JPH0466378B2 - - Google Patents
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- JPH0466378B2 JPH0466378B2 JP60163237A JP16323785A JPH0466378B2 JP H0466378 B2 JPH0466378 B2 JP H0466378B2 JP 60163237 A JP60163237 A JP 60163237A JP 16323785 A JP16323785 A JP 16323785A JP H0466378 B2 JPH0466378 B2 JP H0466378B2
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- temperature
- furnace
- thin film
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Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、薄膜付着装置に関するものであ
り、とりわけ、被付着体に薄膜を真空中で付着さ
せる薄膜付着装置に関するものである。
り、とりわけ、被付着体に薄膜を真空中で付着さ
せる薄膜付着装置に関するものである。
第２図は例えば特公昭54−9592号公報に示され
た従来の薄膜付着装置を示し、図において、ベル
ジヤ１とベルジヤ上部ベース２とベルジヤ下部ベ
ース３とが一体となつて真空槽３０を形成する
が、ベルジヤ下部ベース３には、槽内を真空とす
るための排気口４が設けられている。槽内には、
物質蒸気発生炉５、イオン引出電極６、物質蒸気
発生炉支持台７、イオン引出電極支持台８、基板
取付台１８、基板１９、シヤツタ２１等が収納さ
れている。この物質蒸気発生炉５には、物質蒸気
発生炉加熱用ヒータ１５が取付けられている。ま
た、イオン引出電極６には、イオン化電子放出用
フイラメント１０が取付られている。一方槽外に
は、直流高圧電源９、電子放出用フイラメント加
熱電源１３、物質蒸気発生炉加熱用ヒータ電源１
６、電流計２２等が配置されている。１１は、電
子ビーム、１２は物質蒸気噴射用小孔、１４はイ
オン化して付着させる物質、１７は物質蒸気、２
０は、イオン化したクラスタービームである。上
記イオン引出電極６、イオン引出電極支持台８及
びイオン化電子放出用フイラメント１０がイオン
化手段を構成している。
た従来の薄膜付着装置を示し、図において、ベル
ジヤ１とベルジヤ上部ベース２とベルジヤ下部ベ
ース３とが一体となつて真空槽３０を形成する
が、ベルジヤ下部ベース３には、槽内を真空とす
るための排気口４が設けられている。槽内には、
物質蒸気発生炉５、イオン引出電極６、物質蒸気
発生炉支持台７、イオン引出電極支持台８、基板
取付台１８、基板１９、シヤツタ２１等が収納さ
れている。この物質蒸気発生炉５には、物質蒸気
発生炉加熱用ヒータ１５が取付けられている。ま
た、イオン引出電極６には、イオン化電子放出用
フイラメント１０が取付られている。一方槽外に
は、直流高圧電源９、電子放出用フイラメント加
熱電源１３、物質蒸気発生炉加熱用ヒータ電源１
６、電流計２２等が配置されている。１１は、電
子ビーム、１２は物質蒸気噴射用小孔、１４はイ
オン化して付着させる物質、１７は物質蒸気、２
０は、イオン化したクラスタービームである。上
記イオン引出電極６、イオン引出電極支持台８及
びイオン化電子放出用フイラメント１０がイオン
化手段を構成している。
次に動作について説明する。
イオン化して付着させる物質１４を物質蒸気発
生炉５に入れ物質蒸気発生炉加熱用ヒータ１５で
加熱する。加熱された物質１４は物質蒸気１７を
発生し、物質蒸気発生炉５内の圧力を高め、物質
蒸気１７を物質蒸気噴射小孔１２により噴射す
る。飛び出した物質蒸気１７は、断熱膨張に起因
する凝縮によつた塊状原子集団（クラスタ）を形
成しつつ飛び続ける。この塊状原子集団は、イオ
ン化電子放出用フイラメント１０から放出され直
流高圧電源９により、イオン引出電極６が負、物
質蒸気発生炉５が正となるよう印加された電界に
よつて加速されつつある電子ビーム１１と衝突
し、イオン化される。ここで、イオン化された塊
状原子集団は、上記直流高圧電源９により、上記
電子ビーム１１を加速した電界により、上方へ更
に加速され、イオン化したクラスタビーム２０と
なる。このイオン化したクラスタビーム２０は、
シヤツタ２１が開状態である場合、基板１９に衝
突し、基板１９の下部に薄膜を形成する。
生炉５に入れ物質蒸気発生炉加熱用ヒータ１５で
