JPS61131464A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS61131464A JPS61131464A JP59253841A JP25384184A JPS61131464A JP S61131464 A JPS61131464 A JP S61131464A JP 59253841 A JP59253841 A JP 59253841A JP 25384184 A JP25384184 A JP 25384184A JP S61131464 A JPS61131464 A JP S61131464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- bonding
- capillary
- wire
- free end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
- H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
主呈上夏且里分！
本発明は、綴音波ボンディング装置を用いて半導体ペレ
ットの電極と、リードフレームのリードとを金属細線に
て電気的に接続するワイヤボンディング方法に関するも
めである。
ットの電極と、リードフレームのリードとを金属細線に
て電気的に接続するワイヤボンディング方法に関するも
めである。
従米至肢止
ＩＣ等の半導体装置は一般にリードフレームをペレット
マウント工程、ワイヤボンディング工程、樹脂モールド
工程等の各工程に順次送り製造される。ワイヤボンディ
ング工程では金線やアルミニウム線の金属細線（以下ワ
イヤと称す）をリードフレーム上にマウントされた半導
体ペレットの電極とリードフレームのり一ド遊端部に順
次押し付け、押圧と同時にボンディング面に平行に超音
波振動によるスクラブを加えて接合させる超音波ボンデ
ィング装置が通常使用される。
マウント工程、ワイヤボンディング工程、樹脂モールド
工程等の各工程に順次送り製造される。ワイヤボンディ
ング工程では金線やアルミニウム線の金属細線（以下ワ
イヤと称す）をリードフレーム上にマウントされた半導
体ペレットの電極とリードフレームのり一ド遊端部に順
次押し付け、押圧と同時にボンディング面に平行に超音
波振動によるスクラブを加えて接合させる超音波ボンデ
ィング装置が通常使用される。
例えば、■Ｃ用リードフレームにワイヤボンディングす
る超音波ボンディング装置の従来のｉ般例を第７図及び
第８図を参照して以下説明する０図において、（１）は
帯状のリードフレーム、（２）はリードフレーム（１）
の搬送路で、リードフレーム′（１゛）は搬送路（２）
上を長手方向（Ｘ方向）に間歇送りされる。（３）は搬
送路（２）の−側方に配置されたボンディング装置で、
必要に応じＸ方向またはＹ方向に移動するＸ−Ｙテーブ
ル（４）と、Ｘ−Ｙテーブル（４）上に設置されたボン
ディング装置本体部（５）と、ボンディング装置本体部
（５）から搬送路（２）側のＹ方向に延びるホーン（６
）と、ホーン（６）の先端部に装着されて下方に延びる
キャピラリ（７）と、キャピラリ（７）に長尺なワイヤ
（８）を供給するワイヤ送り機構（９）とからなってい
る、ボンディング装置本体部（５）はホーン（６）を上
下揺動可能に保持してホーン（６）に軸方向の超音波振
動を加えるものであり、ホーン（６）は加えられた超音
波振動をキャピラリ（７）に伝達する。
る超音波ボンディング装置の従来のｉ般例を第７図及び
第８図を参照して以下説明する０図において、（１）は
帯状のリードフレーム、（２）はリードフレーム（１）
の搬送路で、リードフレーム′（１゛）は搬送路（２）
上を長手方向（Ｘ方向）に間歇送りされる。（３）は搬
送路（２）の−側方に配置されたボンディング装置で、
必要に応じＸ方向またはＹ方向に移動するＸ−Ｙテーブ
ル（４）と、Ｘ−Ｙテーブル（４）上に設置されたボン
ディング装置本体部（５）と、ボンディング装置本体部
（５）から搬送路（２）側のＹ方向に延びるホーン（６
）と、ホーン（６）の先端部に装着されて下方に延びる
キャピラリ（７）と、キャピラリ（７）に長尺なワイヤ
（８）を供給するワイヤ送り機構（９）とからなってい
る、ボンディング装置本体部（５）はホーン（６）を上
