JPS61131550A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS61131550A JPS61131550A JP25440084A JP25440084A JPS61131550A JP S61131550 A JPS61131550 A JP S61131550A JP 25440084 A JP25440084 A JP 25440084A JP 25440084 A JP25440084 A JP 25440084A JP S61131550 A JPS61131550 A JP S61131550A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はガラス封止型ダイオードに関する。
従来の技術
第１４図はＤＨＤ型ガラス封止ダイオードの一例を示す
もので、図において、１はダイオードベレウト、２はス
フブリード、３はガヲスヌリーブで、ガラススリーブ３
内において、一対のスラグリード２．２の端面でダイオ
ードペレリ）１を挾持し、ガラススリーブ８内周面とス
フブリード２．２の外周面とを溶着し気密封止している
。
もので、図において、１はダイオードベレウト、２はス
フブリード、３はガヲスヌリーブで、ガラススリーブ３
内において、一対のスラグリード２．２の端面でダイオ
ードペレリ）１を挾持し、ガラススリーブ８内周面とス
フブリード２．２の外周面とを溶着し気密封止している
。
このダイオードは気密性が良好でスフブリード２．２が
放熱器の作用もするため信頼性が高く、多用されている
。
放熱器の作用もするため信頼性が高く、多用されている
。
ところで、このダイオードのリード２．２を第１５図に
示すように整形し、縦方向に実装可能にしている。
示すように整形し、縦方向に実装可能にしている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような形状のダイオードはり一ド２
の折り返し部が必要であるため、伍さＨが高くなるとい
う問題があった。
の折り返し部が必要であるため、伍さＨが高くなるとい
う問題があった。
またリード整形はダイオードを組立てた後にしな・けれ
ばならず、作業が煩雑で、ガラスに無理な力が加わると
欠けて気密性が損われ、信頼性が低下するという問題も
めった。
ばならず、作業が煩雑で、ガラスに無理な力が加わると
欠けて気密性が損われ、信頼性が低下するという問題も
めった。
問題点を解決するだめの手段
本発明は上記問題点に鑑み提案されたもので、平行配置
したリードの一端部間にダイオードペレ、ソトを接続し
、半導体ベレ、ット並びにリード一端部を含む主要部分
をガラススリーブ又はガラスキャ、フプに挿入して加熱
し気密に封止することによ、り上記問題点を解決したも
のである。
したリードの一端部間にダイオードペレ、ソトを接続し
、半導体ベレ、ット並びにリード一端部を含む主要部分
をガラススリーブ又はガラスキャ、フプに挿入して加熱
し気密に封止することによ、り上記問題点を解決したも
のである。
実施例
第１図は本発明を適用したダイオードの一例を示すもの
で、図において４はダイオードベレ、・、ト（半導体ベ
レ、−，）”）、５ａ、５ｂは平行配置された一部のリ
ードで、一方のリード５ａの端面にベレ１．＋）４を固
定している。６はベレット４の電極と他のり一部５ｂと
を接続した金属細線、７はベレット４並びにリード５ａ
、５ｂの一端部を含も主要部分を気密に囲繞したガラス
外囲器を示す。
で、図において４はダイオードベレ、・、ト（半導体ベ
レ、−，）”）、５ａ、５ｂは平行配置された一部のリ
ードで、一方のリード５ａの端面にベレ１．＋）４を固
定している。６はベレット４の電極と他のり一部５ｂと
を接続した金属細線、７はベレット４並びにリード５ａ
、５ｂの一端部を含も主要部分を気密に囲繞したガラス
外囲器を示す。
１ ここでリード５ａ、５ｂには少くともガラスと密着
する部分にガラスと熱膨張率が近似しガラスとの馴み性
の良好な金属部５Ｃ１５Ｃを配置している。
する部分にガラスと熱膨張率が近似しガラスとの馴み性
の良好な金属部５Ｃ１５Ｃを配置している。
瘤 以下に、このダイオードの製造方法を第２図