加熱する。加熱された物質１４は物質蒸気１７を
発生し、物質蒸気発生炉５内の圧力を高め、物質
蒸気１７を物質蒸気噴射小孔１２により噴射す
る。飛び出した物質蒸気１７は、断熱膨張に起因
する凝縮によつた塊状原子集団（クラスタ）を形
成しつつ飛び続ける。この塊状原子集団は、イオ
ン化電子放出用フイラメント１０から放出され直
流高圧電源９により、イオン引出電極６が負、物
質蒸気発生炉５が正となるよう印加された電界に
よつて加速されつつある電子ビーム１１と衝突
し、イオン化される。ここで、イオン化された塊
状原子集団は、上記直流高圧電源９により、上記
電子ビーム１１を加速した電界により、上方へ更
に加速され、イオン化したクラスタビーム２０と
なる。このイオン化したクラスタビーム２０は、
シヤツタ２１が開状態である場合、基板１９に衝
突し、基板１９の下部に薄膜を形成する。
従来の薄膜付着装置は以上のように構成されて
いるので、塊状原子集団の発生量を調節するため
には物質蒸気発生炉加熱用ヒータの電力を規定し
なければならないが、炉の絶対温度は炉の製造バ
ラツキや周囲温度等により一定値に保つことがで
きず、薄膜形成速度が変動する。その結果、希望
する電気的磁気的、機械的性能を持つた薄膜が形
成できないことや、蒸着時間が定まらないなどの
問題点があつた。
いるので、塊状原子集団の発生量を調節するため
には物質蒸気発生炉加熱用ヒータの電力を規定し
なければならないが、炉の絶対温度は炉の製造バ
ラツキや周囲温度等により一定値に保つことがで
きず、薄膜形成速度が変動する。その結果、希望
する電気的磁気的、機械的性能を持つた薄膜が形
成できないことや、蒸着時間が定まらないなどの
問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、希望する電気的、磁気的、機
械的性能をもつた薄膜を所定時間で形成できる薄
膜付着装置を提供することを目的とする。
になされたもので、希望する電気的、磁気的、機
械的性能をもつた薄膜を所定時間で形成できる薄
膜付着装置を提供することを目的とする。
本発明に係る薄膜付着装置は、電気的絶縁物を
介して物質蒸気発生炉の温度を検出する温度検出
手段と、該温度に応じて物質蒸気発生炉加熱用ヒ
ータに加える電力を調節する温度制御手段とを設
けたものである。
介して物質蒸気発生炉の温度を検出する温度検出
手段と、該温度に応じて物質蒸気発生炉加熱用ヒ
ータに加える電力を調節する温度制御手段とを設
けたものである。
この発明においては、温度検出手段で物質蒸気
発生炉の温度を測定し、それに応じて温度制御手
段で物質蒸気発生炉加熱用ヒータに加える電力を
調節するから、物質蒸気発生炉の温度調節が正確
に行なわれる。
発生炉の温度を測定し、それに応じて温度制御手
段で物質蒸気発生炉加熱用ヒータに加える電力を
調節するから、物質蒸気発生炉の温度調節が正確
に行なわれる。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第１図はこの発明の一実施例による薄膜付着
装置を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分
を示す。図において２３は物質蒸気発生炉支持台
７上に載置され物質蒸気発生炉５を支持する耐熱
及び耐圧性の絶縁体であり、これはタングステン
レニユウム熱電対２４を内蔵したアルミナセラミ
ツクス絶縁体からなる。そして上記物質蒸気発生
炉支持台７は上記絶縁体２３を介して上記物質蒸
気発生炉５を支持するよう配置されている。２４
は該絶縁体２３の温度を検知する温度検出手段と
しての高温用熱電対である。２５は上記熱電対２
４で測定した温度に応じて物質蒸気発生炉加熱用
ヒータ１５に加える電力を調節する温度制御手段
としての温度調節器であり、これは設定温度指令
２７を入力されており、物質蒸気発生炉５の検出
温度と設定温度とに応じて物質蒸気発生炉加熱用
ヒータ電源１６に対して、物質蒸気発生炉加熱ヒ
ータ１５に供給する電力値を指示するための電力
指令２８を出力する。
る。第１図はこの発明の一実施例による薄膜付着
装置を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分
を示す。図において２３は物質蒸気発生炉支持台
７上に載置され物質蒸気発生炉５を支持する耐熱
及び耐圧性の絶縁体であり、これはタングステン
レニユウム熱電対２４を内蔵したアルミナセラミ
ツクス絶縁体からなる。そして上記物質蒸気発生
炉支持台７は上記絶縁体２３を介して上記物質蒸
気発生炉５を支持するよう配置されている。２４
は該絶縁体２３の温度を検知する温度検出手段と
しての高温用熱電対である。２５は上記熱電対２