下揺動可能に保持してホーン（６）に軸方向の超音波振
動を加えるものであり、ホーン（６）は加えられた超音
波振動をキャピラリ（７）に伝達する。
リードフレーム（１）は複数の半導体ペレットマウント
用基板（１０） （１０）・−・と各基板（１０）（
１０）・−・の近傍から延びる複数のリード（１１）（
１１）−−・をタイバ（１２） （１２）・−・で一
連に一体化したもので、各基板（１０） （１０）・
−・−・上には前工程で半導体ペレッ） （１３）
（１３）・−・がマウントされる。リードフレーム（１
）の基板（１０）がキャピラリ （７）の下方に間歇送
りされるとボンディング装置（３）が作用して、基板（
１０）上の半導体ペレツト（１３）の各電極とその近く
のリード（１１）の遊端部（１１°）（１１“）−・−
・上とにキャピラリ（７）が噴火に下降してワイヤ先端
部を押し付は超音波振動によるスクラブを加えてボンデ
ィングしていく、。
用基板（１０） （１０）・−・と各基板（１０）（
１０）・−・の近傍から延びる複数のリード（１１）（
１１）−−・をタイバ（１２） （１２）・−・で一
連に一体化したもので、各基板（１０） （１０）・
−・−・上には前工程で半導体ペレッ） （１３）
（１３）・−・がマウントされる。リードフレーム（１
）の基板（１０）がキャピラリ （７）の下方に間歇送
りされるとボンディング装置（３）が作用して、基板（
１０）上の半導体ペレツト（１３）の各電極とその近く
のリード（１１）の遊端部（１１°）（１１“）−・−
・上とにキャピラリ（７）が噴火に下降してワイヤ先端
部を押し付は超音波振動によるスクラブを加えてボンデ
ィングしていく、。
ここでボンディング装置（３）は通常、第７図に示すよ
うにホーン（６）を搬送路（２）に直角（Ｙ方向）又は
斜めにして配置される。
うにホーン（６）を搬送路（２）に直角（Ｙ方向）又は
斜めにして配置される。
（°５
リードフレーム（１）の各リード（１１） （１１）
・−・の全体形状は様々であるが、ワイヤボンディング
される遊端部（１１”）（１１°）−・は基板（１０）
（１０）・−・の近傍でＸ、Ｙ方向のいずれかに方
向が揃えられているのが通常であり、そのため次に示す
問題があった。
・−・の全体形状は様々であるが、ワイヤボンディング
される遊端部（１１”）（１１°）−・は基板（１０）
（１０）・−・の近傍でＸ、Ｙ方向のいずれかに方
向が揃えられているのが通常であり、そのため次に示す
問題があった。
ここで、第９図に示すようにリード遊端部がＸ方向に延
びるリードをＸリード（ｌｌａ ） 、Ｙ方向に延びる
リードをＹリード（ｌｌｂ ）とする、この両ｘ、ｙリ
ード（ｌｌａ ） （ｌｌｂ ）の各遊端部（１１ａ
”） （ｌｌｂ”）はワイヤボンディング時に下面が
受は台（Ｗ！Ｊ示せず）で支持されるが、横に対しては
自由状態であるため、両Ｘ、Ｙリード遊端部（１１ａ”
） （ｌｌｂ’）は直交する方向からの外力に対して
不安定で、この外力に追従して変動し昌い、従うて、上
記ボンディング装置（３）を使用した場合、Ｙリード遊
端部（１１ｂ”）上にワイヤ（８）をボンディングする
時の超音波振動方向はＹリード遊端部（ｌｌｂ”）の外
力に対して比較的安定したＹ方向であるため、この時の
ワイヤボンディングは強度大で行える。一方Ｘリード遊
端部（ｌｌａ’）上にワイヤ（８）をボンディングする
場合は、Ｘリード遊端部（ｌｌａ’）に対し直交する横
方向（Ｙ方向）に超音波振動が加わるため、この振動力
に追従する如くＸリード遊端部（ｌｌａ’ ）が横変動
を起こして、超音波エネルギの伝達効率が悪くなり、そ
のためボンディング強度がばらつき易（なってボンディ
ングに対する信頼性を低下させていた。
びるリードをＸリード（ｌｌａ ） 、Ｙ方向に延びる
リードをＹリード（ｌｌｂ ）とする、この両ｘ、ｙリ
ード（ｌｌａ ） （ｌｌｂ ）の各遊端部（１１ａ
”） （ｌｌｂ”）はワイヤボンディング時に下面が
受は台（Ｗ！Ｊ示せず）で支持されるが、横に対しては
自由状態であるため、両Ｘ、Ｙリード遊端部（１１ａ”
） （ｌｌｂ’）は直交する方向からの外力に対して
不安定で、この外力に追従して変動し昌い、従うて、上
記ボンディング装置（３）を使用した場合、Ｙリード遊
端部（１１ｂ”）上にワイヤ（８）をボンディングする
時の超音波振動方向はＹリード遊端部（ｌｌｂ”）の外
力に対して比較的安定したＹ方向であるため、この時の
