JPS61133226A - 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体を封止するエポキシ樹脂成形材料に関す
るものである。

〔背景技術〕

近年、電気、電子機器の部品の低コスト化と生産性向上
のため、セラミックに代りプラスチックによる封止がな
されるようになってきた。これらの電気部品や電子部品
には例えばトランジスタ、ダイオード、コンデンサー、
フィルター、整流器、抵抗体、コイル、ＩＣ，ＬＳＩ、
５ＬＳＩ等がありプラスチック封止の最大の問題点はセ
ラミックに比べ耐湿性が劣る点である。最近種々の技術
によりプラスチック封止の耐湿性は改善されたとはいえ
未だ充分とは言えない現状にある。

〔発明の目的〕

本発明の目的は耐湿性に優れると共に高温での電気特性
に優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供する
ことにある。

〔発明の開示〕

本発明はエボキＶＩ！脂１００重量部Ｃ以下単に部と記
す）に対しピリジンを含む環状化合物α０１〜１部を含
有せしめたことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料で以下本発明の詳細な説明する。

一般に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料はエボキＶ樹
脂、架橋剤或は硬化剤、硬化促進剤、充填剤、ａｍ剤、
カップリング剤、着色剤等からなっているが、本発明で
はエポキシ樹脂１００部に対し硬化促進剤としてピリジ
ンを含む環状化合物０．０１〜１部を用いることにより
耐湿性を大巾に向上せしめることができたものである。

ピリジンを含む環状化合物としては４・４ジピリジル、
２フ二二ルヒリジン、４フエニルピリジン、２ベンジμ
ピリジン、４ベンジ）ｖピリジン、４フエ二μグロビル
ビリジン、１・３ジ４ピリジルプロパン、１・２ジ４ピ
リジルエタン、４・４ジメチ／Ｌ／２・２ジピリジン、
１・２ジ４ピリジルプロパン等があり特に限定するもの
ではない。添加ｉｋはエポキシ樹脂１００部に対し０．
０１〜１部であることが必要である。即ちＯ，Ｏｆｆ未
満では硬化に長時間全要するとともに成形時のパリ発生
が大となり耐湿性も向上され離く、１％’ｉこえると耐
湿性、耐熱性が低下するためである。エポキシ樹脂とし
てはビスフェノ−Ａ／Ａ型エポキシ樹脂、ノボラック型
エポキシ樹脂、可焼性エポキシ樹脂、ハロゲン化エボキ
Ｖ＃Ｉ脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、高分子
型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に、アミン系硬化剤、
脂肪族ポリアミン、ポリアミド樹脂、芳香族ジアミン、
酸無水物硬化剤、μイス酸錯化合物、フェノ−／Ｉ／樹
脂、イソシアネート樹脂等の硬化剤や架橋剤や硬化促進
剤を加え、更に充填剤、離型剤、界面活性剤等の添加剤
全顎えたものである。更に該成形材料の成形については
、トランスファー成形、射出成形等によるトランジスタ
、ダイオード、コンデンサー、フィルター、整流器、抵
抗体、コイμ、ＩＣ％ＬＳＩ、５ＬＳＩ等の電子部品の
多数個取り成形に適することは勿論、注型、圧縮成形に
も適用できるものである。以下本発明を実施例にもとす
いて詳細に説明する。

実施例１及び２と従来例１及び２ 第１表の配合表に従って材料を配合、混合、混練して半
導停封止用エポキシ樹脂成形材料を得、トランス７１−
成形機を用いて金型温度１７５℃、成型圧力５０榛り、
硬化時間３分の条件でトランジスタを封止成形して電子
部品を得た。

第　　　　　１　　　　　表　　　　　　　　　部実施
例１及び２と従来例１及び２の成形品を試験した結果は
第２表で明白なように本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂成形材料から得られた成形品の耐湿性、高温での電気
特性はよく本発明による半導体封止用エポキシ樹脂成形
材料の優れていることを確認した。

第　　　　　２　　　　　表 １００時間。

＄２　　ＭＯ５Ｉ（Ｊ：よるＰ（：Ｔ評価。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）エポキシ樹脂１００重量部に対しピリジンを含む
   環状化合物０．０１〜１重量部を含有せしめたことを特
   徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料。