JPS62192446A - 封止用エポキシ樹脂成形材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野１゜ 本発明は半導体を封止するエポキシ樹脂成形材料に１す
る転のである。

〔背景技術〕

近年、を気、電子機器の部品の低コスト化と生産性向上
のため、プラスチックによる封止がなされるようになっ
てきた。これらの電気部品や１子部品にはＡえばトラン
ジスター、ダイオード、コンデンサー、フィルター、整
流器、抵抗体、コイル、ＩＣ％ＬＳＣ，５ＬＳＩ　　等
があり近年の半導体素子の高機能化に伴う素子サイズの
大型化傾向で従来問題にならなかった封止成形時の素子
上への応力、ハンダ処理等の実装工程における熱応力の
問題が半導体の信頼性に重要な影響をもつようになって
きた。

最近の半導体デバイスの動向を見るとバ・ソケージはＳ
ｏＰ、ＦＰ　Ｋ代表されるように、小型、薄型化の傾向
にある。またチップの動量としてはメモリーに代表され
るように高機能化、高集積化の方向にある。上記のよう
なデバイスの開発動向に対し、最近特に封止材に要求さ
れる項目に低応力の付与があげられる。すなわちモール
ド後の熱応力さらにはハンダ、処理後の曾湿性向上、ヒ
ートサイクル性の同上など従来よりハイレベルの低応力
を封止材に付与しな−とバヴシペーション割れ、チップ
割れ、樹脂割れ、アルミスライドなど応力が原因で信頼
性が極端に低下する問題がある。さらには上記のような
熱ストレス後の耐湿性が低下する問題がある。

従来の方向で低応力を達成しようとすると、一般的に低
応力を付与するためある程度の可とう性行与剤を添加し
て低応力化を達成しようとすると線膨張のアップでトー
タル的にはそれほど応力が低下せずに耐湿性が低下する
問題がある。また。

パリの発生など成形性が低下するという問題もある。

〔発明の目的１ 木発明の目的とするところは、低応力性、耐湿性、成形
性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること
にある。

〔発明の開示１ 本発明にシリコン樹脂粉末と変性シリコン中間体とを含
有してなることを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材
料であるため、低応力性、耐湿性、成形性を向上させる
ことができたもので、以下本発明を詳細Ｉ／ｃ説明する
。

木発明に使用でるシリコン樹脂粉末は末端官能基を有す
るもので、最大粒径として１００ミクロン以下好ましく
は５０ミクロン以下が好ましい。すなわち１００ミクロ
ンを越えると分散性が低下するばかりでなく、シリカと
の相互作用、樹脂との相互作用のバランスがくずれ、十
分な低応力を付与出来ない。更にシリコン樹脂粉末の添
加Ｋａしては他のシリコンオイルを添加することが好ま
しい。

シリコン樹脂粉末の表面は完全防水化されているため、
表面構造からエポキシ樹脂、フエトル樹脂、さらにはユ
リカ粉とのなじみすなわち親和性が悪い。そのため界面
浮き出しによるリード密着力の低下さらＫはパリの発生
、層分離による耐湿性の低下など、蛍独で弔すると効果
が半減する。

しかし、変性シリコン中間体の添力とにより上記の問題
も解決でき、シリコン樹脂粉末の効果も充分発揮できる
。ここに使用されるシリコン中間体としてはエポキシ変
性シリコン中間体、カルボン酸変性シリコン中間体、イ
ミド変性シリコン中間体、グリコール変性シリコン中間
体、アミノ変性シリコン中間体、ポリエーテル変性シリ
コン中間体等の変性シリコン中間体等であるが好ましく
はアミノ変性シリコン中間体をｍ−ることがより親和性
を同上させることができるので望ましいことである。シ
リコン樹脂粉末と変性シリコン中間体の添加ｌは夫々、
エポキシ樹脂１００重量部（以下蛍に部と記す）に対し
１〜５０部が好ましい。即ち１部未満では低応力性、耐
湿性、成形性を向上させ１ｍ＜、ｓｏ部をこえると成形
性が低下する傾向にあるからである。

エポキシ樹脂としてはビスフェノールＡＷエポキシ樹脂
、ノポラーｌり型エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、
ハロゲン化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂、高分子型エポキシ樹脂等のエポキシ４Ｇｔ脂に
、アミン系硬化剤、脂肪族ポリアミン、ポリアミド樹脂
、芳香族ジアミン、醗無水物硬化剤、ルイス酸錯化合物
、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂等の硼化剤や架
橋剤やイミダゾール、イミダシリン、有機フォスフイン
化合物、三級アミン等の硬化促進剤を加え、更に充填剤
、離型剤、界面活性剤等の添加剤を加えたものである。

なお変性シリコン化合物と変性ポリブタジェンの添加方
法は特に限定するものではな論。更に成形材料の成形に
ついては、トランスファー成形、射出成形等によるトラ
ンジスタ、ダイオード、コンデンサー、フィルター、ｖ
ｉａ、　抵抗体、コイル、ＩＣ％ＬＳＩ、ＶＬＳ　Ｉ　
等の電子部品の多数個取り成形に適することは勿論、圧
縮成形にも適用できるものである。以下本発明を実施例
にもとすいて詳細に説明する。

実施例１乃至３と従来例１及び２ 第１表の配合表に従って材料を配合、混合、混練して半
導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得。

トランスファー成形機を用いて金型温度１７５℃、成形
圧力５０句、にｊ、硬化時間３分の条件でトランジスタ
を封止成形して電子部品を得た。

Ｃ発明の効果〕 実施例１乃至３と従来例１及び２の成形品を試鹸した結
果は第２表で明白なように本発明の半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料から傅らｆ′した成形品の性能はよく本
発明による半導体打止用エポキシ樹脂成形材料の優れて
いることを確認した。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン樹脂粉末と変性シリコン中間体とを含有
   してなることを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料
   。
2. （２）シリコン樹脂粉末の最大粒径が１００ミクロン以
   下で、エポキシ樹脂１００重量部に対し１〜５０重量部
   添加することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   封止用エポキシ樹脂成形材料。
3. （３）変性シリコン中間体がアミノ変性シリコン中間体
   で、エポキシ樹脂１００重量部に対し１〜５０重量部添
   加することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の封
   止用エポキシ樹脂成形材料。