ワイヤボンディングは強度大で行える。一方Ｘリード遊
端部（ｌｌａ’）上にワイヤ（８）をボンディングする
場合は、Ｘリード遊端部（ｌｌａ’）に対し直交する横
方向（Ｙ方向）に超音波振動が加わるため、この振動力
に追従する如くＸリード遊端部（ｌｌａ’ ）が横変動
を起こして、超音波エネルギの伝達効率が悪くなり、そ
のためボンディング強度がばらつき易（なってボンディ
ングに対する信頼性を低下させていた。
占 ” の
本発明は、基板上に載置された半導体ベレットの電極と
、遊端部が半導体ベレットの近傍に配置されたリードと
を超音波ボンディング装置を用い、金属細線にて接続す
るにあたって、前記超音波ボンディング装置のボンディ
ングツールとリード面とを相対的に振動させるようにし
たものである。
、遊端部が半導体ベレットの近傍に配置されたリードと
を超音波ボンディング装置を用い、金属細線にて接続す
るにあたって、前記超音波ボンディング装置のボンディ
ングツールとリード面とを相対的に振動させるようにし
たものである。
皿
上記手段によれば、ワイヤボンディング時にリードフレ
ームの各リード遊端部に加えられる超音波振動の振動方
向が、見かけ上一方向に偏らないため、各リード遊端部
でのワイヤボンディング強度の均一化が容易になり、ボ
ンディングの信頼性向上を図ることができる。
ームの各リード遊端部に加えられる超音波振動の振動方
向が、見かけ上一方向に偏らないため、各リード遊端部
でのワイヤボンディング強度の均一化が容易になり、ボ
ンディングの信頼性向上を図ることができる。
直１週
本発明の一実施例を第１図及び第２図から以下説明する
。第７図乃至第９図と同一参照符号は同一物を示しその
説明を省略する０図において、（１）はリードフレーム
、（２）は搬送路、（６）はポンディグ装置（３）のホ
ーン、（７）はキャピラリ、（１０）は基板、（１１）
はリード、 （ｌｌａ ） （ｌｌｂ ）はＸ、、Ｙ
リード、（１１”）はリード（１１）の遊端部、（ｌｌ
ａ’ ）（ｌｌｂ’ ）はＸＳＹリード（ｌｌａ ）
（ｌｌｂ ）の遊端部、（１２）はタイバ、（１３）
は半導体ペレットである。そして、（１４）はリードフ
レーム（１）に振動を加える振動子、（１５）は振動子
（１４）と共にリードフレーム（１）を弾性的に挟持す
る押圧部材である０本発明の特徴は、ワイヤボンディン
グ時にキャピラリ （７）を振動させると共に、リード
フレーム（１）を振動子（１４）と押圧部材（１５）と
によって弾性的に挟持しながら、リード遊端部（１１°
）をキャピラリ（７）の振動方向に直角に振動させるも
のである。なお図示しないがリードフレーム（１）は水
平面内で可動なようにリードフレーム押えが設けられて
いる。
。第７図乃至第９図と同一参照符号は同一物を示しその
説明を省略する０図において、（１）はリードフレーム
、（２）は搬送路、（６）はポンディグ装置（３）のホ
ーン、（７）はキャピラリ、（１０）は基板、（１１）
はリード、 （ｌｌａ ） （ｌｌｂ ）はＸ、、Ｙ
リード、（１１”）はリード（１１）の遊端部、（ｌｌ
ａ’ ）（ｌｌｂ’ ）はＸＳＹリード（ｌｌａ ）
（ｌｌｂ ）の遊端部、（１２）はタイバ、（１３）
は半導体ペレットである。そして、（１４）はリードフ
レーム（１）に振動を加える振動子、（１５）は振動子
（１４）と共にリードフレーム（１）を弾性的に挟持す
る押圧部材である０本発明の特徴は、ワイヤボンディン
グ時にキャピラリ （７）を振動させると共に、リード
フレーム（１）を振動子（１４）と押圧部材（１５）と
によって弾性的に挟持しながら、リード遊端部（１１°
）をキャピラリ（７）の振動方向に直角に振動させるも
のである。なお図示しないがリードフレーム（１）は水
平面内で可動なようにリードフレーム押えが設けられて
いる。
この動作はまず、ホーン（６）をリードフレーム（１）
の長平方向（Ｘ方向）に対し略４５゜の角度で配置し、
更に振動子（１４）をその振動方向がホーン（６）に直
交するように配置しながら、リードフレーム（１）の両
側のタイバ（１２） （１２）に振動子（１４）の先
端と押圧部材（１５） Ｑ先端とを弾圧的に接触させて
、リードフレーム（１）を弾性的に挟持する。そして、
従来と同じく、リードフレーム（１）を間歇送りして１
つの基板（１０）をホーン（６）゛の先端のキャピラリ