乃を 全相６図から説明する。先ず、第２図に示すように、一
対のり−ド５ａ、５ｂを複数組平行配列し、中間部を挟
着治具８ａで挾んで固定しチェーンリード９を構成し、
各対のり一部５ａ、５ｂにガラヌタブレ・ソト１０を挿
通しさらに挟着治具８ｂでタグレフト１０を固定する。
乃を 全相６図から説明する。先ず、第２図に示すように、一
対のり−ド５ａ、５ｂを複数組平行配列し、中間部を挟
着治具８ａで挾んで固定しチェーンリード９を構成し、
各対のり一部５ａ、５ｂにガラヌタブレ・ソト１０を挿
通しさらに挟着治具８ｂでタグレフト１０を固定する。
そして第３図に示すように、一方のリード５ａの一端面
にダイオードへｖ ノ） ４ ｆ固定し、ペレ、ソト４
の電極ト他のリード５ｂとを金属細線６で接続する。さ
らに第４図に示すようにガラススリーブを収容する凹部
１１ａ内にリード対５ａ、５ｂを挿入する穴１１ｂ、１
１ｂを穿設した下治具１１の下面に平板１２、好ましく
は磁石板を配置しておき、凹部１１ａ内にガラススリー
ブ１３を収容し、１１ｇ３図に示すように挟着冶具８ｂ
から下方に良み出したリード遊端を下治具１１の穴ｌｉ
ｄ、１１ｂに挿入し、平板１２にて支持し、挟着治具８
ａ、８ｂを開放する。
にダイオードへｖ ノ） ４ ｆ固定し、ペレ、ソト４
の電極ト他のリード５ｂとを金属細線６で接続する。さ
らに第４図に示すようにガラススリーブを収容する凹部
１１ａ内にリード対５ａ、５ｂを挿入する穴１１ｂ、１
１ｂを穿設した下治具１１の下面に平板１２、好ましく
は磁石板を配置しておき、凹部１１ａ内にガラススリー
ブ１３を収容し、１１ｇ３図に示すように挟着冶具８ｂ
から下方に良み出したリード遊端を下治具１１の穴ｌｉ
ｄ、１１ｂに挿入し、平板１２にて支持し、挟着治具８
ａ、８ｂを開放する。
これにより、ガラスタブレット１０はガラススリーブ１
３内に落下し、凹部１１ａ内に収容てれるっ さらに下治具１１又は平板１２のいずれか一方を固定し
ておき、他方を移動させてリード５ａ、５ｂの一端部を
降下させ、第５図に示すようにペレ・１ト４をスリーブ
１３内に位置させる。そして、第６図に示すように、錘
りを兼ねた成形治具１４を挿通した上治具１５を下治具
１１に覆せ、加熱炉に供給し、ガラススリーブ１３の一
端をガラス１７” ｊ’ 、ｙ ） １１ ＶＣ溶着さ
イると共、他端を５や治具１゛４により湾曲成形してガ
ラス外囲器７を形成し東密に封着し第１図に示すダイオ
ードを得る。
３内に落下し、凹部１１ａ内に収容てれるっ さらに下治具１１又は平板１２のいずれか一方を固定し
ておき、他方を移動させてリード５ａ、５ｂの一端部を
降下させ、第５図に示すようにペレ・１ト４をスリーブ
１３内に位置させる。そして、第６図に示すように、錘
りを兼ねた成形治具１４を挿通した上治具１５を下治具
１１に覆せ、加熱炉に供給し、ガラススリーブ１３の一
端をガラス１７” ｊ’ 、ｙ ） １１ ＶＣ溶着さ
イると共、他端を５や治具１゛４により湾曲成形してガ
ラス外囲器７を形成し東密に封着し第１図に示すダイオ
ードを得る。
第７図は本発明の他の実施例を示すもので、第１図と同
一符号は同一物を示し説明を省略する。
一符号は同一物を示し説明を省略する。
図において第１図ダイオードと相異するのは半導体ペレ
０．ｊト４１及びリード５ｂ′のみである。半導体ペレ
ット（ダイオードベレ、ｙ’））４’は上面ニ／＜ンプ
１極４ ａｌを形成し、リード５６／は一端にベレ１．
。
０．ｊト４１及びリード５ｂ′のみである。半導体ペレ
ット（ダイオードベレ、ｙ’））４’は上面ニ／＜ンプ
１極４ ａｌを形成し、リード５６／は一端にベレ１．
。
□ト４′上方まで延びる橋絡片５ ｄ’が固定され、橋
絡片５ ｄ’の遊端部をバンプ電極４ ａｌに圧接させ
ることにより、第１因ダイオードの金属、ｍ線６の役割
）を果している。・ 以下にこのダイオードの製造方法の一例を第８図乃至第
１１図から説明する。
絡片５ ｄ’の遊端部をバンプ電極４ ａｌに圧接させ
ることにより、第１因ダイオードの金属、ｍ線６の役割
）を果している。・ 以下にこのダイオードの製造方法の一例を第８図乃至第
１１図から説明する。
先ず第８図に示すように一方のリード５ａを一定間隔で
配列し、各リード５ａの一端を帯板１６に固定する。そ
して第９図に示すようにリード５ａの遊端に導電性接着
