JPS61133225A - 半導体封止用エボキシ樹脂成形材料 - Google Patents
半導体封止用エボキシ樹脂成形材料Info
- Publication number
- JPS61133225A JPS61133225A JP25547384A JP25547384A JPS61133225A JP S61133225 A JPS61133225 A JP S61133225A JP 25547384 A JP25547384 A JP 25547384A JP 25547384 A JP25547384 A JP 25547384A JP S61133225 A JPS61133225 A JP S61133225A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- modified
- epoxy resin
- molding material
- polybutadiene
- resin molding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体を封止するエボキＶ樹脂成形材料に関す
るものである。
るものである。
近年、′電気、電子機器の部品の低コスト化と生産性向
上のため、プラスチックによる封止がなされるようにな
ってきた。これらの電気部品や電子部品には例えばトラ
ンジスタ、ダイオード、コンデンサー、フイＶター、整
流器、抵抗体、コイＶ、ＩＣ％ＬＳＣ，５ＬＳＩ 等
があり近年の半導体素子の高機能化に伴う素子サイズの
大型化傾向で従来問題にならなかった封止成形時の素子
上への応力、ハンダ処理等の実装工程における熱応力の
問題が半導体の信頼性に重要な影響をもつようになって
きた。即ちヒートサイクＶ試験等での樹脂クラックの発
生、バプシベーシ１ン、素子クラックの発生等による信
頼性の低下、素子上への応力による素子機能の低下等で
ある。又一方では耐湿性不足による信頼性低下も問題と
なっていた。
上のため、プラスチックによる封止がなされるようにな
ってきた。これらの電気部品や電子部品には例えばトラ
ンジスタ、ダイオード、コンデンサー、フイＶター、整
流器、抵抗体、コイＶ、ＩＣ％ＬＳＣ，５ＬＳＩ 等
があり近年の半導体素子の高機能化に伴う素子サイズの
大型化傾向で従来問題にならなかった封止成形時の素子
上への応力、ハンダ処理等の実装工程における熱応力の
問題が半導体の信頼性に重要な影響をもつようになって
きた。即ちヒートサイクＶ試験等での樹脂クラックの発
生、バプシベーシ１ン、素子クラックの発生等による信
頼性の低下、素子上への応力による素子機能の低下等で
ある。又一方では耐湿性不足による信頼性低下も問題と
なっていた。
本発明の目的は耐湿性を維持した上で低応力の半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料を提供することにある。
止用エポキシ樹脂成形材料を提供することにある。
本発明はエポキシ樹脂１００重量部（以下単に部と記す
）に対し変性シリコン化合物１〜２０部と、変性ポリブ
タジェン１〜２０部とを含有せしめたことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料で以下本発明の詳細
な説明する。
）に対し変性シリコン化合物１〜２０部と、変性ポリブ
タジェン１〜２０部とを含有せしめたことを特徴とする
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料で以下本発明の詳細
な説明する。
先ず低応力化達成手段としては通常、可撓性材料を添加
することが考えられるが従来の可佛性材料は耐湿性の点
で好ましくなく本発明ではエポキシ変性シリコン中間体
、力Ｍボン酸変性シリコン中間体、イミド変性シリコン
中間体、グリコ−Ｖ変性シリコン中間体、アミノ変性シ
リコン中間体、ポリエーテＶ変性シリコン中間体等の変
性シリコン化合物と内部エポキシ変性ポリブタジェン、
末端エポキシ変性ポリブタジェン、力Ｖボン酸変性ポリ
ブタジェン、水酸基変性ポリブタジェン、イミド変性ポ
リブタジェン等の変性ポリブタジェンを併用するもので
ある。変性シリコン化合物と変性ポリブタジェンの添加
量は各れもエポキシ樹脂１００部に対し夫々１〜２０部
であることが必要である。即ち１部未満では耐湿性を維
持した上での低応応力効果がなく、２０部をこえると耐
湿性が低下するためである。このように変性シリコン化
合物と変性ポリブタジェンとを併用することによシ耐湿
性を維持した上で低応力の半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料を得ることができるものである。
することが考えられるが従来の可佛性材料は耐湿性の点
で好ましくなく本発明ではエポキシ変性シリコン中間体
、力Ｍボン酸変性シリコン中間体、イミド変性シリコン
中間体、グリコ−Ｖ変性シリコン中間体、アミノ変性シ
リコン中間体、ポリエーテＶ変性シリコン中間体等の変
性シリコン化合物と内部エポキシ変性ポリブタジェン、
末端エポキシ変性ポリブタジェン、力Ｖボン酸変性ポリ
ブタジェン、水酸基変性ポリブタジェン、イミド変性ポ
リブタジェン等の変性ポリブタジェンを併用するもので
ある。変性シリコン化合物と変性ポリブタジェンの添加
量は各れもエポキシ樹脂１００部に対し夫々１〜２０部
であることが必要である。即ち１部未満では耐湿性を維
持した上での低応応力効果がなく、２０部をこえると耐
湿性が低下するためである。このように変性シリコン化
合物と変性ポリブタジェンとを併用することによシ耐湿
性を維持した上で低応力の半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料を得ることができるものである。
エポキシ樹脂としてはビスフェノ−７１／Ａ型エポキシ
樹脂、ノボラウク型エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂
、ハロゲン化エポキシ樹脂、グリシジＭエステＶ型エポ
キシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に、
アミン系硬化剤、脂肪族ポリアミン、ポリアミド樹脂、
芳香族ジアミン、酸無水物硬化剤、ルイス酸錯化合物、
フエノーシ樹脂、イソシアネート樹脂等の硬化剤や架橋
剤やイミダゾ−Ｖ、イミダシリン、有機フォスフイン化
合物等の硬化促進剤を加え、更に充填剤、離型剤、界面
活性剤等の添加剤を加えたものである。な諺変性シリコ
ン化合物と変性ポリブタジェンの添加方法は特に限定す
るものではないが好ましくは樹脂中或は硬化剤、硬化促
進剤中に変性シリコン化合物と変性ポリブタジェンを予
じめ分散させてから用いることが望ましい、更に該成形
材料の成形については、トランスファー成形、射出成形
等によるトランジスタ、ダイオード、コンデンサー、フ
イＶター、整流器、抵抗体、コイＶ％ＩＣ％ＬＳＩ、５
ＬＳＩ等の電子部品の多数個数プ成形に適することは勿
論、注型、圧縮成形にも適用できるものである。以下本
発明を実施例にもとすいて詳細に説明する。
樹脂、ノボラウク型エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂
、ハロゲン化エポキシ樹脂、グリシジＭエステＶ型エポ
キシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に、
アミン系硬化剤、脂肪族ポリアミン、ポリアミド樹脂、
芳香族ジアミン、酸無水物硬化剤、ルイス酸錯化合物、
フエノーシ樹脂、イソシアネート樹脂等の硬化剤や架橋