（７）の下方に位置させるとボンディング装置（３）
（第１図に図示せず）が作動して、ワイヤ（８）（第
１図に図示せず）を基板（１０）上の半導体ベレン）
（１３）の電極とリード遊端部（１１’ ）（１１（１
１”）・−・−・上に順次ボンディングしていく、この
時、キャピラリ （７）と共に振動子（１４）を振動さ
せると、リード遊端部（１１’ ）がキャピラリ （７
）の振動方向に直角に振動する。そのため、リード遊端
部（１１°）に対するキャピラリ（７）の振動は、見か
け上、振動子（１４）の振動とキャピラリ（７）の振動
とが合成されたものとなり、第３図（ａ）（ｂ）に示す
ように、リサージェ波形を描く。
の長平方向（Ｘ方向）に対し略４５゜の角度で配置し、
更に振動子（１４）をその振動方向がホーン（６）に直
交するように配置しながら、リードフレーム（１）の両
側のタイバ（１２） （１２）に振動子（１４）の先
端と押圧部材（１５） Ｑ先端とを弾圧的に接触させて
、リードフレーム（１）を弾性的に挟持する。そして、
従来と同じく、リードフレーム（１）を間歇送りして１
つの基板（１０）をホーン（６）゛の先端のキャピラリ
（７）の下方に位置させるとボンディング装置（３）
（第１図に図示せず）が作動して、ワイヤ（８）（第
１図に図示せず）を基板（１０）上の半導体ベレン）
（１３）の電極とリード遊端部（１１’ ）（１１（１
１”）・−・−・上に順次ボンディングしていく、この
時、キャピラリ （７）と共に振動子（１４）を振動さ
せると、リード遊端部（１１’ ）がキャピラリ （７
）の振動方向に直角に振動する。そのため、リード遊端
部（１１°）に対するキャピラリ（７）の振動は、見か
け上、振動子（１４）の振動とキャピラリ（７）の振動
とが合成されたものとなり、第３図（ａ）（ｂ）に示す
ように、リサージェ波形を描く。
ここで、キャピラリ（７）の周波数をｆＹ１振動子（１
４）の周波数をＥｘとすると、（ｙ ｘ ２・の時、リ
サージェ波形は第３図（ａ）のようになり、ｆ ｙ ＝
ｓ ４・ｆｘの時１．リサービエ波形は第３図（ｂ）の
ようになる、゛ 従ゲ乙す−ド遊端部（１１“）（１１°）・−・上にお
けるワイヤボンディングは、第２図に示すように、ＸＳ
Ｙリード遊端部（ｌｌａ’） （ｌｌｂ’）について
略同−条件下で行われることになり□、両者のワイヤボ
ンディングは略同−強度で行われることが分かる。
４）の周波数をＥｘとすると、（ｙ ｘ ２・の時、リ
サージェ波形は第３図（ａ）のようになり、ｆ ｙ ＝
ｓ ４・ｆｘの時１．リサービエ波形は第３図（ｂ）の
ようになる、゛ 従ゲ乙す−ド遊端部（１１“）（１１°）・−・上にお
けるワイヤボンディングは、第２図に示すように、ＸＳ
Ｙリード遊端部（ｌｌａ’） （ｌｌｂ’）について
略同−条件下で行われることになり□、両者のワイヤボ
ンディングは略同−強度で行われることが分かる。
次に、本発明の他の実施例を第４図及び第５図に示すと
、第４図に示す実施例は、ボンディング装置のホーン（
６）を支持する支持部に、ホーン（６）の軸に直角−（
Ｘ方向）に振動子（１６）を取り付けたもので、これに
よりキャピラリ（７）をＸＳＹ方向に振動させるもので
ある。又、第５図に示す実施例は、リードフレーム（１
）の間歇送りに用いられる位置決めビン（１７）に振動
子（１８）を取り付けたもので、リードフレーム（１）
の位置決め穴（１’） （第１ｆｘｍ参照）に位置決
めビン（１７）を挿通して搬送方向（Ｘ方向）にリード
フレーム（１）を振動させるものである。上記２実施例
によれば、リード遊端部（１１’ ）に対するキャピラ
リ（７）の振動は、見かけ上、Ｘ、Ｙ方向の振動が合成
されたものとなり、この見かけ上の振動は、第６図に示
すように、ｘＳｙリード遊端部（ｌｌａ’）（１１ｂ”
）について略同−条件下で行われること・ になり、両
遊端部（ｌｌａ’） （ｌｌｂ”）のワイヤボンディ
ングは略同−強度で行われる。
、第４図に示す実施例は、ボンディング装置のホーン（
６）を支持する支持部に、ホーン（６）の軸に直角−（
Ｘ方向）に振動子（１６）を取り付けたもので、これに
よりキャピラリ（７）をＸＳＹ方向に振動させるもので
ある。又、第５図に示す実施例は、リードフレーム（１
）の間歇送りに用いられる位置決めビン（１７）に振動
子（１８）を取り付けたもので、リードフレーム（１）
の位置決め穴（１’） （第１ｆｘｍ参照）に位置決