剤（図示せず）によりベレ・フト４′を固定する。一方
、他のリード５ｂ′もリード５ａと同様に一定間隔で帯
板１７に固定する（第１０図）。そして第１１図に示す
ように帯板１６に帯板１７を重ね、リード中間部を挟着
治具８で挟着し、帯板１６．１７近傍で各リード５ａ、
５ｂ′を切断し、ガラス外囲器−ｙ ） ｌ Ｏを挿通
ずるう後は第４図乃至第６図で説明したことと同様の手
段にて第７図ダイオードを得ることができる。
配列し、各リード５ａの一端を帯板１６に固定する。そ
して第９図に示すようにリード５ａの遊端に導電性接着
剤（図示せず）によりベレ・フト４′を固定する。一方
、他のリード５ｂ′もリード５ａと同様に一定間隔で帯
板１７に固定する（第１０図）。そして第１１図に示す
ように帯板１６に帯板１７を重ね、リード中間部を挟着
治具８で挟着し、帯板１６．１７近傍で各リード５ａ、
５ｂ′を切断し、ガラス外囲器−ｙ ） ｌ Ｏを挿通
ずるう後は第４図乃至第６図で説明したことと同様の手
段にて第７図ダイオードを得ることができる。
このダイオードはバンプ電極４ ａｌと橋絡片５ ｄ’
とを圧接接続しているが、橋絡片５ｄｒにバンプ電＋１
４２’と合金化し易い金属をメ、・Ｉキしておく等して
接合させたり、外囲器７の一部を橋絡片５ｄ′に押し付
けるなどして加圧し接続を確実にできる。
とを圧接接続しているが、橋絡片５ｄｒにバンプ電＋１
４２’と合金化し易い金属をメ、・Ｉキしておく等して
接合させたり、外囲器７の一部を橋絡片５ｄ′に押し付
けるなどして加圧し接続を確実にできる。
またガヲスタプレ・ｙ）１０の代りに第１２図に示すよ
うに、リード５ａを挿通する透孔１ （ｌ ｄ’及ヒバ
イブ１８を気密に貫通したガヲスタブレフト１０’とパ
イプ１８に挿通され一端に橋絡片５ｄ″を設けたり一部
５ ｂ’を用いることにより、ガラス封着時又は封着後
にリード５ｂ″を所定の力で引いて加圧し、パイプ１８
とリード５ｂ“をロウ材（図示せず）にて封止するよう
にしてもよい。
うに、リード５ａを挿通する透孔１ （ｌ ｄ’及ヒバ
イブ１８を気密に貫通したガヲスタブレフト１０’とパ
イプ１８に挿通され一端に橋絡片５ｄ″を設けたり一部
５ ｂ’を用いることにより、ガラス封着時又は封着後
にリード５ｂ″を所定の力で引いて加圧し、パイプ１８
とリード５ｂ“をロウ材（図示せず）にて封止するよう
にしてもよい。
第７図ダイオードの製造方法の一部を利用し、下治具に
リードを挿入する前にリード端部に半導体ペレットを固
定することにより第１３図に示すダイオード１９を得る
こともできる。
リードを挿入する前にリード端部に半導体ペレットを固
定することにより第１３図に示すダイオード１９を得る
こともできる。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることなく、例
えば半導体ベレ、ソト４．４′はダイオードペレｙトだ
けでなく、トランジスタやサイリスタ等の池の半導体ベ
レット一般に適用でき、電極の数に応じた本数のリード
を用いればよい。またリードとガヲスタブレ・フトを予
め一体化し、これにベン１．トをマウントしてもよいし
、ガラススリーブの代りにガラスキャップを用いてもよ
い。
えば半導体ベレ、ソト４．４′はダイオードペレｙトだ
けでなく、トランジスタやサイリスタ等の池の半導体ベ
レット一般に適用でき、電極の数に応じた本数のリード
を用いればよい。またリードとガヲスタブレ・フトを予
め一体化し、これにベン１．トをマウントしてもよいし
、ガラススリーブの代りにガラスキャップを用いてもよ
い。
南 効果
以上のように本発明によればリードが同一方向に導出さ
れているため、リード曲げ加工が不要で、諸さを極力小
さくできる。またガラスに無理な力が加わらないため欠
は等による気密性の劣化がなく高信頼性が保たれる。
れているため、リード曲げ加工が不要で、諸さを極力小
さくできる。またガラスに無理な力が加わらないため欠
は等による気密性の劣化がなく高信頼性が保たれる。
また、リードにてベレｙ）を圧接するタイプの半導体装
置では、ガラスに対してリードが同一方向に導出されて
いる関係で、温度の上下に伴う各リードの伸縮方向も同
一方向となるため、リード間のペレ・７トにかかる加圧
