオン
化したクラスタービーム、６引出すためのイオン化用電
子引出し電極を兼ねている。８は加速電極支持台、５２
は電極６とフィラメント１０との間に電圧を印加するイ
オン化用電子引出し電源、９は直流高圧電源、４０は直
流高圧電源９の両端を短絡する短絡器である。
３は真空槽下部ベース、４は排気孔、５は物質蒸気を発
生するための物質蒸気発生炉、７は物質蒸気発生炉支持
台、１２は物質蒸気噴射用小孔、１４はイオン化し付着
させる物質、１５は物質蒸気発生炉加熱ヒータ、１６は
物質蒸気発生炉加熱用ヒータ電源、１７は物質蒸気、１
０は物質蒸気をイオン化するための電子を放射する電子
放射用フィラメント、１１は該フィラメント１゜から放
射される電子ビーム、５１は電子放射用フィラメント加
熱電源、１８は基板取付台、１９は基板、２０はイオン
化したクラスタービーム、６引出すためのイオン化用電
子引出し電極を兼ねている。８は加速電極支持台、５２
は電極６とフィラメント１０との間に電圧を印加するイ
オン化用電子引出し電源、９は直流高圧電源、４０は直
流高圧電源９の両端を短絡する短絡器である。
次に動作について説明する。
本装置における蒸着作用は、短絡器４０が開となってい
る限り第２図のそれと同様である。但し本装置では電極
６とフィラメント１０間の電源５２電圧によりイオン化
用電子は積極的にフィラメント１０から引出される。そ
してこの蒸着装置において、蒸着中にイオン化蒸気に加
わっている加速電圧を零にして基板１９への蒸着力を減
じたい場合には、まず直流高圧電源９の出力を零になる
ように調整する。しかしこれだけでは前述したとおり、
実際には基板１９と電極６の間の電圧は零にならないの
で、本発明による短絡器４０を閉とすることにより基板
１９と電極６との間の電圧を零にすることができ、イオ
ン化蒸気の基板１９への蒸着力を十分に抑制することが
でき、基板１９の温度上昇等を制限することができる。
る限り第２図のそれと同様である。但し本装置では電極
６とフィラメント１０間の電源５２電圧によりイオン化
用電子は積極的にフィラメント１０から引出される。そ
してこの蒸着装置において、蒸着中にイオン化蒸気に加
わっている加速電圧を零にして基板１９への蒸着力を減
じたい場合には、まず直流高圧電源９の出力を零になる
ように調整する。しかしこれだけでは前述したとおり、
実際には基板１９と電極６の間の電圧は零にならないの
で、本発明による短絡器４０を閉とすることにより基板
１９と電極６との間の電圧を零にすることができ、イオ
ン化蒸気の基板１９への蒸着力を十分に抑制することが
でき、基板１９の温度上昇等を制限することができる。
なお上記実施例では短絡器４０で直流高圧電源９の両端
を短絡するようにしたが、これは単に短絡するだけでな
く、可変抵抗器を介して短絡する構成とすれば、零ポル
ト付近での微細電圧調整を行なうことも可能である。
を短絡するようにしたが、これは単に短絡するだけでな
く、可変抵抗器を介して短絡する構成とすれば、零ポル
ト付近での微細電圧調整を行なうことも可能である。
以上のように、この発明によれば、薄膜を蒸着形成する
蒸着装置において、電極と基板との間を電気的に短絡す
る短絡器を設けることにより、蒸着途中にもクラスタイ
オンの加速電圧を零ボルトとすることができ、イオン化
蒸気の蒸着力の制御が広範囲に行え、精度の高い蒸着を
行なうことができる。
蒸着装置において、電極と基板との間を電気的に短絡す
る短絡器を設けることにより、蒸着途中にもクラスタイ
オンの加速電圧を零ボルトとすることができ、イオン化
蒸気の蒸着力の制御が広範囲に行え、精度の高い蒸着を
行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例による蒸着装置の概略断面図
、第２図は従来の蒸着装置の概略断面図、第３図は従来
装置の直流高圧電源の回路構成図である。 １は真空槽、５は物質蒸気発生炉、６は壱半卓十曲与寺
極→加速電極に、９は直流高圧電源、２Ｏばイオン化し
た物ｇ３気（クラスタビーム）、１９は基板、４０は短
絡器である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
、第２図は従来の蒸着装置の概略断面図、第３図は従来
装置の直流高圧電源の回路構成図である。 １は真空槽、５は物質蒸気発生炉、６は壱半卓十曲与寺
極→加速電極に、９は直流高圧電源、２Ｏばイオン化し
た物ｇ３気（クラスタビーム）、１９は基板、４０は短
絡器である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）蒸着を行なう真空槽と、この真空槽中で物質蒸気
を発生するための物質蒸気発生手段と、上記物質蒸気を
イオン化するための物質蒸気イオン化手段と、該イオン
化した物質蒸気を加速するための加速電極とを備え、上
記加速したイオン化物質蒸気を基板に衝突させて該基板
上に薄膜を形成させる蒸着装置において、上記加速電極
と上記基板との間を短絡するための短絡器を備えたこと
を特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25680084A JPS61134012A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25680084A JPS61134012A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134012A true JPS61134012A (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=17297613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25680084A Pending JPS61134012A (ja) | 1984-12-05 | 1984-12-05 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134012A (ja) |
-
1984
- 1984-12-05 JP JP25680084A patent/JPS61134012A/ja active Pending
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