めビン（１７）を挿通して搬送方向（Ｘ方向）にリード
フレーム（１）を振動させるものである。上記２実施例
によれば、リード遊端部（１１’ ）に対するキャピラ
リ（７）の振動は、見かけ上、Ｘ、Ｙ方向の振動が合成
されたものとなり、この見かけ上の振動は、第６図に示
すように、ｘＳｙリード遊端部（ｌｌａ’）（１１ｂ”
）について略同−条件下で行われること・ になり、両
遊端部（ｌｌａ’） （ｌｌｂ”）のワイヤボンディ
ングは略同−強度で行われる。
１に洟果
本発明によれば、超音波ボンディング装置を用いて半導
体ペレットの電極とリードフレームのり一ドとをワイヤ
ボンディングするにあたっ゛て、ボンディングツールと
リード面とを相対的に振動させるようにしたから、伸び
方向の異なるリードについてワイヤボンディングを略同
−条件下で行うことが可能で、各リードのボンディング
強度を略均−にでき、ボンディングの信頼性向上を図る
ことができる。
体ペレットの電極とリードフレームのり一ドとをワイヤ
ボンディングするにあたっ゛て、ボンディングツールと
リード面とを相対的に振動させるようにしたから、伸び
方向の異なるリードについてワイヤボンディングを略同
−条件下で行うことが可能で、各リードのボンディング
強度を略均−にでき、ボンディングの信頼性向上を図る
ことができる。
第１図は本発明に係るワイヤポンディング方法を適用し
た一実施例の平面図で、第２図はそのワイヤボンディン
グ動作を説明するためのリードフレームの要部拡大平面
図、第３図は第１図のワイヤポンディングにおいてポン
ディングツールの描く見かけ上の振動の波形図、第４図
と第５図は本発明に係るワイヤボンディング方法を適用
した他の各実施例の概略側面図、第６図は第４図と第５
図の実施例におけるワイヤポンディング動作を説明する
ためのリードフレームの要部拡大平面図、第７図は従来
の超音波ポンディング装置の平面図で、第８図はその側
面図、第９図は超音波ボンディング装置を用いた従来の
ワイヤボンディング動作を説明するためのリードフレー
ムの要部拡大平面図である。 （３） −・超音波ボンディング装置、＜ ７ ） −
・ポンディングツール、（８） −・金属細線、（１０
）一基板、（１１）・−リード、（１１”）−・遊端部
、（１３） −・半導体ペレット、（１４） （１６
） （１８）・・−振動子。
た一実施例の平面図で、第２図はそのワイヤボンディン
グ動作を説明するためのリードフレームの要部拡大平面
図、第３図は第１図のワイヤポンディングにおいてポン
ディングツールの描く見かけ上の振動の波形図、第４図
と第５図は本発明に係るワイヤボンディング方法を適用
した他の各実施例の概略側面図、第６図は第４図と第５
図の実施例におけるワイヤポンディング動作を説明する
ためのリードフレームの要部拡大平面図、第７図は従来
の超音波ポンディング装置の平面図で、第８図はその側
面図、第９図は超音波ボンディング装置を用いた従来の
ワイヤボンディング動作を説明するためのリードフレー
ムの要部拡大平面図である。 （３） −・超音波ボンディング装置、＜ ７ ） −
・ポンディングツール、（８） −・金属細線、（１０
）一基板、（１１）・−リード、（１１”）−・遊端部
、（１３） −・半導体ペレット、（１４） （１６
） （１８）・・−振動子。
Claims (1)
- （１）基板上に載置された半導体ペレットの電極と、遊
端部が半導体ペレットの近傍に配置されたリードとを超
音波ボンディング装置を用い、金属細線にて接続するに
あたって、前記超音波ボンディング装置のボンディング
ツールとリード面とを相対的に振動させるようにしたこ
とを特徴とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253841A JPS61131464A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59253841A JPS61131464A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131464A true JPS61131464A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17256876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59253841A