力の変化が小さく、温度によってル−ズコンタクトとな
ったり、加圧力が過大となってベレットを破壊する等の
問題もなくなる。
置では、ガラスに対してリードが同一方向に導出されて
いる関係で、温度の上下に伴う各リードの伸縮方向も同
一方向となるため、リード間のペレ・７トにかかる加圧
力の変化が小さく、温度によってル−ズコンタクトとな
ったり、加圧力が過大となってベレットを破壊する等の
問題もなくなる。
第１図、第７図、第１３図は本発明の実施例を示す側断
面図、第２図乃至第６図は第１図半導体装置の製造方法
を示す図面で、第２図は要部部分側断面図、第３図は要
部側面図、第４図は要部部分側断面図、第５図及び第６
図は要部側断面図を示す。また第８図乃至第１１図は第
７図半導体装置の製造方法を示す側面図、第１２図はガ
ラスタプレｌト及びリードの変形例を示す側断面図、第
１４図は従来のダイオードの側断面図、第１５図はリー
ド折曲げ加工したダイオードの側面図を示す。 ４．４′・・・・・・・・・・・・半導体ベレット、５
ａ、５ａ’、５６．５々′、５ｂｌｌ・、、、、・、、
、リート′、７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
ガラス外囲器。 第７ｖＡ 第１３図 ４／ 第１４図 第１５図
面図、第２図乃至第６図は第１図半導体装置の製造方法
を示す図面で、第２図は要部部分側断面図、第３図は要
部側面図、第４図は要部部分側断面図、第５図及び第６
図は要部側断面図を示す。また第８図乃至第１１図は第
７図半導体装置の製造方法を示す側面図、第１２図はガ
ラスタプレｌト及びリードの変形例を示す側断面図、第
１４図は従来のダイオードの側断面図、第１５図はリー
ド折曲げ加工したダイオードの側面図を示す。 ４．４′・・・・・・・・・・・・半導体ベレット、５
ａ、５ａ’、５６．５々′、５ｂｌｌ・、、、、・、、
、リート′、７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
ガラス外囲器。 第７ｖＡ 第１３図 ４／ 第１４図 第１５図
Claims (1)
- 平行配置したリードの一端部間に半導体ペレットを接
続し、半導体ペレット並びにリード一端部を含む主要部
分をガラス外囲器にて気密に封止したことを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25440084A JPS61131550A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25440084A JPS61131550A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131550A true JPS61131550A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17264448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25440084A Pending JPS61131550A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131550A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252856A (en) * | 1990-09-26 | 1993-10-12 | Nec Corporation | Optical semiconductor device |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25440084A patent/JPS61131550A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5252856A (en) * | 1990-09-26 | 1993-10-12 | Nec Corporation | Optical semiconductor device |
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