JPS6167766A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS6167766A JPS6167766A JP18887484A JP18887484A JPS6167766A JP S6167766 A JPS6167766 A JP S6167766A JP 18887484 A JP18887484 A JP 18887484A JP 18887484 A JP18887484 A JP 18887484A JP S6167766 A JPS6167766 A JP S6167766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ionization
- anode
- ion plating
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明はイオンプレーティング装置に関する。
［従来技術］
イオンプレーティング装置では、イオン加速のために基
板支持手段に負の高電圧を印加して基板をカソードとす
るようになっている。ところで、基板への膜の密着性を
十分なものとするためにはイオンを十分に加速すること
が必要であり、このため基板支持手段への印加電圧を上
げることが行なわれる。ところが、上記の様なイオンプ
レーティング装置においては、電気メッキの場合と同様
に基板の凸部にイオンが集中して膜厚にむらが生じ易く
、特に基板への印加電圧が高い場合にはこれが顕著とな
る。さらに、基板が誘電体の場合には、特に基板への印
加電圧を」二げると入射イオンによるチャージアップの
ため基板が損傷し易くなる。
板支持手段に負の高電圧を印加して基板をカソードとす
るようになっている。ところで、基板への膜の密着性を
十分なものとするためにはイオンを十分に加速すること
が必要であり、このため基板支持手段への印加電圧を上
げることが行なわれる。ところが、上記の様なイオンプ
レーティング装置においては、電気メッキの場合と同様
に基板の凸部にイオンが集中して膜厚にむらが生じ易く
、特に基板への印加電圧が高い場合にはこれが顕著とな
る。さらに、基板が誘電体の場合には、特に基板への印
加電圧を」二げると入射イオンによるチャージアップの
ため基板が損傷し易くなる。
［発明の目的］
本発明は、上記の如き従来技術に鑑み、基板支持手段へ
の印加電圧がそれほど高くなくてもイオン化きれた蒸発
原子または分子の加速を十分に行なうことができ、均一
な厚みを有する膜を形成することができ且つ基板への膜
の密着性を向」ニさせることのできるイオンプレーティ
ング装置を提供することを目ｒ自とする。
の印加電圧がそれほど高くなくてもイオン化きれた蒸発
原子または分子の加速を十分に行なうことができ、均一
な厚みを有する膜を形成することができ且つ基板への膜
の密着性を向」ニさせることのできるイオンプレーティ
ング装置を提供することを目ｒ自とする。
［発明の要旨］
未発明によれば、以上の様な目的は、イオン化手段と基
板支持手段との間にイオン加速用カソードが配置されて
いることを特徴とする、イオンプレーティング装置によ
り達成される。
板支持手段との間にイオン加速用カソードが配置されて
いることを特徴とする、イオンプレーティング装置によ
り達成される。
［発明の実施例］
以下、添付図面を参照しながら本発明の具体的実施例を
説明する。
説明する。
第１図は本発明によるイオンブレ−ティング装置の一実
施例の概略構成図である。ここに示すイオンプレーティ
ング装置は真空室１を有し、この真空室ｌは導管２を通
じて真空源（図示せず）に接続されている。
施例の概略構成図である。ここに示すイオンプレーティ
ング装置は真空室１を有し、この真空室ｌは導管２を通
じて真空源（図示せず）に接続されている。
真空室１の底部には蒸発源３が配置されており、該蒸発
源３−にには蒸発物質４が収容される。
源３−にには蒸発物質４が収容される。
蒸発源３としては、たとえば電子銃装置または抵抗加熱
装置を使用することができる。蒸発源３の上方−には隣
接してイオン化手段としてのイオン化用アノード５が配
置されている（尚、イオン化手段としてはイオン化用ア
ノードのほかに、たとえばイオン化用熱電子発生源を用
いることもできる）。該アノード５は真空室■外の電源
６に接続されている。アノード６の北方には蒸着用シャ
ッタ７が配置されている。
装置を使用することができる。蒸発源３の上方−には隣
接してイオン化手段としてのイオン化用アノード５が配
置されている（尚、イオン化手段としてはイオン化用ア
ノードのほかに、たとえばイオン化用熱電子発生源を用
いることもできる）。該アノード５は真空室■外の電源
６に接続されている。アノード６の北方には蒸着用シャ
ッタ７が配置されている。
真空室１内の頂部付近には、基板を支持するためのホル
ダ８が設けられており、これは真空室１外の負バイアス
電源９に接続されている。基板ホルダ８の上方には基板
加熱用ヒータ１０が配置されている。
ダ８が設けられており、これは真空室１外の負バイアス
電源９に接続されている。基板ホルダ８の上方には基板
加熱用ヒータ１０が配置されている。
基板ホルダ８の下方すなわち基板ホルダ８とシャッタア
したがってイオン化用アノード５との間にはイオン加速
用カソード１１が配置されている。該カソード１１は真
空室１外の電源１２に接続されており、蒸着作用を妨げ
ないように直径の大きいリングあるいはコイルの形にす
るのが好ましい。
したがってイオン化用アノード５との間にはイオン加速
用カソード１１が配置されている。該カソード１１は真
空室１外の電源１２に接続されており、蒸着作用を妨げ
ないように直径の大きいリングあるいはコイルの形にす
るのが好ましい。
基板ホルダ８の下方には該ホルダ８の近傍に熱電子発生
源たとえばフィラメント１３が設けられており、該フィ
ラメント１３は真空室ｌ外の電源１４に接続されている
。
源たとえばフィラメント１３が設けられており、該フィ
ラメント１３は真空室ｌ外の電源１４に接続されている
。
真空室１の底部には、反応ガスを供給するための導入口
１５が接続されている。
１５が接続されている。
本実施例装置において膜形成を行なう際には、先ず真空
室ｌを真空源（図示せず）によって導管２を通して排気
して所定の真空度にしてから、導入口１５から反応ガス
を導入し、蒸発源３により７Ａ発物質４の蒸気を発生さ
せる。該蒸気及び反応ガスはイオン化用アノード５によ
りイオン化あるいは励起され、イオン加速用カソード１
１によって加速されてから基板ホルダ８の方へと引きつ
けられ、基板上に膜が形成される。この場合、特に形成
される膜と基板との密着強度を向上させるには、基板ホ
ルダ８への印加電圧を大きく上げることなくイオン加速
用カソード１１に印加する電圧を増大させるのが好まし
い。
室ｌを真空源（図示せず）によって導管２を通して排気