Pending JPS61131464A (ja) | 1984-11-29 | 1984-11-29 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131464A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258845A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Toshiba Corp | 超音波ワイヤボンディング装置 |
-
1984
- 1984-11-29 JP JP59253841A patent/JPS61131464A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258845A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Toshiba Corp | 超音波ワイヤボンディング装置 |
| JPH0550136B2 (ja) * | 1988-08-25 | 1993-07-28 | Toshiba Kk |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3429953B2 (ja) | 微細金属バンプの製造方法および製造装置 | |
| US7523775B2 (en) | Bonding apparatus and method of bonding for a semiconductor chip | |
| JPH0677271A (ja) | 超音波ワイヤボンデイング方法 | |
| US5326014A (en) | Head of ultrasonic wire bonding apparatus and bonding method | |
| JPS61131464A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| US20060043149A1 (en) | Method of bonding and bonding apparatus for a semiconductor chip | |
| JP2576426B2 (ja) | 半導体装置のボンディング方法及びボンディング装置 | |
| JP2976604B2 (ja) | フィルムキャリアのリード部のボンディング装置 | |
| JP3796943B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 | |
| JPS5826528Y2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウソウチ | |
| JPH023629Y2 (ja) | ||
| JP3478734B2 (ja) | バンプ付電子部品の実装方法および実装体 | |
| JPH04249331A (ja) | ワイヤ接合方法およびボンディングツール | |
| JP2001057376A (ja) | ボンディング装置及び基板の製造方法 | |
| JPS61196547A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JP4815309B2 (ja) | 超音波実装ツール及び電子部品の実装装置 | |
| JPH0555311A (ja) | ボンデイング装置 | |
| JP3800790B2 (ja) | バンプボンディング装置 | |
| JP2582185Y2 (ja) | ボンデイング装置 | |
| JPH0582598A (ja) | ワイヤボンダ | |
| JP2004063868A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002334908A (ja) | 超音波ボンディング装置 | |
| JPS61174732A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
| JPS6144434A (ja) | リ−ドフレ−ム押え装置 | |
| JPH0482056B2 (ja) |