４で測定した温度に応じて物質蒸気発生炉加熱用
ヒータ１５に加える電力を調節する温度制御手段
としての温度調節器であり、これは設定温度指令
２７を入力されており、物質蒸気発生炉５の検出
温度と設定温度とに応じて物質蒸気発生炉加熱用
ヒータ電源１６に対して、物質蒸気発生炉加熱ヒ
ータ１５に供給する電力値を指示するための電力
指令２８を出力する。
次に動作について説明する。
以上の構成において、物質蒸気の発生、イオン
化、イオン化物質の加速、基板への薄膜の形成に
ついては従来のものと同じである。
化、イオン化物質の加速、基板への薄膜の形成に
ついては従来のものと同じである。
物質蒸気発生炉５の温度は熱伝導性の良い材質
であるアルミナセラミツクス絶縁体２３を介して
熱電対２４により検出される。また、この熱電対
２４には耐熱性に優れたタングステンレニユウム
を用いており、良好な動作を長期的に安定に行な
う。
であるアルミナセラミツクス絶縁体２３を介して
熱電対２４により検出される。また、この熱電対
２４には耐熱性に優れたタングステンレニユウム
を用いており、良好な動作を長期的に安定に行な
う。
ここで、物質蒸気発生炉の温度については、内
部に入れる物質と形成する薄膜の特性により設定
温度を決めるようにしているため、設定温度指令
２７を温度調節器２５へ入力し、これを上記熱電
対２４よりの検出温度と比較し、通常の制御方式
によりその差に応じた電力指令２８を温度調節出
力として電源装置１６を介して物質蒸気発生炉加
熱用ヒータ１５に与えてその電力値を調節する。
部に入れる物質と形成する薄膜の特性により設定
温度を決めるようにしているため、設定温度指令
２７を温度調節器２５へ入力し、これを上記熱電
対２４よりの検出温度と比較し、通常の制御方式
によりその差に応じた電力指令２８を温度調節出
力として電源装置１６を介して物質蒸気発生炉加
熱用ヒータ１５に与えてその電力値を調節する。
このような本実施例装置においては、温度検出
手段及び温度制御手段を備えたことにより、物質
蒸気発生炉の温度を直接測定して、この温度を所
定の温度に保つように物質蒸気発生炉加熱用ヒー
タに供給する電力を調節するようにしたので、炉
の温度を一定に保つことができ、そのことにより
薄膜形成速度を一定にし、希望する電気的、磁気
的、機械的性能を持つ薄膜を形成することができ
る。また、薄膜形成速度を一定に保てるので、所
定時間内に薄膜形状を計画に沿つて予定通り達成
することができる。
手段及び温度制御手段を備えたことにより、物質
蒸気発生炉の温度を直接測定して、この温度を所
定の温度に保つように物質蒸気発生炉加熱用ヒー
タに供給する電力を調節するようにしたので、炉
の温度を一定に保つことができ、そのことにより
薄膜形成速度を一定にし、希望する電気的、磁気
的、機械的性能を持つ薄膜を形成することができ
る。また、薄膜形成速度を一定に保てるので、所
定時間内に薄膜形状を計画に沿つて予定通り達成
することができる。
以上のように、本発明によれば、薄膜付着装置
において、物質蒸気発生炉の温度を検出する手段
及びその温度を制御する手段を備えたので、物質
蒸気発生炉の温度を高温、高電界の状況下におい
ても正確に制御でき、物質蒸気の発生する速度、
発生状況の変化を少なくできる。その結果、形成
する薄膜の電気的、磁気的、機械的性能を所定の
特性でもつて得られると共に、薄膜形成を計画に
沿つて予定通り達成できる効果がある。
において、物質蒸気発生炉の温度を検出する手段
及びその温度を制御する手段を備えたので、物質
蒸気発生炉の温度を高温、高電界の状況下におい
ても正確に制御でき、物質蒸気の発生する速度、
発生状況の変化を少なくできる。その結果、形成
する薄膜の電気的、磁気的、機械的性能を所定の
特性でもつて得られると共に、薄膜形成を計画に
沿つて予定通り達成できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による薄膜付着装
置を示す図、第２図は従来の薄膜付着装置を示す
図である。 ５……物質蒸気発生炉、１５……物質蒸気発生
炉加熱用ヒータ、２３……アルミナ絶縁体、２４
……熱電対（温度検出手段）、２５……温度調節
器（温度制御手段）、２７……設定温度指令、２
８……電力指令、３０……真空槽。なお図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
置を示す図、第２図は従来の薄膜付着装置を示す
図である。 ５……物質蒸気発生炉、１５……物質蒸気発生
炉加熱用ヒータ、２３……アルミナ絶縁体、２４
……熱電対（温度検出手段）、２５……温度調節
器（温度制御手段）、２７……設定温度指令、２