して所定の真空度にしてから、導入口１５から反応ガス
を導入し、蒸発源３により７Ａ発物質４の蒸気を発生さ
せる。該蒸気及び反応ガスはイオン化用アノード５によ
りイオン化あるいは励起され、イオン加速用カソード１
１によって加速されてから基板ホルダ８の方へと引きつ
けられ、基板上に膜が形成される。この場合、特に形成
される膜と基板との密着強度を向上させるには、基板ホ
ルダ８への印加電圧を大きく上げることなくイオン加速
用カソード１１に印加する電圧を増大させるのが好まし
い。
基板が誘電体である場合には、基板の損傷を防止するた
めに入射イオン密度を小さくするのが好ましいが、本実
施例装置によれば、基板ホルダ８近傍のフィラメン）１
３に電圧を印加して熱電子を発生させることにより入射
イオンを中和してイオン密度を小さくし、基板の損傷を
防止することができる。、入射イオンの中和程度は電源
１４を制御してフィラメント１３からの熱電子の発生量
を調節することによってコントロールできる。
めに入射イオン密度を小さくするのが好ましいが、本実
施例装置によれば、基板ホルダ８近傍のフィラメン）１
３に電圧を印加して熱電子を発生させることにより入射
イオンを中和してイオン密度を小さくし、基板の損傷を
防止することができる。、入射イオンの中和程度は電源
１４を制御してフィラメント１３からの熱電子の発生量
を調節することによってコントロールできる。
［発明の効果］
以−にの様な本発明によれば、基板支持手段とは別にイ
オン加速用カソードを設けることによって、基板支持手
段へ印加する電圧をあまり大きくすることなしに十分に
イオン加速を行なうことができるので、基板凸部へのイ
オン集中による膜厚の不均一なしに十分な密着性を有す
る膜を形成することができる。また、イオンの加速を基
板支持手段とは別の手段で行なうことができるので、イ
オンプレーティング中の放電状態に大きな影響を与えず
にイオン加速の制御を行なえるという利点もある。
オン加速用カソードを設けることによって、基板支持手
段へ印加する電圧をあまり大きくすることなしに十分に
イオン加速を行なうことができるので、基板凸部へのイ
オン集中による膜厚の不均一なしに十分な密着性を有す
る膜を形成することができる。また、イオンの加速を基
板支持手段とは別の手段で行なうことができるので、イ
オンプレーティング中の放電状態に大きな影響を与えず
にイオン加速の制御を行なえるという利点もある。
第１図は本発明によるイオンプレーティング装置の構成
図である。 ■・・・真空室、２・・−導管、 ３・・・蒸発源、５・・・イオン化用アノード、７・・
・蒸着用シャッタ、 ８・・・基板ホルダ、 １０・・・基板加熱用ヒータ、 １１・争・イオン加速用カソード、 １３・ｅ・フィラメント、 １５・１１１１ガス導入口 第１図 ／Ｌ
図である。 ■・・・真空室、２・・−導管、 ３・・・蒸発源、５・・・イオン化用アノード、７・・
・蒸着用シャッタ、 ８・・・基板ホルダ、 １０・・・基板加熱用ヒータ、 １１・争・イオン加速用カソード、 １３・ｅ・フィラメント、 １５・１１１１ガス導入口 第１図 ／Ｌ
Claims (4)
- （１）蒸発源と該蒸発源近傍に設置されているイオン化
手段と該イオン化手段から隔たって設置されている基板
支持手段とを有し、これらがすべて真空室内に配置され
ているイオンプレーティング装置において、イオン化手
段と基板支持手段との間にイオン加速用カソードが配置
されていることを特徴とする、イオンプレーティング装
置。 - （２）基板支持手段近傍にイオン中和用熱電子発生源が
配置されている、第１項のイオンプレーティング装置。 - （３）蒸発源が電子銃装置または抵抗加熱装置である、
第１項のイオンプレーティング装置。 - （４）イオン化手段がイオン化用アノードまたはイオン
化用熱電子発生源である、第１項のイオンプレーティン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887484A JPS6167766A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18887484A JPS6167766A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167766A true JPS6167766A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16231383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18887484A Pending JPS6167766A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167766A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158459A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-08 | Nippon Soken Inc | イオンプレーティング方法および装置 |
| JPH04116276U (ja) * | 1991-03-30 | 1992-10-16 | アイシン精機株式会社 | マスタシリンダ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169770A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Asahi Glass Co Ltd | Ionic plating device |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP18887484A patent/JPS6167766A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56169770A (en) * | 1980-05-30 | 1981-12-26 | Asahi Glass Co Ltd | Ionic plating device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158459A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-08 | Nippon Soken Inc | イオンプレーティング方法および装置 |
| JPH04116276U (ja) * | 1991-03-30 | 1992-10-16 | アイシン精機株式会社 | マスタシリンダ |
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