JPS6094428A - 封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれを用いて成形された電子部品 - Google Patents
封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれを用いて成形された電子部品Info
- Publication number
- JPS6094428A JPS6094428A JP20318083A JP20318083A JPS6094428A JP S6094428 A JPS6094428 A JP S6094428A JP 20318083 A JP20318083 A JP 20318083A JP 20318083 A JP20318083 A JP 20318083A JP S6094428 A JPS6094428 A JP S6094428A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermosetting resin
- polybutadiene
- molding
- resin
- electronic parts
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野〕
本発明は電気部品や電子部品を封止する樹脂モールド品
に主として用いられる封止用熱硬化性樹脂成形材料及び
これを用いて成形された電子部品に関するものである。
に主として用いられる封止用熱硬化性樹脂成形材料及び
これを用いて成形された電子部品に関するものである。
近年、電気、電子機器の部品の低コスト化と生産性向上
のため、プラスチックによる封止がなされるようになっ
てきた。これらの電気部品や電子部品には例えばトラン
ジスタ、ダイオード、コンデンサー、フィルター、整流
器、抵抗体、コイル等があり近年の半導体素子の高機能
化に伴う素子サイズの大型化傾向で従来問題にならなか
った封止成形時の素子上への応力、ハンダ処理等の実装
工程における熱応力の問題か半導体の信頼性に重要な影
響をもつようになってきた。即ちヒートサイクル試験等
での樹脂クラックの発生、パッジベージ１ン、素子クラ
ックの発生等による信頼性の低下、素子上への応力によ
る素子概能の低下等である。又一方では耐湿性不足によ
る信頼性低下も問題となっていた。
のため、プラスチックによる封止がなされるようになっ
てきた。これらの電気部品や電子部品には例えばトラン
ジスタ、ダイオード、コンデンサー、フィルター、整流
器、抵抗体、コイル等があり近年の半導体素子の高機能
化に伴う素子サイズの大型化傾向で従来問題にならなか
った封止成形時の素子上への応力、ハンダ処理等の実装
工程における熱応力の問題か半導体の信頼性に重要な影
響をもつようになってきた。即ちヒートサイクル試験等
での樹脂クラックの発生、パッジベージ１ン、素子クラ
ックの発生等による信頼性の低下、素子上への応力によ
る素子概能の低下等である。又一方では耐湿性不足によ
る信頼性低下も問題となっていた。
本発明の目的は耐湿性、低応力の封止用熱硬化性樹脂成
形材料を提供することにある。
形材料を提供することにある。
本発明はシリコン化合物とポリブタジェンとを含有した
ことを特徴とする封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれ
を用いて成形された電子部品で以下本発明の詳細な説明
する。
ことを特徴とする封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれ
を用いて成形された電子部品で以下本発明の詳細な説明
する。
先ず低応力化達成手段としては通常、可撓性材料を添加
することが考えられるが従来の可撓性材料は耐湿性の点
で好ましくなく本発明ではエポキシ変性シリコン中間体
、カルボン酸変性シリコン中間体、イミド変性シリコン
中間体、グリコール変性シリコン中間体、アミノ変性シ
リコン中間体、ポリエーテル変性シリコン中間体等のシ
リコン化合物を用いるものである。シリコン化合物の添
加量は特に限定するものではないが好ましくは熱硬化性
樹脂１００重量部（以下単に１部と記す）に対し１〜２
０部力５望ましい。即ち１ｓ木満ては低応力化効果が少
な（，２０部をこえると耐湿性が低下するためである。
することが考えられるが従来の可撓性材料は耐湿性の点
で好ましくなく本発明ではエポキシ変性シリコン中間体
、カルボン酸変性シリコン中間体、イミド変性シリコン
中間体、グリコール変性シリコン中間体、アミノ変性シ
リコン中間体、ポリエーテル変性シリコン中間体等のシ
リコン化合物を用いるものである。シリコン化合物の添
加量は特に限定するものではないが好ましくは熱硬化性
樹脂１００重量部（以下単に１部と記す）に対し１〜２
０部力５望ましい。即ち１ｓ木満ては低応力化効果が少
な（，２０部をこえると耐湿性が低下するためである。
次に耐湿化達成手段としては退店、材料のファイン化即
ち低クロル化やリード密着性の向上等が考えられるがこ
れらの方法では満足でなく本発明では内部エポキシ変性
ポリブタジェン、末端エポキシ変性ポリブタジェン、カ
ルシボン阪変性ポリブタジェン、水酸基変性ポリブタジ
ェン、イミド変性ポリブタジェン等のポリブタジェンを
添加することによりバルク吸湿性を大中に低下させるこ
とができたものである。ポリブタジェンの添加量は特に
限定するものではないが好ましくは熱硬化性樹脂１００
部に対し１〜２０都が望ましい。即ち１部未満では岐湿
性低下が大でなり、２０部をこえると成形品外観が低下
するからである。このようにシリコン化合物とポリブタ
ジェンとを併用することにより高耐湿化、低応力の封止
用熱硬化性樹脂成形材料を得ることができたものである
。本発明に用いる熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂、不飽札
ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノー
ル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂、シリコン樹脂等の単独又は変性物又は混合物
からなる熱硬化性樹脂で、該樹脂に上記シリコン化合物
、ポリブタジェン、及び各樹脂に適合する硬化剤、充填
剤、離型剤等の添加剤を加えて封止用熱硬化性樹脂成形
材料とするものである。なおシリコン化合物、ポリブタ
ジェンの添加方法は特に限定するものではないが好まし
くは樹脂或は架橋剤、硬化剤等の中にシリコン化合物、
ポリブタジェンを予じめ分散させてから用いることか望
ましい。更に該戚形祠料の成形については、トランスフ
ァー成形、射出成形等に′よるトランジスタ、ダイオー
ド、コン１ンサー、フィルター、整流器、抵抗体、コイ
ル等の電子部品の多数個取り成形に適することは勿論、
注型、圧縮成形にも適用できるものである。以下本発明
を実施例にもとずいて詳細に説明する。
ち低クロル化やリード密着性の向上等が考えられるがこ
れらの方法では満足でなく本発明では内部エポキシ変性
ポリブタジェン、末端エポキシ変性ポリブタジェン、カ
ルシボン阪変性ポリブタジェン、水酸基変性ポリブタジ
ェン、イミド変性ポリブタジェン等のポリブタジェンを
添加することによりバルク吸湿性を大中に低下させるこ
とができたものである。ポリブタジェンの添加量は特に
限定するものではないが好ましくは熱硬化性樹脂１００
部に対し１〜２０都が望ましい。即ち１部未満では岐湿
性低下が大でなり、２０部をこえると成形品外観が低下
するからである。このようにシリコン化合物とポリブタ
ジェンとを併用することにより高耐湿化、低応力の封止
用熱硬化性樹脂成形材料を得ることができたものである
。本発明に用いる熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂、不飽札
ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノー
ル樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂、シリコン樹脂等の単独又は変性物又は混合物
からなる熱硬化性樹脂で、該樹脂に上記シリコン化合物
、ポリブタジェン、及び各樹脂に適合する硬化剤、充填
剤、離型剤等の添加剤を加えて封止用熱硬化性樹脂成形
材料とするものである。なおシリコン化合物、ポリブタ
ジェンの添加方法は特に限定するものではないが好まし
くは樹脂或は架橋剤、硬化剤等の中にシリコン化合物、
ポリブタジェンを予じめ分散させてから用いることか望
ましい。更に該戚形祠料の成形については、トランスフ
ァー成形、射出成形等に′よるトランジスタ、ダイオー
ド、コン１ンサー、フィルター、整流器、抵抗体、コイ
ル等の電子部品の多数個取り成形に適することは勿論、
注型、圧縮成形にも適用できるものである。以下本発明
を実施例にもとずいて詳細に説明する。
実施例１乃至３と比較例１及び２と従来例第１表の配合
表に従って材料を配合、混合〜混線して封止用熱硬化性
樹脂成形材料を得、トランスファー成形機を用いて金型
温度１７５℃、成型圧力５０￥１．硬化時間３分の条件
でトランジスタを封止成形して電子部品を得た。
表に従って材料を配合、混合〜混線して封止用熱硬化性
樹脂成形材料を得、トランスファー成形機を用いて金型
温度１７５℃、成型圧力５０￥１．硬化時間３分の条件
でトランジスタを封止成形して電子部品を得た。
第 １ 表
〔発明の効果〕
実施例１乃至３と比較例１及び２と従来例の成形品を試
験した結果は第２表で明白なように本光例の封止用熱硬
化性樹脂成形材料から得られた成形品は尚＃湿性且つ低
応カ品であり本発明にょる封止用熱硬化性樹脂成形材料
及びこれを用いて成形された電子部品の優れていること
を確認した。
験した結果は第２表で明白なように本光例の封止用熱硬
化性樹脂成形材料から得られた成形品は尚＃湿性且つ低
応カ品であり本発明にょる封止用熱硬化性樹脂成形材料
及びこれを用いて成形された電子部品の優れていること
を確認した。
来Ｉ ＰＣＴ評価 １３３℃ 、１００％Ｒ１ｉ米２成
形品を［（−ａｓ℃×５分）＋（１５０℃×５分）］を
１サイクルとし、３００サイクル後でのクラック発生の
有無をみろ。
形品を［（−ａｓ℃×５分）＋（１５０℃×５分）］を
１サイクルとし、３００サイクル後でのクラック発生の
有無をみろ。
来３ ＭＯ５ＩＣによるＰＣＴ評価
特許出願人
松下電工株式会社
代理人弁理士 竹 元 敏 丸
（ばか２名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１シリコン化合物とポリブタジェンとを含有したこ
とを特徴とＴる封止用熱硬化性樹脂成形材料。 （２） シリコン化合物の怒加量か熱硬化性樹脂ｘｏｕ
ｔｊ１１部に対し１〜２ｕ７１Ａ ｊｉ 都であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の封止用熱硬化
性樹脂成形材料。 （３） ポリブタジェンの添加艦が熱硬化性樹脂１００
重Ａ罪に対し１−ｚｏ！ｊｉｆｆｉ部であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項、第２項記載の封止用熱硬
化性樹脂成形材料。 （４）封止外殻がシリコン化合物とポリブタジェンとを
含有する熱硬化性樹脂酸ルＩ料の成形で形成されている
ことを特徴とする樹脂封止型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20318083A JPS6094428A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれを用いて成形された電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20318083A JPS6094428A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれを用いて成形された電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6094428A true JPS6094428A (ja) | 1985-05-27 |
Family
ID=16469781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20318083A Pending JPS6094428A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 封止用熱硬化性樹脂成形材料及びこれを用いて成形された電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6094428A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260658A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS62146914A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS62192422A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
| JPS63120724A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02173155A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
| JPH04209622A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-31 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP20318083A patent/JPS6094428A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260658A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Toshiba Chem Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS62146914A (ja) * | 1985-12-23 | 1987-06-30 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS62192422A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-24 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物の製法 |
| JPH0310664B2 (ja) * | 1986-02-19 | 1991-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS63120724A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPH02173155A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-04 | Toray Ind Inc | 半導体封止用エポキシ含有組成物 |
| JPH04209622A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-31 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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