剤やイミダゾ−Ｖ、イミダシリン、有機フォスフイン化
合物等の硬化促進剤を加え、更に充填剤、離型剤、界面
活性剤等の添加剤を加えたものである。な諺変性シリコ
ン化合物と変性ポリブタジェンの添加方法は特に限定す
るものではないが好ましくは樹脂中或は硬化剤、硬化促
進剤中に変性シリコン化合物と変性ポリブタジェンを予
じめ分散させてから用いることが望ましい、更に該成形
材料の成形については、トランスファー成形、射出成形
等によるトランジスタ、ダイオード、コンデンサー、フ
イＶター、整流器、抵抗体、コイＶ％ＩＣ％ＬＳＩ、５
ＬＳＩ等の電子部品の多数個数プ成形に適することは勿
論、注型、圧縮成形にも適用できるものである。以下本
発明を実施例にもとすいて詳細に説明する。
実施例１乃至３と従来例１乃至３
第１表の配合表に従って材料を配合、混合、混練して半
導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得、トランスファー
成形機を用いて金型温度１７５℃、成型圧力５ｏＫｑ７
’ｄ 、硬化時間３分の条件でトランジスタを封止成形
して電子部品を得た。
導体封止用エポキシ樹脂成形材料を得、トランスファー
成形機を用いて金型温度１７５℃、成型圧力５ｏＫｑ７
’ｄ 、硬化時間３分の条件でトランジスタを封止成形
して電子部品を得た。
実施例１乃至３と従来例１乃至３の成形品を試験した結
果は第２表で明白なように本発明の半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料から得られた成形品は高耐湿性且つ低応
力品であり本発明による半導体封止用エポキシ樹脂成形
材料の優れて込ることを確認した。
果は第２表で明白なように本発明の半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料から得られた成形品は高耐湿性且つ低応
力品であり本発明による半導体封止用エポキシ樹脂成形
材料の優れて込ることを確認した。
手続補正書（自発） １
昭和２ρ年ｒ月７日
特許庁長官 殿 参
１、事件の表示
昭和刃年 特許願 第２５５４７３号
２、発明の名称
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
）′
６、補正の対象
発明の詳細な説明の欄
嘘正の内容
（１） 明細書第４頁第８行目の「合物等」を次のよ
うに補正する。
うに補正する。
「金物、三級アミン等」
（２）明細書第４頁第１２〜１４行自の「樹脂中〜から
」を次のように補正する。
」を次のように補正する。
「エポキシ樹脂或は硬化剤中に変性シリコン化合物、変
性ポリブタジェンを単独或は二種以上併用して予備反応
させた樹脂を」 （３） 明細書第４頁第８行目の「５ＬｓＩＪを次の
ように補正する。
性ポリブタジェンを単独或は二種以上併用して予備反応
させた樹脂を」 （３） 明細書第４頁第８行目の「５ＬｓＩＪを次の
ように補正する。
「ｖＬＳｌ」
（４）明細書第４頁第１９行目の「勿論、注型、圧縮成
形」を次のように補正する。
形」を次のように補正する。
「勿論、圧縮成形」
（５）明細書第６頁の第１表の下に次の文章を挿入する
。
。
Claims (1)
- （１）エポキシ樹脂１００重量部に対し変性シリコン化
合物１〜２０重量部と、変性ポリブタジエン１〜２０重
量部とを含有せしめたことを特徴とする半導体封止用エ
ポキシ樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25547384A JPS61133225A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体封止用エボキシ樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25547384A JPS61133225A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体封止用エボキシ樹脂成形材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61133225A true JPS61133225A (ja) | 1986-06-20 |
Family
ID=17279252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25547384A Pending JPS61133225A (ja) | 1984-12-03 | 1984-12-03 | 半導体封止用エボキシ樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61133225A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120724A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS63275624A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Hitachi Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
| JPH01215820A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04209622A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-31 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| US6133377A (en) * | 1997-04-17 | 2000-10-17 | Ajinomoto Co., Inc. | Compostion of epoxy resin, phenol-triazine-aldehyde condensate and rubber |
-
1984
- 1984-12-03 JP JP25547384A patent/JPS61133225A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63120724A (ja) * | 1986-11-11 | 1988-05-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| JPS63275624A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Hitachi Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 |
| JPH01215820A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置 |
| JPH04209622A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-31 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| US6133377A (en) * | 1997-04-17 | 2000-10-17 | Ajinomoto Co., Inc. | Compostion of epoxy resin, phenol-triazine-aldehyde condensate and rubber |
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