８……電力指令、３０……真空槽。なお図中同一
符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の真空度を保持する真空槽と、 該真空槽内に設けられ蒸着物質の蒸気を噴出し
て該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ
を発生する物質蒸気発生炉と、 該物質蒸気発生炉を加熱する物質蒸気発生炉加
熱用ヒータと、 上記物質蒸気発生炉からのクラスタをイオン化
するイオン化手段とを備えた薄膜付着装置におい
て、 電気的絶縁物を介して上記物質蒸気発生炉の温
度を検出する温度検出手段と、 該温度検出手段からの温度に応じて上記物質蒸
気発生炉の温度が設定値になるよう上記物質蒸気
発生炉加熱用ヒータに供給する電力を調節する温
度制御手段とを備えたことを特徴とする薄膜付着
装置。 ２ 上記温度検出手段は2800℃まで検出可能なＷ
−WRe熱電対からなることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜付着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323785A JPS6223103A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 薄膜付着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16323785A JPS6223103A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 薄膜付着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223103A JPS6223103A (ja) | 1987-01-31 |
| JPH0466378B2 true JPH0466378B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=15769942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16323785A Granted JPS6223103A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 薄膜付着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223103A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3734192A1 (de) * | 1987-10-09 | 1989-04-27 | Menschner Maschf Johannes | Verfahren zum automatischen messen der fadendichte pro laengeneinheit, z. b. cm, von bewegten warenbahnen |
| CN105509498B (zh) * | 2014-09-22 | 2017-12-15 | 沈阳铝镁设计研究院有限公司 | 罐式炉温度自动控制装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933890A (ja) * | 1972-07-29 | 1974-03-28 | ||
| JPS554719A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Pulse current driving unit for bubble |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16323785A patent/JPS6223103A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933890A (ja) * | 1972-07-29 | 1974-03-28 | ||
| JPS554719A (en) * | 1978-06-22 | 1980-01-14 | Nec Corp | Pulse current driving unit for bubble |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223103A (ja) | 1987-01-31 |
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